专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

31. 发明授权

KR101245943B1 도전성 마이에나이트형 화합물의 제조 방법 有权
标题翻译：生产导电性大分子化合物的方法
公开(公告)号：KR101245943B1
公开(公告)日：2013-03-21
申请号：KR1020077019860
申请日：2006-05-30
申请人： 아사히 가라스 가부시키가이샤 , 도오쿄 인스티튜드 오브 테크놀로지
发明人： 호소노히데오 , 하야시가츠로 , 김성웅 , 히라노마사히로 , 나루시마사토루 , 이토세츠로
IPC分类号： C01F7/16 , H01B1/08
CPC分类号： C01F7/164 , C01F7/002 , C01F7/166 , C01P2002/50 , C01P2002/84 , C01P2006/40 , C01P2006/60 , C03C4/14 , C03C10/0036 , C04B35/44 , C04B35/6262 , C04B35/62675 , C04B35/6268 , C04B2235/3201 , C04B2235/3203 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/3229 , C04B2235/3232 , C04B2235/3239 , C04B2235/3241 , C04B2235/3262 , C04B2235/3272 , C04B2235/3275 , C04B2235/3279 , C04B2235/3281 , C04B2235/3287 , C04B2235/3409 , C04B2235/3418 , C04B2235/44 , C04B2235/444 , C04B2235/445 , C04B2235/446 , C04B2235/652 , C30B29/22 , C30B33/00 , H01B1/08
摘要： 양호한 특성을 갖는 도전성 마이에나이트형 화합물을 용이하고 안정적으로 또한 저비용으로 제조하는 제조 방법을 제공한다.
전구체를 열처리하는 공정을 포함하는 도전성 마이에나이트형 화합물의 제조 방법으로서, 상기 전구체는 Ca 와 Al 을 함유하고, 산화물 환산한 (CaO : Al
2 O
3 ) 의 몰비가 (12.6 : 6.4) ∼ (11.7 : 7.3) 이고, CaO 와 Al
2 O
3 의 합계가 50 몰％ 이상인 유리질 또는 결정질이며, 상기 열처리는 열처리 온도 (T) 가 600 ∼ 1415℃ 이고, 또한 산소 분압 (P
O2 ) 이 Pa 단위로,
P
O2 ≤ 10
5 × exp [{－7.9 × 10
4 / (T ＋ 273)} ＋ 14.4]
로 표시되는 범위인 불활성 가스 또는 진공 분위기 중에 상기 전구체를 유지하는 열처리인 것을 특징으로 한다.
도전성 마이에나이트형 화합물

32. 发明授权

KR101210548B1 나노입자 어셈블리 기반의 스위칭 소자 및 이의 제조 방법 有权
标题翻译：一种基于纳米器件组装的开关装置及其制备方法
公开(公告)号：KR101210548B1
公开(公告)日：2012-12-10
申请号：KR1020090116250
申请日：2009-11-27
申请人： 연세대학교 산학협력단 , 이화여자대학교 산학협력단
发明人： 천진우 , 김태희 , 장정탁
IPC分类号： B82B3/00 , H01H1/021 , H01L27/02 , B82B1/00
CPC分类号： H01L45/04 , B82Y30/00 , C01G23/0536 , C01G41/02 , C01G45/02 , C01G45/12 , C01G49/0018 , C01G49/0063 , C01G49/0072 , C01G51/40 , C01G53/40 , C01P2004/03 , C01P2004/04 , C01P2004/32 , C01P2004/64 , C01P2004/84 , C01P2006/40 , C04B35/26 , C04B35/265 , C04B35/2658 , C04B35/2666 , C04B35/62826 , C04B35/6325 , C04B2235/3262 , C04B2235/3272 , C04B2235/3274 , C04B2235/3275 , C04B2235/3279 , C04B2235/44 , C04B2235/5454 , H01L45/08 , H01L45/146 , H01L45/147 , H01L45/1608
摘要： 본발명은나노입자를이용하여제조되는스위칭소자및 이의제조방법에관한것이다. 또한, 본발명은보다편리하고경제적인방법으로 1 mA 미만의범위의전류값 및상온(25°C) ± 250°C에서가역적인스위칭효과를나타내는나노입자를이용하여스위칭소자(예, 멤리스터(memristor))를대량생산할수 있다. 나노입자어셈블리에기초한멤리스터의높은가능성에대한예측은크기, 조성, 차원, 표면적및 화학포텐셜과같은이들의나노스케일특성을조절함에따른나노입자의전기적효과조절의다능성에의해지지된다.

