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11. 发明公开

KR1020040036426A 상변환 기억셀들 및 그 제조방법들 失效
标题翻译：相变记忆细胞及其制备方法
公开(公告)号：KR1020040036426A
公开(公告)日：2004-04-30
申请号：KR1020020065456
申请日：2002-10-25
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이세호
IPC分类号： H01L27/115
CPC分类号： H01L45/06 , G11C2213/52 , H01L27/2436 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/144 , H01L45/1666
摘要： PURPOSE: Phase changeable memory cells are provided to prevent a phase changeable material layer at the edge of a contact surface from being converted into an amorphous state by supplementing the heat loss at the edge of the contact surface with the heat transferred from a lower contact surface. CONSTITUTION: Lower electrodes(52) are formed on a semiconductor substrate. An interlayer dielectric(54) is formed on the semiconductor substrate having the lower electrode. A plurality of data storage elements extend through the interlayer dielectric and are connected to the respective lower electrodes. Each data storage element extends to a predetermined depth of the lower electrode so that a part of the sidewall of each data storage element comes in contact with the lower electrode.
摘要翻译：目的：提供相变存储器单元，以防止接触表面边缘处的相变材料层通过补偿接触表面边缘处的热损失与从下接触表面传递的热量而转变为非晶状态。构成：在半导体衬底上形成下电极（52）。在具有下电极的半导体衬底上形成层间电介质（54）。多个数据存储元件延伸穿过层间电介质并且连接到相应的下电极。每个数据存储元件延伸到下电极的预定深度，使得每个数据存储元件的侧壁的一部分与下电极接触。

12. 发明公开

KR1020040035734A 메모리 셀 有权
标题翻译： 메모리셀
公开(公告)号：KR1020040035734A
公开(公告)日：2004-04-29
申请号：KR1020047002228
申请日：2001-08-13
申请人： 어드밴스드 마이크로 디바이시즈, 인코포레이티드
发明人： 크리거주리헤인리치 , 유다노브니콜라이페도로비치
IPC分类号： H01L27/105
CPC分类号： G11C13/0064 , B82Y10/00 , G11C11/34 , G11C11/5664 , G11C13/0009 , G11C13/0014 , G11C13/0016 , G11C13/0069 , G11C13/04 , G11C2213/11 , G11C2213/15 , G11C2213/34 , G11C2213/35 , G11C2213/52 , G11C2213/56 , G11C2213/71 , G11C2213/77 , H01L27/28 , H01L27/285 , H01L45/08 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/1266 , H01L45/14 , H01L45/142 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/147 , H01L45/1616 , H01L51/0034 , H01L51/0035 , H01L51/0036 , H01L51/0037 , H01L51/0041 , H01L51/0042 , H01L51/0051 , H01L51/0062 , H01L51/0077 , H01L51/0078 , H01L51/0094 , H01L51/0595
摘要： 본 발명은 컴퓨터 공학 분야에 관한 것으로, 관련 메모리 시스템들의 개발, 신경컴퓨터(neurocomputer)들의 신경망을 위한 시냅스(프로그램가능 전기 저항을 갖는 전기 회로 요소)의 생성, 그리고 새로운 세대의 비디오 및 오디오 장치의 개발에 있어서 다양한 컴퓨터들을 위한 메모리 디바이스들에 이용될 수 있다. 본 발명의 메모리 셀은 여러개의 데이터 비트들을 저장하는 것이 가능하여, 고속의 특징을 갖는다. 상기 메모리 셀은 2개의 알루미늄 전극들(1 및 2)과, 그리고 이들의 사이에 배치되며 활성층(3), 장벽층(4) 및 수동층(5)으로 이루어지는 다중층 기능 영역을 포함한다.
摘要翻译：本发明属于计算机工程领域，可用于各种计算机的存储器件，尤其用于开发具有高数据读写速度的通用存储器系统以及长期存储和高信息密度的能力，以及开发新一代视频和音频设备，开发联想记忆系统以及为神经元网络创建突触（可编程电阻的电路元件）。缺乏这样的元素阻碍了真正的神经计算机的发展。本发明基于创建基本上新型的存储器单元的任务，该存储器单元允许存储数位数据，具有快速电阻切换并且需要低工作电压，但同时允许将其制造技术与现代半导体制造技术相结合。＆LT; ??＆GT图。图6示出了包含两个连续铝电极1和2的所要求保护的存储器单元的实施选项，在所述铝电极之间存在由一个有源层3，一个阻挡层4和一个无源层5组成的多层功能区。功能区的这种结构允许在外部电场和/或其在存储器单元上的光发射的影响下改变有源区中的有源区的电阻和/或在有源区中形成具有金属导电的高导电性区域或线并且长时间保持其电阻一段时间没有施加外部电场。存储器单元有利地与当前使用的单位存储器元件不同，因为它可以存储几位信息。数据存储时间取决于存储单元结构，用于功能区的材料和写入模式。它可以从几秒（可用于构建动态存储器）到几年（可用于构建长期存储器，如闪存）之间变化。根据数据写入模式，可以创建可在动态和长期模式下工作的通用存储器。＆lt;图像＆GT;

