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91. 发明公开

KR1020090065278A 이중 결합 링 공진기를 이용한 파장 가변 레이저 다이오드 失效
标题翻译：使用双重耦合谐振器的波长激光二极管
公开(公告)号：KR1020090065278A
公开(公告)日：2009-06-22
申请号：KR1020070132764
申请日：2007-12-17
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 오광룡 , 김종회 , 김동철 , 권오기 , 김기수 , 윤기홍
IPC分类号： G02B6/125 , H01S3/063 , H01S3/082
CPC分类号： H01S5/1071 , G02B6/12007 , H01S5/026 , H01S5/1032 , H01S5/50
摘要： A wavelength tunable laser diode using a dual coupled ring resonator is provided to perform a high power property, a wavelength tunable property of broadband, a fast wavelength tuning, and a fast direct modulation property by using a dual coupled ring resonator. A wavelength tunable laser diode using a dual coupled ring resonator includes a first passive waveguide, a second passive waveguide, a third passive waveguide, a dual coupled ring resonator, a first electrode(35), and a second electrode(36). The first passive waveguide(25) and a second passive waveguide(26) are connected to both ends of a first optical amplifier(27). The third passive waveguide(33) is parallel arranged with the first passive waveguide and the second passive waveguide. The dual coupled ring resonator is coupled between the first/second passive waveguide and the third passive waveguide, and comprises a first ring resonator(23) and a second ring resonator(24). The first electrode and the second electrode apply a current and a voltage to the first ring resonator and the second ring resonator.
摘要翻译：提供使用双耦合环形谐振器的波长可调谐激光二极管，通过使用双耦合环形谐振器来执行高功率特性，宽带波长可调谐特性，快速波长调谐和快速直接调制特性。使用双耦合环形谐振器的波长可调激光二极管包括第一无源波导，第二无源波导，第三无源波导，双耦合环形谐振器，第一电极（35）和第二电极（36）。第一无源波导（25）和第二无源波导（26）连接到第一光放大器（27）的两端。第三无源波导（33）与第一无源波导和第二无源波导平行布置。双耦合环形谐振器耦合在第一/第二无源波导和第三无源波导之间，并且包括第一环形谐振器（23）和第二环形谐振器（24）。第一电极和第二电极向第一环形谐振器和第二环形谐振器施加电流和电压。

92. 发明公开

KR1020080052240A 광 시각 칩 및 이를 이용한 영상 인식 방법 失效
标题翻译：使用它的光学视觉芯片和图像识别方法
公开(公告)号：KR1020080052240A
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：KR1020070058000
申请日：2007-06-13
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 박상기 , 유원필 , 오광룡
IPC分类号： G06K9/00 , G02F1/13
CPC分类号： G06K9/74
摘要： An optical vision chip and an image recognition method using the same are provided to perform an image recognition operation while not requiring complex mathematical equations or calculation by directly comparing an object image with a standard model image. An optical vision chip includes the first display element(10), the second display element(14), and an optical sensor(18). A size and a shape of the first pixel(12) of the first display element and the second pixel(16) of the second display element are overlapped with those of a sensor pixel of the optical sensor. The first display element displays an object image, and the second display element displays a standard model image stored at an external memory. When the second display element displays the standard model image, the brightness of the standard model image is a complement to the brightness of the object image. The optical sensor outputs an electric signal, which expresses an optical difference between the object image and the standard model image, via an electrode line. If the electric signal outputted by the optical sensor is sent to an external display unit, an optical difference of the image can be displayed.
摘要翻译：提供光学视觉芯片和使用其的图像识别方法来执行图像识别操作，而不需要复杂的数学方程式或通过直接比较对象图像与标准模型图像的计算。光学视觉芯片包括第一显示元件（10），第二显示元件（14）和光学传感器（18）。第一显示元件的第一像素（12）和第二显示元件的第二像素（16）的尺寸和形状与光学传感器的传感器像素的尺寸和形状重叠。第一显示元件显示对象图像，第二显示元件显示存储在外部存储器中的标准模型图像。当第二显示元件显示标准模型图像时，标准模型图像的亮度是对象图像的亮度的补充。光学传感器通过电极线输出表示对象图像与标准模型图像之间的光学差的电信号。如果由光学传感器输出的电信号被发送到外部显示单元，则可以显示图像的光学差异。

