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1. 发明授权

KR100625822B1 실리콘 웨이퍼 및 그의 제조 방법 有权
标题翻译：硅砂及其生产工艺
公开(公告)号：KR100625822B1
公开(公告)日：2006-09-20
申请号：KR1020040045053
申请日：2004-06-17
申请人： 실트로닉 아게
发明人： 조이링크리스토프 , 횔츨로베르트 , 발리히라인홀드 , 암몬빌프리트폰
IPC分类号： H01L21/324
CPC分类号： H01L21/3225 , Y10T117/1004 , Y10T117/1008 , Y10T117/1012
摘要： 본 발명은 단결정 실리콘 웨이퍼의 제조 방법에 관한 것으로, 에피택셜 증착에 의해 상기 실리콘 웨이퍼의 전면 상에 층을 형성하거나, 또는 상기 실리콘 웨이퍼의 전면 상에 상기 실리콘 웨이퍼의 잔부의 전기 저항과 상이한 전기 저항을 가진 층을 형성하거나, 또는 상기 실리콘 웨이퍼의 후면 상에 외부 게터층(getter layer)을 형성하는 단계; 및 하기 부등식(1)을 충족시키도록 선택되는 온도에서 상기 실리콘 웨이퍼를 열처리하되, 상기 열처리 시 적어도 일부의 열처리 기간 동안 상기 실리콘 웨이퍼를 산소 함유 분위기에 노출시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다:

(상기 식에서, [Oi]는 상기 실리콘 웨이퍼의 산소 농도이고, [Oi]
eq (T)는 온도 T에서 실리콘 중의 산소의 제한 용해도(limit solubility)이고, σ
SiO2 는 실리콘 이산화물의 표면 에너지이고, Ω는 침전된 산소 원자의 체적이고, r은 평균 COP 반경이며, k는 볼츠만 상수임).
본 발명은 또한 전면 또는 후면 상에 상기 층 중 하나의 층을 구비하며, 실질적으로 공격자점 집괴(COP)가 없는 실리콘 웨이퍼에 관한 것이다.
단결정 실리콘 웨이퍼, 에피택셜 증착, 외부 게터층, 산소 함유 분위기, COP, 에칭, 산소 농도

2. 发明公开

KR1020050015983A 실리콘 웨이퍼 및 그의 제조 방법 有权
标题翻译：在前表面或后表面上具有层的硅晶片不含COP和其制造方法
公开(公告)号：KR1020050015983A
公开(公告)日：2005-02-21
申请号：KR1020040045053
申请日：2004-06-17
申请人： 실트로닉 아게
发明人： 조이링크리스토프 , 횔츨로베르트 , 발리히라인홀드 , 암몬빌프리트폰
IPC分类号： H01L21/324
CPC分类号： H01L21/3225 , Y10T117/1004 , Y10T117/1008 , Y10T117/1012
摘要： PURPOSE: A silicon wafer and a fabricating method thereof are provided to form a silicon wafer having a layer on a front or a back surface which is free of COP(Crystal Originated Particles) not just in a layer close to the surface, but over a substantial part of the wafer thickness. CONSTITUTION: A layer is formed on a front surface of the silicon wafer by epitaxial deposition, or a layer is formed on a front surface of the silicon wafer by epitaxial deposition or a layer having an electrical resistance different from an electrical resistance of a remainder of the silicon wafer is formed on the front surface of the silicon wafer, or an external getter layer is formed on a back surface of the silicon wafer. A heat treatment process for the silicon wafer is performed at a predetermined temperature. The silicon wafer is exposed to an oxygen-containing atmosphere during the heat treatment.
摘要翻译：目的：提供一种硅晶片及其制造方法，以形成不具有COP（晶体起始粒子）的前表面或背表面上具有层的硅晶片，其不仅在接近表面的层中，而且在晶圆厚度的很大一部分。构成：通过外延沉积在硅晶片的前表面上形成层，或者通过外延沉积在硅晶片的前表面上形成层或具有与其余部分的电阻不同的电阻的层硅晶片形成在硅晶片的前表面上，或者在硅晶片的背面上形成外部吸气剂层。在预定温度下进行硅晶片的热处理工艺。在热处理期间，硅晶片暴露于含氧气氛。

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