专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明授权

KR100319774B1 자동정렬 구조의 평면 매립형 반도체 레이저 제조방법 失效
标题翻译：自对准平面埋入异质结半导体激光器的制作方法
公开(公告)号：KR100319774B1
公开(公告)日：2002-01-05
申请号：KR1019990058691
申请日：1999-12-17
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 오대곤 , 박문호
IPC分类号： H01S5/30 , H01S5/20
摘要： 본발명은반도체기술에관한것으로, 특히반도체레이저제조기술에관한것이며, 더자세히는자동정렬구조의평면매립형반도체레이저제조기술에관한것이다. 본발명은공정단계를단순화하여수율을개선하고, 신뢰성의핵심기술이되는메사측면의건식및 습식식각공정을재현성있는공정으로대체할수 있는평면매립형반도체레이저제조방법을제공하는데그 목적이있다. 본발명의특징적인평면매립형반도체레이저제조방법은, (0 -1 1) 결정면을가진기판상에메사영역이오픈된마스크질화막패턴을형성하는제1 단계; 선택적결정성장기술을사용하여상기메사영역에공진기를이루는버퍼층, 활성층및 제1 클래드층을차례로에피성장시키되, 상기공진기가그 측면이 (111)B 결정면을가지는피라미드구조를이루도록하는제2 단계; 상기마스크질화막패턴을제거하는제3 단계; 및상기제3 단계수행후, 전류차단층, 제2 클래드층및 오믹콘택층을에피성장시키는제4 단계를포함하여이루어진다. 즉, 본발명은선택적결정성장(selective area growth) 기술을이용하여신뢰도문제를유발하는활성층측면에식각공정을배제하면서자동으로활성층부분이정렬되도록하고, 재성장을포함한반도체공정을대폭줄이는기술로서, 재현성및 신뢰성이개선되고경제적인광원제작을가능하게한다.

2. 发明公开

KR1020010027889A 상호 테이퍼측면 접합 광도파로를 이용한 광 모드 크기 변환장치 有权
标题翻译：光学尺寸转换器件，采用双刀片式光学波导
公开(公告)号：KR1020010027889A
公开(公告)日：2001-04-06
申请号：KR1019990039867
申请日：1999-09-16
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 정종술 , 오광룡 , 박문호 , 백용순 , 오대곤
IPC分类号： G02B6/02
摘要： PURPOSE: An optical mode size converting device is provided to reduce a coupling loss and a reflection loss by connecting an optical fiber and an optical waveguide integrated device efficiently, thereby having a power transfer capability over 90 percents and having a taper area about 300 um. CONSTITUTION: In an optical mode size converting device, the first optical waveguide layer as an incident part(104) of an optical waveguide(106) and the second optical waveguide layer as an exit part(102) of the optical waveguide are formed, wherein the respective terminals of the layers are dual-tapered latera-jointed. The respective terminals of the latera-jointed parts in the first and second waveguide layers are opposed to each other and have a tapered shape. The latera-jointed parts have a sine wave shape. The second waveguide layer includes another tapered part except for the latera-jointed part.
摘要翻译：目的：提供一种光学模式尺寸转换装置，以有效地连接光纤和光波导集成装置来减少耦合损耗和反射损耗，从而具有超过90％的功率传递能力并且具有约300um的锥形面积。构成：在光模式尺寸转换装置中，形成作为光波导（106）的入射部（104）的第一光波导层和作为光波导的出射部（102）的第二光波导层，其中，层的相应端子是双锥形连接的。第一和第二波导层中的接合部分的相应端子彼此相对并具有锥形形状。后缘部分具有正弦波形。第二波导层包括除了接合部分之外的另一锥形部分。

