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51. 发明授权

KR101345432B1 무촉매 단결정 실리콘 나노와이어의 제조방법, 그에 의해형성된 나노와이어 및 이를 포함하는 나노소자 有权
标题翻译：制造无金属单晶硅酸盐纳米线的方法，其制备的纳米线和包含其的纳米器件
公开(公告)号：KR101345432B1
公开(公告)日：2013-12-27
申请号：KR1020070129907
申请日：2007-12-13
申请人： 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
发明人： 이은경 , 황동목 , 최병룡 , 김병성
IPC分类号： B82B3/00
CPC分类号： H01L29/0665 , B82Y10/00 , C30B25/00 , C30B29/06 , C30B29/60 , H01L21/02532 , H01L21/02603 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L29/0673 , H01L29/0676 , Y10S977/762 , Y10S977/89 , Y10S977/891 , Y10S977/892 , Y10S977/893
摘要： 본발명은무촉매단결정실리콘나노와이어의제조방법, 그에의해형성된나노와이어및 이를포함하는나노소자에관한것으로, 이러한나노와이어는제조시 금속촉매를사용하지않음으로써합성이간편하고경제적일뿐 아니라, 금속촉매에의한불순물함입을방지하여나노와이어의전기및 광특성을향상시킬수 있다.

52. 发明公开

KR1020130136906A 나노와이어 ＬＥＤ 구조와 이를 제조하기 위한 방법 无效
标题翻译： NANOWIRE LED结构及其制造方法
公开(公告)号：KR1020130136906A
公开(公告)日：2013-12-13
申请号：KR1020127033944
申请日：2011-06-17
申请人： 글로 에이비
发明人： 뢰브그렌,트룰스
IPC分类号： H01L33/20 , H01L33/04 , H01L33/08 , B82B3/00
CPC分类号： H01L33/24 , B82Y20/00 , H01L33/08 , H01L33/18 , H01L33/38 , H01L33/42 , H01L33/60 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2933/0016 , H01L2933/0058 , Y10S977/762 , H01L2924/00
摘要： 발광 다이오드(LED) 구조는 지지층 상에 나란히 배열된 복수의 장치를 포함한다. 각 장치는, 동작시 광 발생을 위한 활성 부위를 제공하는 pn 또는 pin 접합을 형성하기 위해 제 1 도전형 반도체 나노와이어 코어 및 둘러싼 제 2 도전형 반도체 셸을 포함한다. 제 1 전극층은 복수의 나노와이어 위로 확장하고 셸에 연결하기 위해 장치의 적어도 상부 부분에 전기적으로 접촉한다. 제 1 전극층은 장치 사이에 적어도 부분적으로 공중-가교된다.

