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41. 发明公开

KR1020090068176A 그래파이트 기판 상에 다이아몬드 층을 형성하는 방법 无效
标题翻译：将钻石层应用于石墨基板的方法
公开(公告)号：KR1020090068176A
公开(公告)日：2009-06-25
申请号：KR1020080130567
申请日：2008-12-19
申请人： 콘디아스 게엠베하
发明人： 프리다,마티아스 , 마티,톨스텐 , 멀캐히,쉐인
IPC分类号： C23C16/27
CPC分类号： C23C16/0218 , C04B41/009 , C04B41/52 , C04B41/89 , C23C16/0236 , C23C16/27 , C30B25/02 , C30B25/18 , C30B29/04 , C04B41/5346 , C04B41/4539 , C04B41/5002 , C04B41/4531 , C04B35/522
摘要： A method of forming a diamond layer on a graphite substrate is provided to directly apply diamond coating having high durability on the graphite substrate using CVD(Chemical Vapor Deposition) to form a diamond electrode having graphite. The surface of a graphite substrate is finely washed in the etching gas ambient in a vacuum state at a high temperature. Isolated particles are mechanically removed. Fine diamond particles are seeded in the surface of the substrate. One or more degassing treatments are performed in order to remove absorbed hydrocarbon and absorbed air at a temperature higher than 700 degrees in a vacuum state.
摘要翻译：提供在石墨基片上形成金刚石层的方法，以使用CVD（化学气相沉积）直接在石墨基片上施加具有高耐久性的金刚石涂层以形成具有石墨的金刚石电极。石墨基板的表面在高温下在真空状态下在蚀刻气体环境中精细地洗涤。分离的颗粒被机械地去除。将细金刚石颗粒接种在基材的表面中。进行一次或多次脱气处理以在真空状态下在高于700度的温度下除去吸收的烃和吸收的空气。

42. 发明公开

KR1020080099305A 에피택셜 증착 프로세스 및 장치 无效
标题翻译：外延沉积工艺和设备
公开(公告)号：KR1020080099305A
公开(公告)日：2008-11-12
申请号：KR1020087021614
申请日：2007-01-16
申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
发明人： 램,앤드류 , 김,이완 , 쿠푸라오,사티쉬 , 판,시-잉 , 루,신리앙 , 카오,치엔-테
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： C23C16/452 , C23C16/0236 , C23C16/505 , H01L21/31116 , H01L21/67069
摘要： An epitaxial deposition process including a dry etch process, followed by an epitaxial deposition process is disclosed. The dry etch process involves placing a substrate to be cleaned into a processing chamber to remove surface oxides. A gas mixture is introduced into a plasma cavity, and the gas mixture is energized to form a plasma of reactive gas in the plasma cavity. The reactive gas enters into the processing chamber and reacts with the substrate, forming a thin film. The substrate is heated to vaporize the thin film and expose an epitaxy surface. The epitaxy surface is substantially free of oxides. Epitaxial deposition is then used to form an epitaxial layer on the epitaxy surface.
摘要翻译：公开了一种外延沉积工艺，其包括干式蚀刻工艺，随后进行外延沉积工艺。干蚀刻工艺涉及将要清洗的基底放置在处理室中以去除表面氧化物。将气体混合物引入等离子体空腔中，并且气体混合物被激发以在等离子体腔中形成反应气体的等离子体。反应气体进入处理室并与基板反应，形成薄膜。将衬底加热以蒸发薄膜并暴露外延表面。外延表面基本上不含氧化物。然后使用外延沉积在外延表面上形成外延层。