13. 发明公开

KR20180013035A 가변 저항 메모리 소자 및 그 제조 방법 审中-公开
标题翻译：可变电阻存储器器件及其制造方法
公开(公告)号：KR20180013035A
公开(公告)日：2018-02-07
申请号：KR20160096123
申请日：2016-07-28
IPC分类号： H01L45/00
CPC分类号： H01L27/2427 , G11C13/0004 , G11C13/0026 , G11C13/0028 , G11C13/003 , G11C2213/52 , G11C2213/71 , G11C2213/72 , G11C2213/73 , G11C2213/76 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/143 , H01L45/144
摘要： 본발명의기술적사상에의한가변저항메모리소자는, 제1 전극층, 제1 전극층상에배치되고저머늄(Ge), 셀레늄(Se) 및안티몬(Sb)으로구성되며원자량을기준으로저머늄의함량이셀레늄의함량보다작은칼코게나이드스위칭물질을포함하는선택소자층, 선택소자층상에배치되는제2 전극층, 제2 전극층상에배치되고칼코게나이드물질을포함하는가변저항층, 및가변저항층상에배치되는제3 전극층을포함한다.
摘要翻译：可变电阻存储器件可以包括：第一电极层; 在所述第一电极层上的选择器件层，所述选择器件层包括基本上由锗（Ge），硒（Se）和锑（Sb）组成的硫属化物开关材料，其中所述Ge的含量小于 Se基于原子量; 选择装置层上的第二电极层; 在所述第二电极层上的可变电阻层，所述可变电阻层包括硫属化物材料; 以及在可变电阻层上的第三电极层。

14. 发明公开

KR1020170099994A 기하학적으로 증강된 저항성 랜덤 액세스 메모리(RRAM) 셀 및 이를 형성하는 방법 审中-实审
标题翻译：几何增强型电阻随机存取存储器（RRAM）单元及其形成方法
公开(公告)号：KR1020170099994A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：KR1020177020638
申请日：2015-11-06
申请人： 실리콘 스토리지 테크놀로지 인크
发明人： 조우펭 , 리우시안 , 두난 , 트란히예우반 , 구엔헝큐옥
IPC分类号： H01L45/00 , G11C13/00
CPC分类号： H01L45/16 , G11C13/0007 , G11C13/0069 , G11C13/0097 , G11C2013/009 , G11C2213/32 , G11C2213/50 , G11C2213/52 , G11C2213/79 , H01L27/2436 , H01L45/04 , H01L45/122 , H01L45/1273 , H01L45/146 , H01L45/1253
摘要： 메모리디바이스(및메모리디바이스를제조및 사용하는방법)는전도성재료의제1 전극, 전도성재료의제2 전극, 및날카로운코너에서서로만나는제1 신장부분및 제2 신장부분을포함하는전이금속산화물재료의층을포함한다. 제1 신장부분및 제2 신장부분각각은제1 전극과제2 전극사이에배치되어그들과전기접촉한다.
摘要翻译：一种存储器件（以及制造和使用存储器件的方法）包括导电材料的第一电极，导电材料的第二电极以及包括第一延伸部分和第二延伸部分的过渡金属氧化物材料，等等。第一细长部分和第二细长部分中的每一个设置在第一电极任务2电极之间并与第一电极任务2电极电接触。