53. 发明授权

KR101287317B1 반도체 공정에서 나노 리소그래픽 기술을 이용하여 단전자트랜지스터를 제조하는 방법 失效
标题翻译：通过在半导体工艺中采用纳米光刻技术制造单电子晶体管（集）的制造方法
公开(公告)号：KR101287317B1
公开(公告)日：2013-07-22
申请号：KR1020087018767
申请日：2006-12-29
申请人： 린, 밍-눙 , 첸 충 친
发明人： 린,밍-눙
IPC分类号： H01L47/00 , H01L21/027 , H01L29/06 , B82Y40/00
CPC分类号： C23C14/044 , B82Y10/00 , C23C14/042 , C23C14/225 , G03F7/40 , H01L29/66439 , Y10S438/962 , Y10S977/762 , Y10S977/771 , Y10S977/774 , Y10S977/938
摘要： 본 발명은 (a) 기판상에 형성되는 기체 분자 또는 원자 상태의 밀폐 재료인 밀폐재를 나노 원통형 구멍의 상위 개구(top-opening)에 증착하여, 상기 상위 개구의 직경을 점진적으로 감소시켜 나노 개구를 이 나노 개구의 개방 직경이 상기 상위 개구의 직경보다 더 작게 되도록 축소시키는 단계와, (b) 상기 기판을 수평 방향으로 유지하고, 기체 분자 또는 원자 상태의 증착 재료를 상기 축소된 나노 개구 쪽으로 직교하여 바라보도록 정렬하여, 상기 축소된 나노 개구의 직경과 동일한 직경을 갖는 아일랜드 전극 나노 양자점이 상기 축소된 나노 개구를 통과하는 상기 증착 재료에 의해 상기 나노 원통형 구멍의 상기 기판의 표면상의 예상 위치에 직접 증착되게 하는 단계와, (c) 상기 증착 재료의 출력을 이전과 동일한 방향으로 유지하고, 상기 기판을 상기 축소된 나노 개구를 중심으로 경사각을 갖도록 우측으로 기울여, 상기 축소된 나노 개구를 통과하는 상기 증착 재료에 의해 드레인 전극 나노 양자점을 상기 기판의 표면상의 상기 아일랜드 전극의 예상 우측 위치에 증착시키는 단계와, (d) 상기 증착 재료의 출력을 이전과 동일한 방향으로 유지하고, 상기 기판을 상기 축소된 나노 개구를 중심으로 경사각을 갖도록 좌측으로 기울여, 상기 축소된 나노 개구를 통과하는 상기 증착 재료에 의해 소스 전극 나노 양자점을 상기 기판의 표면상의 상기 아일랜드 전극의 예상 좌측 위치에 증착시키는 단계와, (e) 상기 증착 재료의 출력을 이전과 동일한 방향으로 유지하고, 상기 기판을 상기 축소된 나노 개구를 중심축으로 경사각(θ)으로 회전각을 갖도록 시계 방향으 로 회전시켜, 상기 증착 재료에 의해 게이트 전극 나노 양자점을 상기 기판의 표면상의 상기 아일랜드 전극의 예상 전방 위치에 증착시키는 단계와, (f) 마지막으로, 용액 린싱(즉, 습식 에칭) 또는 기체 에칭(즉, 건식 에칭)에 의해, 상기 기판상의 상기 포토레지스트 내의 상기 나노 원통형 구멍을 제거하여, 나노 규모의 아일랜드 전극 나노 양자점, 드레인 전극 나노 양자점, 소스 전극 나노 양자점 및 게이트 전극 나노 양자점을 포함하는 단전자 트랜지스터(SET)를 상기 기판의 표면상에 직접 제조하는 단계를 포함하는 처리 단계를 사용하여 반도체 공정에서 나노 리소그래픽 기술을 이용하여 단전자 트랜지스터(SET)를 제조하는 방법을 제공하기 위한 것이다.

54. 发明公开

KR1020130070923A 반도체 장치 제조 방법 无效
标题翻译：制造半导体器件的方法
公开(公告)号：KR1020130070923A
公开(公告)日：2013-06-28
申请号：KR1020110138198
申请日：2011-12-20
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 안상태
IPC分类号： H01L21/8247 , H01L27/115
CPC分类号： H01L29/788 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01L21/28273 , H01L21/28282 , H01L27/11521 , H01L29/0673 , H01L29/42332 , H01L29/66825 , H01L29/66833 , H01L29/7881 , H01L29/792 , Y10S977/762
摘要： PURPOSE: A manufacturing method of a semiconductor device uniformly distributes nanodot or nanowire to equalize the property of the memory cells. CONSTITUTION: The first assistant pattern (12) is formed. First material layers (14) and second material layers (15) are by turns formed in the sidewall of the first assistant pattern. The first material layers and the second material layers fill up the gap region between the first assistant patterns. The second material layers are removed. A charge storage layer is formed in the region in which the second material layers are removed.
摘要翻译：目的：半导体器件的制造方法均匀分布纳米线或纳米线以均衡存储器单元的性质。构成：形成第一辅助模式（12）。第一材料层（14）和第二材料层（15）依次形成在第一辅助图案的侧壁中。第一材料层和第二材料层填充第一辅助图案之间的间隙区域。去除第二材料层。在除去第二材料层的区域中形成电荷存储层。