43. 发明授权

KR100728962B1 지르코늄산화막을 갖는 반도체소자의 캐패시터 및 그 제조방법 失效
标题翻译：具有氧化锆的半导体器件的电容器及其制造方法
公开(公告)号：KR100728962B1
公开(公告)日：2007-06-15
申请号：KR1020050105454
申请日：2005-11-04
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 이기정
IPC分类号： H01L21/8242 , H01L27/108
CPC分类号： H01L21/02189 , C23C16/0236 , C23C16/403 , C23C16/405 , C23C16/45525 , C23C16/45529 , C23C16/56 , H01L21/02178 , H01L21/022 , H01L21/0228 , H01L21/3142 , H01L21/31616 , H01L21/31641 , H01L27/10852 , H01L28/40 , H01L28/90 , Y02T50/67
摘要： 본 발명은 70nm급 이하 금속배선을 갖는 차세대 디램 제품에서 필요로 하는 충전용량을 확보하면서 누설전류 특성 또한 확보할 수 있는 반도체 소자의 캐패시터 및 그의 제조 방법을 제공하기 위한 것으로, 본 발명의 캐패시터의 유전막은 Al2O3/ZrO2, ZrO2/Al2O3, (ZrO2/Al2O3)n(2≤n≤10), (Al2O3/ZrO2)n(2≤n≤10), ZrO2/Al2O3/ZrO2의 삼중막 구조, 질화된 ZrO2박막의 단일막, 질화 Al2O3 박막과 질화된 ZrO2 박막의 이중막, Al2O3 박막과 질화된 ZrO2 박막의 이중막, ZrO2 박막, Al2O3 박막 및 질화된 ZrO2 박막의 삼중막을 적용하고, 이와 같이 본 발명은 캐패시터의 유전막으로, 큰 밴드 갭 에너지(Band Gap Energy: Eg) 값을 갖는 ZrO2(Eg=7.8eV,ε=20∼25) 박막과 열안정성이 뛰어난 Al2O3(Eg=8.7eV,ε=9) 박막으로 이루어진 다중 유전막 구조를 구성함으로써, 누설전류 발생 억제력을 향상시킬 수 있음은 물론 항복전압 값을 높일 수 있고, 아울러, 대용량의 충전용량을 얻을 수 있는 바, 70㎚급 이하의 고집적 메모리 제품에서 요구하는 충분한 충전용량을 가지면서 누설전류 및 항복전압 특성을 갖는 캐패시터를 구현할 수 있다.
캐패시터, 지르코늄산화막, ALD, 다중유전막

44. 发明授权

KR100666042B1 박막 형성 방법 및 박막 형성 장치 失效
标题翻译：薄膜形成方法和薄膜形成设备
公开(公告)号：KR100666042B1
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：KR1020037012079
申请日：2002-03-14
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 야마사키히데아키 , 아리마스스무 , 가와노유미코
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： H01L28/65 , C23C16/0218 , C23C16/0236 , C23C16/18 , C23C16/452 , C23C16/45523 , H01L21/3105 , H01L21/31612 , H01L28/55 , H01L28/60 , H01L28/90
摘要： 본 발명에 따르면, 반도체 기판(101)은 소정의 처리 용기내에 배치되고, 예를 들어 플라즈마로의 전환에 의해 활성화된 산소 기체가 절연 막(108)상에 공급된다. 층간 절연 막(106) 및 절연 막(108)의 표면이 활성화된 산소 기체에 노출된다. 그 후, CVD에 의해 루테늄 막(109)이 형성된다.
摘要翻译：根据本发明，将半导体基板101放置在预定处理容器中，并且通过例如转换成等离子体而激活的氧气被供应到绝缘膜108上。层间绝缘膜106和绝缘膜108的表面暴露于活性氧气。之后，通过CVD形成钌膜109。

45. 发明公开

KR1020060048008A 진공 성막 장치 有权
标题翻译：真空成膜装置
公开(公告)号：KR1020060048008A
公开(公告)日：2006-05-18
申请号：KR1020050041756
申请日：2005-05-18
申请人： 가부시키가이샤 알박
发明人： 하타나카마사노부 , 이시카와미치오 , 임세주 , 나카무라후미오
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： C23C16/38 , C23C16/0236 , C23C16/34 , C23C16/44 , C23C16/4405 , C23C16/45525 , C23C16/45536 , C23C16/45551 , C23C16/54 , Y10S414/139
摘要： (과제) 흡착 및 반응공정의 프로세스 조건을 독립하여 설정할 수 있고, 막질이 좋은 박막을 얻을 수 있으며, 성막 프로세스의 사이클 타임을 빠르게 할 수 있도록 구성되고, 게다가 제작비용이 낮은 성막 장치의 제공.
(해결수단) 기판 스테이지, 벨-자형 용기, 성막 대상물 반송수단, 및 가스 도입 수단을 구비하고, 성막 프로세스 실시시에, 기판 스테이지와 용기로 진공 챔버를 형성하여, 진공 챔버의 공간 내에 가스 도입 수단을 통해 원료 가스 및 반응 가스가 도입되어, 성막 대상물상에 원료 가스를 흡착시키는 흡착공정 및 흡착된 원료 가스와 반응 가스를 반응시키는 반응공정의 어느 하나를 실행할 수 있도록 구성하여 이루어진다.
성막 대상물, 기판 스테이지, 진공 챔버용 용기

