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1. 发明授权

KR101058483B1 반도체 나노결정을 포함하는 발광 소자 有权
标题翻译：包含半导体纳米晶体的发光器件
公开(公告)号：KR101058483B1
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：KR1020047015324
申请日：2003-03-28
申请人： 메사추세츠 인스티튜트 오브 테크놀로지 , 유니버셜 디스플레이 코포레이션
发明人： 불로빅블라디미르 , 코세쓰에이. , 우윙-킁 , 바웬디마운지지.
IPC分类号： H05B33/22 , H01L29/00 , H01L35/24 , B82Y20/00
CPC分类号： H05B33/14 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , C09K11/02 , C09K11/565 , C09K11/62 , C09K11/66 , C09K11/883 , H01L51/0059 , H01L51/0081 , H01L51/502 , H01L51/5096 , Y10S428/917 , Y10S977/774 , Y10S977/813 , Y10S977/952 , Y10T428/24917 , Y10T428/2991
摘要： 본 발명에 따른 발광 소자는 층 내에 반도체 나노결정을 포함한다. 상기 층은 비중합체 층일 수 있다.
摘要翻译：根据本发明的发光器件在该层中包括半导体纳米晶体。该层可以是非聚合物层。

2. 发明公开

KR1020090049979A Ⅰ－Ⅲ－Ⅵ２ 나노입자의 제조방법 및 다결정 광흡수층박막의 제조방법 失效
标题翻译： I-III-VI2纳米粒子的合成及多晶吸收层的制备
公开(公告)号：KR1020090049979A
公开(公告)日：2009-05-19
申请号：KR1020080055227
申请日：2008-06-12
申请人： 성균관대학교산학협력단
发明人： 정덕영 , 한재억 , 장주연
IPC分类号： B82B3/00 , C30B30/06 , B01J19/08
CPC分类号： C01G15/006 , B82Y30/00 , C01B17/20 , C01B19/002 , C01B19/007 , C01G3/006 , C01G15/00 , C01P2002/70 , C01P2002/72 , C01P2002/82 , C01P2002/85 , C01P2004/03 , C01P2004/04 , C01P2004/62 , C01P2004/64 , C23C18/1204 , C30B7/08 , C30B29/48 , C30B29/60 , H01L21/02568 , H01L21/02601 , H01L21/02628 , Y10S977/773 , Y10S977/813
摘要： 본 발명은 I-III-VI
2 나노입자의 제조방법 및 다결정 광흡수층 박막의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 I-III-VI
2 나노입자의 제조방법은, (a1) I족 원료, III족 원료 및 VI족 원료를 용매와 함께 혼합하여 혼합 용액을 제조하는 단계; (a2) 상기 혼합 용액을 초음파 처리하는 단계; (a3) 상기 초음파 처리된 혼합 용액으로부터 용매를 분리하는 단계; 및 (a4) 상기 (a3) 단계로부터 얻어진 결과물을 건조하여 나노입자를 수득하는 단계를 포함한다. 본 발명에 따르면, 초음파를 이용한 파쇄분산을 통해 균일한 크기의 I-III-VI
2 나노입자 전구체를 합성하고 박막을 제조한 후 열처리 공정 등을 통하여 쉽게 원하는 조성의 다결정 광흡수층 박막을 얻을 수 있다. 또한, 본 발명에 따르면 기존의 산소 제거 공정이 불필요하기 때문에 종래의 제조공정을 간소화 할 수 있어 제조단가를 크게 절감할 수 있을 것으로 기대된다.
CIS, 찰코파이라이트, 나노입자, 광흡수층, 박막형 태양전지, 초음파