93. 发明公开

KR1020070058224A 다중 파장 선택 장치 失效
标题翻译：多波长选择器
公开(公告)号：KR1020070058224A
公开(公告)日：2007-06-08
申请号：KR1020050116585
申请日：2005-12-01
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 김종회 , 김강호 , 권오기 , 심은덕 , 오광룡
IPC分类号： G02B6/293
CPC分类号： G02B6/29304 , G02B2006/12088 , G02B2006/1209
摘要： A multi-wavelength selection device is provided to select a multi-wavelength optical signal, or desirable plural single-wavelength optical signals from a light source by using a modulation period diffraction grating, and to output the selected optical signal through a single input/output waveguide. A multi-wavelength selection device is composed of a first waveguide(210) for receiving a multi-wavelength optical signal comprising the M number of single-wavelength optical signals and outputting the N number of single-wavelength optical signals in the input direction of the multi-wavelength optical signal and a second waveguide(220) connected with the first waveguide. The multi-wavelength optical signal is flatly spread and transmitted through one end of the second waveguide. A modulation period diffraction grating(230) is formed on the other end of the second waveguide to reflect the N number of single-wavelength optical signals so that each single-wavelength optical signal forms focal points at one end and generates constructive interference.
摘要翻译：提供多波长选择装置，通过使用调制周期衍射光栅从光源中选择多波长光信号或期望的多个单波长光信号，并通过单个输入/输出输出所选择的光信号波导。多波长选择装置由用于接收包含M个单波长光信号的多波长光信号的第一波导（210）和输出方向的N个单波长光信号多波长光信号和与第一波导连接的第二波导（220）。多波长光信号被平坦地扩展并通过第二波导的一端传输。在第二波导的另一端形成调制周期衍射光栅（230），以反映N个单波长光信号，使得每个单波长光信号在一端形成焦点并产生建设性干扰。

94. 发明授权

KR100701153B1 파장 가변 광원 소자 失效
标题翻译：波长可调光源
公开(公告)号：KR100701153B1
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：KR1020060012026
申请日：2006-02-08
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 권오기 , 김강호 , 김종회 , 심은덕 , 오광룡
IPC分类号： G02B6/26
CPC分类号： G02B6/4215 , G02B6/29301 , G02F1/397 , G02F2203/24
摘要： A wavelength variable light source is provided to minimize optical coupling loss between two materials and to increase reliability by easily hybrid-integrating a diffraction grating made from silicon or polymer except for a diffraction grating made from indium phosphide. A wavelength tunable light source(700) is composed of an optical amplifier(710) transmitting an optical signal having a predetermined wavelength band in one direction and amplifying and outputting an optical signal having a predetermined single wavelength of the wavelength band in another direction; a beam steering unit(720) for moving an output path of the optical signal having a predetermined wavelength band; and a waveguide of which one end is formed in a linear structure connected with the beam steering unit to flatly spread and transmit the optical signal having the wavelength band and the other end is formed like a concave diffraction grating(730) generating constructive interference of a single wavelength at one end by reflecting and diffracting the optical signal having the wavelength band. The constructively interfered single wavelength has a straight trajectory and feeds back to the optical amplifier through the beam steering unit.
摘要翻译：提供波长可变光源以使两种材料之间的光耦合损耗最小化，并且通过容易地将由硅或聚合物制成的衍射光栅与除磷化铟制成的衍射光栅之外的衍射光栅进行杂交积分来提高可靠性。波长可调光源（700）由在一个方向上发送具有预定波长带的光信号的光放大器（710）进行放大并输出具有另一方向上的波长带的预定单波长的光信号; 用于移动具有预定波长带的光信号的输出路径的波束转向单元（720）以及波导，其一端形成为与光束转向单元连接的线性结构，以平坦地扩展并传输具有波长带的光信号，而另一端形成为类似凹面衍射光栅（730），产生产生通过反射和衍射具有波长带的光信号，在一端的单波长。建构性干扰的单波长具有直线轨迹，并通过光束转向单元反馈到光放大器。

