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31. 发明授权

KR100987831B1 결정에서 결함의 농도를 감소시키는 방법 失效
标题翻译：降低晶体缺陷浓度的方法
公开(公告)号：KR100987831B1
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：KR1020030041418
申请日：2003-06-25
申请人： 제너럴 일렉트릭 캄파니
发明人： 디'에블린마크필립 , 아서스테픈달리 , 롤랜드래리버튼 , 바가랄리서레쉬생카라파 , 루섹존윌리암 , 안소니토마스리차드 , 레빈손리오넬몬티
IPC分类号： B01J3/06
CPC分类号： B01J3/065 , B01J3/062 , B01J2203/0635 , B01J2203/0645 , B01J2203/066 , B01J2203/0665 , B01J2203/067 , B01J2203/0675 , B01J2203/069 , C30B33/00 , Y10T117/1004 , Y10T117/1008
摘要： 비다이아몬드 결정에서 고압 고온(HP/HT)으로 결함을 제거하거나 스트레인을 경감시키는 방법은 결함을 갖는 결정과, 압력 매질을 제공함으로써 시작한다. 단결정에서 결함의 제거 또는 스트레인의 경감 중 하나 이상을 위해 충분한 시간 동안 충분한 고압 고온의 반응 조건하에서 처리하기 위해, 상기 결정과 압력 매질을 고압 셀에 배치하여 고압 장치에 배치한다.

32. 发明授权

KR100943361B1 결정화 장치 및 방법, 전자 디바이스의 제조방법, 전자디바이스, 및 광 변조소자 失效
标题翻译：结晶装置及方法，电子装置制造方法，电子装置及光调制元件
公开(公告)号：KR100943361B1
公开(公告)日：2010-02-18
申请号：KR1020040108888
申请日：2004-12-20
申请人： 가부시키가이샤 에키쇼센탄 기쥬쓰 가이하쓰센타
发明人： 아기타노리타카 , 다카미요시오
IPC分类号： G02F1/13
CPC分类号： B23K26/0861 , B23K26/04 , B23K26/066 , B23K2201/40 , H01L21/02422 , H01L21/02532 , H01L21/0268 , H01L21/02686 , Y10S117/90 , Y10T117/10 , Y10T117/1008
摘要： 피처리기판(4)에 미리 구비된 적어도 하나의 위치맞춤용 마크(4a, 4b)를 기준으로 하여 피처리기판을 결정화 장치의 기판 스테이지(5)에 위치맞춤하여 지지하는 공정과, 상기 기판 스테이지에 지지된 상기 피처리기판의 미리 정해진 영역에 상기 광 변조된 광선을 조사하여 상기 영역을 결정화하는 공정과, 위치맞춤용 마크를 기준으로 하여 위치맞춤된 상기 피처리기판 상의 결정화 영역에 적어도 하나의 회로소자를 형성하는 공정을 포함하는 전자 디바이스의 제조방법이 제공된다.

33. 发明公开

KR1020100014169A 결정 성장 프론트에서 열 구배들의 인-시츄 결정을 위한 절차 有权
标题翻译：在晶体生长前沿测定热梯度的程序
公开(公告)号：KR1020100014169A
公开(公告)日：2010-02-10
申请号：KR1020090070448
申请日：2009-07-31
申请人： 섬코 피닉스 코포레이션 , 가부시키가이샤 사무코
发明人： 오르셸벤노 , 부츠코프스키안제이 , 커언스조엘 , 다카나시게이이치 , 토트폴커
IPC分类号： C30B15/20
CPC分类号： C30B15/22 , C30B15/203 , C30B29/06 , Y10T117/1008 , Y10T117/1024 , Y10T117/1032 , Y10T117/1036 , Y10T117/104 , Y10T117/1044 , Y10T117/1048 , Y10T117/1052 , Y10T117/1056 , Y10T117/106 , Y10T117/1064 , Y10T117/1068 , Y10T117/1072
摘要： PURPOSE: A procedure for in-situ determination of thermal gradients at the crystal growth front is provided to determine in-situ crystallization of the temperature gradients of the melt during crystallization by controlling pull speed. CONSTITUTION: A crucible(116) receives a melt(118). A crystal pulling part pulls the crystallization by a predetermined pulling speed from the crucible. The crystal diameter sensor measures the diameter of crystallization. The controller(102) is connected to the crystals pulling part. The controller applies a control signal to the crystals pulling part to control the pulling rate. The controller determines the thermal gradients for the crystal growth front and melt based on the change of the diameter of crystallization.
摘要翻译：目的：提供在晶体生长前沿原位测定热梯度的程序，以通过控制拉伸速度来确定结晶期间熔体温度梯度的原位结晶。构成：坩埚（116）接收熔体（118）。晶体拉动部件以预定的拉拔速度从坩埚中拉出结晶。晶体直径传感器测量结晶的直径。控制器（102）连接到晶体拉出部分。控制器将控制信号施加到晶体拉动部分以控制牵引速率。控制器根据结晶直径的变化来确定晶体生长前沿和熔体的热梯度。