3. 发明公开

KR1019990018510A 고효율 마이크로파 및 밀리미터파 검출기와 그 제조방법 失效
标题翻译：高效率的微波毫米波检测器及其制造方法
公开(公告)号：KR1019990018510A
公开(公告)日：1999-03-15
申请号：KR1019970041696
申请日：1997-08-27
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 박경완 , 박문호 , 오상철 , 이성재 , 신민철
IPC分类号： G01H17/00
摘要： 본 발명은 고효율 마이크로파 및 밀리미터파의 검출기와 그 제조방법에 관한 것으로, 특히 전자의 측면 양자 구속에 의한 에너지 양자화 효과를 이용한 고효율 마이크로파 및 밀리미터파의 검출기와 그 제조방법에 관한 것이다.
반도체에서 전자의 운동 방향이 어느 한 방향으로 상기 전자의 드브로이파장 정도의 길이에 구속되면 그 방향에 해당되는 전자의 에너지는 양자화 된다. 따라서 상기 양자화된 에너지 준위는 구속 길이와 직접적인 관계가 있으므로 상기 구속길이를 변화시켜 양자화된 에너지 준위의 간격을 조절한다. 조절된 에너지 준위를 마이크로파 및 밀리미터파에 해당되는 에너지와 일치시키므로써 마이크로파 및 밀리미터파의 흡수를 유도하고 이에 따르는 광전효과로 마이크로파 및 밀리미터파를 검출한다.
본 발명은 마이크로파 및 밀리미터파의 에너지 양을 검출하거나, 초고주파 대역의 무선이동통신 시그널의 고효율 수신 및 필터링에 이용된다.

4. 发明授权

KR100809401B1 반도체 레이저 다이오드의 미세한 광 도파층 형성방법 有权
标题翻译：形成半导体激光二极管的精细光波导层的方法
公开(公告)号：KR100809401B1
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：KR1020060056530
申请日：2006-06-22
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 박문호 , 백용순 , 오광룡 , 김성복
IPC分类号： H01S3/0941
摘要： 공정 시간을 단축시킬 수 있으며, 노광 한계치 이하의 선폭의 팁을 가지는 광 도파층을 구비한 반도체 레이저 다이오드의 제조방법을 개시한다. 개시된 본 발명은, 화합물 반도체 기판상에 다층의 액티브층을 형성한다음, 상기 다층의 액티브층 상부에 하드 마스크막을 형성한다. 그후, 상기 하드 마스크막 상부에 포토레지스트 패턴을 형성하고, 상기 포토레지스트 패턴과 하드 마스크막의 밀착력을 개선시키기 위해 상기 포토레지스트 패턴을 베이킹한다. 그 후에, 상기 베이킹된 포토레지스트 패턴을 마스크로 하여, 하드 마스크막을 언더컷 식각하여 하드 마스크 패턴을 형성한 다음, 상기 포토레지스트 패턴을 제거하고, 상기 하드 마스크 패턴의 형태로 상기 다층의 액티브층을 식각하여, 광 도파층을 형성한다.
언더컷, BOE, 실리콘 질화막, 광 도파층

5. 发明公开

KR1020070059875A 반도체 레이저 다이오드의 미세한 광 도파층 형성방법 有权
标题翻译：具有精细光波导层制造半导体激光二极管的方法
公开(公告)号：KR1020070059875A
公开(公告)日：2007-06-12
申请号：KR1020060056530
申请日：2006-06-22
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 박문호 , 백용순 , 오광룡 , 김성복
IPC分类号： H01S3/0941
CPC分类号： H01S3/09415 , H01S3/0315 , H01S5/2013 , H01S5/2077
摘要： A method of manufacturing a semiconductor laser diode with a fine optical waveguide layer is provided to improve an optical output characteristic by manufacturing the reproducible fine optical waveguide layer having a line width under an exposure limit without a long time process by undercut-etching a hard mask film. A method of manufacturing a semiconductor laser diode with a fine optical waveguide layer includes the steps of: forming a multi-layered active layer on a compound semiconductor substrate(100); forming a hard mask film on a top of the multi-layered active layer; forming a photo-resist pattern(140) on a top portion of the hard mask film; baking the photo-resist pattern(140) to improve adhesion between the photo-resist pattern(140) and the hard mask film; forming a hard mask pattern by undercut-etching the hard mask film by using the baked photo-resist pattern(140) as a mask; removing the photo-resist pattern(140); and forming an optical waveguide layer by the multi-layered active layer in a shape of the hard mask pattern.
摘要翻译：提供一种制造具有精细光波导层的半导体激光二极管的方法，以通过对硬掩模进行底切蚀刻来制造具有暴露极限的线宽度的可再现的精细光波导层，从而提高光输出特性，而不需要长时间的处理电影。制造具有精细光波导层的半导体激光二极管的方法包括以下步骤：在化合物半导体衬底（100）上形成多层有源层; 在所述多层有源层的顶部上形成硬掩模膜; 在所述硬掩模膜的顶部上形成光刻胶图案（140）; 烘烤光刻胶图案（140）以改善光刻胶图案（140）和硬掩模膜之间的粘附性; 通过使用烧结光刻胶图案作为掩模，通过对硬掩模膜进行底切蚀刻来形成硬掩模图案; 去除所述光刻胶图案（140）; 以及通过所述多层有源层以硬掩膜图案的形状形成光波导层。

