专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

11. 发明公开

KR1020160030915A 실리콘 웨이퍼 및 그의 제조 방법 审中-实审
标题翻译：硅晶片及其加工方法
公开(公告)号：KR1020160030915A
公开(公告)日：2016-03-21
申请号：KR1020160025307
申请日：2016-03-02
申请人： 가부시키가이샤 사무코
发明人： 고가요시히로
IPC分类号： H01L21/322 , H01L21/02 , H01L21/265 , H01L21/324 , H01L21/18 , H01L21/66
CPC分类号： C30B29/06 , C30B25/186 , C30B33/06 , H01L21/2236 , H01L21/26506 , H01L21/26566 , H01L21/3223 , H01L21/76254
摘要： (과제) 게터링능력을갖는실리콘웨이퍼로서, 또한, 이실리콘웨이퍼를이용하여에피택셜웨이퍼또는접합웨이퍼를제작했을때에, 저항변동을발생시키지않는실리콘웨이퍼를제조하는방법을제공하는것을목적으로한다. (해결수단) 본발명의실리콘웨이퍼의제조방법은, 실리콘웨이퍼의앞면으로부터수소이온을 1.0×10∼3.0×10atoms/㎠의도즈량으로주입하여, 상기수소이온이고용(固溶)하여이루어지는게터링층을형성하는것을특징으로한다.
摘要翻译：本发明涉及具有吸气能力的硅晶片。更具体地说，本发明的目的是提供一种用于制造硅晶片的方法，其在制造外延晶片时使用硅晶片和接合晶片不产生电阻变化。本发明的硅晶片的制造方法包括以1.0×10 ^ 13-3.0×10 ^ 3的剂量从硅晶片的前侧注入氢离子后溶解氢离子形成吸气层的工序， 16个原子/ cm ^ 2。

12. 发明公开

KR1020150127740A 반도체 에피택셜 웨이퍼의 제조 방법, 반도체 에피택셜 웨이퍼, 및 고체 촬상 소자의 제조 방법 审中-实审
标题翻译：用于制造半导体外延波形的方法，半导体外延波形以及制造固态图像拾取元件的方法
公开(公告)号：KR1020150127740A
公开(公告)日：2015-11-17
申请号：KR1020157031365
申请日：2012-03-19
申请人： 가부시키가이샤 사무코
发明人： 카도노,타케시 , 쿠리타,카주나리
IPC分类号： H01L21/322 , H01L21/265 , H01L21/02 , H01L27/146 , H01L29/36
CPC分类号： H01L27/14698 , H01L21/02381 , H01L21/02439 , H01L21/02532 , H01L21/02631 , H01L21/02658 , H01L21/26566 , H01L21/3221 , H01L27/1464 , H01L27/14687 , H01L29/36
摘要： 본발명은, 보다높은게터링능력을발휘함으로써금속오염을억제할수 있는반도체에피택셜웨이퍼를보다효율적으로제조하는방법을제공한다. 본발명의반도체에피택셜웨이퍼(100)의제조방법은, 반도체웨이퍼(10)에클러스터이온(16)을조사하여, 상기반도체웨이퍼의표면(10A)에, 클러스터이온(16)의구성원소로이루어지는개질층(18)을형성하는제 1 공정과, 반도체웨이퍼(10)의개질층(18)상에에피택셜층(20)을형성하는제 2 공정을갖는것을특징으로한다.
摘要翻译：根据本发明的制造半导体外延晶片100的方法包括：第一步骤，用聚簇离子16照射半导体晶片10，以形成由簇离子16的构成元素形成的改性层18，该修饰层18在表面部分10A的半导体晶片; 以及在半导体晶片10的改性层18上形成外延层20的第二步骤。