33. 发明公开

KR1020110053313A 티탄산알루미늄계 세라믹스의 제조 방법 无效
标题翻译：钛酸铝陶瓷制造方法
公开(公告)号：KR1020110053313A
公开(公告)日：2011-05-20
申请号：KR1020107029693
申请日：2009-09-02
申请人： 스미또모 가가꾸 가부시끼가이샤
发明人： 마키하지메 , 스즈키게이이치로 , 이와사키겐타로
IPC分类号： C04B35/46 , C01G23/04 , B01F11/00
CPC分类号： C04B35/62655 , C04B35/478 , C04B35/6261 , C04B35/6263 , C04B35/6264 , C04B35/62807 , C04B35/62813 , C04B35/62823 , C04B35/632 , C04B38/0645 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/3218 , C04B2235/322 , C04B2235/3222 , C04B2235/3232 , C04B2235/3234 , C04B2235/3237 , C04B2235/3418 , C04B2235/3427 , C04B2235/3463 , C04B2235/36 , C04B2235/3826 , C04B2235/3852 , C04B2235/3873 , C04B2235/3886 , C04B2235/401 , C04B2235/402 , C04B2235/404 , C04B2235/44 , C04B2235/441 , C04B2235/442 , C04B2235/443 , C04B2235/444 , C04B2235/446 , C04B2235/447 , C04B2235/448 , C04B2235/449 , C04B2235/5409 , C04B2235/5436 , C04B2235/652 , C04B2235/656 , C04B2235/6562 , C04B2235/6567 , C04B2235/658 , C04B2235/6582 , C04B2235/81 , C04B2235/95 , C04B2235/9607 , C04B2235/9615 , C04B38/0054
摘要： 티탄산알루미늄, 티탄산알루미늄마그네슘 등의 티탄산알루미늄계 세라믹스의 성형체를 제조할 때, 원재료 혼합물의 성형체에 대한 티탄산알루미늄계 세라믹스의 성형체의 수축률을 작게 할 수 있어, 얻어진 티탄산알루미늄계 세라믹스의 성형체의 열팽창 계수를 작게 하는 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명은, 티탄원 물질 및 알루미늄원 물질을 함유하는 원재료 혼합물을 소성하여 티탄산알루미늄계 세라믹스를 제조하는 방법으로서, 상기 알루미늄원 물질의 BET 비표면적이 0.1 ㎡/g 이상 5 ㎡/g 이하인 방법이다.

34. 发明公开

KR1020110014159A 강유전체 박막 형성용 조성물, 강유전체 박막의 형성 방법 그리고 그 방법에 의해 형성된 강유전체 박막 有权
标题翻译：一种用于形成铁电薄膜的组合物，一种形成铁电薄膜的方法以及由该方法形成的铁电薄膜
公开(公告)号：KR1020110014159A
公开(公告)日：2011-02-10
申请号：KR1020107026443
申请日：2009-05-28
申请人： 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤
发明人： 후지이준 , 사쿠라이히데아키 , 노구치다카시 , 소야마노부유키
IPC分类号： C04B35/49 , C01G25/00 , C04B35/46 , H01L21/8242
CPC分类号： H01L41/1876 , B05D3/02 , B05D3/0209 , B05D3/04 , B05D3/0406 , B05D3/0413 , B05D3/0453 , B05D3/0473 , C01G25/006 , C01P2002/50 , C01P2006/40 , C04B24/40 , C04B24/42 , C04B35/491 , C04B35/493 , C04B35/624 , C04B35/632 , C04B35/6325 , C04B2111/92 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3232 , C04B2235/3293 , C04B2235/3298 , C04B2235/3418 , C04B2235/44 , C04B2235/441 , C04B2235/443 , C04B2235/447 , C04B2235/449 , C04B2235/6585 , C23C18/1204 , C23C18/1225 , C23C18/1279 , C23C30/00 , H01B3/14 , H01G4/1245 , H01G4/206 , H01L21/02197 , H01L21/02282 , H01L21/31691 , H01L27/108 , H01L27/11502 , H01L28/55 , H01L41/18 , H01L41/1875 , H01L41/318
摘要： PLZT, PZT 및 PT 로 이루어지는 군에서 선택된 1 종의 강유전체 박막을 형성하기 위한 강유전체 박막 형성용 조성물은, 일반식 (1) : (Pb
x La
y )(Zr
z Ti
(1-z) )O
3 (식 (1) 중 0.9 ＜ x ＜ 1.3, 0 y ＜ 0.1, 0 z ＜ 0.9) 로 나타내는 복합 금속 산화물 A 에, P (인) 를 함유하는 복합 산화물 B 가 혼합된 혼합 복합 금속 산화물의 형태를 취하는 박막을 형성하기 위한 액상 조성물이며, 복합 금속 산화물 A 를 구성하기 위한 원료 그리고 복합 산화물 B 를 구성하기 위한 원료가 일반식 (1) 로 나타내는 금속 원자비를 부여하는 비율로 유기 용매 중에 용해되어 있는 유기 금속 화합물 용액으로 이루어진다.
摘要翻译： PLZT，PZT，和强电介质薄膜的形成用于形成选自PT的组中的一种材料制成的铁电薄膜的组合物是一种通式（1）：（铅