6. 发明公开

KR1020060064466A 파장 가변 레이저 다이오드의 측정 시스템 및 방법 失效
标题翻译：可激光校准系统及方法
公开(公告)号：KR1020060064466A
公开(公告)日：2006-06-13
申请号：KR1020050042422
申请日：2005-05-20
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 고현성 , 오수환 , 박상기 , 이철욱 , 박문호 , 김기수
IPC分类号： H01S3/10
CPC分类号： H01S3/0675 , G02B6/29361 , H01S5/18366 , H01S5/18397
摘要： 파장 가변 레이저 다이오드의 파장과 광신호 채널을 일치시키기 위한 측정 시간을 감소시킬 수 있는 파장 가변 레이저 다이오드의 측정 시스템 및 이를 이용한 측정방법을 개시한다. 개시된 본 발명에 따른 파장 가변 레이저 다이오드의 측정 시스템은, 파장 가변 레이저 다이오드에 전류를 공급하는 전류 공급부와, 상기 파장 가변 레이저 다이오드의 광 출력을 측정하는 제 1 광출력 측정기 및 상기 파장 가변 레이저 다이오드의 광 출력 중 아이티유 그리드(ITU-GRID)에서 제공되는 광신호 채널과 오차 범위내에서 일치하는 광 출력만을 필터링하여 측정하는 에탈론을 구비한 제 2 광출력 측정기를 포함한다. 또한, 상기 제 1 광출력 측정기에서 측정된 광 출력과 상기 에탈론을 구비한 제 2 광출력 측정기에서 측정된 광 출력을 비교하여 상기 전류 공급부의 전류 공급량을 제어하는 제어부를 포함한다.
파장 가변 레이저 다이오드, 에탈론

7. 发明授权

KR100541913B1 추출 격자 브래그 반사기와 결합된 추출 격자 분포궤환파장가변 반도체 레이저 失效
标题翻译：采样光栅分布式反馈波长可调谐半导体激光器与采样光栅分布布拉格反射器
公开(公告)号：KR100541913B1
公开(公告)日：2006-01-10
申请号：KR1020030028186
申请日：2003-05-02
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 오수환 , 박문호 , 이지면 , 김기수 , 이철욱 , 고현성 , 박상기 , 정영철 , 김수현
IPC分类号： H01S3/10
CPC分类号： H01S5/06256 , H01S5/028 , H01S5/06258 , H01S5/1209 , H01S5/125 , H01S5/2205 , H01S5/227
摘要： 본 발명은 SG-DFB(Sampled Grating Distrituted Feedback) 구조부와 SG-DBR(Sampled Grating Distributed Bragg Reflector) 구조부를 함께 집적하여 파장가변이 가능하도록 구성된 반도체 레이저에 관한 것으로, SG-DFB 구조부의 위상 제어 영역과 SG-DBR 구조부에 인가되는 전류에 따라서 굴절률을 변화시켜, 연속적 또는 불연속적으로 가변하는 파장을 갖도록 구현할 수 있다. 이러한 파장가변 반도체 레이저는 비교적 간단한 구조로 구성되어 제작 및 대량 생산에 유리하고, 광대역 파장 가변이 가능하면서 출력 광효율이 우수한 효과가 있다.
파장가변 반도체 레이저, DFB, DBR, SG-DBR, SG-DFB, Laser Diode, Semiconductor Laser Diode

