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1. 发明授权

KR101915878B1 기판 주고받음 위치의 교시 방법 및 기판 처리 시스템 有权
公开(公告)号：KR101915878B1
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：KR1020170013594
申请日：2017-01-31
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 사카우에히로미츠
IPC分类号： H01L21/677 , H01L21/67 , B65G49/06 , B65G47/90
CPC分类号： H01L21/68742 , H01L21/67259 , H01L21/67748 , H01L21/681 , Y10S901/03 , Y10S901/46
摘要： 반송장치의아암과처리장치의핀의사이에서기판을주고받음할때에, 연직방향의주고받음위치를효율적으로교시한다. 반송아암(32)을연직방향상방으로기준위치(Z1)로부터소정거리이동시킨다(도 5의 (b), 공정(A2)). 반송아암(32)을수평방향으로이동시킨다(도 5의 (c), 공정(A3)). 반송아암(32)을연직방향하방으로소정거리이동시킨다(도 5의 (d), 공정(A4)). 반송아암(32)에보지된웨이퍼(W)의, 상기반송아암(32)에대한수평방향의위치를검출한다(도 5의 (g), 공정(A7)). 공정(A1 내지 A7)의일련공정을반복하여실행하며, 또한이 일련공정을실행할때마다, 공정(A1)에있어서의기준위치를연직상방으로소정거리이동시킨다. 공정(A7)에서검출된수평방향의위치가소정위치로부터어긋난경우의, 반송아암(32)의연직방향의위치를웨이퍼(W)의주고받음위치로교시한다.

2. 发明授权

KR101915441B1 접합 방법, 컴퓨터 기억 매체, 접합 장치 및 접합 시스템 有权
公开(公告)号：KR101915441B1
公开(公告)日：2018-11-05
申请号：KR1020180114854
申请日：2018-09-27
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 데구찌마사또시 , 시라이시마사또시 , 오까다신지
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/687 , H01L21/683 , H01L21/18
CPC分类号： H01L21/6715 , B32B38/0036 , B32B2038/1891 , B32B2309/02 , B32B2309/62 , B32B2457/14 , B32B2457/20 , H01L21/187 , H01L21/67109 , H01L21/67126 , H01L21/6719 , H01L21/6838 , H01L21/68707 , H01L21/68742
摘要： 피처리기판과지지기판을접합할때의파티클의발생을억제하여, 당해피처리기판과지지기판의접합을적절하게행한다. 피처리웨이퍼위에접착제를도포한후(공정 A1), 피처리웨이퍼를소정의온도로가열한다(공정 A2). 그후, 접합장치의접합부에서제1 유지부의상방에피처리웨이퍼를위치시킨상태에서, 당해제1 유지부의가열기구로피처리웨이퍼를예비가열한다(공정 A4). 한편, 접합장치의예비가열부에서열처리판으로지지웨이퍼를예비가열한다(공정 A8). 그후, 제1 유지부와제2 유지부에각각피처리기판과지지기판을흡착유지시켜, 각유지부의가열기구로각 기판을가열한상태에서제2 유지부를제1 유지부측에압박하여, 피처리기판과지지기판을접합한다(공정 A13).

3. 发明授权

KR101877112B1 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 그리고 유체 노즐 有权
公开(公告)号：KR101877112B1
公开(公告)日：2018-07-10
申请号：KR1020160008113
申请日：2016-01-22
申请人： 가부시키가이샤 스크린 홀딩스
发明人： 오쿠타니마나부 , 고바야시겐지 , 요시하라나오히코
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/683 , H01L21/324
CPC分类号： H01L21/02057 , H01L21/67017 , H01L21/67051 , H01L21/6708 , H01L21/68721 , H01L21/68742 , H01L21/6875
摘要： 기판처리방법은, 기판유지유닛에의해기판을수평자세로유지하는기판유지공정과, 상기기판유지유닛에의해유지되어있는상기기판의상면에처리액을공급하여액막을형성하는액막형성공정과, 상기기판유지유닛에유지된기판의상방에있어서상기기판의중심으로부터둘레가장자리를향하여상기기판의상면과평행하게또한방사상으로불활성가스를토출함으로써, 상기기판의상면과평행하게흐르고, 상기기판의상면을덮는불활성가스류를형성하는상면피복공정과, 상기기판의상면을향하여불활성가스를토출함으로써, 상기액막형성공정에의해형성된상기액막을상기기판의상면으로부터배제하는액막배제공정을포함한다.

