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41. 发明公开

KR1020150107400A 발광 다이오드 审中-实审
标题翻译：发光二极管
公开(公告)号：KR1020150107400A
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：KR1020140030275
申请日：2014-03-14
申请人： 서울바이오시스 주식회사
发明人： 인치현 , 박대석 , 김상민 , 김창훈
IPC分类号： H01L33/62 , H01L33/36
CPC分类号： H01L33/382 , H01L33/10 , H01L33/405
摘要： 본 발명은 플립칩형 발광 다이오드에 대한 것이다. 본 발명에 따른 발광 다이오드는 제1 도전형 반도체층, 상기 제1 도전형 반도체층 상에 배치된 제2 도전형 반도체층, 및 상기 제1 도전형 반도체층과 상기 제2 도전형 반도체층 사이에 배치된 활성층을 포함하는 반도체 적층체; 상기 제1 도전형 반도체층 상에 배치된 제1 전극; 상기 제2 도전형 반도체층 상에 배치된 제2 전극; 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 각각과 전기적으로 연결된 범프들을 포함하되, 상기 반도체 적층체는 상기 제1 도전형 반도체층이 노출된 제1 영역, 및 상기 활성층 및 제2 도전형 반도체층이 배치된 제2 영역을 포함하고, 상기 제1 영역은 상기 제1 전극이 배치된 제1 전극 영역, 및 상기 제1 전극 영역에 연결된 연장부 영역을 포함하고, 상기 제1 전극 영역은 상기 연장부 영역과 연결된 부분을 제외하고 상기 제2 영역에 의해서 둘러싸인다.
摘要翻译：倒装芯片型发光二极管技术领域根据本发明的发光二极管包括：半导体层叠体，包括：第一导电类型半导体层，布置在第一导电类型半导体层上的第二导电类型半导体层和布置在第一导电类型半导体之间的有源层层和第二导电型半导体层; 布置在所述第一导电类型半导体层上的第一电极; 布置在所述第二导电类型半导体层上的第二电极; 以及与第一电极和第二电极中的每一个电连接的凸块。半导体层叠体包括：第一导电型半导体层露出的第一区域; 以及布置有源层和第二导电类型半导体层的第二区域。第一区域包括：布置第一电极的第一电极区域; 以及连接到第一电极区域的延伸区域。除了与扩展区域连接的区域之外，第一电极区域被第二区域包围。

42. 发明授权

KR101534848B1 발광 다이오드 및 그 제조방법. 그리고 발광 소자 및 그발광 소자 제조방법 有权
标题翻译：用于制造发光二极管的发光二极管和方法，以及发光装置和用于制造发光器件的方法
公开(公告)号：KR101534848B1
公开(公告)日：2015-07-27
申请号：KR1020080070431
申请日：2008-07-21
申请人： 엘지이노텍 주식회사
发明人： 박준석 , 김등관 , 신한
IPC分类号： H01L33/52
CPC分类号： H01L33/405 , H01L33/0079 , H01L33/20 , H01L33/38 , H01L33/50 , H01L33/54 , H01L2224/48091 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
摘要： 실시예에따른발광소자제조방법은회로기판상에발광다이오드를설치하는단계; 상기발광다이오드를포함하는회로기판상에제1몰딩부재를형성하는단계; 상기제1몰딩부재상에제2몰딩부재를형성하고예비경화공정을수행하는단계; 및상기제2몰딩부재를형태를변형하는성형부재를배치하고본 경화공정을수행하는단계가포함된다.
摘要翻译：公开了一种发光二极管，其制造方法，发光器件及其制造方法。发光器件包括形成有第一导电图案和与第一导电图案电隔离的第二导电图案的电路板; 电连接到电路板上的第一和第二导电图案的发光二极管; 围绕所述发光二极管的第一模制构件; 以及第一模制构件上的第二模制构件。发光二极管包括导电支撑基板，在导电支撑基板上具有凸起中心部分的反射电极层，反射电极层的周边部分上的保护层，反射层上的第二导电半导体层和保护层层，第二导电半导体层上的有源层，有源层上的第一导电半导体层以及第一导电半导体层上的第一电极层。