13. 发明公开

KR1020150066597A 반도체 에피텍셜 웨이퍼의 제조 방법, 반도체 에피텍셜 웨이퍼, 및 고체 촬상 소자의 제조 방법 有权
标题翻译：半导体外延波形生成方法，半导体外延波形和固态成像元件的制作方法
公开(公告)号：KR1020150066597A
公开(公告)日：2015-06-16
申请号：KR1020157013183
申请日：2013-11-11
申请人： 가부시키가이샤 사무코
发明人： 카도노,타케시 , 쿠리타,카주나리
IPC分类号： H01L21/322 , C23C14/48 , H01L27/146 , H01L21/02 , H01L21/265 , C30B23/02
CPC分类号： H01L27/14687 , C23C14/48 , C30B25/186 , C30B29/06 , H01L21/02381 , H01L21/02439 , H01L21/02532 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/02658 , H01L21/26506 , H01L21/26513 , H01L21/26566 , H01L21/3221 , H01L21/324 , H01L27/14689 , H01L29/167
摘要： 본발명은, 보다높은게터링능력을발휘함으로써, 금속오염을억제할수 있는반도체에피텍셜웨이퍼를제조하는방법을제공한다. 본발명의반도체에피텍셜웨이퍼의제조방법은, 반도체웨이퍼(10)의표면(10A)에클러스터이온(Cluster Ions; 16)을조사하여, 반도체웨이퍼의표면(10A)에, 클러스터이온(16)의구성원소인탄소및 도펀트원소가고용(固溶)된개질층(18)을형성하는제 1 공정과, 반도체웨이퍼의개질층(18) 상에, 상기개질층(18)에있어서의도펀트원소의피크농도보다도펀트원소의농도가낮은에피텍셜층(20)을형성하는제 2 공정을가지는것을특징으로한다.

14. 发明授权

KR101455564B1 탄소 클러스터의 주입에 의한 반도체 디바이스의 제조를 위한 시스템 및 방법 有权
公开(公告)号：KR101455564B1
公开(公告)日：2014-10-27
申请号：KR1020137030984
申请日：2006-12-06
申请人： 세미이큅, 인코포레이티드
发明人： 크룰,웨이드,에이 , 홀스키,토마스,엔
IPC分类号： H01L21/265 , H01L21/336
CPC分类号： H01L21/26513 , H01L21/26506 , H01L21/26566 , H01L21/2658 , H01L21/823814 , H01L21/823842 , H01L29/165 , H01L29/6659 , H01L29/7833 , H01L29/7848
摘要： 탄소 클러스터의 주입과 기판을 합체하여, 집적 회로에서 PMOS 트랜지스터 구조의 제조시 기판이 붕소, 및 인으로 도핑되는 경우, 트랜지스터 접합의 특성을 개선하는 프로세스가 개시된다. 이러한 새로운 접근 방식으로부터 유래된 2가지 프로세스, 즉 (1) USJ 형성을 위한 확산 제어, 및 (2) 스트레스 엔지니어링을 위한 고량(high dose) 탄소 주입이 있다. USJ 형성을 위한 확산 제어는 PMOS에서의 소스/드레인 구조의 붕소 또는 얕은(shallow) 붕소 클러스터 주입과 함께 예시된다. 더 특별하게는, 우선 C
16 H
x
+ 와 같은 클러스터 탄소 이온은 후속 붕소 주입과 근사하게 동일한 양으로 소스/드레인 영역에 주입되며, 이후 바람직하게는 가령 B
18 H
x
+ 또는 B
10 H
x
+ 와 같은 붕소수소화물 클러스터를 사용하여, 소스/드레인 확장을 형성하기 위해, 얕은 붕소, 붕소 클러스터 , 인 또는 인 클러스터 이온 주입이 후속된다. 후속 어닐링 및 활성화시, 붕소 확산은 탄소 원자에 의해 간극 결함 제거로 인해, 감소된다.

15. 发明公开

KR1020140068149A 반도체 장치의 제조 방법 有权
标题翻译：半导体器件制造方法
公开(公告)号：KR1020140068149A
公开(公告)日：2014-06-05
申请号：KR1020147008939
申请日：2012-09-05
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 아카사카야스시 , 아키야마코지 , 히가시지마히로카즈
IPC分类号： H01L21/311 , H01L21/28 , H01L21/8234 , H01L21/8238 , H01L21/02 , H01L29/51
CPC分类号： H01L21/28229 , H01L21/02318 , H01L21/26566 , H01L21/266 , H01L21/28185 , H01L21/28194 , H01L21/31111 , H01L21/823462 , H01L21/823857 , H01L29/517 , H01L21/02178 , H01L21/02181 , H01L21/02183
摘要： 반도체 기판 상에 유전체막을 형성하는 공정과, 상기 유전체막을 열처리하는 공정과, 상기 유전체막 상의 일부에 전극을 형성하는 공정과, 상기 전극이 형성되어 있지 않은 상기 유전체막에 이온화한 가스 클러스터를 조사하는 공정과, 상기 조사 공정 후, 웨트 에칭에 의해, 상기 이온화한 가스 클러스터가 조사된 영역에서의 상기 유전체막을 제거하는 공정을 가지는 반도체 장치의 제조 방법을 제공한다.
摘要翻译：半导体器件制造方法包括在半导体衬底上形成电介质膜; 对电介质膜进行热处理; 在所述电介质膜的第一区域上形成电极; 将电离气体簇照射到未形成电极的电介质膜的第二区域; 以及在照射所述电离气体簇之后，通过湿式蚀刻除去所述电离气体簇照射的所述电介质膜的所述第二区域。

