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11. 发明公开

KR1020050020612A 저유전율막을 형성하는 방법 无效
标题翻译：形成低介电层形成含碳量低的电介质层，低漏电流和极好的机械性能的方法
公开(公告)号：KR1020050020612A
公开(公告)日：2005-03-04
申请号：KR1020040062084
申请日：2004-08-06
申请人： 에이에스엠 저펜 가부시기가이샤
发明人： 카말키소레고운다
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： H01L21/02274 , C23C16/325 , C23C16/5096 , C30B25/105 , C30B29/36 , H01J37/32082 , H01L21/02167 , H01L21/3148 , H01L21/76807 , H01L21/76826 , H01L21/76828
摘要： PURPOSE: A method for forming a low dielectric layer is provided to form a silicon carbide layer including a low dielectric constant, a low leakage current and an excellent mechanical property by introducing source gas of silicon, carbon and oxygen and inactive gas and by generating an electric field while using low frequency RF power and high frequency RF power, thereby making plasma discharge occurs in a reaction region. CONSTITUTION: Silicon source, carbon source, oxygen source and inactive gas are supplied to the inside of a reaction region in which a substrate is located. An electric filed is formed in the reaction region by using low frequency RF energy and high frequency RF energy generated from an RF power supply part. The silicon source is reacted with the carbon source to deposit a silicon carbide layer on the substrate. The RF power supply part generates and supplies average power to the surface of an electrode used in plasma discharge in the reaction region and generates high frequency RF power and low frequency RF power during a process.
摘要翻译：目的：提供一种形成低电介质层的方法，通过引入硅，碳和氧和惰性气体的源气体，通过产生低介电常数，低漏电流和优异的机械性能，形成碳化硅层同时使用低频RF功率和高频RF功率，从而在反应区域中发生等离子体放电。构成：将硅源，碳源，氧源和惰性气体供应到其中所述基板所在的反应区域的内部。通过使用从RF电源部分产生的低频RF能量和高频RF能量，在反应区域中形成电场。硅源与碳源反应以在基底上沉积碳化硅层。 RF电源部分产生并提供平均功率到反应区域中用于等离子体放电的电极的表面，并且在处理期间产生高频RF功率和低频RF功率。

12. 发明公开

KR1020030014152A 반도체 집적 회로 장치 有权
标题翻译：半导体集成电路设备及其制造方法
公开(公告)号：KR1020030014152A
公开(公告)日：2003-02-15
申请号：KR1020020047023
申请日：2002-08-09
申请人： 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼
发明人： 다마루쯔요시 , 오오모리가즈또시 , 미우라노리꼬 , 아오끼히데오 , 오오시마다까유끼
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： H01L21/76834 , H01L21/02131 , H01L21/0214 , H01L21/02164 , H01L21/02167 , H01L21/022 , H01L21/02203 , H01L21/02271 , H01L21/02274 , H01L21/3144 , H01L21/3145 , H01L21/3148 , H01L21/31608 , H01L21/31629 , H01L21/3185 , H01L21/76801 , H01L21/76811 , H01L21/76829 , H01L21/76832 , H01L23/5329 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： PURPOSE: To prevent exfoliation of an interface of an etching stopper layer and an SiOF film which are used when a wiring trench for buried wiring is formed, in a semiconductor integrated circuit device wherein the buried wiring is formed in an interlayer insulating film containing the SiOF film by a damascene method. CONSTITUTION: A wiring trench 32 is formed by dry-etching the interlayer insulating film containing the SiOF films 26, 29. When Cu wiring 33 is embedded in the trench 32, an oxynitrided silicon film 27 is interposed between a silicon nitride film 28 for forming an etching stopper layer of the dry etching and the SiOF film 26, thereby trapping free F generated in the SiOF film 26 with the oxynitrided silicon film 27.
摘要翻译：目的：为了防止在形成埋地布线的布线沟槽时使用的蚀刻停止层和SiOF膜的界面的剥离，在半导体集成电路器件中，埋入布线形成在含有SiOF的层间绝缘膜中电影通过大马士革的方法。构成：通过干法蚀刻含有SiOF膜26,29的层间绝缘膜来形成布线沟槽32.当Cu布线33嵌入沟槽32中时，在形成氮化硅膜28之间插入氮氧化硅膜27 干蚀刻的蚀刻停止层和SiOF膜26，从而用氧氮化硅膜27捕获在SiOF膜26中产生的自由F。