43. 发明公开

KR1020150071630A 반도체 발광소자 및 이를 구비한 반도체 발광장치 审中-实审
标题翻译：半导体发光器件及其半导体发光器件
公开(公告)号：KR1020150071630A
公开(公告)日：2015-06-26
申请号：KR1020140099816
申请日：2014-08-04
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 조명수 , 김용일 , 김진하 , 송광민 , 이상석
IPC分类号： H01L33/62
CPC分类号： H01L33/62 , H01L33/382 , H01L33/405 , H01L33/44 , H01L33/502 , H01L33/56
摘要： 본발명의일 실시형태에따른반도체발광소자는, 제1 도전형반도체층, 활성층, 제2 도전형반도체층을구비하는발광구조물; 상기발광구조물상에구비되며, 상기제1 도전형반도체층및 상기제2 도전형반도체층상에배치되는제1 개구부를구비하는제1 절연층; 상기제1 절연층상에구비되며, 상기제1 개구부를통해상기제1 도전형반도체층및 상기제2 도전형반도체층과각각전기적으로접속되는배리어메탈층; 상기배리어메탈층상에구비되며, 상기배리어메탈층을부분적으로노출시키는제2 개구부를구비하는제2 절연층; 및상기제2 개구부를통해부분적으로노출되는상기배리어메탈층상에구비되며, 상기배리어메탈층을통해상기제1 도전형반도체층및 제2 도전형반도체층과각각전기적으로접속되는전극을포함하고, 상기전극과상기발광구조물사이에는상기제1 및제2 절연층중 적어도하나및 상기배리어메탈층이배치된다.
摘要翻译：根据本发明实施例的半导体发光器件包括：发光结构，包括第一导电半导体层，有源层和第二导电半导体层; 形成在所述发光结构上的第一绝缘层，并且包括布置在所述第一导电半导体层和所述第二导电半导体层上的第一开口; 阻挡金属层，形成在所述第一绝缘层上，并且通过所述第一开口与所述第一导电半导体层和所述第二导电半导体层中的每一个电连接; 形成在所述阻挡金属层上的第二绝缘层，并且包括部分地暴露所述阻挡金属层的第二开口; 以及形成在所述阻挡金属层上的电极，所述电极通过所述第二开口部分露出，并且通过所述阻挡金属层与所述第一导电半导体层和所述第二导电半导体层中的每一个电连接，其中，所述第一和第二绝缘层并且阻挡金属层被布置在电极和发光结构之间。

44. 发明公开

KR1020150067958A 발광 다이오드 无效
标题翻译：发光二极管
公开(公告)号：KR1020150067958A
公开(公告)日：2015-06-19
申请号：KR1020130153600
申请日：2013-12-11
申请人： 광주과학기술원
发明人： 박성주 , 김경국 , 오세미
IPC分类号： H01L33/36 , H01L33/38 , H01L33/42
CPC分类号： H01L33/405 , B82Y30/00 , H01L33/382 , H01L33/42
摘要： 본발명은광 추출효율이향상된발광다이오드에관한것이다. 본발명의일 실시예에따른발광다이오드는, p형반도체층, 상기 p형반도체층상에형성되는투명전극층및 상기투명전극층상에형성되는 p형반사전극층을포함하고, 상기투명전극층은나노구조를갖는물질및 나노기공으로구성되는것을특징으로한다. 본발명에의한발광다이오드는보다높은반사도및 보다높은오믹접촉저항특성을갖는전극층을이용함으로써종래에비해보다높은광 추출효율을갖는다는장점이있다.
摘要翻译：本发明涉及具有改善的光提取效率的发光二极管。根据本发明实施例的发光二极管包括p型半导体层，形成在p型半导体层上的透明电极层和形成在透明电极层上的p型反射电极层。透明电极层由纳米结构和纳米孔的材料制成。根据本发明实施例的发光二极管使用具有较高反射率和较高欧姆接触电阻的电极层。因此，与现有的发明相比，可以实现更高的光提取效率。