16. 发明公开

KR1020130133913A 탄소 클러스터의 주입에 의한 반도체 디바이스의 제조를 위한 시스템 및 방법 有权
标题翻译：半导体器件的制造及其制造方法
公开(公告)号：KR1020130133913A
公开(公告)日：2013-12-09
申请号：KR1020137030984
申请日：2006-12-06
申请人： 세미이큅, 인코포레이티드
发明人： 크룰,웨이드,에이 , 홀스키,토마스,엔
IPC分类号： H01L21/265 , H01L21/336
CPC分类号： H01L21/26513 , H01L21/26506 , H01L21/26566 , H01L21/2658 , H01L21/823814 , H01L21/823842 , H01L29/165 , H01L29/6659 , H01L29/7833 , H01L29/7848
摘要： A method of implanting ions is disclosed which comprises the steps of: (a) producing a volume of gas phase molecules of material of the form C n H x wherein n and x are integers, and n ‰¥ 2, and x ‰¥ 0; (b) ionizing the C n H x molecules to form C n H y + or C n H y - , wherein y is an integer such that y>0; and (c) accelerating the ionized molecules by an electric field into a target.

17. 发明公开

KR1020120134011A 반도체 장치의 제조 방법 无效
标题翻译：制造半导体器件的方法
公开(公告)号：KR1020120134011A
公开(公告)日：2012-12-11
申请号：KR1020120051882
申请日：2012-05-16
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 아키야마고지 , 히가시지마히로카즈 , 다나카요시츠구 , 아카사카야스시 , 야마시타고지
IPC分类号： H01L21/316 , H01L21/205
CPC分类号： H01L21/26566 , H01L21/02271 , H01L21/28185 , H01L21/3105 , H01L29/517
摘要： PURPOSE: A manufacturing method for a semiconductor device is provided to produce a highly integrated semiconductor device by forming a dielectric film having a low leakage current without lowering a dielectric constant. CONSTITUTION: A dielectric film is formed on a semiconductor substrate(S102). A dielectric film is heat-treated(S104). An ionized gas cluster is irradiated on the dielectric film which is heat-treated(S106). A film thickness of the dielectric film is below 2nm. The gas cluster comprises a gas cluster comprising oxygen or nitrogen. [Reference numerals] (AA) Start; (BB) End; (S102) Forming a dielectric film; (S104) Thermal treatment; (S106) Irradiating a gas cluster
摘要翻译：目的：提供半导体器件的制造方法，通过在不降低介电常数的情况下形成具有低漏电流的电介质膜来制造高度集成的半导体器件。构成：在半导体基板上形成电介质膜（S102）。对电介质膜进行热处理（S104）。将电离气体簇照射在被热处理的电介质膜上（S106）。电介质膜的膜厚度低于2nm。气体簇包括包含氧或氮的气体团。（附图标记）（AA）开始; （BB）结束; （S102）形成介电膜; （S104）热处理; （S106）对气体簇进行照射

