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51. 发明公开

KR1020110070141A 입체 시트 및 그 제조방법 无效
标题翻译：立体表及其制造方法
公开(公告)号：KR1020110070141A
公开(公告)日：2011-06-24
申请号：KR1020090126853
申请日：2009-12-18
申请人： 정희석
发明人： 정희석
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70275 , G02B3/0012 , G02B27/2214 , G03F7/70175 , H01L21/0274
摘要： PURPOSE: A stereoscopic sheet and a manufacturing method thereof are provided to finely produce the size and interval of a micro pattern, and to remarkably reduce the size of the micro pattern. CONSTITUTION: A stereoscopic sheet(100) includes the following: a transparent substrate(111); a micro lens array sheet(110) including plural micro lenses(112) formed on the upper side of the transparent substrate; and plural micro patterns formed on the bottom of the transparent substrate with the smaller size than the micro lenses using a photo lithography method.
摘要翻译：目的：提供立体片及其制造方法，以精细地产生微图案的尺寸和间隔，并显着减小微图案的尺寸。构成：立体片（100）包括：透明基片（111）; 包括形成在所述透明基板的上侧的多个微透镜（112）的微透镜阵列片（110）以及使用光刻法形成在具有比微透镜更小的尺寸的透明基板的底部上的多个微图案。

52. 发明授权

KR101042177B1 ＥＵＶ광원용 콜렉터 失效
公开(公告)号：KR101042177B1
公开(公告)日：2011-06-16
申请号：KR1020057018039
申请日：2004-04-07
申请人： 사이머 엘엘씨
发明人： 파틀로윌리엄엔. , 알고츠제이.마틴 , 블루멘스톡게리엠. , 바우어링노버트 , 어쇼브알렉산더아이. , 포멘코프이고르브이. , 판지아오지앙제이.
IPC分类号： H01S3/10
CPC分类号： H05G2/001 , B82Y10/00 , G03F7/70033 , G03F7/70175 , G03F7/70916 , G21K1/062
摘要： 반사면을 포함할 수 있는 EUV광원내의 EUV콜렉터의 반사면으로부터 찌꺼기를 제거하기 위한 방법과 장치가 개시되고, 반사면은 제 1 물질을 포함하고 찌꺼기는 제 2 물질 및/또는 제 2 물질의 화합물을 포함하고, 본 시스템 및 방법은 제어된 스퍼터링 이온 소스를 포함할 수 있고, 상기 제어된 스퍼터링 이온 소스는 스퍼터링 이온 물질의 원자를 포함하는 가스; 및 스퍼터링 이온 물질의 원자를 이온화 상태로 여기시키는 자극 메커니즘을 포함할 수 있고, 상기 이온화 상태는 제 2 물질을 스퍼터링하는 확률이 높고 제 1 물질을 스퍼터링하는 확률이 매우 낮은 선택된 에너지 피크 주위에서의 분포를 가지도록 선택된다. 자극 메커니즘은 RF 또는 마이크로웨이브 유도 메커니즘을 포함할 수 있다. 가스는 선택된 에너지 피크를 부분적으로 결정하는 압력으로 유지되고 자극 메커니즘은 제 2 물질의 플라즈마 찌꺼기 원자의 유입율과 같거나 초과하는 반사면으로부터 제 2 물질의 원자의 스퍼터 밀도를 생성하는 스퍼터링 이온 물질의 이온의 유입을 생성할 수 있다. 스퍼터링 율은 반사면의 소정의 원하는 수명에 대해 선택될 수 있다. 반사면은 캐핑될 수 있다. 콜렉터는 타원형 미러와 방사상으로 뻗어있는 채널을 포함할 수 있는 찌꺼기 실드를 포함할 수 있다. 제 1 물질은 몰리브덴, 제 2 물질은 리튬일 수 있고 이온 물질은 헬륨일 수 있다. 시스템은 반사면으로부터 제 2 물질을 증발시키기 위한 히터를 구비할 수 있다. 자극 메커니즘은 점화 시점사이에 반사면에 연결될 수 있다. 반사면은 장벽층을 구비할 수 있다. 콜렉터는, 반사기 쉘상의 다층 스 택을 위한 층물질의 선택에 의해 스펙트럼 필터로서 기능할 수 있는, 입사 반사기 쉘의 스침각과 결합하여 구형 미러일 수 있다. 스퍼터링은 가열과 결합하게 될 수 있고, 후자는 리튬을 제거하고 전자는 리튬의 화합물을 제거하고, 스퍼터링은 여기된 가스 원자보다는 플라즈마내에서 생성된 이온에 의해 될 수 있다.
EUV광원, 콜렉터, 자극 메커니즘, 플라즈마, 스퍼터링, 반사기, 쉘, 스펙트럼 필터