45. 发明公开

KR1020150046917A 반도체 발광소자 패키지 및 이를 이용한 조명장치 审中-实审
标题翻译：半导体发光二极管封装和使用它的照明器件
公开(公告)号：KR1020150046917A
公开(公告)日：2015-05-04
申请号：KR1020130126501
申请日：2013-10-23
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 박명보 , 오경석 , 송호영
IPC分类号： H01L33/36 , H01L33/62 , H01L33/48
CPC分类号： H01L33/38 , H01L33/405 , H01L33/42 , H01L33/44 , H01L33/486 , H01L33/62 , H01L2224/45124 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48465 , H01L2224/49107 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 본발명은반도체발광소자패키지및 이를이용한조명장치에관한것으로서, 제1 및제2 전극구조를가지는패키지본체; 상기패키지본체의제1 및제2 전극구조중 적어도하나에와이어본딩된발광다이오드칩을포함하며, 상기발광다이오드칩은, 제1 도전형반도체층, 활성층및 제2 도전형반도체층이순차적으로적층된발광구조물; 및상기제1 및제2 도전형반도체층을상기제1 및제2 전극구조에각각전기적으로연결하는제1 및제2 전극부;를포함하며, 상기제1 및제2 전극부중 적어도하나는, 상기와이어의조성과동일한물질을포함하며, 상기와이어와접합되는접합전극층및; 상기접합전극층상에형성되며, 상기와이어의일부에의해충진되고, 상기접합전극층의상면이노출되는적어도하나의관통홀이형성된요철전극층을포함하여, 신뢰성이더욱향상되는효과가있다.
摘要翻译：本发明涉及一种半导体发光二极管封装以及使用其的照明装置。本发明包括：具有第一和第二电极结构的封装体; 一种发光结构，其包括在封装主体的第一和第二电极结构中的至少一个中的引线键合的发光二极管芯片，其中第一导电半导体层，有源层和第二导电层交替堆叠; 以及分别将第一和第二导电半导体层电连接到第一和第二电极结构的第一和第二电极单元。来自第一和第二电极单元的至少一个包括：与电线组成相同的材料; 与电线焊接的焊接电极层; 以及形成在焊接电极层上并由线的一部分填充的颠簸电极层，具有至少一个使焊接电极层的前部露出的通孔，从而提高了可靠性。

46. 发明公开

KR1020150039518A 발광소자 审中-实审
标题翻译：发光装置
公开(公告)号：KR1020150039518A
公开(公告)日：2015-04-10
申请号：KR1020130118177
申请日：2013-10-02
申请人： 엘지이노텍 주식회사
发明人： 정성호 , 성연준 , 송현돈
IPC分类号： H01L33/44
CPC分类号： H01L33/58 , H01L33/22 , H01L33/405 , H01L33/42 , H01L33/44 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014
摘要： 실시예는발광소자, 발광소자의제조방법, 발광소자패키지및 조명시스템에관한것이다. 실시예에따른발광소자는제1도전형반도체층, 상기제1도전형반도체층상에활성층, 및상기활성층상에배치된제2도전형반도체층을포함하는반도체구조층; 상기반도체구조층의측면에상기반도체구조층의굴절률보다낮은제1굴절률을갖는제1저굴절층; 상기제1저굴절층의표면에상기제1굴절률보다낮은제2굴절률을갖는제2저굴절층을포함하며, 상기제2저굴절층의제2굴절률은 1.5이하이며, 상기제2저굴절층의표면은복수의돌기를포함하며, 상기제2저굴절층은금속산화물파우더를포함한다.
摘要翻译：实施例涉及发光器件，制造发光器件的方法，发光器件封装和照明系统。根据实施例的发光器件包括半导体结构层，其包括第一导电半导体层，第一导电半导体层上的有源层和布置在有源层上的第二导电半导体层; 第一低折射层，其具有低于半导体结构层的侧表面上的半导体结构层的折射率的第一折射率; 以及在所述第一低折射层的表面上具有低于所述第一折射率的第二折射率的第二低折射层，其中所述第二低折射层的所述第二折射率为1.5以下，所述第二低折射率的所述第二低折射率的表面层包括多个突起，第二低折射层包括金属氧化物粉末。

