基本信息:
- 专利标题： 반도체 장치의 제조 방법
- 专利标题（英）：Semiconductor device manufacturing method
- 专利标题（中）：半导体器件制造方法
- 申请号：KR1020147008939 申请日：2012-09-05
- 公开(公告)号：KR1020140068149A 公开(公告)日：2014-06-05
- 发明人： 아카사카야스시 , 아키야마코지 , 히가시지마히로카즈
- 申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
- 申请人地址： *-* Akasaka *-chome, Minato-ku, Tokyo, Japan
- 专利权人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
- 当前专利权人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
- 当前专利权人地址： *-* Akasaka *-chome, Minato-ku, Tokyo, Japan
- 代理人： 특허법인엠에이피에스
- 优先权： JPJP-P-2011-220257 2011-10-04
- 国际申请： PCT/JP2012/072646 2012-09-05
- 国际公布： WO2013051362 2013-04-11
- 主分类号： H01L21/311
- IPC分类号： H01L21/311 ; H01L21/28 ; H01L21/8234 ; H01L21/8238 ; H01L21/02 ; H01L29/51
摘要：
반도체 기판 상에 유전체막을 형성하는 공정과, 상기 유전체막을 열처리하는 공정과, 상기 유전체막 상의 일부에 전극을 형성하는 공정과, 상기 전극이 형성되어 있지 않은 상기 유전체막에 이온화한 가스 클러스터를 조사하는 공정과, 상기 조사 공정 후, 웨트 에칭에 의해, 상기 이온화한 가스 클러스터가 조사된 영역에서의 상기 유전체막을 제거하는 공정을 가지는 반도체 장치의 제조 방법을 제공한다.
摘要（中）：
半导体器件制造方法包括在半导体衬底上形成电介质膜; 对电介质膜进行热处理; 在所述电介质膜的第一区域上形成电极; 将电离气体簇照射到未形成电极的电介质膜的第二区域; 以及在照射所述电离气体簇之后，通过湿式蚀刻除去所述电离气体簇照射的所述电介质膜的所述第二区域。
摘要（英）：
A step of forming on a semiconductor substrate dielectric film, and a step of annealing the dielectric film, step of forming an electrode on a portion of the dielectric film and the electrode for irradiating the gas cluster ionized in the dielectric film is not formed provides the step of manufacturing a semiconductor device having a step of removing after the irradiation process, the dielectric in the by wet etching, wherein the ionized gas cluster area irradiated film.
公开/授权文献:
- KR101708206B1 반도체 장치의 제조 방법 公开/授权日：2017-02-20
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/302 | .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割 |
| ------------------H01L21/3105 | ......后处理 |
| --------------------H01L21/311 | .......绝缘层的刻蚀 |