3. 发明授权

KR100867665B1 마이크로파 조사에 의한 칼코파이라이트형 화합물의제조방법 有权
标题翻译：具有微波辐射的氯仿型化合物的制备方法
公开(公告)号：KR100867665B1
公开(公告)日：2008-11-10
申请号：KR1020070108908
申请日：2007-10-29
申请人： 한국화학연구원
发明人： 황영규 , 장종산 , 정성화 , 황진수 , 이혜영
IPC分类号： C01G3/00 , C01B17/00 , C01B19/00 , C01G15/00
CPC分类号： C01B19/002 , B82Y30/00 , C01P2002/72 , C01P2004/64 , Y10S977/777 , Y10S977/813
摘要： A manufacturing method of chalcopyrite type compound by radiating a microwave is provided to supply the chalcopyrite type compound in which non-interactant or oxide is not mixed by improving solubilities of the VI family elemental powder Cu salt which is generated reactant when manufacturing the chalcopyrite type compound consisting of III family element and VI family element, III family element and VI family elemental powder, and to mass-produce efficiently a high purity of chalcopyrite compound because a reaction time is short and a non-interactant does not remain. A mixed solution is manufactured by mixing a Cu salt, a III group element salt and a Vl family elemental powder into a mixture of a chelating agent, and an ionic liquid or the chelating agent and the ionic liquid. The mixed solution is injected in a reactor and heat by irradiating a microwave. The Chalcopyrite type compound is expressed by chemical formula 1 of CuM^1M^22. In the chemical formula 1, M is one or more selected from the III group element. M is one or more selected from the Vl group element.
摘要翻译：提供通过辐射微波的黄铜矿型化合物的制造方法，通过提高在制造黄铜矿型化合物时产生的反应物的VI族元素粉末Cu盐的溶解度来提供不混合不相互作用剂或氧化物的黄铜矿型化合物由III族元素和VI族元素，III族元素和VI族元素粉末组成，并且由于反应时间短并且不残留非相互作用剂，因此有效地大量生产高纯度的黄铜矿化合物。通过将Cu盐，III族元素盐和Vl族元素粉末混合到螯合剂和离子液体或螯合剂和离子液体的混合物中来制备混合溶液。将混合溶液注入反应器中并通过照射微波加热。黄铜矿型化合物由CuM ^ 1M ^ 22的化学式1表示。在化学式1中，M是选自III族元素中的一种或多种。 M是从Vl组元素中选择的一个或多个。

4. 发明公开

KR20180049462A 표시 장치 审中-公开
公开(公告)号：KR20180049462A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：KR20160145110
申请日：2016-11-02
IPC分类号： G02B26/00 , G02F1/1335 , H01L27/32
CPC分类号： G02F1/133617 , B82Y20/00 , G02B5/0236 , G02F1/133504 , G02F1/133514 , G02F1/133528 , G02F1/133621 , G02F2001/133548 , G02F2001/133614 , G02F2202/36 , H01L27/322 , H01L51/5268 , H01L2251/5369 , Y10S977/774 , Y10S977/813 , Y10S977/95 , Y10S977/952
摘要： 광을방출하는백라이트부, 상기백라이트부에서방출되는광의경로상에배치된제1 기판, 상기제1 기판과서로마주하는제2 기판, 상기제1 기판및 상기제2 기판사이에배치된광량조절층, 상기제2 기판상의화소영역에배치된컬러필터층, 및상기광량조절층및 상기컬러필터층사이에배치된광변환층을포함하며, 상기광변환층은백색광을출력하는표시장치를제공한다.

5. 发明公开

KR1020170108157A 전자 엘리먼트 및 디스플레이 审中-实审
标题翻译：电子元件和显示器
公开(公告)号：KR1020170108157A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：KR1020177024576
申请日：2016-02-01
申请人： 메르크 파텐트 게엠베하 , 이섬 리서치 디벨러프먼트 컴파니 오브 더 히브루 유니버시티 오브 예루살렘 엘티디.
发明人： 리거베른하르트 , 뵘에드가르 , 힐라리우스폴커 , 플룸크리슈토프 , 바닌우리
IPC分类号： H01L27/32 , C09K11/02 , C09K11/88
CPC分类号： H01L27/322 , B82Y20/00 , B82Y40/00 , C09K11/02 , C09K11/883 , G02B5/206 , G02B2207/101 , G02F2001/01791 , G02F2001/133614 , G02F2202/101 , G02F2202/102 , G02F2202/106 , G02F2202/107 , G02F2202/36 , H01L27/3213 , H01L27/3244 , H01L2251/5369 , Y10S977/774 , Y10S977/813 , Y10S977/816 , Y10S977/818 , Y10S977/819 , Y10S977/82 , Y10S977/824 , Y10S977/892 , Y10S977/95 , Y10S977/952 , C09K11/025 , H01L27/3211
摘要： 본발명은나노입자들및 컬러필터들을포함하는컬러디스플레이에관한것이다.
摘要翻译：本发明涉及包含纳米颗粒和滤色器的彩色显示器。