34. 发明公开

KR1020080103609A 저온 로딩 및 소성 无效
标题翻译：低温负载和保险
公开(公告)号：KR1020080103609A
公开(公告)日：2008-11-27
申请号：KR1020087027520
申请日：2002-05-29
申请人： 에이에스엠 아메리카, 인코포레이티드
发明人： 브라반트폴 , 이탈리아노조피. , 웬지안킹
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： C23C16/4408 , C23C16/0209 , C23C16/0227 , C23C16/4405 , C30B25/02 , C30B25/18 , C30B29/30 , C30B31/00 , H01L21/02046 , H01L21/02052 , Y10T117/10 , Y10T117/1004 , Y10T117/1008
摘要： Methods are provided for low temperature, rapid baking to remove impurities from a semiconductor surface prior to in-situ deposition. Advantageously, a short, low temperature process consumes very little of the thermal budget, such that the process is suitable for advanced, high density circuits with shallow junctions. Furthermore, throughput is greatly improved by the low temperature bake, particularly in combination with low temperature plasma cleaning and low temperature wafer loading prior to the bake, and deposition after the bake at temperatures lower than conventional epitaxial deposition. The process enables epitaxial deposition of silicon-containing layers over semiconductor surfaces, particularly enabling epitaxial deposition over a silicon germanium base layer. By use of a low-temperature bake, the silicon germanium base layer can be cleaned to facilitate further epitaxial deposition without relaxing the strained crystal structure of the silicon germanium.
摘要翻译：提供了用于低温，快速烘烤以在原位沉积之前从半导体表面去除杂质的方法。有利地，短的低温工艺消耗很少的热预算，使得该工艺适用于具有浅结的先进的高密度电路。此外，通过低温烘烤，特别是结合烘烤前的低温等离子体清洁和低温晶片负载以及在低于常规外延沉积的温度下烘烤后沉积，可以大大提高产量。该方法能够在半导体表面上外延沉积含硅层，特别是能够在硅锗基底层上进行外延沉积。通过使用低温烘烤，可以清洁硅锗基底层以促进进一步的外延沉积，而不会松弛硅锗的应变晶体结构。

35. 发明授权

KR100831609B1 단결정 성장 설비용 인대 회전두부 有权
标题翻译：水晶绘图系统的旋转头
公开(公告)号：KR100831609B1
公开(公告)日：2008-05-23
申请号：KR1020067021083
申请日：2005-03-11
申请人： 크리스탈 그로우잉 시스템즈 게엠베하
发明人： 뮈헤,안드레아스
IPC分类号： C30B15/30
CPC分类号： C30B15/30 , Y10S117/90 , Y10T117/10 , Y10T117/1008 , Y10T117/1032 , Y10T117/1064 , Y10T117/1068 , Y10T117/1072 , Y10T117/1088
摘要： 쵸크랄스키-결정인상설비에 장치된 인대회전두부(引帶回轉頭部)(8)에 있어서, 인대(7)와 그 단부(端部)에 고정된 종자결정 파지기(6)를 수평 방향 및 수직으로 구동하기 위한 슬립링(slip ring)이 없는 인대회전장치(8)를 실시하기 위하여 인대권취기구(15)를 구비하는 인대회전두부(8)가 수직 중공축(14)으로 지지되고, 상기 중공축(14)을 통하여 인대(7)를 결정인상설비 속에 매달도록 되어 있으며, 상기 인대회전두부(8)는 자신의 축을 중심으로 회전하도록 지지되어, 상기 결정인상설비에 고정된 회전모터(11)에 의하여 상기 인대권취기구(15) 및 인대(7)와 함께 회전할 수 있도록 되어 있고, 상기 수직 중공축(14)은 이중치차(16)에 의하여 동축으로 둘러싸여 있고, 상기 이중치차(16)는 중공축(14)을 중심으로 회전 가능하게 지지되어, 상기 결정인상설비에 고정된 인상모터(10)에 의하여 회전할 수 있도록 되어있으며, 이때 상기 이중치차(16)는 치차장치를 통하여 상기 인대권취기구(15)를 회전시킴으로써, 상기 결정인상설비에 고정된 인상모터(10)로부터 기계 에너지가 상기 결정인상설비에 대하여 상대적 회전을 하는 인대권취기구(15)로 전달될 수 있게된다.
초크랄스키-단결정 성장설비, 인대회전두부, 결정인상설비