46. 发明授权

KR100443121B1 반도체 공정의 수행 방법 및 반도체 공정 장치 失效
标题翻译： 반도체공정의수행방법및반도체공정장치
公开(公告)号：KR100443121B1
公开(公告)日：2004-08-04
申请号：KR1020010075019
申请日：2001-11-29
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 안재혁
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： H01L21/67276 , C23C16/0236 , C23C16/54 , H01L21/31116 , Y10S414/139
摘要： A method of manufacturing a semiconductor device includes first and second processes, the latter requiring more processing time. An apparatus for performing the semiconductor manufacturing process includes a first reactor, and a plurality of second reactors for each first reactor. A first group of wafers are subjected to the first process within the first reactor, and are then transferred into a second reactor as isolated from the outside air. The first group of wafers is subjected to the second process within the second reactor. At the same time, a second group of wafers are subjected to the first process within the first reactor. After the first process is completed, the second group of wafers is transferred into an unoccupied one of the second reactors as isolated from the outside air. There, the second group of wafers is subjected to the second process. Accordingly, process failures otherwise due to the exposure of the wafers are minimized, and productivity is high despite the difference in the processing times.
摘要翻译：制造半导体器件的方法包括第一和第二工艺，后者需要更多的处理时间。用于执行半导体制造工艺的装置包括第一反应器和用于每个第一反应器的多个第二反应器。第一组晶片在第一反应器内经受第一过程，然后在与外部空气隔离的情况下被转移到第二反应器中。第一组晶片在第二反应器内经受第二过程。同时，第二组晶片在第一反应器内经受第一过程。在第一过程完成之后，第二组晶片被转移到与外部空气隔离的未被占据的第二反应器中。在那里，第二组晶片经受第二过程。因此，由于晶片的暴露而导致的工艺失败被最小化，并且尽管处理时间不同，生产率也很高。

47. 发明授权

KR1019900000405B1 기질 표면의 광화학적 제조 방법 失效
标题翻译：基板表面的光化学制造方法
公开(公告)号：KR1019900000405B1
公开(公告)日：1990-01-25
申请号：KR1019850009427
申请日：1985-12-16
申请人： 레이티언 컴파니
发明人： 하베이엔.로저스2세 , 제임스티.홀
IPC分类号： H01L21/306 , H01L21/302
CPC分类号： H01L21/02046 , C23C8/06 , C23C16/0236 , C23C16/402 , H01L21/31116 , H01L21/465 , H01L21/4757 , Y10S438/974
摘要： A semiconductor substrate having a native oxide layer on its surface is treated by (a) providing a vapour-phase hydrogen-contg. precursor dissociated by radiation of a predetermined wavelength ; (b) exposing the substrate at 30-200 ≦̸C to the precursor and to radiation of the dissociating wavelength to form neutral hydrogen species; and (c) reacting the hydrogen species with the native oxide converting the oxide to avoid a thermal and charge damage.
摘要翻译：在其表面上具有天然氧化物层的半导体衬底通过（a）提供气相氢 - 通过预定波长的辐射解离的前体; （b）将基材在30-200℃下暴露于前体和解离波长的辐射以形成中性氢物质; 和（c）使氢物质与转化氧化物的天然氧化物反应以避免热和电荷损伤。