6. 发明公开

KR1020090055298A 반도체 장치의 제조 방법 失效
标题翻译：制造半导体器件的方法
公开(公告)号：KR1020090055298A
公开(公告)日：2009-06-02
申请号：KR1020070122148
申请日：2007-11-28
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이문숙
IPC分类号： H01L21/336 , B82Y40/00
CPC分类号： H01L29/0665 , B82Y10/00 , H01L27/11521 , H01L27/11524 , H01L29/0673 , H01L29/66825 , H01L29/7881 , Y10S977/813 , Y10S977/842 , Y10S977/843 , Y10S977/89 , Y10S977/891
摘要： A manufacturing method of a semiconductor device is provided to form a nano wire channel of right alignment and a micro size by using a hybrid method which mixes a top-down method and a bottom-up method. A plurality of nano wires(116) is vertically grown on a first substrate(100). A nano wire block including the nano wires and the insulation film is formed by forming an insulation film on the first substrate. The insulation film covers the nano wires. The nano wire block is moved in order to parallel arrange the nano wires on the first substrate. The nano wires are partly exposed by partly removing the insulation film. A gate line is formed, and covers the exposed nano wires.
摘要翻译：提供半导体器件的制造方法，通过使用混合自顶向下法和自下而上法的混合法形成正确对准的纳米线通道和微尺寸。多个纳米线（116）在第一基板（100）上垂直生长。通过在第一基板上形成绝缘膜，形成包括纳米线和绝缘膜的纳米线块。绝缘膜覆盖纳米线。移动纳米线块以使纳米线平行地布置在第一基底上。通过部分去除绝缘膜来部分地暴露纳米线。形成栅极线，并覆盖暴露的纳米线。

7. 发明公开

KR1020070001999A 역류 혼합 반응기 有权
标题翻译：逆流混合反应器
公开(公告)号：KR1020070001999A
公开(公告)日：2007-01-04
申请号：KR1020067018374
申请日：2005-02-11
申请人： 더 유니버시티 오브 노팅햄
发明人： 래스터,에드워드,핸리 , 에이조파디,배리,제임스
IPC分类号： B01F3/08 , B01J3/00 , B01J19/24
CPC分类号： B01J3/008 , B01F3/0873 , B01F5/045 , B01F2003/0064 , B01F2005/0034 , B01J19/2415 , B01J2219/00094 , B22F1/0018 , B22F9/24 , B22F2999/00 , B82Y30/00 , C01B13/36 , C01B13/363 , C01F17/0043 , C01G1/02 , C01G3/02 , C01G5/00 , C01G9/02 , C01G11/00 , C01G23/04 , C01G25/02 , C01G49/02 , C01G55/004 , C01P2004/64 , C01P2006/12 , Y02P20/544 , Y10S977/70 , Y10S977/773 , Y10S977/81 , Y10S977/811 , Y10S977/813 , Y10S977/895 , Y10S977/90 , Y10S977/94 , B22F2202/03
摘要： A mixing reactor for mixing efficiently streams of fluids of differing densities. In a preferred embodiment, one of the fluids is supercritical water, and the other is an aqueous salt solution. Thus, the reactor enables the production of metal oxide nanoparticles as a continuous process, without any risk of the reactor blocking due to the inefficient mixing inherent in existing reactor designs. Processes for obtaining various metal nanoparticles using this reactor are also claimed as are particles obtainable by these processes. ® KIPO & WIPO 2007
摘要翻译：一种混合反应器，用于有效地混合不同密度的流体流。在优选的实施方案中，一种流体是超临界水，另一种是盐水溶液。因此，反应器使金属氧化物纳米颗粒作为连续工艺生产，由于现有反应器设计中固有的低效混合，无任何反应器堵塞的风险。使用该反应器获得各种金属纳米颗粒的方法也被称为可通过这些方法获得的颗粒。 ®KIPO＆WIPO 2007