55. 发明公开

KR1020120128155A 나노와이어 기반의 투명 도전체 无效
标题翻译：基于纳米级的透明导体
公开(公告)号：KR1020120128155A
公开(公告)日：2012-11-26
申请号：KR1020127026323
申请日：2006-08-14
申请人： 캄브리오스 테크놀로지즈 코포레이션
发明人： 알덴,조나단,에스. , 다이,핵샤 , 크냅,마이클,알. , 나,슈오 , 팩배즈,해쉬 , 체니츠카,플로리안 , 콴,시나 , 스페이드,마이클,에이. , 워크,제프리
IPC分类号： H01B5/14 , G02F1/1343 , G06F3/041
CPC分类号： H01B1/22 , B22F2998/00 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , C03C17/007 , C03C17/008 , C03C2217/445 , C03C2217/479 , C09D11/52 , C23F11/02 , C30B7/02 , C30B29/02 , C30B29/60 , C30B33/00 , G02F1/13439 , H01L27/14623 , H01L31/02164 , H01L31/022466 , H01L2224/45139 , H01L2224/49175 , H01L2924/00011 , H01L2924/12044 , H01L2924/3011 , H05K1/0269 , H05K1/097 , H05K3/048 , H05K2201/0145 , H05K2201/0154 , H05K2201/026 , H05K2201/10128 , H05K2203/1545 , Y10S977/762 , B22F1/0025 , H01L2924/00 , H01L2924/01004 , H01L2924/0102 , H01L2924/01039 , G06F3/041
摘要： 기판 상에 코팅되는 도전층을 포함하는 투명 도전체가 개시된다. 더 상세하게는 그러한 도전층은 매트릭스 내에 매몰될 수 있는 나노와이어들의 네트워크를 포함한다. 그러한 도전층은 광학적으로 투명하고 연성이다. 그것은 연성 및 경성 기판들을 포함하는 다양한 기판들 상에 코팅되거나 적층될 수 있다.

56. 发明公开

KR1020120125069A 고압 수소 열처리를 이용한 나노선 전계효과 트랜지스터 메모리 소자 및 이의 제조 방법 有权
标题翻译：纳米线场效应晶体管存储器件采用高压氢退火及其制造方法
公开(公告)号：KR1020120125069A
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：KR1020110043138
申请日：2011-05-06
申请人： 광주과학기술원
发明人： 이탁희 , 윤종원
IPC分类号： H01L27/115 , H01L21/8247
CPC分类号： H01L21/28273 , B82Y10/00 , H01L21/0223 , H01L29/517 , Y10S977/762
摘要： PURPOSE: A nano wire field effect transistor memory device and a manufacturing method thereof are provided to reduce thermal damage given to a device by using high pressure hydrogen heat treatment. CONSTITUTION: A doped oxide film(210) is formed on a p-type substrate. The doped oxide film is a doped silicon thermal oxide film. The thickness of the doped oxide film is 30nm to 100nm. A nanowire(400) is formed on the doped oxide film. A source electrode(500) and a drain electrode(600) are formed on both ends of the nanowire. The doped oxide film comprises a proton. The proton is injected with high pressure hydrogen heat treatment.
摘要翻译：目的：提供纳米线场效应晶体管存储器件及其制造方法，以通过使用高压氢热处理来减少对器件的热损伤。构成：在p型衬底上形成掺杂氧化膜（210）。掺杂的氧化物膜是掺杂的硅热氧化物膜。掺杂氧化膜的厚度为30nm至100nm。在掺杂氧化物膜上形成纳米线（400）。源极电极（500）和漏电极（600）形成在纳米线的两端。掺杂氧化物膜包括质子。质子注入高压氢热处理。

57. 发明公开

KR1020120092091A 페시베이팅된 실리콘 나노와이어들을 제조하기 위한 방법들 및 그에 따라 획득된 디바이스들 无效
标题翻译：制造钝化硅纳米管的方法和获得的器件
公开(公告)号：KR1020120092091A
公开(公告)日：2012-08-20
申请号：KR1020127001670
申请日：2010-06-23
申请人： 캘리포니아 인스티튜트 오브 테크놀로지
发明人： 슈헬러,악셀 , 와라발카르,사미어 , 헨리,마이클디. , 호마이크,앤드류피.
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/0665 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01L29/0676 , H01L29/413 , H01L29/66439 , H01L29/66666 , H01L29/775 , H01L29/7827 , H01L33/18 , Y10S977/762
摘要： Methods for fabricating passivated silicon nanowires and an electronic arrangement thus obtained are described. Such arrangements may comprise a metal-oxide-semiconductor (MOS) structure such that the arrangements may be utilized for MOS field-effect transistors (MOSFETs) or opto-electronic switches.