4. 发明授权

KR101850255B1 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 有权
公开(公告)号：KR101850255B1
公开(公告)日：2018-04-18
申请号：KR1020170156290
申请日：2017-11-22
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 아사카와유지 , 미도리카와요헤이 , 도다사토시 , 다카하시히로유키
IPC分类号： H01L21/3105 , H01L21/67 , H01L21/683 , H01L21/677 , H01L21/324
CPC分类号： H01L21/67126 , H01L21/31116 , H01L21/6719 , H01L21/68742 , H01L21/68771 , H01L21/68785 , H01L21/68792
摘要： 탑재대상에피처리기판을탑재해서처리가스에의해기판처리를실시할때에, 한층더 균일성을확보한다. 진공분위기하에서피처리기판인웨이퍼(W)에처리가스에의해소정의처리를실시하는기판처리장치(5)는, 진공분위기에보지되어웨이퍼(W)가수용되는챔버(40)와, 챔버(40) 내에서웨이퍼(W)를탑재하는기판탑재대(41)와, 챔버(40) 내에처리가스를포함한가스를도입하는가스도입부재(42)와, 승강가능하게마련되고, 기판탑재대(41)의상방의웨이퍼(W)를포함한영역에처리공간(S)을규정하는격벽을형성하기위한격벽부재(44)와, 격벽부재(44)를승강시키는승강기구(45)를구비한다.

5. 发明公开

KR20180037611A 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 그리고 유체 노즐 审中-公开
标题翻译：衬底处理方法衬底处理装置和流体喷嘴
公开(公告)号：KR20180037611A
公开(公告)日：2018-04-12
申请号：KR20180036124
申请日：2018-03-28
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/324 , H01L21/67 , H01L21/683
CPC分类号： H01L21/02057 , H01L21/67017 , H01L21/67051 , H01L21/6708 , H01L21/68721 , H01L21/68742 , H01L21/6875
摘要： 기판처리방법은, 기판유지유닛에의해기판을수평자세로유지하는기판유지공정과, 상기기판유지유닛에의해유지되어있는상기기판의상면에처리액을공급하여액막을형성하는액막형성공정과, 상기기판유지유닛에유지된기판의상방에있어서상기기판의중심으로부터둘레가장자리를향하여상기기판의상면과평행하게또한방사상으로불활성가스를토출함으로써, 상기기판의상면과평행하게흐르고, 상기기판의상면을덮는불활성가스류를형성하는상면피복공정과, 상기기판의상면을향하여불활성가스를토출함으로써, 상기액막형성공정에의해형성된상기액막을상기기판의상면으로부터배제하는액막배제공정을포함한다.
摘要翻译：一种基板处理方法，包括：基板保持工序，利用基板保持部将基板保持为水平姿势;液体膜形成工序，将处理液供给至由基板保持部保持的基板的上表面，以形成液体膜;上表面覆盖步骤，在由基板保持单元保持的基板上方，从基板的中心朝向周缘沿径向和平行于基板的上表面排出惰性气体，以形成惰性气体与基板的上表面平行地流动并覆盖基板的上表面的液膜除去工序;以及向基板的上表面喷出非活性气体来除去由液膜形成工序形成的液膜的液膜除去工序，从衬底的上表面。

6. 发明公开

KR20180035685A 탑재대 및 플라즈마 처리 장치 审中-公开
标题翻译：安装台和等离子体处理设备
公开(公告)号：KR20180035685A
公开(公告)日：2018-04-06
申请号：KR20170123089
申请日：2017-09-25
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/67 , H01L21/687
CPC分类号： H01L21/6833 , H01J37/3244 , H01J37/32715 , H01J2237/334 , H01L21/67069 , H01L21/68742
摘要： 전압인가가능하게구성된탑재대는, 가공물을탑재하는탑재면및 상기탑재면에대향하는이면을가지며, 상기탑재면에제 1 관통구멍이형성된정전척과, 상기정전척의이면에접합되고, 상기제 1 관통구멍과연통하는제 2 관통구멍이형성된베이스와, 상기제 2 관통구멍에삽입된통 형상의스페이서와, 상기제 1 관통구멍및 상기스페이서에수용된핀을구비한다. 상기핀은상기제 1 관통구멍및 상기스페이서각각의내벽에대해서간극을두고배치되고, 상기제 1 관통구멍과상기핀의간극은상기스페이서와상기핀의간극보다크다.
摘要翻译：被施加了电压的载置台具有静电吸盘，该静电吸盘具有用于载置被处理体的载置面和与该载置面相对的背面，在该载置面上形成有第一贯通孔，基座，其与所述静电吸盘的后表面接触，具有与所述第一通孔连通的第二通孔; 插入第二通孔中的圆柱形隔离件; 以及容纳在第一通孔和间隔件中的销。在销与第一通孔和隔离件的内壁之间形成间隙，并且第一通孔和销之间的间隙大于间隔件和销之间的间隙。