47. 发明公开

KR1020150037215A 넓은 지향각을 갖는 발광 소자 및 그 제조 방법 审中-实审
标题翻译：具有宽光束角度的发光装置及其制造方法
公开(公告)号：KR1020150037215A
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：KR1020130116630
申请日：2013-09-30
申请人： 서울바이오시스 주식회사
发明人： 장종민 , 이준섭 , 서대웅 , 노원영 , 강민우 , 채종현 , 김현아 , 배선민
IPC分类号： H01L33/44 , H01L33/20
CPC分类号： H01L33/22 , H01L33/0095 , H01L33/14 , H01L33/38 , H01L33/405 , H01L33/44 , H01L2933/0083
摘要： 넓은지향각을갖는발광소자및 그제조방법이제공된다. 상기발광소자는, 발광구조체, 상기발광구조체상에위치하는투명기판, 및상기발광구조체및 상기투명기판의측면을덮는반사방지층을포함하며, 상기투명기판의상면의적어도일부는노출된다. 이에따라, 발광각도에관계없이균일한광량을방출하며지향각이넓은발광소자가제공된다.
摘要翻译：提供一种具有宽光束角的发光器件及其制造方法。发光装置包括：发光结构，位于发光结构上的透明基板，以及覆盖发光结构和透明基板一侧的防反射层。透明基板的上侧的至少一部分露出。因此，无论发光角度如何，发射均匀的光。发光装置的光束角度很宽。

48. 发明公开

KR1020150017543A 자외선 발광 소자 审中-实审
标题翻译：紫外线发光装置
公开(公告)号：KR1020150017543A
公开(公告)日：2015-02-17
申请号：KR1020130093616
申请日：2013-08-07
申请人： 엘지이노텍 주식회사
发明人： 원종학
IPC分类号： H01L33/10 , H01L33/22
CPC分类号： H01L33/10 , H01L33/22 , H01L33/38 , H01L33/405 , H01L33/42
摘要： 실시 예의 자외선 발광 소자는 제1 도전형 반도체층과, 제1 도전형 반도체층 위에 배치되며, 자외선 파장 대역의 광을 방출하는 활성층과, 활성층 위에 배치된 제2 도전형 제1 반도체층과, 제2 도전형 제1 반도체층 위에 배치되며, 활성층으로부터 방출된 광이 입사되는 방향에 따른 다른 반사율로 광을 반사시키는 제2 도전형 반사층 및 제2 도전형 반사층 위에 배치되는 제2 도전형 제2 반도체층을 포함하고, 제2 도전형 반사층과 제2 도전형 제2 반도체층은 요철부를 포함하고, 요부는 제2 도전형 제1 반도체층을 노출시킨다.
摘要翻译：根据本发明实施例的紫外线发光器件包括第一导电半导体层，布置在第一导电半导体层上并发射紫外波长带的光的有源层，第二导电类型的第一半导体层其布置在有源层上，第二导电反射层布置在第二导电类型的第一半导体层上，并且根据从有源层发射的光的入射方向反射具有不同反射率的光，并且布置在第二导电反射层上的第二导电类型的第二半导体层。第二导电类型的第二导电反射层和第二半导体层具有不均匀部分，并且凹面露出第二导电类型的第一半导体层。