15. 发明公开

KR1020170045871A 전자 장치 및 그 제조 방법 审中-实审
标题翻译：电子装置及其制造方法
公开(公告)号：KR1020170045871A
公开(公告)日：2017-04-28
申请号：KR1020150145911
申请日：2015-10-20
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 이재연
IPC分类号： H01L45/00 , H01L27/24
CPC分类号： H01L27/2463 , G06F3/0604 , G06F3/0656 , G06F3/0679 , G06F12/0802 , G11C13/0002 , G11C13/003 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C2013/0045 , G11C2013/0078 , G11C2213/15 , G11C2213/52 , H01L27/224 , H01L27/2409 , H01L45/122
摘要： 전자장치및 그제조방법이제공된다. 본발명의일 실시예에따른전자장치는, 반도체메모리를포함하는전자장치로서, 상기반도체메모리는, 제1 방향으로연장하는복수의제1 배선; 상기제1 방향과교차하는제2 방향으로연장하는복수의제2 배선; 상기제1 배선과상기제2 배선의사이에서, 상기제1 배선과상기제2 배선의교차영역에위치하는복수의가변저항소자; 및상기제1 배선각각의제1 부분과접속하는플러그를포함하고, 상기플러그는, 도전층및 상기도전층보다높은저항을갖는물질층을포함할수 있다.
摘要翻译：提供了一种电子装置及其制造方法。根据本发明实施例的电子装置是包括半导体存储器的电子装置，其中所述半导体存储器包括：沿第一方向延伸的多个第一布线; 沿与第一方向交叉的第二方向延伸的多条第二线; 位于所述第一布线和所述第二布线之间的多个可变电阻元件，所述可变电阻元件位于所述第一布线和所述第二布线的交点处; 以及连接到每个第一布线的第一部分的插塞，其中插塞可以包括导电层和具有比导电层高的电阻的材料层。

16. 发明公开

KR1020160147771A 다성분 전극을 갖는 저항성 메모리 디바이스 审中-实审
标题翻译：具有多分量电极的电阻式存储器件
公开(公告)号：KR1020160147771A
公开(公告)日：2016-12-23
申请号：KR1020167030073
申请日：2014-04-30
申请人： 휴렛 팩커드 엔터프라이즈 디벨롭먼트 엘피
发明人： 셍시아 , 전유찬 , 양지앤후아 , 조한스에스 , 헨체리차드에이치
IPC分类号： H01L45/00
CPC分类号： H01L27/2463 , G11C13/0002 , G11C13/003 , G11C2213/52 , G11C2213/71 , G11C2213/73 , H01L27/2481 , H01L27/249 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/1273 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/16 , H01L45/1616 , H01L45/1675 , H01L45/1683
摘要： 저항성메모리디바이스는전도체및 상기전도체와접촉하는저항성메모리스택을구비한다. 저항성메모리스택은다성분전극및 스위칭영역을구비한다. 다성분전극은표면을갖는베이스전극, 및상기베이스전극표면상의 (i) 박층또는 (ⅱ) 불연속나노-아일랜드형태의비활성재료전극을구비한다. 스위칭영역은비활성재료전극이박층형태일때 전도체및 비활성재료전극과접촉하거나, 스위칭영역은비활성재료전극이불연속나노-아일랜드형태일때 전도체, 비활성재료전극, 및베이스전극의산화된부분과접촉한다.
摘要翻译：电阻式存储器件包括与导体接触的导体和电阻式存储器堆叠。电阻式存储器堆叠包括多组分电极和开关区域。多组分电极包括具有表面的基极电极和基极电极表面上的惰性材料电极，其形式为i）薄层，或ii）不连续的纳米岛。当惰性材料电极为薄层形式时，开关区域与导体和惰性材料电极接触; 或者当惰性材料电极为不连续的纳米岛的形式时，开关区域与惰性材料电极接触导体，并与基极的氧化部分接触。

17. 发明公开

KR1020150012522A 전자 장치 및 그 제조 방법 审中-实审
标题翻译：电子设备及其制造方法
公开(公告)号：KR1020150012522A
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：KR1020130088117
申请日：2013-07-25
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 이민석 , 신창협
IPC分类号： H01L27/115
CPC分类号： H01L43/12 , G11C13/0004 , G11C27/00 , G11C2213/52 , H01L43/02 , H01L43/08 , H01L45/04 , H01L45/06 , H01L45/08 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/141 , H01L45/146 , H01L45/147 , H01L45/1675 , G11C11/15 , H01L45/145
摘要： 전자 장치 및 그 제조 방법이 제공된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치는, 반도체 메모리를 포함하는 전자 장치로서, 상기 반도체 메모리는, 하부 전극; 상기 하부 전극 상의 가변 저항 소자; 상기 가변 저항 소자 상에 배치되고, 금속으로 형성된 상부 전극; 및 상기 상부 전극의 측면을 둘러싸는 금속 화합물층을 포함하고, 상기 금속 화합물층은, 상기 상부 전극을 이루는 금속의 화합물이다.
摘要翻译：提供一种电子设备及其制造方法。根据本发明的实施例的电子设备涉及包括半导体存储器的电子设备。半导体存储器包括下电极; 下电极上的可变电阻元件; 布置在可变电阻元件上并由金属制成的上电极; 以及围绕上电极侧的金属复合层。金属复合层是由上部电极制成的金属复合体。