53. 发明公开

KR1020110025882A ＥＵＶ광원용 콜렉터 失效
标题翻译： EUV光源收集器
公开(公告)号：KR1020110025882A
公开(公告)日：2011-03-11
申请号：KR1020117003417
申请日：2004-04-07
申请人： 사이머 엘엘씨
发明人： 파틀로윌리엄엔. , 알고츠제이.마틴 , 블루멘스톡게리엠. , 바우어링노버트 , 어쇼브알렉산더아이. , 포멘코프이고르브이. , 판지아오지앙제이.
IPC分类号： H01S3/10
CPC分类号： H05G2/001 , B82Y10/00 , G03F7/70033 , G03F7/70175 , G03F7/70916 , G21K1/062
摘要： 반사면을 포함할 수 있는 EUV광원내의 EUV콜렉터의 반사면으로부터 찌꺼기를 제거하기 위한 방법과 장치가 개시되고, 반사면은 제 1 물질을 포함하고 찌꺼기는 제 2 물질 및/또는 제 2 물질의 화합물을 포함하고, 본 시스템 및 방법은 제어된 스퍼터링 이온 소스를 포함할 수 있고, 상기 제어된 스퍼터링 이온 소스는 스퍼터링 이온 물질의 원자를 포함하는 가스; 및 스퍼터링 이온 물질의 원자를 이온화 상태로 여기시키는 자극 메커니즘을 포함할 수 있고, 상기 이온화 상태는 제 2 물질을 스퍼터링하는 확률이 높고 제 1 물질을 스퍼터링하는 확률이 매우 낮은 선택된 에너지 피크 주위에서의 분포를 가지도록 선택된다. 자극 메커니즘은 RF 또는 마이크로웨이브 유도 메커니즘을 포함할 수 있다. 가스는 선택된 에너지 피크를 부분적으로 결정하는 압력으로 유지되고 자극 메커니즘은 제 2 물질의 플라즈마 찌꺼기 원자의 유입율과 같거나 초과하는 반사면으로부터 제 2 물질의 원자의 스퍼터 밀도를 생성하는 스퍼터링 이온 물질의 이온의 유입을 생성할 수 있다. 스퍼터링 율은 반사면의 소정의 원하는 수명에 대해 선택될 수 있다. 반사면은 캐핑될 수 있다. 콜렉터는 타원형 미러와 방사상으로 뻗어있는 채널을 포함할 수 있는 찌꺼기 실드를 포함할 수 있다. 제 1 물질은 몰리브덴, 제 2 물질은 리튬일 수 있고 이온 물질은 헬륨일 수 있다. 시스템은 반사면으로부터 제 2 물질을 증발시키기 위한 히터를 구비할 수 있다. 자극 메커니즘은 점화 시점사이에 반사면에 연결될 수 있다. 반사면은 장벽층을 구비할 수 있다. 콜렉터는, 반사기 쉘상의 다층 스택을 위한 층물질의 선택에 의해 스펙트럼 필터로서 기능할 수 있는, 입사 반사기 쉘의 스침각과 결합하여 구형 미러일 수 있다. 스퍼터링은 가열과 결합하게 될 수 있고, 후자는 리튬을 제거하고 전자는 리튬의 화합물을 제거하고, 스퍼터링은 여기된 가스 원자보다는 플라즈마내에서 생성된 이온에 의해 될 수 있다.

54. 发明公开

KR1020100100781A 결상 광학 시스템 및 투영 노광 장치 有权
标题翻译：成像光学系统和投影曝光安装
公开(公告)号：KR1020100100781A
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：KR1020107010271
申请日：2008-10-11
申请人： 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하
发明人： 만,한스-위르겐 , 울리히,빌헬름 , 뮐렌더,스테판 , 엔키쉬,하르트무트
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G02B5/0891 , G02B13/143 , G02B17/06 , G03F7/70175 , G03F7/70233 , G03F7/20 , H01L21/027
摘要： 결상 광학 시스템(7)은 다수의 미러들(M1 내지 M6)를 갖는다. 이들은 물체면(5) 내의 물체 필드(4)를 이미지면(9) 내의 이미지 필드(8)로 결상한다. 결상 광학 시스템(7)에서는, 미러들(M1 내지 M6)의 반사면들 상의 결상광(15)의 최대 입사각과 결상 광학 시스템(7)의 이미지 측 개구수의 비가 33.8°미만이다. 이것은 결상광이 결상 광학 시스템을 통과할 때, 특히 10nm 미만의 EUV 영역 내의 파장들에 있어서도 낮은 반사 손실이 얻어질 수 있도록 하는, 미러의 반사 코팅을 위한 양호한 상태를 제공하는 결상 광학 시스템이라는 결과를 가져온다.