48. 发明公开

KR1020170110020A 반도체 장치의 제조 방법 및 반도체 장치의 제조 시스템 审中-实审
标题翻译：制造半导体器件的方法和半导体器件的制造系统
公开(公告)号：KR1020170110020A
公开(公告)日：2017-10-10
申请号：KR1020170033034
申请日：2017-03-16
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 이케가와,히로아키 , 오가와,준
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/768 , H01L21/306
CPC分类号： H01L21/0228 , C23C16/0236 , C23C16/045 , C23C16/345 , C23C16/45536 , C23C16/4554 , C23C16/45544 , C23C16/52 , C23C16/56 , H01L21/0217 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L21/31111 , H01L21/31116 , H01L21/67069 , H01L21/67745 , H01L21/68771
摘要： 본발명은, 웨이퍼의표면의 SiO막에형성된오목부를매립하도록 SiN막을성막함에있어서, 오목부를간극없이매립하는기술을제공하는것이다. SiO막(100)에형성된오목부에대하여, ALD에의해 SiN막(102)의성막을행해서매립을행한후, 습식에칭에의해오목부내의 SiN막(102)을 SiO막(100)의표면이노출될때까지에칭한후, 다시 SiN막(103)의매립처리(성막처리)를행하고있다. SiN막(103)의성막에관한인큐베이션타임은, SiO막(100)이배리어막(101)보다도더 길다. 이때문에, 에칭후의다시 SiN막(103)의매립처리에있어서는, SiO막(100)의상면측으로부터오목부의상방에 SiN막(103)이밀려들기전에오목부내에 SiN막(103)이매립되므로, 보이드나심 등의공극의발생을억제할수 있다.
摘要翻译：本发明中，作为SiN膜被形成以填充形成在SiO膜在晶片的表面上的凹部，以用于嵌入凹部无间隙的技术。相对于形成在SiO膜100，通过ALD中，SiO薄膜100，通过湿蚀刻的凹部的SiN膜102露出的表面通过进行膜城堡膜的SiN 102嵌入实施后的凹部然后再次掩埋（成膜）SiN膜103。在SiN膜城堡膜103的温育时间是比SiO膜100不再是双重的后部膜101。由于这一点，因为在重新SiN膜的嵌入处理的蚀刻103之后，SiO膜100服装侧的SiN在凹槽膜103外出时SiN膜103由上凹部从双面肋推前，可以抑制空隙等空隙。

49. 发明公开

KR1020160111435A 반사방지 구조체를 형성하기 위한 라미네이션 전사 필름 审中-实审
标题翻译：用于形成抗反射结构的层压传输膜
公开(公告)号：KR1020160111435A
公开(公告)日：2016-09-26
申请号：KR1020167022387
申请日：2015-01-09
申请人： 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니
发明人： 프리마이클벤턴 , 마이어저스틴피 , 벤슨올레스터주니어 , 콜리어테리오 , 마주렉미에치슬라브에이치 , 슈바르츠에반엘 , 울크마틴비 , 데이비드모세엠
IPC分类号： G02B1/118 , G02B1/02 , C23C16/50 , C23C16/02 , B32B38/10 , B32B37/00 , C03C17/30 , B32B37/24
CPC分类号： C23C16/50 , B32B37/025 , B32B38/10 , B32B2037/243 , B32B2307/40 , B32B2551/00 , C03C17/30 , C03C2217/732 , C03C2217/77 , C23C16/0236 , G02B1/02 , G02B1/118 , Y10T156/10 , Y10T428/24355
摘要： 본발명은반사방지구조체를갖는물품을형성하기위한라미네이션전사필름및 이러한라미네이션전사필름을형성하는방법에관한것이다. 전사필름은캐리어필름, 캐리어필름상에배치되며반사방지나노구조템플릿특징부를갖는희생템플릿층, 및반사방지나노구조템플릿특징부에정합하는제1 표면및 반대편의평탄한제2 표면을갖는열적으로안정한백필층을포함한다.

50. 发明授权

KR101571619B1 성막 방법 및 성막 장치 有权
标题翻译：膜沉积方法和膜沉积装置
公开(公告)号：KR101571619B1
公开(公告)日：2015-11-24
申请号：KR1020137034085
申请日：2013-04-26
申请人： 가부시키가이샤 아루박
发明人： 다카하시,세이이치
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： H01L21/02518 , C23C16/0227 , C23C16/0236 , C23C16/0245 , C30B25/02 , C30B25/186 , C30B29/06 , C30B29/08 , C30B35/00 , H01L21/02046 , H01L21/02381 , H01L21/0245 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L21/02658 , H01L21/02661 , H01L21/31116 , H01L21/67161 , H01L21/6719 , H01L21/67207
摘要： [과제] 실리콘기판의표면을청정화해, 해당표면에결정성이양호한단결정막을성장시키는것이가능한성막방법및 성막장치를제공한다. [해결수단] 본발명의한 형태에따른성막방법은, 실리콘기판의표면에형성된자연산화막을에칭하는공정을포함한다. 상기실리콘기판의표면이클리닝된다. 클리닝된상기실리콘기판의표면에, 실리콘및 게르마늄중 적어도어느하나를포함하는막이성장된다.

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