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1. 发明授权

KR101123788B1 플라즈마 도핑 방법 失效
标题翻译：等离子体掺杂法
公开(公告)号：KR101123788B1
公开(公告)日：2012-03-12
申请号：KR1020077013165
申请日：2005-12-12
申请人： 파나소닉 주식회사
发明人： 사사키,유이치로 , 오카시타,카츠미 , 이토,히로유키 , 미즈노,번지 , 오쿠무라,토모히로
IPC分类号： H01L21/265
CPC分类号： H01L21/2236 , H01J37/32412 , H01L29/66795
摘要： 도즈량을 정밀하게 제어할 수 있는 플라즈마 도핑 방법을 실현한다. 도즈량의 면내 균일성의 향상을 도모한다. B
2 H
6 /He 플라즈마를 실리콘 기판에 조사하고 바이어스를 가하면 붕소의 도즈량이 거의 일정해지는 시간이 있고, 또한 그 포화되는 시간이 장치 제어의 반복성을 확보할 수 있는 시간과 비교하여 비교적 길게 안정적으로 사용하기 쉬운 것을 발견하고, 그 결과에 착안하여 이루어진 것이다. 즉, 플라즈마 조사를 개시하면 처음에는 도즈량이 증가하나, 그 후 시간의 변화와 상관없이 도즈량은 거의 일정해지는 시간이 이어지고, 시간을 더욱 증가시키면 도즈량은 감소한다. 시간의 변화에 의존하지 않고 도즈량이 거의 일정해지는 시간을 공정 윈도우(process window)로 함으로써 도즈량을 정확하게 제어할 수 있다.

2. 发明公开

KR1020080007436A 플라즈마 도핑 방법 및 플라즈마 도핑 장치 失效
标题翻译：等离子喷涂方法和等离子体喷涂装置
公开(公告)号：KR1020080007436A
公开(公告)日：2008-01-21
申请号：KR1020077023413
申请日：2006-05-11
申请人： 파나소닉 주식회사
发明人： 사사키,유이치로 , 오카시타,카츠미 , 이토,히로유키 , 미즈노,분지 , 오쿠무라,토모히로
IPC分类号： H01L21/26
CPC分类号： H01L21/2236 , C23C14/48 , H01J37/32412
摘要： This invention provides a method for plasma doping that, even when plasma treatment is repeated, can realize an identical dose from a film to a silicon substrate for each time. In the method for plasma doping, a sample is mounted on a sample electrode within a vacuum vessel, and plasma is generated in a vacuum vessel to allow impurity ions in the plasma to collide against the surface of the sample and thus to form an impurity introduction layer on the surface of the sample. The method for plasma doping comprises a maintenance step of providing a vacuum vessel having an inner wall provided with a film, containing the above impurities, which functions so that the amount of the impurity introduced into the surface of the sample by sputtering by hitting the impurity-containing film, fixed onto the inner wall of the vacuum vessel, by ions in the plasma remains unchanged even when the impurity ion-containing plasma is repeatedly generated within the vacuum vessel, a step of mounting a sample on the sample electrode, and a step of applying the impurity ion-containing plasma to implant the impurity ion on into the sample and, at the same time, to introduce the impurity into the sample by sputtering from the impurity-containing film fixed onto the inner wall of the vacuum vessel.
摘要翻译：本发明提供等离子体掺杂的方法，即使等离子体处理重复，也可以每次实现从薄膜到硅基板的相同剂量。在等离子体掺杂的方法中，将样品安装在真空容器内的样品电极上，并且在真空容器中产生等离子体，以使等离子体中的杂质离子与样品的表面碰撞，从而形成杂质引入层在样品表面。等离子体掺杂的方法包括维持步骤，提供具有设置有膜的内壁的真空容器，所述内壁含有上述杂质，其功能是使得通过溅射杂质而导入样品表面的杂质的量即使当在真空容器内重复产生含杂质离子的等离子体时，等离子体中的离子固定在真空容器的内壁上也是保持不变的，将样品安装在样品电极上的步骤施加含杂质离子的等离子体将杂质离子注入到样品中并同时通过从固定在真空容器的内壁上的含杂质膜溅射而将杂质引入到样品中的步骤。