36. 发明授权

KR100811297B1 실리콘 단결정 제조 방법 有权
标题翻译：制造硅单晶的方法
公开(公告)号：KR100811297B1
公开(公告)日：2008-03-07
申请号：KR1020060105646
申请日：2006-10-30
申请人： 가부시키가이샤 섬코
发明人： 후루카와준
IPC分类号： C30B15/20 , C30B29/06
CPC分类号： C30B15/10 , C30B15/20 , C30B29/06 , Y10T117/1004 , Y10T117/1008
摘要： 도가니의 변형을 고려하여 잉곳을 인상함으로써, 결함을 가지는 잉곳의 생성이 방지되고, 첫 번째 잉곳과 균등한 품질을 가지는 다수의 잉곳이 다수의 인상 공정에서 인상될 수 있다. 먼저, 실리콘 원료의 용융 시 실험용 도가니(34)의 변형량과 실험용 히터로 공급되는 공급 전력의 이력을 측정하여 양산용 도가니(14)의 변형 경향을 계산한다. 다음으로, 양산용 도가니의 크기를 측정하고, 양산용 히터(18)를 이용하여 실험용 도가니에 공급되는 양과 동일한 양의 실리콘 원료를 용융시키며, 인상을 시작하기 전에 소정 갭(X)을 가지는 초기 도가니 외부 위치를 측정한다. 또한, 실험용 도가니의 변형 경향과 초기 도가니 외부 위치 사이의 관계 등을 기초로 하여 실리콘 원료를 용융시킬 때 양산용 도가니의 변형량이 예상되고, 양산용 도가니의 변형량을 기초로 소정 갭이 제공된 경우에 초기 도가니 내부 위치가 예상되며, 예상 계산으로부터 잉곳의 최적 인상 속도가 유도되어 최적 인장속도로 잉곳의 인상을 시작한다.
도가니, 잉곳, 실험용, 양산용, 인상

37. 发明公开

KR1020050065335A 결정화 장치 및 방법, 전자 디바이스의 제조방법, 전자디바이스, 및 광 변조소자 失效
标题翻译：电子设备，电子设备和光学调制元件的结晶设备和方法，制造方法
公开(公告)号：KR1020050065335A
公开(公告)日：2005-06-29
申请号：KR1020040108888
申请日：2004-12-20
申请人： 가부시키가이샤 에키쇼센탄 기쥬쓰 가이하쓰센타
发明人： 아기타노리타카 , 다카미요시오
IPC分类号： G02F1/13
CPC分类号： B23K26/0861 , B23K26/04 , B23K26/066 , B23K2201/40 , H01L21/02422 , H01L21/02532 , H01L21/0268 , H01L21/02686 , Y10S117/90 , Y10T117/10 , Y10T117/1008
摘要： 피처리기판(4)에 미리 구비된 적어도 하나의 위치맞춤용 마크(4a, 4b)를 기준으로 하여 피처리기판을 결정화 장치의 기판 스테이지(5)에 위치맞춤하여 지지하는 공정과, 상기 기판 스테이지에 지지된 상기 피처리기판의 미리 정해진 영역에 상기 광 변조된 광선을 조사하여 상기 영역을 결정화하는 공정과, 위치맞춤용 마크를 기준으로 하여 위치맞춤된 상기 피처리기판 상의 결정화 영역에 적어도 하나의 회로소자를 형성하는 공정을 포함하는 전자 디바이스의 제조방법이 제공된다.

38. 发明公开

KR1020050031969A 결정화 장치, 결정화 방법, 디바이스 및 위상변조소자 失效
标题翻译：结晶装置，结晶方法，装置和相位调制元件
公开(公告)号：KR1020050031969A
公开(公告)日：2005-04-06
申请号：KR1020040077288
申请日：2004-09-24
申请人： 가부시키가이샤 에키쇼센탄 기쥬쓰 가이하쓰센타
发明人： 타니구치유키오 , 마츠무라마사키요 , 아기타노리타카
IPC分类号： H01L21/324
CPC分类号： H01L21/0268 , B23K26/073 , C30B13/24 , G02B27/0927 , G02B27/0961 , H01L21/02595 , H01L21/2026 , Y10S117/90 , Y10T117/10 , Y10T117/1004 , Y10T117/1008
摘要： A crystallizing apparatus, a crystallizing method, a device and a phase modulating device are provided to obtain an aiming gradient from light intensity distribution and to form large grains on a substrate by using light modulating optical system composed of a first and second element. A crystallizing apparatus includes a light modulating optical system and an image forming optical system. The light modulating optical system includes a first element(1) with a first pattern for forming an aiming gradient distribution of light intensity and a second element(2) with a second pattern for forming an aiming minimum distribution of light intensity. The image forming optical system(4) is installed between the light modulating optical system and a substrate(5).
摘要翻译：提供一种结晶装置，结晶方法，装置和相位调制装置，以从光强分布获得瞄准梯度，并通过使用由第一和第二元件组成的光调制光学系统在基板上形成大的晶粒。结晶装置包括光调制光学系统和成像光学系统。光调制光学系统包括具有用于形成光强的瞄准梯度分布的第一图案的第一元件（1）和具有用于形成光强度的瞄准最小分布的第二图案的第二元件（2）。图像形成光学系统（4）安装在光调制光学系统和基板（5）之间。