18. 发明公开

KR1020120053328A 가변 저항 메모리 소자 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：电阻可变存储器件及其形成方法
公开(公告)号：KR1020120053328A
公开(公告)日：2012-05-25
申请号：KR1020100114542
申请日：2010-11-17
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김병철
IPC分类号： H01L21/8247 , H01L27/115
CPC分类号： G11C13/0002 , G11C2213/52 , G11C2213/56 , H01L27/101 , H01L27/2409 , H01L27/2472 , H01L45/04 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/126 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/1633 , H01L45/1683 , Y10T29/49032 , Y10T29/49043 , Y10T29/49044 , Y10T29/49048 , Y10T29/49052 , Y10T29/49155 , G11C13/0004
摘要： PURPOSE: A variable resistance memory device and a manufacturing method thereof are provided to reduce a driving current of a memory cell by improving the heat efficiency of a bottom electrode. CONSTITUTION: A device isolation layer(110) is formed on a substrate(10) to define an active area. A word line is formed on the substrate. A first interlayer dielectric layer(111) with openings(191) is formed on the word line. Preliminary conductive patterns are formed in the openings. A first buried pattern(141) filling the openings is formed on the preliminary conductive patterns. A mask pattern is formed on the preliminary conductive pattern to expose a part of the preliminary conductive pattern.
摘要翻译：目的：提供可变电阻存储器件及其制造方法，以通过提高底部电极的热效率来减小存储单元的驱动电流。构成：在衬底（10）上形成器件隔离层（110）以限定有源区域。在基板上形成字线。具有开口（191）的第一层间介质层（111）形成在字线上。在开口中形成初步的导电图案。填充开口的第一掩埋图案（141）形成在初步导电图案上。在初步导电图案上形成掩模图案以暴露部分初步导电图案。

19. 发明公开

KR1020120006540A ＰＲＡＭ의 다이아몬드 타입 쿼드-저항기 셀들 有权
标题翻译：金刚石类型四边形电阻器
公开(公告)号：KR1020120006540A
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：KR1020117026692
申请日：2010-04-09
申请人： 퀄컴 인코포레이티드
发明人： 리,시아
IPC分类号： H01L27/115 , H01L21/8247 , G11C13/02
CPC分类号： H01L45/06 , G11C13/0004 , G11C13/0069 , G11C2013/008 , G11C2213/52 , H01L27/2463 , H01L27/2472 , H01L45/122 , H01L45/126 , H01L45/144 , H01L45/1608 , H01L45/1675 , H01L45/143
摘要： 상변화 랜덤 액세스 메모리(PRAM) 셀을 형성하는 방법, 및 상변화 랜덤 액세스 메모리(PRAM) 셀의 구조가 개시된다. PRAM 셀은 하부 전극, 하부 전극에 커플링되는 히터 저항기, 히터 저항기 위에 형성되고 히터 저항기에 커플링되는 상변화 물질(PCM), 및 상변화 물질에 커플링되는 상부 전극을 포함한다. 상변화 물질은 히터 저항기 및 상변화 물질 사이에 활성 영역을 형성하기 위하여 히터 저항기의 수직 표면의 일부분 및 히터 저항기의 수평 표면의 일부분에 접촉한다.

20. 发明公开

KR1020090091692A 전기 작동 스위치 有权
标题翻译：电动执行开关
公开(公告)号：KR1020090091692A
公开(公告)日：2009-08-28
申请号：KR1020097009024
申请日：2007-10-03
申请人： 휴렛-팩커드 디벨롭먼트 컴퍼니, 엘.피.
发明人： 윌리암스,알.스탠리
IPC分类号： H01L45/00 , G11C11/56
CPC分类号： H01L45/08 , G11C13/0007 , G11C13/0009 , G11C2213/52 , G11C2213/53 , G11C2213/56 , G11C2213/77 , H01L27/2463 , H01L45/1206 , H01L45/1233 , H01L45/14 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/147 , H03K17/00
摘要： An electrically actuated switch (100', 200') comprises a first electrode (102), a second electrode (104), and an active region (306) disposed therebetween. The active region comprises at least one primary active region (308, 308') comprising at least one material that can be doped or undoped to change its electrical conductivity, and a secondary active region (310) comprising at least one material for providing a source/sink of ionic species that act as dopants for the primary active region(s). Methods of operating the switch are also provided. ® KIPO & WIPO 2009
摘要翻译：电致动开关（100'，200'）包括第一电极（102），第二电极（104）和置于其间的有源区（306）。有源区包括至少一个主要有源区（308,308'），其包括至少一种可被掺杂或未掺杂以改变其导电性的材料，以及次级有源区（310），其包括用于提供源的至少一种材料 /作为主要活性区域的掺杂剂的离子物质的沉降。还提供了操作开关的方法。 ®KIPO＆WIPO 2009

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