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41. 发明公开

KR1020090080218A 질화물계 발광 소자 有权
标题翻译：硝酸灯发光装置
公开(公告)号：KR1020090080218A
公开(公告)日：2009-07-24
申请号：KR1020080006073
申请日：2008-01-21
申请人： 엘지이노텍 주식회사
发明人： 김선경
IPC分类号： H01L33/16 , H01L33/22
CPC分类号： H01L33/42 , H01L33/0079 , H01L33/20 , H01L33/405 , H01L33/46 , H01L2933/0083
摘要： A nitride-based light emitting device is provided to improve extraction efficiency and obtains an orientation of an output by adjusting a gap between a reflective layer and a light emitting layer. A nitride-based semiconductor light-emitting device includes a reflective layer(300), a dielectric layer(400), a semiconductor layer(100), and an optical crystal(200). The dielectric layer is positioned on the reflective layer. The semiconductor layer is positioned on the dielectric layer. The semiconductor layer includes a light emitting layer. The optical crystal is formed on the semiconductor layer. A distance between a center of he reflective layer and center of the light emitting layer is (2m+1)lambda/4n±lambda/8n where m, lambda, and n are a natural number including 0, a wavelength of the emitted light, and a refractive index of the semiconductor layer, respectively.
摘要翻译：提供氮化物系发光器件以提高提取效率并通过调整反射层和发光层之间的间隙来获得输出的取向。氮化物系半导体发光元件包括反射层（300），电介质层（400），半导体层（100）和光学晶体（200）。电介质层位于反射层上。半导体层位于电介质层上。半导体层包括发光层。在半导体层上形成光学晶体。其反射层的中心与发光层的中心之间的距离为（2m + 1）λ/ 4n±λ/ 8n，其中m，λ和n是包括0的自然数，发射光的波长，和半导体层的折射率。

42. 发明公开

KR1020090012494A 광자결정 발광소자 및 그 제조방법 有权
标题翻译：光电晶体发光器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020090012494A
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：KR1020070076376
申请日：2007-07-30
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이동율 , 박성주 , 권민기 , 김자연 , 김용천 , 오방원 , 황석민 , 김제원
IPC分类号： H01L33/42 , H01L33/36
CPC分类号： H01L33/42 , H01L2933/0083
摘要： A photonic crystal light emitting device and a manufacturing method of the same are provided to improve the optical extraction efficiency by preventing the total internal reflection in respect to the light generated from the active layer. A photonic crystal light emitting device(10) comprises a light emitting structure, a transparent electrode layer(15), the first electrode(16a) and the second electrode(16b). The first conductivity type semiconductor layer(12), an active layer(13) and the second conductivity type semiconductor layer(14) are successively integrated on the light emitting structure. Transparent electrode layers are formed on the second conductivity type semiconductor layer. The photonic crystal can control the transmission and the generation of the electro magnetic wave.
摘要翻译：提供了一种光子晶体发光器件及其制造方法，通过防止从有源层产生的光的全内反射来提高光提取效率。光子晶体发光器件（10）包括发光结构，透明电极层（15），第一电极（16a）和第二电极（16b）。第一导电类型半导体层（12），有源层（13）和第二导电类型半导体层（14）依次集成在发光结构上。透明电极层形成在第二导电型半导体层上。光子晶体可以控制电磁波的传输和产生。

43. 发明公开

KR1020070107798A 최적화된 광자 결정 추출기를 갖는 고 효율 발광다이오드(ＬＥＤ) 无效
标题翻译：高效光发射二极管（LED）与优化的光子晶体提取器
公开(公告)号：KR1020070107798A
公开(公告)日：2007-11-07
申请号：KR1020077022108
申请日：2006-02-10
申请人： 더 리전츠 오브 더 유니버시티 오브 캘리포니아
发明人： 다비드오렐리앙지에프 , 바이스부흐끌로드쎄아 , 덴바스스티븐피.
IPC分类号： H01L33/02
CPC分类号： H01L33/20 , H01L33/382 , H01L2933/0083
摘要： A high efficiency, and possibly highly directional, light emitting diode (LED) with an optimized photonic crystal extractor. The LED is comprised of a substrate, a buffer layer grown on the substrate (if needed), an active layer including emitting species, one or more optical confinement layers that tailor the structure of the guided modes in the LED, and one or more diffraction gratings, wherein the diffraction gratings are two-dimensional photonic crystal extractors. The substrate may be removed and metal layers may be deposited on the buffer layer, photonic crystal and active layer, wherein the metal layers may function as a mirror, an electrical contact, and/or an efficient diffraction grating.
摘要翻译：具有优化光子晶体提取器的高效率和可能高度定向的发光二极管（LED）。 LED由衬底，在衬底上生长的缓冲层（如果需要），包括发射物质的活性层，定制LED中的引导模式的结构的一个或多个光学限制层以及一个或多个衍射光栅，其中衍射光栅是二维光子晶体提取器。可以去除衬底并且可以在缓冲层，光子晶体和有源层上沉积金属层，其中金属层可以用作反射镜，电接触和/或有效的衍射光栅。