39. 发明授权

KR100478623B1 반도체 박막의 형성방법 및 반도체 박막의 형성장치 有权
标题翻译：用于形成半导体薄膜的方法和装置
公开(公告)号：KR100478623B1
公开(公告)日：2005-03-28
申请号：KR1020030000010
申请日：2003-01-02
申请人： 가부시끼가이샤 에키쇼 센탄 기쥬츠 가이하쯔 센터
发明人： 마쯔무라,마사키요 , 니시타니,미키히코 , 기무라,요시노부 , 쥬몬지,마사유끼 , 타니구찌,유끼오 , 히라마쯔,마사토 , 나까노,후미끼
IPC分类号： H01L21/324
CPC分类号： H01L21/02678 , B23K26/06 , B23K26/066 , B23K2201/40 , C30B1/00 , C30B13/24 , C30B29/06 , H01L21/02691 , H01L21/2026 , Y10T117/1004 , Y10T117/1008 , Y10T117/1016
摘要： 본 발명에 따른 반도체 박막의 형성방법 및 반도체 박막의 형성장치는 절연재로 이루어지는 기층 상에 결정성이 우수한 반도체 박막을 형성하기 위한 것이다. 광원인 엑시머레이저(1)와, 상기 엑시머레이저(1)로부터 발생되는 빛의 광강도 분포를 균일화하는 호모디나이저(3)와, 호모디나이저(3)에 의해 광강도 분포가 균일화된 빛의 진폭이 빛의 비정질 기판(9)에 대한 상대운동 방향으로 증가하도록 진폭을 조정하는 진폭조정 마스크(5)와, 진폭조정 마스크(5)에 의해 진폭이 변조된 빛을 비정질 기판(9) 상에 형성된 비단결정 반도체층(10) 상에 소정의 조사 에너지가 얻어지도록 투사하는 투사 광학시스템(6)과, 빛의 조사면 내에서 온도가 낮은 점을 설치하는 위상 쉬프터(8)와, 빛과 비정질 기판(9)을 상대적으로 움직이는 X, Y방향으로 주사 가능한 기판 스테이지를 포함한다.

40. 发明公开

KR1020050015983A 실리콘 웨이퍼 및 그의 제조 방법 有权
标题翻译：在前表面或后表面上具有层的硅晶片不含COP和其制造方法
公开(公告)号：KR1020050015983A
公开(公告)日：2005-02-21
申请号：KR1020040045053
申请日：2004-06-17
申请人： 실트로닉 아게
发明人： 조이링크리스토프 , 횔츨로베르트 , 발리히라인홀드 , 암몬빌프리트폰
IPC分类号： H01L21/324
CPC分类号： H01L21/3225 , Y10T117/1004 , Y10T117/1008 , Y10T117/1012
摘要： PURPOSE: A silicon wafer and a fabricating method thereof are provided to form a silicon wafer having a layer on a front or a back surface which is free of COP(Crystal Originated Particles) not just in a layer close to the surface, but over a substantial part of the wafer thickness. CONSTITUTION: A layer is formed on a front surface of the silicon wafer by epitaxial deposition, or a layer is formed on a front surface of the silicon wafer by epitaxial deposition or a layer having an electrical resistance different from an electrical resistance of a remainder of the silicon wafer is formed on the front surface of the silicon wafer, or an external getter layer is formed on a back surface of the silicon wafer. A heat treatment process for the silicon wafer is performed at a predetermined temperature. The silicon wafer is exposed to an oxygen-containing atmosphere during the heat treatment.
摘要翻译：目的：提供一种硅晶片及其制造方法，以形成不具有COP（晶体起始粒子）的前表面或背表面上具有层的硅晶片，其不仅在接近表面的层中，而且在晶圆厚度的很大一部分。构成：通过外延沉积在硅晶片的前表面上形成层，或者通过外延沉积在硅晶片的前表面上形成层或具有与其余部分的电阻不同的电阻的层硅晶片形成在硅晶片的前表面上，或者在硅晶片的背面上形成外部吸气剂层。在预定温度下进行硅晶片的热处理工艺。在热处理期间，硅晶片暴露于含氧气氛。

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