55. 发明公开

KR1020100009563A 패터닝 디바이스를 조명하는 조명 시스템 및 조명 시스템을 제조하는 방법 失效
标题翻译：用于照射图案装置的照明系统和制造照明系统的方法
公开(公告)号：KR1020100009563A
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：KR1020097022941
申请日：2008-04-03
申请人： 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이.
发明人： 반슈트,얀베르나르트플레첼무스 , 마이예르,헨드리쿠스요한네스마리아
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70833 , B82Y10/00 , G03F7/70033 , G03F7/70175 , G03F7/702 , G03F7/70808
摘要： An illumination system (IL) includes a housing (2), and an optical system located within the housing (2). The optical system includes at least one optical element (4, 6). The optical system is constructed and arranged to illuminate a patterning device (MA) with a radiation beam (B) diverging from an intermediate focus (IF). The intermediate focus (IF) is located at a position substantially at the same level or below a bottom portion (10) of the illumination system (IL).
摘要翻译：照明系统（IL）包括壳体（2）和位于壳体（2）内的光学系统。光学系统包括至少一个光学元件（4,6）。光学系统被构造和布置成用从中间焦点（IF）发散的辐射束（B）照射图案形成装置（MA）。中间焦点（IF）位于基本上在照明系统（IL）的底部（10）的相同高度或低于该位置的位置处。

56. 发明授权

KR100846680B1 193 나노미터 이하의 파장을 사용하는 조명시스템에 있어비사용 영역을 갖는 콜렉터 有权
标题翻译：收集器具有使用波长λ193nm的照明系统的未使用区域
公开(公告)号：KR100846680B1
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：KR1020037009728
申请日：2002-01-23
申请人： 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하
发明人： 싱어,볼프강 , 이글,윌헬름 , 웨이스,마쿠스 , 하인즈,요아크잉 , 비아죠렉,요크헨 , 멜제르,프랭크 , 방글러,요하네스
IPC分类号： G21K1/06
CPC分类号： G21K1/06 , B82Y10/00 , G02B5/09 , G02B17/006 , G02B19/0014 , G02B19/0019 , G02B19/0023 , G02B19/0047 , G02B19/0095 , G03F7/70108 , G03F7/70158 , G03F7/70166 , G03F7/70175 , G03F7/702 , G03F7/70233 , G03F7/70825 , G21K2201/065 , G21K2201/067
摘要： 본 발명은 193nm이하, 바람직하게는 126nm보다 작은, 특히 바람직하게는 극자외선(EUV: Extreme Ultra-Violet) 범위의 파장을 사용하는 마이크로 리소그라피를 위한 조명시스템에 있어서의 콜렉터에 관한 것으로서, 조명광학에 있어 고도의 균일성과 텔레센트리시티(telecentricity)의 요구를 충족시켜 주며, 디커플링 거울(decoupling mirror)들, 검출기(detector)들, 또는 쉴딩장치들, 냉각장치들, 검출장치들, 부착장치들과 같은 광학효과가 없는 요소들과 같은 추가적 구성들의 설치가 가능하며, 이러한 추가적인 구성에 의하여 이미지 평면에서의 균일한 조명이 가능한한 영향을 받지 않고 유지될 수 있도록 하는 조명시스템에 있어서의 콜렉터를 제공함을 목적으로 한다.
이를 위하여 본 발명에 따른 콜렉터는 공유 회전축 주위로 하나가 다른 하나의 안쪽에 위치하도록 배열된 다수의 회전대칭 거울 쉘들을 구비하며 물체쪽 구경의 한 링 구경요소는 각 거울 쉘에 할당된다. 또한, 회전축 방향으로의 거울 쉘들의 크기, 그 표면 파라미터들, 거울 쉘들의 위치는 비사용 영역이 인접한 두 개의 거울 쉘 즉, 바깥쪽 거울 쉘과 안쪽 거울쉘 사이에 형성되는 방식으로 선택된다.
콜렉터, EUV, 조명시스템, 리소그라피