13. 发明公开

KR1020160029862A ＣＶＤ 전구체 有权
标题翻译： CVD前辈
公开(公告)号：KR1020160029862A
公开(公告)日：2016-03-15
申请号：KR1020167005023
申请日：2009-08-11
申请人： 다우 코닝 코포레이션
发明人： 초우,시아오빙
IPC分类号： C23C16/30 , B05D1/00 , C23C16/34 , C23C16/36 , C23C16/40 , C23C16/455 , H01L21/02
CPC分类号： H01L21/02271 , B05D1/62 , C23C16/30 , C23C16/345 , C23C16/36 , C23C16/401 , C23C16/45553 , H01L21/02126 , H01L21/02167 , H01L21/02219 , H01L21/02274 , H01L21/3148 , H01L21/31633 , H01L21/3185
摘要： 비스아미노실라시클로부탄, 및질소공급가스, 산소공급가스및 이들의혼합물로부터선택된공급가스를포함하는반응성가스혼합물의열 중합에의해규소함유박막을생성시키는방법이기술된다. 증착된막은, 질화규소, 실리콘카보니트라이드, 이산화규소또는탄소도핑된이산화규소일수 있다. 이들막은반도체장치에서유전체, 패시베이션코팅, 배리어코팅, 스페이서, 라이너및/또는스트레서(stressor)로유용하다.

14. 发明授权

KR101236474B1 층간 부착 개선 방법 有权
标题翻译：改善层间粘合的方法
公开(公告)号：KR101236474B1
公开(公告)日：2013-02-22
申请号：KR1020117031029
申请日：2004-03-05
申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
发明人： 슈미트,프란시마르,씨. , 시아,리-쿤 , 엔구엔,손반 , 벤카타라만,산카르
IPC分类号： H01L21/312 , H01L21/28
CPC分类号： H01L21/76835 , C23C16/0272 , C23C16/30 , C23C16/325 , C23C16/505 , C23C16/56 , H01L21/02126 , H01L21/02167 , H01L21/022 , H01L21/02203 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/02304 , H01L21/0234 , H01L21/02351 , H01L21/3105 , H01L21/31058 , H01L21/3121 , H01L21/3148 , H01L21/31633 , H01L21/76801 , H01L21/7681 , H01L21/76825 , H01L21/76826 , H01L21/76829 , H01L21/76832
摘要： 2개의 로우-k 유전체층들 사이에 저 유전상수를 갖는 부착층을 증착하기 위한 기판 처리 방법이 제공된다. 일 특징으로, 본 발명은 기판 상에 규소 및 탄소를 포함하고 4 이하의 유전상수를 갖는 배리어층을 증착하는 단계, 배리어층에 인접하여 유전체 개시층을 증착하는 단계 및 유전체 개시층에 인접하여 규소, 산소 및 탄소를 포함하고 약 3 이하의 유전상수를 갖는 제 1 유전체층을 증착하는 단계를 포함하는 기판 처리 방법을 제공한다.

15. 发明授权

KR101203178B1 조밀 간격의 라인들을 포함하는 구조체 위에 향상된 신뢰성을 갖는 인터레이어 절연 물질을 형성하는 방법 有权
标题翻译：形成中间层介质材料的技术在包括闭合空间线的结构之上增加的可靠性
公开(公告)号：KR101203178B1
公开(公告)日：2012-11-20
申请号：KR1020107002263
申请日：2008-06-30
申请人： 어드밴스드 마이크로 디바이시즈, 인코포레이티드
发明人： 포이스텔프랭크 , 프로베르크카이 , 피터스카르스텐
IPC分类号： H01L21/31 , H01L21/205 , H01L21/336
CPC分类号： H01L21/76832 , H01L21/3148 , H01L21/3185 , H01L21/76829 , H01L21/76837 , H01L21/823412 , H01L21/823425 , H01L21/823807 , H01L29/7843
摘要： SACVD에 의해 증착된 인터레이어 절연 물질(207, 307)의 과잉 물질을 제거함으로써, 이 증착 방법의 갭 충전 성능이 향상되고 다른 한편으로 이 물질의 부정적인 효과가 감소된다. 다른 양상에서, 실리콘 이산화물과 같은 그러한 버퍼 물질(36)이 SACVD에 근거하여 인터레이어 절연 물질을 증착하기에 앞서 형성됨으로써, 서로 다른 높은 고유의 응력 레벨을 갖는 절연 층들에 인터레이어 절연 물질(207, 307)을 증착하는 증착 공정 동안 향상된 균일도를 생성한다. 결과적으로, SACVD에 의해 제공되는 장점을 유지하면서도 인터레이어 절연 물질(207, 307)의 신뢰성이 향상된다.