44. 发明授权

KR100638730B1 수직구조 3족 질화물 발광 소자의 제조 방법 有权
标题翻译：立式氮化物发光器件制造方法
公开(公告)号：KR100638730B1
公开(公告)日：2006-10-30
申请号：KR1020050031107
申请日：2005-04-14
申请人： 삼성전기주식회사
发明人： 이재훈 , 김용천 , 백형기 , 공문헌 , 김동우
IPC分类号： H01L33/22 , H01L33/32
CPC分类号： H01L33/0079 , H01L33/007 , H01L33/20 , H01L33/405 , H01L2933/0083
摘要： The invention provides a vertical group III-nitride light emitting device improved in external extraction efficiency and a method for manufacturing the same. The method includes forming an undoped GaN layer and an insulating layer on a basic substrate. Then, the insulating layer is selectively etched to form an insulating pattern, and an n-doped AlxGayIn(1-x-y)N layer, an active layer and a p-doped AlmGanIn(1-m-n)N layer are sequentially formed on the insulating pattern. A conductive substrate is formed on the p-doped AlmGanIn(1-m-n)N layer. The basic substrate, the undoped gaN layer and the insulating pattern are removed, and an n-electrode is formed on a part of the exposed surface of the n-doped AlxGayIn(1-x-y)N layer.

45. 发明公开

KR1020060079196A 반도체 소자 有权
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：KR1020060079196A
公开(公告)日：2006-07-05
申请号：KR1020067003347
申请日：2004-08-18
申请人： 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤
发明人： 다나까,히사노리 , 호소까와,야스노부 , 시부따니,유우끼
IPC分类号： H01L33/20
CPC分类号： H01L33/20 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/0243 , H01L21/02433 , H01L21/0254 , H01L21/02647 , H01L21/02658 , H01L25/167 , H01L33/007 , H01L33/22 , H01L33/38 , H01L2224/48095 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/49107 , H01L2924/181 , H01L2924/3025 , H01L2933/0083 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要： A semiconductor device is disclosed which comprises a substrate (10) having a surface which is provided with a recessed portion and/or projected portion (20), and semiconductor layers (11-13) which are formed on the surface of the substrate (10) and made of a material different from that of the substrate (10). The recessed portion and/or projected portion (20) has a lateral surface which is composed of two or more inclined planes having different inclination angles.
摘要翻译：公开了一种半导体器件，其包括具有设置有凹部和/或突出部分（20）的表面的衬底（10）以及形成在衬底（10）的表面上的半导体层（11-13））并且由与衬底（10）的材料不同的材料制成。凹部和/或突出部分（20）具有由具有不同倾斜角度的两个或多个倾斜平面构成的侧面。

46. 发明公开

KR1020060046707A 2차원 나노주기구조를 갖는 박막형광체를 포함하는 ＬＥＤ구조체 失效
标题翻译：包含二维纳米周期结构的薄膜磷光体的LED器件
公开(公告)号：KR1020060046707A
公开(公告)日：2006-05-17
申请号：KR1020050066844
申请日：2005-07-22
申请人： 도영락
发明人： 도영락
IPC分类号： H01L33/00 , B82Y20/00
CPC分类号： H01L33/508 , H01L2933/0083
摘要： LED 구조체가 제공된다.
본 발명에 따른 LED 구조체는 LED 소자; 및 기판의 상부에 박막형광체가 적층되어 있고 상기 박막형광체의 전면방향으로 2차원 나노주기구조가 형성되어 있는 박막형광체/기판 적층체를 포함하며, 상기 박막형광체의 소멸계수(extinction coefficient)가 10
-3 이하인 것을 특징으로 하는데, 종래의 LED 소자에 비해 발광효율 및 휘도가 매우 우수하고, 형광체를 적게 사용하면서 슬러리를 사용하지 않으므로, 광학적인 균일성과 원가 절감이라는 효과를 가진다.
LED 구조체, 나노주기 박막형광체

47. 发明公开

KR1020060015503A 발광 디바이스 失效
标题翻译：照明发光装置
公开(公告)号：KR1020060015503A
公开(公告)日：2006-02-17
申请号：KR1020057019395
申请日：2004-04-06
申请人： 루미너스 디바이시즈, 아이엔씨.
发明人： 얼차크,알렉세이에이 , 그라프,존,더블유 , 브라운,마이클,그레고리 , 던칸,스코트,더블유
IPC分类号： H01L33/00 , B82Y20/00
CPC分类号： H01L33/20 , H01L33/0079 , H01L2933/0083
摘要： Light-emitting devices, and related components, systems and methods are disclosed.
摘要翻译：公开了发光器件及相关部件，系统和方法。