18. 发明公开

KR1020120064971A 측벽콘택을 구비한 반도체장치 제조 방법 无效
标题翻译：用于制造具有侧面接触的半导体器件的方法
公开(公告)号：KR1020120064971A
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：KR1020100126252
申请日：2010-12-10
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 이진구 , 오재근 , 전승준 , 이미리 , 전봉석
IPC分类号： H01L21/28
CPC分类号： H01L21/26566 , H01L21/26586 , H01L21/823475 , H01L27/10885
摘要： PURPOSE: A method for manufacturing a semiconductor device including a sidewall contact is provided to prevent sputtering in an ion implantation process by not including fluorine. CONSTITUTION: A plurality of bodies separated by a trench(13) are formed by etching a semiconductor substrate(11). A gap fill film pattern is formed in the trench to form a protrusion unit on the upper side of the body. An etch barrier layer(20A,20B) is formed on the surface including the protrusion unit. A tilt ion is implanted to the etch stop layer by using cluster sources. A sidewall contact opens one sidewall of the body.
摘要翻译：目的：提供一种用于制造包括侧壁接触件的半导体器件的方法，以防止不含氟的离子注入工艺中的溅射。构成：通过蚀刻半导体衬底（11）形成由沟槽（13）分隔的多个主体。在沟槽中形成间隙填充膜图案，以在主体的上侧形成突出单元。在包括突起单元的表面上形成蚀刻阻挡层（20A，20B）。通过使用集束源将倾斜离子注入蚀刻停止层。侧壁接触件打开身体的一个侧壁。

19. 发明公开

KR1020100039518A 유기 발광 다이오드 디바이스 有权
标题翻译：有机发光二极管装置
公开(公告)号：KR1020100039518A
公开(公告)日：2010-04-16
申请号：KR1020080098503
申请日：2008-10-08
申请人： 한국과학기술원
发明人： 최경철 , 양기열
IPC分类号： H01L51/50 , B82Y30/00
CPC分类号： H01L51/5092 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , H01L2251/5369 , H01L21/26566 , H01L51/5012 , H01L51/5056 , H01L51/5072
摘要： PURPOSE: An organic light emitting diode device is provided to reduce a driving voltage and improve power efficiency by coupling between the plasmon on the surface of a metal nano-cluster and an organic light emitting fluorescent dipole. CONSTITUTION: A transparent lower electrode layer(11) is arranged on a substrate(10). Organic EL device layers(12, 13) are arranged on the surface of the transparent lower electrode layer. A reflective upper electrode layer(15) is arranged on the organic EL device layers. A nano-cluster layer(14) is interposed between the organic EL device layers and the reflective upper electrode layer. The nano-cluster layer is composed of a metal which includes Ag, Au and Al and is opaque and reflective. The metal for the nano-cluster layer is different from the metal for the reflective upper electrode layer.
摘要翻译：目的：提供一种有机发光二极管装置，用于通过金属纳米簇表面上的等离子体和有机发光荧光偶极子之间的耦合来降低驱动电压并提高功率效率。构成：在基板（10）上布置有透明的下电极层（11）。有机EL器件层（12,13）布置在透明下电极层的表面上。反射上电极层（15）设置在有机EL器件层上。在有机EL器件层和反射上电极层之间插入纳米簇层（14）。纳米簇层由包括Ag，Au和Al的金属组成，不透明和反射。用于纳米簇层的金属不同于用于反射上电极层的金属。

20. 发明公开

KR1020070011505A 반도체 장치의 제조방법 및 제조장치 无效
标题翻译：半导体器件制造方法和制造设备
公开(公告)号：KR1020070011505A
公开(公告)日：2007-01-24
申请号：KR1020067023893
申请日：2005-05-12
申请人： 파나소닉 주식회사
发明人： 미즈노,번지 , 사사키,유이치로 , 나카야마,이치로 , 이토,히로유키 , 오쿠무라,토모히로 , 진,쳉-구오 , 오카시타,카츠미 , 카나다,히사타카
IPC分类号： H01L21/265 , H01L21/336
CPC分类号： H01L21/26513 , H01L21/26566 , H01L21/28035 , H01L29/7833
摘要： A semiconductor device having uniform characteristics and manufactured with high yield is provided. To cancel the variation in the substrate surface due to the dry etching, the variations caused by the doping and anneal step which are the post- processings are adjusted, and a step for realizing an excellent uniformity even in the substrate surface is provided finally. ® KIPO & WIPO 2007
摘要翻译：提供具有均匀特性并以高产率制造的半导体器件。为了抵消由于干蚀刻而引起的基板表面的变化，最终调整了作为后处理的掺杂和退火步骤引起的变化，并且即使在基板表面上也能实现优异的均匀性的步骤。 ®KIPO＆WIPO 2007

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式