95. 发明授权

KR100670830B1 수퍼루미네슨트 다이오드 및 그 제조 방법 失效
标题翻译：超级亮度二极管及其制造方法
公开(公告)号：KR100670830B1
公开(公告)日：2007-01-19
申请号：KR1020050121981
申请日：2005-12-12
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 박문호 , 백용순 , 오광룡
IPC分类号： H01S5/10 , H01L33/14
CPC分类号： H01S5/0265 , B82Y20/00 , H01S5/026 , H01S5/0425 , H01S5/101 , H01S5/2063 , H01S5/2201 , H01S5/2224 , H01S5/2275 , H01S5/3406 , H01S5/34306 , H01S5/4006
摘要： A super luminescent diode and a method of manufacturing the same are provided to form simultaneously an LD(Laser Diode) electrode and an SOA(Semiconductor Optical Amplifier) electrode by using a single active layer. An InP substrate(10) includes an LD region and a SOA region for amplifying light generated from the laser diode region. A light waveguide of a BRS(Buried Ridge Stripe) structure includes an active layer having a resonant stripe pattern which is extended over the SOA region and the LD region. A first electrode is formed on the active layer of the SOA region. A second electrode is formed on the active layer of the LD region and is insulated from the first electrode. A current shielding region is inserted between the first and second electrodes.
摘要翻译：提供超级发光二极管及其制造方法，以通过使用单个有源层同时形成LD（激光二极管）电极和SOA（半导体光放大器）电极。 InP衬底（10）包括LD区域和用于放大从激光二极管区域产生的光的SOA区域。 BRS（埋地岭条纹）结构的光波导包括具有在SOA区域和LD区域上延伸的谐振条纹图案的有源层。第一电极形成在SOA区域的有源层上。第二电极形成在LD区域的有源层上并与第一电极绝缘。电流屏蔽区插入在第一和第二电极之间。

96. 发明授权

KR100604957B1 광 편향기 失效
标题翻译：光学偏转器
公开(公告)号：KR100604957B1
公开(公告)日：2006-07-28
申请号：KR1020040083334
申请日：2004-10-18
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 권오기 , 김강호 , 김현수 , 김종회 , 오광룡
IPC分类号： G02B26/10
CPC分类号： G02B27/095 , G02B19/0009 , G02B19/0052 , G02B26/0875 , G02B27/0977 , G02B2006/12078 , G02B2006/12104 , G02B2006/12145 , G02F1/295
摘要： 본 발명은 방사형으로 진행하는 광을 편향하는 광 편향기에 관한 것으로, 제1 유효굴절율을 가지는 주변영역; 및 상기 제1 유효굴절율과 다른 제2 유효굴절율을 가지는 소정 형상의 편향패턴 영역을 포함하되, 상기 소정 형상의 편향 패턴 영역에 의해서, 방사형으로 진행하는 광은 특정점에서 출발하여 진행하는 것으로 편향된다. 이를 통해서, 광원의 이동 궤적은 직선, 원, 타원, 포물선 등 다양한 형태가 되도록 설계할 수 있다.
광 편향기, 방사 광, 편향

97. 发明授权

KR100596509B1 봉우리형 도파로 집적 반도체 광소자의 제조방법 失效
标题翻译：脊型波导集成半导体光器件的制造方法
公开(公告)号：KR100596509B1
公开(公告)日：2006-07-05
申请号：KR1020040094581
申请日：2004-11-18
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 김종회 , 김현수 , 김강호 , 권오기 , 심은덕 , 오광룡
IPC分类号： G02B6/13
CPC分类号： G02B6/136 , G02B6/122 , G02B2006/12097
摘要： 본 발명은 봉우리형 도파로 집적 반도체 광소자의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기판 상에 능동 광소자 영역 및 수동 도파로 영역을 분리한 후 각각의 영역에 능동층 및 수동층을 선택적으로 결정 성장하여 수직 정렬하는 단계와, 상기 능동층 및 상기 수동층의 상부에 덮개층 및 전극 연결층을 순차적으로 형성하는 단계와, 상기 능동 광소자 영역에 형성된 전극 연결층 상부의 소정 영역에 제1 절연막 패턴을 형성함과 동시에 상기 수동 도파로 영역에 형성된 전극 연결층 상부의 소정 영역에 제2 절연막 패턴을 형성하는 단계와, 상기 제1 절연막 패턴 및 상기 제2 절연막 패턴을 마스크로 하여 저-봉우리형 능동 광소자 및 수동 도파로가 각각 형성되도록 상기 덮개층의 소정 깊이까지 식각하는 단계와, 상기 저-봉우리형 능동 광소자의 전체 상부면에 보호막 패턴을 형성한 후 상기 제2 절연막 패턴을 마스크로 하여 고-봉우리형 수동 도파로가 형성되도록 상기 기판의 소정 깊이까지 식각하는 단계를 포함함으로써, 정렬 오차를 제거하여 결합 효율을 향상시킬 수 있으며, 자동 정렬에 필요한 동일한 물질의 유전체 박막을 사용함에 따라 제작 공정을 단순화시킬 수 있는 효과가 있다.
광소자, 봉우리형 도파로, 단일 집적, 결합 효율, 자동 정렬, 유전체 패턴