3. 发明公开

KR1020070016146A 불순물 도입방법 및 이를 이용한 전자소자 无效
标题翻译：掺杂杂质的方法和使用其的电子元件
公开(公告)号：KR1020070016146A
公开(公告)日：2007-02-07
申请号：KR1020067024434
申请日：2005-05-19
申请人： 파나소닉 주식회사
发明人： 진,쳉-구오 , 사사키,유이치로 , 미즈노,번지 , 오카시타,카츠미 , 이토,히로유키 , 오쿠무라,토모히로 , 마에시마,사토시 , 나카야마,이치로
IPC分类号： H01L21/265
摘要： 고체 기판에 플라즈마 도핑 방법으로 불순물을 도입하는 공정과, 고체 기판으로부터의 광반사율 저감 기능을 갖는 광반사 방지막을 형성하는 공정과, 광조사에 의해 어닐링하는 공정을 포함하며, 어닐링시에 조사하는 광의 반사율을 저감하여 효율적으로 에너지를 불순물이 도입된 층에 도입하고, 활성화 효율을 높이며, 확산을 방지하면서 불순물이 도입된 층의 시트 저항을 저감한다.
불순물, 전자소자, 플라즈마, 반사 방지막, 어닐링

4. 发明授权

KR101177867B1 플라즈마 도핑 방법 및 플라즈마 도핑 장치 失效
标题翻译：等离子喷涂方法和等离子体喷涂装置
公开(公告)号：KR101177867B1
公开(公告)日：2012-08-28
申请号：KR1020077023413
申请日：2006-05-11
申请人： 파나소닉 주식회사
发明人： 사사키,유이치로 , 오카시타,카츠미 , 이토,히로유키 , 미즈노,분지 , 오쿠무라,토모히로
IPC分类号： H01L21/26
CPC分类号： H01L21/2236 , C23C14/48 , H01J37/32412
摘要： 플라즈마 처리를 반복해도, 막으로부터 실리콘 기판으로의 도즈량이 매회 동일해지도록 할 수 있는 플라즈마 도핑 방법을 제공한다. 본 발명의 플라즈마 도핑 방법은, 진공 용기 내의 시료 전극에 시료를 올려놓고, 진공 용기 내에 플라즈마를 발생시켜, 플라즈마 중의 불순물 이온을 시료의 표면에 충돌시켜서 시료의 표면에 불순물 도입층을 형성하는 플라즈마 도핑 방법으로서, 진공 용기의 내벽에 고착한 상기 불순물을 포함하는 막이 플라즈마 중의 이온으로 때려짐에 따라, 상기 시료의 표면에 스퍼터링으로 도입되는 불순물의 양이 상기 불순물 이온을 포함하는 플라즈마를 진공 용기 내부에서 반복 발생시켜도 변화하지 않도록 내벽에 상기 불순물을 포함하는 막을 구비한 진공 용기를 준비하는 메인테넌스 공정과, 시료 전극에 시료를 올려놓는 공정과, 불순물 이온을 포함하는 플라즈마를 조사하여 상기 시료에 불순물 이온을 집어넣음과 동시에 진공 용기의 내벽에 고착한 불순물을 포함하는 막으로부터의 스퍼터링으로 불순물을 상기 시료에 도입하는 공정을 포함한다.
플라즈마, 도핑, 실리콘 기판

5. 发明公开

KR1020070086048A 플라즈마 도핑 방법 失效
标题翻译：等离子喷涂方法
公开(公告)号：KR1020070086048A
公开(公告)日：2007-08-27
申请号：KR1020077013165
申请日：2005-12-12
申请人： 파나소닉 주식회사
发明人： 사사키,유이치로 , 오카시타,카츠미 , 이토,히로유키 , 미즈노,번지 , 오쿠무라,토모히로
IPC分类号： H01L21/265
CPC分类号： H01L21/2236 , H01J37/32412 , H01L29/66795
摘要： To realize a plasma doping method which can control a dosage precisely to improve an in-plane homogeneity of the dosage. The plasma doping method is based on such a discovery, while noting the result, that the dosage of boron is substantially constant for a time period, if a silicon substrate is irradiated with a B2H6/He plasma and is biased, and that the saturation time period is longer and stabler than that, for which the repetitions of an apparatus control can be retained. When the plasma irradiation is started, the dosage increases at first, but then continues to be substantially constant independently of the time change. The dosage then decreases if the time is elongated. If this time period, for which the dosage is substantially constant independently of the time change, is employed as a process window, the dosage can be precisely controlled.
摘要翻译：实现能够精确控制剂量以提高剂量的平面内均匀性的等离子体掺杂方法。等离子体掺杂方法是基于这样的发现，而注意到结果是，如果硅衬底用B2H6 / He等离子体照射并被偏置，则硼的剂量在一段时间内基本上是恒定的，并且饱和时间时间比那个时间更长和更稳定，为此可以保留设备控制的重复。当开始等离子体照射时，剂量首先增加，但是随着时间的变化而继续基本上恒定。如果时间延长，剂量会降低。如果这个时间段，其剂量基本上恒定地与时间变化无关，作为处理窗口，可以精确地控制剂量。