49. 发明公开

KR1020150003676A 반도체 발광 소자 失效
标题翻译：半导体发光元件
公开(公告)号：KR1020150003676A
公开(公告)日：2015-01-09
申请号：KR1020140079204
申请日：2014-06-26
申请人： 가부시끼가이샤 도시바
发明人： 가츠노히로시 , 사이토신지 , 하시모토레이 , 황종일 , 누노우에신야
IPC分类号： H01L33/08
CPC分类号： H01L33/382 , H01L25/0756 , H01L33/22 , H01L33/405 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 일실시형태에따르면, 반도체발광소자는제1 전극, 제1 및제2 발광부, 제1 및제2 도전층, 제1 접속전극, 제1 유전체층, 제1 및제2 패드, 및제1 발광부간유전체층을포함한다. 제1 발광부는제1 및제2 반도체층, 및제1 발광층을포함한다. 제1 반도체층은제1 반도체부분및 제2 반도체부분을포함한다. 제2 발광부는제3 반도체층, 제4 반도체층, 및제2 발광층을포함한다. 제4 반도체층은제1 전극과전기적으로접속된다. 제1 도전층은제3 반도체층과전기적으로접속된다. 제2 도전층은제2 반도체층과전기적으로접속된다. 제1 접속전극은제1 도전층과제1 반도체부분을전기적으로접속한다.
摘要翻译：本发明涉及一种半导体发光器件。根据一个实施例，半导体发光器件包括：第一电极，第一和第二发光单元，第一和第二导电层，第一连接电极，第一介电层，第一和第二焊盘以及介于第第一发光单元。第一发光单元包括第一和第二半导体层以及第一发光层。第一半导体层包括第一和第二半导体部件。第二发光单元包括第三和第四半导体部件和第二发光层。第四半导体层电连接到第一电极。第一导电层电连接到第三半导体层。第二导体层电连接到第二半导体层。第一连接电极电连接到第一导电层和第一半导体部分。

50. 发明公开

KR1020140146989A 금속화된 측벽을 가진 반도체 발광 디바이스 审中-实审
标题翻译：具有金属化边界的半导体光发射器件
公开(公告)号：KR1020140146989A
公开(公告)日：2014-12-29
申请号：KR1020130147765
申请日：2013-11-29
申请人： 아바고 테크놀로지스 제너럴 아이피 (싱가포르) 피티이 리미티드
发明人： 프레운드조셉엠 , 드레이푸스데이비드
IPC分类号： H01L33/20 , H01L33/44 , H01L33/62
CPC分类号： H01L33/24 , H01L33/0095 , H01L33/08 , H01L33/12 , H01L33/20 , H01L33/405 , H01L33/46 , H01L2933/0016
摘要： A semiconductor light emitting device comprises an at least partially transparent substrate, an active semiconductor structure, a dielectric layer, and a metal layer. The substrate includes a first surface, a second surface, and at least one sidewall. The active semiconductor structure includes a first surface, a second surface, and at least one sidewall, wherein the first surface of the active semiconductor structure faces the second surface of the substrate. The dielectric layer surrounds at least a portion of at least one sidewall of the active semiconductor structure. The metal layer surrounds at least a portion of the dielectric layer. At least one sidewall of the active semiconductor structure is tapered, and a first portion of at least one sidewall of the active semiconductor structure is tapered differently from a second portion of at least one sidewall of the active semiconductor structure.
摘要翻译：半导体发光器件包括至少部分透明的衬底，有源半导体结构，电介质层和金属层。衬底包括第一表面，第二表面和至少一个侧壁。有源半导体结构包括第一表面，第二表面和至少一个侧壁，其中有源半导体结构的第一表面面向基板的第二表面。电介质层包围有源半导体结构的至少一个侧壁的至少一部分。金属层包围介电层的至少一部分。有源半导体结构的至少一个侧壁是渐缩的，并且有源半导体结构的至少一个侧壁的第一部分与有源半导体结构的至少一个侧壁的第二部分不同地渐缩。

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