98. 发明公开

KR1020060067171A 광 편향기를 구비한 파장가변 다중화기, 역다중화기 및 파장가변 레이저 有权
标题翻译：带光学偏转器的多功能多路复用器，分解器和可调激光器
公开(公告)号：KR1020060067171A
公开(公告)日：2006-06-19
申请号：KR1020040105679
申请日：2004-12-14
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 권오기 , 김강호 , 김종회 , 김현수 , 오광룡
IPC分类号： G02B6/28 , G02B6/293
CPC分类号： G02B6/29395 , G02B6/12007 , G02B6/12009 , G02B6/2931 , G02B6/29313 , G02B6/2938 , H01S3/106 , H01S5/02284 , H01S5/141 , H01S5/4062 , H01S5/4087 , G02B2006/12116
摘要： Provided are a tunable demultiplexer and a tunable laser, having an optical deflector (140) in which a refractive index of a core layer of a deflection pattern region having a predetermined shape varies in response to an external electrical signal so that the optical deflector deflects incident light in the radial direction.

99. 发明公开

KR1020060055666A 봉우리형 도파로 집적 반도체 광소자의 제조방법 失效
标题翻译： RIDGE型波导集成半导体光学器件的制造方法
公开(公告)号：KR1020060055666A
公开(公告)日：2006-05-24
申请号：KR1020040094581
申请日：2004-11-18
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 김종회 , 김현수 , 김강호 , 권오기 , 심은덕 , 오광룡
IPC分类号： G02B6/13
CPC分类号： G02B6/136 , G02B6/122 , G02B2006/12097 , G02B2006/12176 , G02B2006/12178
摘要： Provided is a method of fabricating a ridge type waveguide integrated semiconductor optical device. The method includes: separating a substrate into an active waveguide region and a passive waveguide region and selectively epitaxial-growing an active layer and a passive layer in the active waveguide region and the passive waveguide region, respectively, such that the active layer and the passive layer are vertically aligned with each other; sequentially forming a capping layer and an electrode connection layer on the active layer and the passive layer; forming a first insulating layer pattern on a predetermined region of the electrode connection layer disposed in the active waveguide region and simultaneously, forming a second insulating layer pattern on a predetermined region of the electrode connection layer disposed in the passive waveguide region; forming a shallow ridge type active waveguide and a shallow ridge type passive waveguide by performing an etching process using the first and second insulating layer patterns as etch masks until the capping layer is etched to a predetermined depth; and forming a passivation pattern on the entire surface of the shallow ridge type active waveguide and forming a deep ridge type passive waveguide by performing an etching process using the second insulating layer pattern as an etch mask until the substrate is etched to a predetermined depth.

100. 发明授权

KR100576776B1 반도체 광소자의 제작 방법 失效
标题翻译：如何制造半导体光学器件
公开(公告)号：KR100576776B1
公开(公告)日：2006-05-08
申请号：KR1020040103665
申请日：2004-12-09
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 박문호 , 박상기 , 오수환 , 백용순 , 오광룡 , 김경옥 , 김성복
IPC分类号： H01S5/30
摘要： 본 발명은 가입자용이나 파장분할다중(WDM) 방식의 광통신 시스템에 사용되는 반도체 광소자의 제작 방법에 관한 것으로, 단일 활성층에 레이저 다이오드(Laser Diode; LD)와 반도체 광증폭기(Semiconductor Optical Amplifier; SOA)가 집적된다. 레이저 다이오드와 반도체 광증폭기는 서로 광학적으로 연결되며, 이온 주입에 의해 전기적으로 절연된다. 각각의 전극을 통해 독립적으로 전류를 주입하면 레이저 다이오드(LD)에서 생성된 광이 반도체 광증폭기(SOA)에 의해 증폭되기 때문에 발진개시전류가 낮고 출력광의 세기가 높다.
반도체 광증폭기, 레이저 다이오드, 전류차단층, 전류주입층, 이온주입
摘要翻译：激光二极管（LD）和半导体光放大器（SOA）用于单个有源层，被集成。激光二极管和半导体光放大器彼此光学连接并通过离子注入电绝缘。当注入电流独立地通过每个电极为低时，振荡起动电流高时，由于在激光二极管（LD）产生的光由半导体光学放大器（SOA）放大的光的输出强度。

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