8. 发明授权

KR100520796B1 평면 매립형 반도체 광 증폭기의 제작 방법 失效
标题翻译：具有平面掩埋结构的半导体光放大器的制造方法
公开(公告)号：KR100520796B1
公开(公告)日：2005-10-13
申请号：KR1020030072957
申请日：2003-10-20
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 이동훈 , 심은덕 , 김기수 , 박문호
IPC分类号： H01S5/30
CPC分类号： H01S5/5009 , H01S5/1014 , H01S5/2206 , H01S5/227 , H01S5/3213 , H01S2301/173 , H01S2301/18
摘要： 본 발명은 이중 도파로 구조의 모드 변환기가 집적된 평면 매립형 반도체 광 증폭기의 제조 방법에 관한 것으로, 기판 상에 하부 클래딩층, 하부 도파로층 및 상부 클래딩층을 성장시킨 후 절연막 패턴을 이용한 식각 공정으로 상기 상부 클래딩층, 하부 도파로층 및 하부 클래딩층의 일부 두께를 패터닝하여 하부 도파로를 형성하는 단계와, 상기 하부 클래딩층, 하부 도파로층 및 상부 클래딩층의 식각된 부분에 평탄화층을 성장시켜 표면을 평탄화하는 단계와, 상기 절연막 패턴을 제거한 후 전체 상부면에 공간층, 상부 도파로층 및 제 1 클래딩층을 성장시키는 단계와, 유전체 패턴을 이용한 식각 공정으로 상기 제 1 클래딩층, 상부 도파로층 및 공간층을 패터닝하여 수평 테이퍼 영역을 갖는 상부 도파로를 형성하는 단계와, 상기 상부 도파로의 제 1 � �래딩층, 상부 도파로층 및 공간층의 식각된 부분에 제 1 전류 차단층을 성장시킨 후 상기 유전체 패턴을 제외한 부분의 노출된 제 1 전류 차단층 상에 제 2 전류 차단층을 성장시키는 단계와, 상기 유전체 패턴을 제거한 후 전체 상부면에 제 2 클래딩층을 형성하고, 상기 제 2 클래딩층과 상기 기판에 각각 전극을 형성하는 단계를 포함한다.

9. 发明公开

KR1020050065897A 코히어런트 튜닝 장치 및 이를 이용하는 반도체 레이저 失效
标题翻译：光通信设备上的相干调谐
公开(公告)号：KR1020050065897A
公开(公告)日：2005-06-30
申请号：KR1020030097057
申请日：2003-12-26
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 박상기 , 박문호 , 김기수 , 오수환 , 이지면 , 이철욱
IPC分类号： H01S5/125
CPC分类号： H01S5/06256 , H01S5/0425
摘要： 본 발명은 공간적으로 코히어런트한 광이 통과하는 광 도파로와, 광도파로의 일정 부위에 전기장 또는 전류를 인가함으로써 상기 광도파로를 통하여 전송되는 광의 진행방향을 변화시키는 전극 어레이와, 변화된 광의 특정 파장을 선택하는 파장선택 광요소부를 포함하는 코히어런트 튜닝 장치를 제공한다. 이와 같은 구성을 통하여, 광통신 디바이스들에 대해 넓은 파장 밴드에 걸쳐 연속적으로 파장가변이 가능하게 되는 효과가 있다.

10. 发明授权

KR100489809B1 파장가변형 반도체 레이저 및 그 제조방법 失效
标题翻译：可调谐半导体激光器及其方法
公开(公告)号：KR100489809B1
公开(公告)日：2005-05-17
申请号：KR1020030020673
申请日：2003-04-02
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 박상기 , 박문호 , 이지면 , 오수환 , 김경헌
IPC分类号： H01S3/10
摘要： 본 발명은 페브리 페롯(Fabri-Perot)필터와 전극 어레이를 포함하여 구성된 파장가변형 반도체레이저에 관한 것으로, 전극들에 전기장 또는 전류를 인가함으로써 캐비티 내부에 광신호의 진행방향을 연속적으로 변화시킬 수 있으며, 인트라 캐비티 레이저 빔의 연속적인 각 변화에 의하여 넓은 파장대역에 걸쳐 연속적으로 파장가변이 가능하도록 한다.

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式