8. 发明授权

KR101272012B1 반도체 장치의 제조 방법 失效
标题翻译：制造半导体器件的方法
公开(公告)号：KR101272012B1
公开(公告)日：2013-06-07
申请号：KR1020070122148
申请日：2007-11-28
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이문숙
IPC分类号： H01L21/336 , B82Y40/00
CPC分类号： H01L29/0665 , B82Y10/00 , H01L27/11521 , H01L27/11524 , H01L29/0673 , H01L29/66825 , H01L29/7881 , Y10S977/813 , Y10S977/842 , Y10S977/843 , Y10S977/89 , Y10S977/891
摘要： 반도체 장치의 제조 방법에서, 기판 상에 복수 개의 나노 와이어들을 기판에 수직한 제1 방향으로 성장시킨다. 나노 와이어들을 덮는 절연막을 기판 상에 형성하여, 나노 와이어들과 절연막을 포함하는 나노 와이어 블록을 형성한다. 각 나노 와이어들이 기판에 평행한 제2 방향으로 배치되도록 나노 와이어 블록을 이동시킨다. 절연막을 부분적으로 제거하여 나노 와이어들을 부분적으로 노출시킨다. 노출된 나노 와이어들을 덮는 게이트 라인을 형성한다. 게이트 라인에 인접한 나노 와이어들에 불순물을 주입한다.
摘要翻译：在制造半导体器件的方法中，多个纳米线在垂直于衬底的第一方向上在衬底上生长。覆盖纳米线的绝缘膜形成在基板上以形成包括纳米线和绝缘膜的纳米线块。并且移动纳米线块，使得每个纳米线沿平行于衬底的第二方向布置。部分去除绝缘膜以部分暴露纳米线。形成覆盖裸露纳米线的栅极线。杂质被植入邻近栅极线的纳米线中。

9. 发明公开

KR1020110028609A Ⅰ－Ⅲ－Ⅵ２ 나노입자의 제조방법 및 다결정 광흡수층 박막의 제조방법 无效
标题翻译： I-III-VI2纳米粒子的合成及多晶吸收层的制备
公开(公告)号：KR1020110028609A
公开(公告)日：2011-03-21
申请号：KR1020110017136
申请日：2011-02-25
申请人： 성균관대학교산학협력단
发明人： 정덕영 , 한재억 , 장주연
IPC分类号： B82B3/00 , C01G3/00 , C01G15/00 , C01B19/00
CPC分类号： C01G15/006 , B82Y30/00 , C01B17/20 , C01B19/002 , C01B19/007 , C01G3/006 , C01G15/00 , C01P2002/70 , C01P2002/72 , C01P2002/82 , C01P2002/85 , C01P2004/03 , C01P2004/04 , C01P2004/62 , C01P2004/64 , C23C18/1204 , C30B7/08 , C30B29/48 , C30B29/60 , H01L21/02568 , H01L21/02601 , H01L21/02628 , Y10S977/773 , Y10S977/813
摘要： PURPOSE: A I-III-VI2 nano-particle preparing method and a method for fabricating a polycrystalline light-absorbent layer thin film are provided to ease the fabrication processes of the thin film by synthesizing I-III-VI2 nano-particle precursors with uniform sizes. CONSTITUTION: A I-family raw material, a II-family raw material, and VI2-family raw material are mixed with a solvent to obtain a mixed solution. The mixed solution is undergone through an ultrasonic wave processing process. A solvent is separated from the processed mixed solution. The mixed solution through a solvent separation process is dried in order to obtain nano-particles.
摘要翻译：目的：提供一种I-III-VI2纳米颗粒的制备方法和一种制造多晶吸收层薄膜的方法，以通过合成I-III-VI2纳米颗粒前体与均匀的方法来简化薄膜的制造工艺大小。构成：将I族原料，II族原料和VI2族原料与溶剂混合，得到混合溶液。混合溶液经过超声波处理工艺。将溶剂与加工的混合溶液分离。将通过溶剂分离过程的混合溶液干燥以获得纳米颗粒。

10. 发明授权

KR100853737B1 광촉매와 그 사용방법 有权
标题翻译：光合作用及其用途
公开(公告)号：KR100853737B1
公开(公告)日：2008-08-25
申请号：KR1020060052746
申请日：2006-06-12
申请人： 지엠 글로벌 테크놀러지 오퍼레이션스 엘엘씨 , 학교법인 포항공과대학교
发明人： 리웨이 , 오세에이치 , 이재성 , 장점석
IPC分类号： B01J21/06 , B82B3/00 , B01J23/00
CPC分类号： C01B3/042 , B01J27/04 , B01J35/004 , Y02E60/364 , Y10S428/93 , Y10S977/811 , Y10S977/812 , Y10S977/813 , Y10T428/2991
摘要： 복합 광촉매는 반도체 코어와 상기 반도체 코어의 표면상에 처리된 나노스케일 입자를 포함하며, 상기 나노스케일 입자는 전자운반체로서 상기 광촉매는 가시광선에 감응하는 것이다.
복합 광촉매, 가시광선, 반도체 코어, 나노스케일

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