58. 发明授权

KR101174044B1 전자도금으로부터 자가-속박된 이방성 게르마늄 나노구조체 有权
标题翻译：电镀的自约束非均质锗原子纳米结构
公开(公告)号：KR101174044B1
公开(公告)日：2012-08-16
申请号：KR1020097010647
申请日：2007-12-18
申请人： 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션
发明人： 코헨,가이 , 델리기안니,하리클리아 , 후앙,치앙 , 로만키우,루보미르
IPC分类号： C25D5/02 , H01L21/20 , B82B3/00 , B82Y10/00
CPC分类号： C25D3/54 , B82Y10/00 , C25D5/022 , C25D7/123 , H01L21/0237 , H01L21/02532 , H01L21/02603 , H01L21/02628 , H01L21/02639 , Y10S977/762
摘要： 기판과접촉하고, 기판으로부터외부로확장하는 1 마이크로미터미만의직경의와이어및 1 마이크로미터미만의폭의월(wall)을함유하는게르마늄을포함하는나노구조체가그의제조방법과함께제공된다.

59. 发明授权

KR101169536B1 나노구조를 이용한 의사 유전체 失效
标题翻译：人造电子使用纳米结构
公开(公告)号：KR101169536B1
公开(公告)日：2012-07-31
申请号：KR1020077008652
申请日：2005-08-16
申请人： 나노시스, 인크.
发明人： 스텀보,데이비드 , 엠페도클레스,스티브 , 레온,프랑시스코 , 파스,제이.왈라스
IPC分类号： H01B3/00 , B82B3/00
CPC分类号： H01L29/0665 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , G11C2213/16 , G11C2213/81 , H01L29/0673 , H01L29/4908 , H01L51/0537 , Y10S977/743 , Y10S977/745 , Y10S977/762 , Y10S977/813 , Y10S977/936
摘要： 나노와이어와 같은 나노구조를 이용한 의사 유전체가 개시되었다. 실시예들에서, 나노로드, 나노튜브 또는 나노리본 등과 같은 다른 나노구조를 이용한 의사 유전체가 개시되었다. 의사 유전체는 유전체 재료 내에 매립된 복수의 나노와이어 (또는 다른 나노구조)를 갖는 유전체 재료를 포함한다. 매우 높은 유전 상수는 나노구조를 이용한 의사 유전체에 의해 달성될 수 있다. 유전 상수는 나노구조의 길이, 직경, 캐리어 밀도, 형상, 애스펙트비, 배향 및 밀도를 변화시킴으로써 조정될 수 있다. 부가적으로, 나노와이어와 같은 나노구조를 이용한 제어 가능한 의사 유전체가 개시되었으며, 여기에서, 유전 상수는, 전계를, 제어 가능한 의사 유전체에 인가함으로써 동적으로 조정될 수 있다. 전자 소자의 광범위는 성능을 향상시키기 위해 나노구조를 갖는 의사 유전체를 사용할 수 있다. 소자의 일례로서, 커패시터 박막 트랜지스터, 다른 타입의 박막 전자 소자, 마이크로스트립 소자, 표면 탄성파(SAW) 필터, 다른 타입의 필터, 및 레이더 감쇄 재료(RAM) 등이 있다.
의사 유전체, 나노구조, 나노와이어

60. 发明公开

KR1020120066438A 반도체 소자 및 이를 제조하는 방법 有权
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020120066438A
公开(公告)日：2012-06-22
申请号：KR1020100127787
申请日：2010-12-14
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 서동우 , 김성복 , 류호준
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/0673 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01L21/02381 , H01L21/0245 , H01L21/02532 , H01L21/02603 , H01L21/02639 , H01L21/02645 , H01L21/02653 , H01L29/068 , H01L29/66439 , H01L29/775 , H01L29/78696 , Y10S977/762
摘要： PURPOSE: A semiconductor device and a manufacturing method thereof are provided to simplify a process by injecting impurities to a second nano wire to form a second source/drain area. CONSTITUTION: A substrate(100) includes a first top surface(T1), a second top surface, and a first vertical surface(P1). A first nano wire(110) is separated from the second top surface and is extended from the vertical surface. A second nano wire(112) includes a second impurity area. A gate electrode(116) is arranged on the first nano wire. A dielectric film(114) is interposed between the gate electrode and the first nano wire.
摘要翻译：目的：提供一种半导体器件及其制造方法，以通过将杂质注入到第二纳米线中以形成第二源极/漏极区域来简化工艺。构成：衬底（100）包括第一顶表面（T1），第二顶表面和第一垂直表面（P1）。第一纳米线（110）从第二顶表面分离并从垂直表面延伸。第二纳米线（112）包括第二杂质区域。栅电极（116）布置在第一纳米线上。电介质膜（114）插入在栅电极和第一纳米线之间。

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