35. 发明授权

KR100932768B1 인산알루미늄계 고온 비정질 조성물 有权
公开(公告)号：KR100932768B1
公开(公告)日：2009-12-21
申请号：KR1020087013189
申请日：2001-08-20
申请人： 어플라이드 씬 필름스 인코포레이티드
发明人： 삼바지반상카 , 스테이너킴벌리에이.
IPC分类号： C01B25/36 , C01B25/26
CPC分类号： C03C10/00 , C01B25/36 , C03C3/17 , C03C17/02 , C04B33/14 , C04B33/30 , C04B33/36 , C04B35/447 , C04B35/62268 , C04B35/62655 , C04B35/62873 , C04B35/62881 , C04B35/6303 , C04B35/63488 , C04B41/009 , C04B41/4584 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3227 , C04B2235/3232 , C04B2235/3418 , C04B2235/402 , C04B2235/44 , C04B2235/5228 , C04B2235/5436 , C04B2235/721 , C04B2235/77 , C04B2235/9607 , C08K3/22 , C08K3/32 , C08K7/04 , C09D7/61 , C23C2/04 , C23C4/11 , C23C4/134 , C23C22/74 , C23C30/00 , C04B41/4535 , C04B41/5048 , C04B41/5092 , C04B14/4625 , C04B14/4656
摘要： 고온에서 열, 부식, 및 산화 보호를 제공하는 조성물은, 알루미늄의 몰 함량이 인보다 많은 합성 인산알루미늄을 기본으로 한다. 상기 조성물은 1400℃ 이하의 온도에서 어닐링되고 준안정성을 가진다.
오산화인, 알루미늄 염, 어닐링, 기판, 부식, 산화

36. 发明授权

KR100824786B1 영구자석 및 그 제조방법 有权
标题翻译：永磁体及其制备方法
公开(公告)号：KR100824786B1
公开(公告)日：2008-04-24
申请号：KR1020027015459
申请日：2002-02-06
申请人： 가부시키가이샤 네오맥스
发明人： 오다에츠시 , 호소가와세이이치 , 토요타사치오
IPC分类号： H01F1/11
CPC分类号： H01F1/348 , C01G49/009 , C01P2004/61 , C01P2006/42 , C04B35/2633 , C04B35/2641 , C04B35/2683 , C04B35/6262 , C04B2235/3203 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3217 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3239 , C04B2235/3241 , C04B2235/3244 , C04B2235/3251 , C04B2235/3256 , C04B2235/3263 , C04B2235/3272 , C04B2235/3274 , C04B2235/3275 , C04B2235/3279 , C04B2235/3281 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3287 , C04B2235/3293 , C04B2235/3296 , C04B2235/3298 , C04B2235/3418 , C04B2235/421 , C04B2235/44 , C04B2235/448 , C04B2235/5445 , C04B2235/605 , C04B2235/767 , G11B5/70678 , H01F1/10 , H01F1/11 , H01F1/113 , Y10T428/32
摘要： 본 발명은 페라이트 자석분말 및 그 제조방법에 관한 것이다. Sr, Ba, Pb 또는 Ca의 일부를, Y를 포함하는 희토류원소와 Bi에서 선택되는 적어도 1종류이고 반드시 La를 포함하는 원소로 치환한, 육방정의 M형 마그네트 플럼바이트 구조를 구비하는 페라이트에 대하여, 미분쇄시 육방정의 W형 마그네트 플럼바이트 구조를 가지는 페라이트를 첨가한 페라이트 자석이다. 각각 이미 육방정의 M형 마그네트 플럼바이트 구조를 구비하는 페라이트에 대하여, 미분쇄시 첨가하는 것에 의하여, 적은 Co, Ni, Mn, Zn 등의 원소의 첨가량으로, 자기특성의 향상을 도모할 수 있다.