57. 发明公开

KR1020070038101A ＥＵＶ 광원의 내부 구성품에 플라즈마 발생 파편의 영향을감소시키기 위한 시스템 및 방법 有权
标题翻译：用于减少等离子体生成物对EUV光源的内部成分的影响的系统和方法
公开(公告)号：KR1020070038101A
公开(公告)日：2007-04-09
申请号：KR1020077000552
申请日：2005-07-15
申请人： 사이머 엘엘씨
发明人： 얼쇼브알렉산더,아이. , 막스윌리엄,에프. , 보워링노보트,알. , 한손브존,에이.,엠. , 코드이킨올레 , 포멘코브이고르,브이. , 파트로윌리엄,엔.
IPC分类号： H01J35/02 , H01J65/00 , G03F7/20 , G01J1/00
CPC分类号： B82Y10/00 , G03F7/70033 , G03F7/70175 , G03F7/7085 , G03F7/70916 , G21K1/06 , G21K2201/06 , H05G2/001
摘要： EUV 광원의 내부 구성품에 플라즈마 발생 파편의 영향을 감소시키기 위한 시스템 및 방법이 개시되어 있다. 본 발명의 한 면에서, EUV 계측 모니터가 구비되는데, 이것은 퇴적된 파편을 미러로부터 제거하기에 충분한 온도까지 다층 필터링 미러를 가열하는 히터를 가지고 있다. 본 발명의 다른 면에서, 콜렉터 미러의 여러 가지 구역에서 다른 파편 퇴적 비율을 가진 EUV 광원 콜렉터 미러로부터 플라즈마 발생 파편을 제거하는 장치가 개시되어 있다. 특히, EUV 콜렉터 미러 시스템은 Li 파편과 결합되어 콜렉터 표면에서 LiH를 만드는 수소 소스; 그리고 콜렉터 표면으로부터 LiH를 스퍼터링하는 스퍼터링 시스템을 포함할 수 있다. 본 발명의 다른 면에서, 제어된 플라즈마 에칭 비율로 EUV 광원 콜렉터 미러의 표면으로부터 파편을 에칭하기 위한 장치가 개시되어 있다.
플라즈마, EUV 광원, EUV 계측 모니터, 방사 검출기, 히터, 콜렉터 미러, 디바이스, 플라즈마 형성 사이트, 가열 시스템, 튜브 루멘

58. 发明公开

KR1020050003392A 노광장치 및 이것을 이용한 디바이스의 제조방법 失效
标题翻译：曝光装置及使用该装置制造装置的方法
公开(公告)号：KR1020050003392A
公开(公告)日：2005-01-10
申请号：KR1020047017241
申请日：2003-04-11
申请人： 캐논 가부시끼가이샤
发明人： 히우라미츠루 , 츠지토시히코
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/20 , G21K5/02 , G21K1/06
CPC分类号： G03F7/70916 , B82Y10/00 , G02B17/0663 , G03F7/70033 , G03F7/70175 , G03F7/70941 , H05G2/001 , G03F1/24 , H05H1/24
摘要： 표적상에 여기 레이저를 조사하고, 생성된 플라즈마로부터, 극자외선 영역 또는 X선 영역의 조명광을 생성하기 위한 광원을 생성시키는 노광장치에 있어서, 상기 조명광을 이용해서, 전사될 패턴을 형성하는 반사형 레티클을 조명하고, 상기 광원에 인접한 제 1미러를 포함하는 조명광학계와, 상기 조명광학계의 제 1미러의 앞쪽에서 조명광을 집광하는 타원형 미러와, 상기 레티클상에 반사된 패턴을 피노광체상에 축소투영하는 투영광학계를 구비하고, 상기 여기 레이저의 광축방향이 해당 여기 레이저에 의해 플라즈마를 생성하는 위치를 넘어서 진행하는 광은, 상기 조명광학계, 상기 투영광학계 및 상기 타원형 미러를 포함하는 해당 노광장치의 구성소자와 간섭하지 않는 것을 특징으로 한다.