6. 发明公开

KR1020070115907A 플라즈마 도핑 방법 및 장치 无效
标题翻译：等离子喷涂方法和装置
公开(公告)号：KR1020070115907A
公开(公告)日：2007-12-06
申请号：KR1020077019447
申请日：2006-03-30
申请人： 파나소닉 주식회사
发明人： 사사키,유이치로 , 오쿠무라,토모히로 , 오카시타,카츠미 , 이토,히로유키 , 미즈노,번지
IPC分类号： H01L21/265 , H01L21/22 , H01L21/66
CPC分类号： H01J37/32935 , H01J37/32412 , H01L21/67115 , H01L22/20 , H01L22/26
摘要： Plasma doping method and apparatus by which excellent implanting depth of an impurity introduced in a sample or excellent repeatability and controllability of an amorphous layer depth can be provided. In the plasma doping method, plasma is generated in a vacuum vessel, and a surface of a crystalline sample is changed to be in an amorphous state by permitting ions in the plasma to collide against the surface of the sample. The plasma doping method includes a step of treating a dummy sample to have it in an amorphous state by irradiating the sample with plasma, with a prescribed number of samples; and a step of applying a light on the dummy sample surface irradiated with the plasma and measuring optical characteristics of the dummy sample surface. The sample treating conditions are controlled so that the optical characteristics obtained by the measuring step are at desired values.
摘要翻译：可以提供等离子体掺杂方法和装置，通过该方法和装置，可以提供在样品中引入的杂质的优异的注入深度或非晶层深度的优异的重复性和可控性。在等离子体掺杂方法中，在真空容器中产生等离子体，通过使等离子体中的离子与样品的表面碰撞，结晶样品的表面变为非晶态。等离子体掺杂方法包括通过用规定数量的样品用等离子体照射样品来处理虚拟样品使其处于非晶状态的步骤; 以及对被照射等离子体的虚拟样品表面施加光并测量虚拟样品表面的光学特性的步骤。对样品处理条件进行控制，使得通过测量步骤获得的光学特性为期望值。

7. 发明公开

KR1020070011505A 반도체 장치의 제조방법 및 제조장치 无效
标题翻译：半导体器件制造方法和制造设备
公开(公告)号：KR1020070011505A
公开(公告)日：2007-01-24
申请号：KR1020067023893
申请日：2005-05-12
申请人： 파나소닉 주식회사
发明人： 미즈노,번지 , 사사키,유이치로 , 나카야마,이치로 , 이토,히로유키 , 오쿠무라,토모히로 , 진,쳉-구오 , 오카시타,카츠미 , 카나다,히사타카
IPC分类号： H01L21/265 , H01L21/336
CPC分类号： H01L21/26513 , H01L21/26566 , H01L21/28035 , H01L29/7833
摘要： A semiconductor device having uniform characteristics and manufactured with high yield is provided. To cancel the variation in the substrate surface due to the dry etching, the variations caused by the doping and anneal step which are the post- processings are adjusted, and a step for realizing an excellent uniformity even in the substrate surface is provided finally. ® KIPO & WIPO 2007
摘要翻译：提供具有均匀特性并以高产率制造的半导体器件。为了抵消由于干蚀刻而引起的基板表面的变化，最终调整了作为后处理的掺杂和退火步骤引起的变化，并且即使在基板表面上也能实现优异的均匀性的步骤。 ®KIPO＆WIPO 2007

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