페라이트 자석, 자석분말, 희토류원소

37. 发明公开

KR20070105102A YTTRIUM OXIDE COMPOSITION, A METHOD OF FORMING THE YTTRIUM OXIDE COMPOSITION AND A METHOD OF FORMING A YTTRIUM OXIDE LAYER USING THE SAME 审中-公开
标题翻译：氧化镁组合物，形成氧化钛氧化物组合物的方法和使用其形成氧化铝层的方法
公开(公告)号：KR20070105102A
公开(公告)日：2007-10-30
申请号：KR20060037145
申请日：2006-04-25
申请人： SAMSUNG CORNING CO LTD
发明人： JUNG DAI HONG , CHO SEOG HYUN , PARK TAE HO , EVSTROPIEV SERGEY K , LEE WAN HEE , KIM YOUNG SOO , PARK JAE SEOK
IPC分类号： C01F17/00 , B82Y30/00 , C04B35/50 , C09K11/08 , H01J11/22 , H01J11/34 , H01J11/40 , H01J11/42 , H01J29/20 , H01J61/46
CPC分类号： C04B35/505 , B82Y30/00 , C03C17/007 , C03C17/23 , C03C2217/228 , C03C2217/42 , C04B2235/3225 , C04B2235/3409 , C04B2235/44 , C04B2235/444 , C04B2235/5445 , C04B2235/5454 , C04B2235/9646 , H01J9/20 , H01J61/35 , H01J2211/40 , Y10T428/256
摘要： An yttrium oxide composition is provided to have a fine and uniform particle size distribution and be suitable for forming an yttrium oxide layer of proper thickness when coated onto a substrate using a spray step. A method for preparing an yttrium oxide composition includes the steps of: dissolving an yttrium salt in a solvent to prepare an yttrium salt solution; and adding a basic compound to the yttrium salt solution to adjust a pH value to 3.7-7, thereby forming yttrium oxide(Y2O3) particles having a particle size of 25 nm or smaller. The yttrium salt comprises at least one material selected from the group consisting of yttrium nitrate, yttrium acetate, and yttrium chloride.
摘要翻译：提供氧化钇组合物以具有精细和均匀的粒度分布，并且适用于在使用喷涂步骤涂覆在基材上时形成适当厚度的氧化钇层。制备氧化钇组合物的方法包括以下步骤：将钇盐溶解在溶剂中以制备钇盐溶液; 并向钇盐溶液中添加碱性化合物以将pH值调节至3.7-7，由此形成粒径为25nm以下的氧化钇（Y 2 O 3）粒子。钇盐包括选自硝酸钇，乙酸钇和氯化钇中的至少一种材料。