16. 发明授权

KR101139546B1 반도체의 성막 방법 有权
标题翻译：一种半导体薄膜成型方法
公开(公告)号：KR101139546B1
公开(公告)日：2012-04-27
申请号：KR1020107001702
申请日：2008-07-24
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 마츠오카타카아키 , 카와무라코헤이
IPC分类号： H01L21/314 , H01L21/768
CPC分类号： H01L21/3148 , C23C16/0272 , C23C16/36 , C23C16/511 , H01L21/3185 , H01L21/76822 , H01L21/76829
摘要： 본 발명에 따르면, 불화 절연막 및 상기 불화 절연막 상에 형성된 SiCN막을 포함하는 반도체 소자가 제공되고, 상기 SiCN막 내의 질소 밀도는 불화 절연막과 SiCN막 사이의 계면에서 멀어질수록 감소한다.
본 발명에 있어서, CF
x 막과의 계면 근처에서는 높은 내불소성(fluorine-resistance)을 갖고, 전체적으로는 낮은 유전율을 갖는 SiCN막이 하드 마스크로서 형성될 수 있다.

17. 发明公开

KR1020120031955A 층간 부착 개선 방법 有权
标题翻译：改善层间粘合的方法
公开(公告)号：KR1020120031955A
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：KR1020117031029
申请日：2004-03-05
申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
发明人： 슈미트,프란시마르,씨. , 시아,리-쿤 , 엔구엔,손반 , 벤카타라만,산카르
IPC分类号： H01L21/312 , H01L21/28
CPC分类号： H01L21/76835 , C23C16/0272 , C23C16/30 , C23C16/325 , C23C16/505 , C23C16/56 , H01L21/02126 , H01L21/02167 , H01L21/022 , H01L21/02203 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/02304 , H01L21/0234 , H01L21/02351 , H01L21/3105 , H01L21/31058 , H01L21/3121 , H01L21/3148 , H01L21/31633 , H01L21/76801 , H01L21/7681 , H01L21/76825 , H01L21/76826 , H01L21/76829 , H01L21/76832
摘要： 2개의 로우-k 유전체층들 사이에 낮은 유전율을 갖는 부착층을 증착하기 위한 기판 처리 방법이 제공된다. 일 특징으로, 본 발명은 기판 상에 규소 및 탄소를 포함하고 4 이하의 유전율을 갖는 배리어층을 증착하는 단계, 배리어층에 인접하여 유전체 개시층을 증착하는 단계 및 유전체 개시층에 인접하여 규소, 산소 및 탄소를 포함하고 약 3 이하의 유전율을 갖는 제 1 유전체층을 증착하는 단계를 포함하는 기판 처리 방법을 제공한다.

18. 发明公开

KR1020110084517A ＣＶＤ 전구체 审中-实审
标题翻译： CVD前辈
公开(公告)号：KR1020110084517A
公开(公告)日：2011-07-25
申请号：KR1020117011237
申请日：2009-08-11
申请人： 다우 코닝 코포레이션
发明人： 초우,시아오빙
IPC分类号： C23C16/42 , C07F7/10 , C23C16/44 , H01L21/205
CPC分类号： H01L21/02271 , B05D1/62 , C23C16/30 , C23C16/345 , C23C16/36 , C23C16/401 , C23C16/45553 , H01L21/02126 , H01L21/02167 , H01L21/02219 , H01L21/02274 , H01L21/3148 , H01L21/31633 , H01L21/3185
摘要： 비스아미노실라시클로부탄, 및 질소 공급 가스, 산소 공급 가스 및 이들의 혼합물로부터 선택된 공급 가스를 포함하는 반응성 가스 혼합물의 열 중합에 의해 규소 함유 박막을 생성시키는 방법이 기술된다. 증착된 막은, 질화규소, 실리콘 카보니트라이드, 이산화규소 또는 탄소 도핑된 이산화규소일 수 있다. 이들 막은 반도체 장치에서 유전체, 패시베이션 코팅, 배리어 코팅, 스페이서, 라이너 및/또는 스트레서(stressor)로 유용하다.