59. 发明公开

KR1020040090728A 오목 및 볼록거울을 포함하는 컬렉터를 구비한 리소그래피투영장치 失效
标题翻译：提供具有凹凸镜和凹凸镜的收集器的计算机投影仪和使用设备的集成结构的准备方法
公开(公告)号：KR1020040090728A
公开(公告)日：2004-10-26
申请号：KR1020040026057
申请日：2004-04-16
申请人： 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이.
发明人： 바니네바딤예프예비치
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70175
摘要： PURPOSE: A lithography projection apparatus and a method for preparing an integrated structure by using the apparatus are provided, to obtain the EUV radiation beam provided with the radiation collected from a solid angle having a size almost equal to the solid angle from which an ML collector collects the radiation. CONSTITUTION: The lithography projection apparatus comprises at least one collector(59) which is located at the vicinity of a radiation source(51) to collect the radiation source for allowing the radiation source generating radiation and a radiation beam(52) to be provided, wherein the collector comprises a first reflector(53) of concave plane and a second reflector(55) of a convex plane. The first reflector(53) of concave plane receives the radiation source from the radiation source, and reflects it to the second reflector(55) of a convex plane so as to generate the radiation beam.
摘要翻译：目的：提供一种光刻投影装置和通过使用该装置制备集成结构的方法，以获得具有从立体角收集的辐射的EUV辐射束，该立体角具有几乎等于立体角的距离，ML收集器收集辐射。构成：光刻投影装置包括位于辐射源（51）附近的至少一个收集器（59），以收集用于允许辐射源产生辐射的辐射源和提供辐射束（52）其中所述收集器包括凹面的第一反射器（53）和凸面的第二反射器（55）。凹面的第一反射器（53）从辐射源接收辐射源，并将其反射到凸面的第二反射器（55），以便产生辐射束。

60. 发明公开

KR1020040030255A 리소그래피 투영장치 및 상기 장치에 사용하는 반사기조립체 有权
标题翻译：用于具有对EUV透明度的轻微影响的DEBRIS抑制系统的装置和放射性辐射源中的反射器组件的抛物面投影装置
公开(公告)号：KR1020040030255A
公开(公告)日：2004-04-09
申请号：KR1020030056179
申请日：2003-08-13
申请人： 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이.
发明人： 바커레비누스피에터 , 욘커스예뢴 , 슈우르만스프랭크예뢴피에터 , 비서휴고마티유
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： B82Y10/00 , G02B17/004 , G02B17/006 , G02B27/0043 , G03F7/70166 , G03F7/70175 , G03F7/70891 , G03F7/70916
摘要： PURPOSE: A reflector assembly for reflecting an electromagnetic ray, a lithography projection apparatus, a radiant ray source and a method for preparing an integrated structure by lithography are provided, to inhibit debris with hardly affecting EUV transparency. CONSTITUTION: The reflector assembly comprises at least first reflector(21) and second reflector(22), wherein the first and second reflectors are extended to the direction of an optical axis line(O) having reflecting faces(26, 27) and baking faces(24, 25), a virtual line perpendicular to the optical axis line(O) crosses the first reflector at the first distance(r1) from the optical axis line and the second reflector at the second distance(r2) from the optical axis line, and the first distance(r1) is longer than the second distance(r2). The ray come from a certain point on the optical axis line is screened by the second reflector and is reflected on the reflection face of the first reflector to form high radiation intensity zone(zh) and a low radiation intensity zone(zl) between the two reflectors. A converter member connected with a signal lead for supplying signal to a treatment member separated from the reflectors is located on the baking face of the second reflector in the zone(zl).
摘要翻译：目的：提供用于反射电磁射线的反射器组件，光刻投影装置，辐射源和通过光刻制备集成结构的方法，以抑制几乎不影响EUV透明度的碎片。构成：反射器组件包括至少第一反射器（21）和第二反射器（22），其中第一和第二反射器延伸到具有反射面（26,27）和烘烤面（20）的光轴线（O）的方向（24,25），垂直于所述光轴线（O）的虚拟线与所述第一反射器相距所述第一距离（r1）与所述光轴线和所述第二反射器相距所述第二距离（r1）与所述光轴线，第一距离（r1）比第二距离（r2）长。来自光轴线上的某一点的光线被第二反射体屏蔽，并被反射在第一反射器的反射面上以形成两个之间的高辐射强度区域（zh）和低辐射强度区域（z1）反射器。与区域（z1）中位于第二反射器的烘烤面上的与用于向与反射器分离的处理构件提供信号的信号引线连接的转换器构件。

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