38. 发明授权

KR100465985B1 인공골용 생체활성 복합 세라믹스 조성물 및 그의 제조방법 失效
标题翻译： 인공골용생체활성복합세라믹스조성물및그의제조방
公开(公告)号：KR100465985B1
公开(公告)日：2005-01-15
申请号：KR1020020044845
申请日：2002-07-30
申请人： 재단법인서울대학교산학협력재단
发明人： 유현승 , 홍국선 , 이춘기 , 이동호 , 이재협 , 장봉순 , 김수진 , 정성수
IPC分类号： A61L27/10
CPC分类号： C04B35/447 , A61F2/28 , A61F2002/30968 , A61F2310/00293 , C04B35/22 , C04B2235/3212 , C04B2235/3454 , C04B2235/44 , C04B2235/442 , C04B2235/444 , C04B2235/445 , C04B2235/77 , C04B2235/9615
摘要： A bioactive biphasic ceramic composition combining apatite and wollastonite is disclosed, in order to solve the defect of apatite ceramic that has poor bioactivity though it is excellent in biocompatibility, which has improved bioactivity, as compared to monophasic ceramics of apatite or wollastonite. The ceramic composition is produced by steps of: providing a composition including powders of apatite of formula Ca10(PO4)6X, in which X is any one of O, (OH)2, CO3, F2 and Cl2, and wollastonite (CaSiO3) in a weight ratio of 5:95 to 90:10, forming the composition into a desired body by press or forming the composition into a porous body, and sintering the formed body.
摘要翻译：本发明公开了一种磷灰石与硅灰石组合的生物活性双相陶瓷组合物，用于解决与磷灰石或硅灰石单相陶瓷相比生物相容性优异，生物活性提高的生物活性差的磷灰石陶瓷的缺点。所述陶瓷组合物通过以下步骤制备：提供包含式Ca 10（PO 4）6 X的磷灰石粉末的组合物，其中X为O，（OH）2，CO 3，F 2和Cl 2中的任一种以及硅灰石（CaSiO 3） 5:95至90:10的重量比，通过压制或将该组合物成形为多孔体而将该组合物成形为所需的主体，并烧结成形体。

39. 发明公开

KR1020040056660A 강유전성 박막 및 그 제조방법 失效
标题翻译：微电解薄膜及其制备方法
公开(公告)号：KR1020040056660A
公开(公告)日：2004-07-01
申请号：KR1020020083184
申请日：2002-12-24
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이용균 , 박영수 , 이준기
IPC分类号： C04B35/491 , H01B3/12
CPC分类号： C04B35/6264 , C01G23/002 , C01G25/006 , C01P2002/72 , C01P2004/03 , C01P2006/40 , C04B35/491 , C04B2235/3227 , C04B2235/3232 , C04B2235/3244 , C04B2235/3296 , C04B2235/3298 , C04B2235/3418 , C04B2235/3427 , C04B2235/44 , C04B2235/441 , C04B2235/449 , C04B2235/483 , H01L21/31691
摘要： PURPOSE: Provided is a composition for ferroelectric thin films with good storage stability and good electrical property by sol gel process. The resultant thin films are applied to highly integrated devices, nonvolatile memory devices. CONSTITUTION: The ferroelectric thin film expressed by the formula of Pb(ZrxTi1-x)O3 (x:0.001-1, y:0.0001-1) is prepared by the following steps of: (i) preparing a Pb-precursor solution by dissolving Pb-precursor such as PbO or Pb(OAc)2·3H2O (OAc:OC(=O)CH3) in a solvent such as acetic acid or n-propanol; (ii) preparing a Ti-precursor solution and Zr-precursor solution by dissolving Ti-precursor such as Ti(i-OPr)4, Ti(i-OPr)2(acetylacetonate)2 or Ti(OBu)4 (i-OPr:isopropyloxy, OBu:butoxy) and Zr-precursor such as Zr(i-OPr)4, Zr(OBu)4 or Zr(OET)4 (OEt:ethoxy) in a solvent such as acetylacetone, 2-methoxyethanol or n-propanol; (iii) mixing the Pb-precursor solution and stabilized solution of Zr- and Ti-precursor to get PZT solution; (iv) preparing a Bi-precursor solution by dissolving Bi(Ph)3 or Bi(tmhd)3 ((tmhd)3: 2,2,6,6-tetramethyl heptane-3,5-dionate) in C1-C10 alkoxyalcohol and refluxing; (v) preparing a Si-precursor solution by dissolving Si-precursor such as tetraethylorthosilicate(TEOS) in a solvent such as 2-methoxy ethanol or propanol and mixing Si-solution with Bi-solution obtained from the step (iv) to get Bi2SiO5 sol-gel solution; (vi) mixing the Bi2SiO5 solution with PZT solution obtained from the step (iii) and hydrolyzing the mixtures to get a composition containing PZT and BI2SiO5 sol-gel solution in a molar ratio of 1:0.0001-0.5; coating the composition(0.001-2M) on a substrate and thermal treating by baking the coated substrate at 100-450deg.C in the air and annealing at 450-700deg.C in O2 atmosphere.
摘要翻译：目的：通过溶胶凝胶法制备了具有良好储存稳定性和良好电性能的铁电薄膜组合物。所得薄膜应用于高度集成的器件，非易失性存储器件。构成：由Pb（Zr x Ti 1-x）O 3（x：0.001-1，y：0.0001-1）表示的铁电薄膜通过以下步骤制备：（i）通过溶解制备Pb前体溶液铅前体如PbO或Pb（OAc）2·3H2O（OAc：OC（= O）CH3））在溶剂如乙酸或正丙醇中; （ii）通过将Ti（i-OPr）4，Ti（i-OPr）2（乙酰丙酮化物）2或Ti（OBu）4（i-OPr）的Ti-前体溶解制备Ti-前体溶液和Zr-前体溶液：异丙氧基，OBu：丁氧基）和Zr-前体如Zr（i-OPr）4，Zr（OBu）4或Zr（OET）4（OEt：乙氧基）在乙酰丙酮，2-甲氧基乙醇或n- 丙醇; （iii）将铅前体溶液和稳定的Zr-和Ti-前体溶液混合，得到PZT溶液; （iv）通过将Bi（Ph）3或Bi（tmhd）3（（tmhd）3：2,2,6,6-四甲基庚烷-3,5-二酸盐）溶解在C1-C10烷氧基醇中制备双前体溶液并回流; （v）通过将诸如原硅酸四乙酯（TEOS）的Si前体溶解在诸如2-甲氧基乙醇或丙醇的溶剂中制备Si前体溶液，并将Si-溶液与步骤（iv）获得的Bi溶液混合，得到Bi 2 SiO 5 溶胶 - 凝胶溶液; （vi）将Bi 2 SiO 5溶液与步骤（iii）获得的PZT溶液混合并水解混合物，得到含有摩尔比为1：0.0001-0.5的PZT和BI2SiO5溶胶 - 凝胶溶液的组合物; 将组合物（0.001-2M）涂布在基材上，并通过在空气中在100-450℃下烘烤涂布的基材并在氧气氛中在450-700℃退火进行热处理。