19. 发明公开

KR1020110018385A 가스 클러스터 이온 빔을 사용하여 박막을 성장시키기 위한 방법 有权
标题翻译：使用气体聚束离子束生长薄膜的方法
公开(公告)号：KR1020110018385A
公开(公告)日：2011-02-23
申请号：KR1020107028960
申请日：2009-06-05
申请人： 텔 에피온 인크
发明人： 하우탈라존제이. , 그라프마이클 , 샤오얀 , 프리어브라이언에스. , 타밧마틴디.
IPC分类号： C23C14/32 , C23C14/48 , C23C14/54 , C23C14/58
CPC分类号： C23C8/36 , C23C8/10 , C23C8/80 , H01J2237/0812 , H01L21/02238 , H01L21/3144 , H01L21/3148 , H01L21/31662 , H01L21/3185 , C23C14/32 , C23C14/0052 , C23C14/48 , C23C14/54 , C23C14/542 , C23C14/58 , C23C14/5806
摘要： 본 발명은 기판(152, 252) 위에 박막을 형성시키는 방법을 기재하고 있다. 이러한 방법은 감압 환경 내에 기판(152, 252)을 제공하고, 가압된 가스 혼합물로부터 감압 환경 내 가스 클러스터 이온 빔(GCIB)(128)을 발생시킴을 포함한다. 빔 가속 전위 및 빔 선량은 약 300 옹스트롬(angstrom) 이하의 범위에 있는 박막의 두께를 달성하고, 약 20 옹스트롬 미만인 박막의 상부 표면의 표면 조도(surface roughness)를 달성하도록 설정된다. GCIB(128)는 빔 가속 전위에 따라 가속화되고, 가속화된 GCIB는 빔 선량에 따라 기판(152, 252)의 적어도 일부 위로 조사(irradiating)된다. 이렇게 함으로써, 박막은 기판(152, 252)의 적어도 일부 위에서 성장(growing)하여 두께 및 표면 조도를 달성하게 된다.

20. 发明授权

KR100997350B1 실리콘 카바이드 기반의 비정질 실리콘 박막 트랜지스터를 구비한 적층형 비휘발성 메모리 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：基于碳化硅的非晶硅薄膜晶体管的堆叠非易失性存储器及其制造方法
公开(公告)号：KR100997350B1
公开(公告)日：2010-11-29
申请号：KR1020087025338
申请日：2007-03-15
申请人： 마이크론 테크놀로지, 인크.
发明人： 물리,찬드라
IPC分类号： H01L27/115 , H01L21/8247 , H01L29/786
CPC分类号： H01L27/11551 , H01L21/02529 , H01L21/3148 , H01L21/84 , H01L27/115 , H01L27/11568 , H01L27/11578 , H01L29/1608 , H01L29/66068 , H01L29/66795 , H01L29/66833 , H01L29/785 , H01L29/792
摘要： 적층형 비휘발성 메모리 디바이스는 수직으로 적층된 비정질 실리콘 기반의 박막 트랜지스터들을 사용한다 - 트랜지스터들 또는 셀들의 각각의 층은 탄소 농도에 따라 탄소 리치 실리콘 막 또는 실리콘 카바이드 막을 형성하기 위해 미리 결정된 탄소 농도를 갖는 성막된 a-Si 채널 영역층으로부터 형성됨 - . 유전체 스택은 채널 영역층 위에 형성된다. 일 실시예에서, 유전체 스택은 ONO 구조이다. 제어 게이트는 유전체 스택 위에 형성된다. 이 구조는 적층형 구조를 형성하기 위해 수적으로 반복된다. 일 실시예에서, 채널 영역층의 탄소 함량은 각각의 후속하여 형성되는 층에 대해 감소한다.
적층형 메모리 디바이스, 메모리 시스템, 메모리 모듈, 실리콘 카바이드, 탄소

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