48. 发明公开

KR1020170130218A 반도체 나노결정 실록산 복합체 수지 조성물 및 그 제조방법 审中-实审
标题翻译：半导体纳米晶硅氧烷复合树脂组合物及其制造方法
公开(公告)号：KR1020170130218A
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：KR1020160061019
申请日：2016-05-18
申请人： 한국과학기술원
发明人： 배병수 , 김회윤 , 최광문
IPC分类号： C08K9/04 , C08K9/10 , C08K3/36 , C08L83/04 , C08J5/00 , C08J3/24 , C08J3/28
CPC分类号： C09K11/025 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C08G77/06 , C08G77/14 , C08G77/80 , C09K11/54 , C09K11/565 , H01L33/502 , H01L33/56 , H01L2933/0083 , Y10S977/774 , Y10S977/824 , Y10S977/892 , Y10S977/95 , C08K9/04 , C08J3/24 , C08J3/28 , C08J5/005 , C08K3/36 , C08K9/10 , C08K2201/011 , C08L83/04
摘要： 본발명은반도체나노결정실록산복합체수지조성물및 그제조방법에관한것으로서, 보다구체적으로반도체나노결정이 1종이상의유기알콕시실란또는유기실란디올의혼합물의축합반응에의해얻어지는실록산복합체수지에분산및 결합된반도체나노결정실록산복합체수지조성물및 그제조방법에관한것이다. 본발명의반도체나노결정실록산수지조성물의경화물은코팅, 필름, 플레이크등으로제작이가능하며고온고습환경에서반도체나노결정의고유한특성이유지되고응용소자의신뢰성이향상된다.
摘要翻译：本发明是一种半导体纳米晶体硅氧烷复合树脂组合物，分散体，并通过在纸张上的有机烷氧基硅烷或有机硅烷二醇的第一混合物的缩合反应键合到硅氧烷的复合树脂的半导体纳米晶体，更具体地，获得涉及一种制造其的方法本发明涉及用于半导体纳米晶体硅氧烷复合物的树脂组合物及其制造方法。本发明uigyeong货物的半导体纳米晶体的硅氧烷树脂组合物可以被制造成一个涂层，薄膜，薄片等，并且是保持在高温和高湿度环境中的半导体纳米晶体的独特特性和改善应用程序装置的可靠性。

49. 发明公开

KR1020170066257A 파장 변환 물질 및 이의 응용 审中-实审
标题翻译：波长转换材料及其应用
公开(公告)号：KR1020170066257A
公开(公告)日：2017-06-14
申请号：KR1020160162205
申请日：2016-11-30
申请人： 렉스타 일렉트로닉스 코포레이션
发明人： 신-잉린 , 헝-치아왕 , 안-시탕 , 루-시리우 , 총-리앙짜이 , 유-춘리 , 칭-이첸 , 헝-천통
IPC分类号： C09K11/66 , H01S3/00 , H01L51/00 , H01L33/50
CPC分类号： H01L33/502 , B82Y20/00 , C09K11/665 , H01L27/153 , H01L33/38 , H01L33/44 , H01L33/504 , H01L33/505 , H01L33/507 , H01L33/60 , H01L33/62 , H01L2224/48091 , H01L2224/49111 , H01L2224/73265 , H01L2933/0083 , Y10S977/774 , Y10S977/813 , Y10S977/95 , H01L2924/00014
摘要： 파장변환물질및 이의응용이제공된다. 상기파장변환물질은 CsPb(ClBrI)의화학식을가지며, 상기식에서,인전(全)-무기페로브스카이트양자점을포함한다.
摘要翻译：提供波长转换材料及其应用。波长转换材料具有化学式CsPb（ClBrI），其中它包括全无机钙钛矿量子点。

50. 发明授权

KR101667815B1 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지 有权
标题翻译：发光器件，制造发光器件的方法，
公开(公告)号：KR101667815B1
公开(公告)日：2016-10-19
申请号：KR1020100014440
申请日：2010-02-18
申请人： 엘지이노텍 주식회사
发明人： 김선경
IPC分类号： H01L33/38 , H01L33/40
CPC分类号： H01L33/38 , H01L33/405 , H01L2224/48091 , H01L2924/12032 , H01L2933/0083 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 실시예에따른발광소자는제1 도전형반도체층; 상기제1 도전형반도체층아래에활성층; 상기활성층아래에제2 도전형반도체층; 상기제2 도전형반도체층아래에반사층; 및상기반사층상에제1 방향및 상기제1 방향에수직인제2 방향을따라규칙성을갖고배치되고, 상기제1 방향을따르는규칙성과상기제2 방향을따르는규칙성이서로상이한비대칭패턴을포함한다.
摘要翻译：根据实施例的发光器件包括第一导电半导体层; 在第一导电半导体层下方的有源层; 在有源层下方的第二导电半导体层; 在第二导电半导体层下方的反射层; 并且，在反射层上沿第一方向和与第一方向垂直的第二方向规则排列的非对称图案，沿第一方向的规则性和沿第二方向的规则性彼此不同的。

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