40. 发明公开

KR1020030072212A 영구자석 및 그 제조방법 有权
公开(公告)号：KR1020030072212A
公开(公告)日：2003-09-13
申请号：KR1020027015460
申请日：2002-02-06
申请人： 히타치 긴조쿠 가부시키가이샤
发明人： 오다에츠시 , 토요타사치오 , 호소가와세이이치
IPC分类号： H01F1/11
CPC分类号： H01F1/113 , C01G49/009 , C01P2002/30 , C01P2002/76 , C01P2004/61 , C01P2004/62 , C01P2006/42 , C04B35/2641 , C04B35/2683 , C04B35/6262 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3217 , C04B2235/3227 , C04B2235/3241 , C04B2235/3263 , C04B2235/3274 , C04B2235/3275 , C04B2235/3279 , C04B2235/3284 , C04B2235/3418 , C04B2235/421 , C04B2235/44 , C04B2235/448 , C04B2235/5445 , C04B2235/605 , C04B2235/767 , C04B2235/81 , G11B5/70678 , H01F1/11 , Y10T428/32
摘要： 본 발명은 페라이트 자석분말, 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 의하면, Sr, Ba, Pb 또는 Ca의 일부를, Y를 포함하는 희토류원소와 Bi에서 선택되는 적어도 1종류임과 동시에 반드시 La를 포함하는 원소로 치환한, 육방정의 M형마그네트 플럼바이트 구조를 가지는 페라이트에 대하여, 미분쇄시에 Co, Ni, Mn, 및 Zn으로 되는 군에서 선택되는 적어도 1종의 원소를 첨가하고, 다시 가소 및/또는 소결하는 페라이트 자석이다. 이미 육방정의 M형 마그네트 플럼바이트 구조를 가지는 페라이트에 대하여, 미분쇄시 첨가하는 것으로, 적은 양의 Co, Ni, Mn, Zn 등의 원소의 첨가량으로 자기특성의 향상을 모도할 수 있게 된다.

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式