7. 发明授权

KR101839904B1 다중 기판 프로세싱을 위한 세그먼트화된 기판 로딩 有权
标题翻译：用于多个基板处理的分段基板加载
公开(公告)号：KR101839904B1
公开(公告)日：2018-03-19
申请号：KR1020117031638
申请日：2011-03-21
申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
发明人： 올가도,도날드
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/677 , H01L21/683 , H01L21/68
CPC分类号： H01L21/67742 , C23C16/54 , H01L21/67184 , H01L21/6719 , H01L21/68 , H01L21/68742 , H01L21/68771
摘要： 본발명의실시예들은세그먼트별로다중기판프로세싱챔버에로딩및 언로딩하는장치및 방법을제공한다. 본발명의일 실시예는다중기판을프로세싱하는장치를제공한다. 상기장치는복수의세그먼트를형성하는복수의기판포켓을가진기판지지트레이와, 상기기판지지트레이의기판포켓의세그먼트에대해기판을픽업하고내려놓도록구성된기판핸들링조립체를포함한다.
摘要翻译：本发明的实施例提供了用于逐段加载和卸载多衬底处理室的装置和方法。本发明的一个实施例提供了用于处理多个基板的设备。该装置包括基板支撑托盘，该基板支撑托盘具有限定多个区段的多个基板凹穴以及被配置为相对于基板支撑托盘的基板凹穴的区段拾取和降低基板的基板处理组件。

8. 发明公开

KR20180028541A 저온 경화 모듈러스 강화 审中-公开
标题翻译：低温固化模量增强
公开(公告)号：KR20180028541A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：KR20187006203
申请日：2015-01-06
IPC分类号： H01L21/02 , C23C16/40 , C23C16/56 , H01J37/32 , H01L21/687
CPC分类号： H01L21/02164 , C23C16/402 , C23C16/56 , H01J37/32449 , H01L21/02216 , H01L21/02274 , H01L21/02348 , H01L21/02351 , H01L21/68742 , H01L21/68792
摘要： 본원에서설명되는구현예들은일반적으로, 유전체갭-필(dielectric gap-fill)을위한방법들에관한것이다. 일구현예에서, 기판상에실리콘산화물층을증착하는방법이제공된다. 방법은, 고리형(cyclic) 유기실록산전구체(organic siloxane precursor) 및지방족(aliphatic) 유기실록산전구체를증착챔버내로도입시키는단계; 증착챔버내에배치된기판상에실리콘산화물층을형성하기위해, 고리형유기실록산전구체및 지방족유기실록산전구체를원자산소와반응시키는단계― 실리콘산화물층이형성될때, 기판은약 0 ℃내지약 200 ℃의온도로유지되고, 실리콘산화물층은증착이후초기에-유동가능하고(initially-flowable following deposition), 그리고고리형유기실록산전구체의유량대 지방족유기실록산전구체의유량의비율은적어도 2:1 임―; 및증착된실리콘산화물층을경화시키는단계를포함한다.
摘要翻译：这里描述的实现通常涉及用于介电间隙填充的方法。在一个实施方式中，提供了在衬底上沉积氧化硅层的方法。该方法包括将环状有机硅氧烷前体和脂族有机硅氧烷前体引入沉积室中，使环状有机硅氧烷前体和脂族有机硅氧烷前体与原子氧反应以在位于沉积室中的基底上形成氧化硅层，其中当形成所述氧化硅层时，将所述衬底维持在约0℃与约200℃之间的温度，其中所述氧化硅层在沉积之后最初是可流动的，并且其中所述环状物有机硅氧烷前体与脂族有机硅氧烷前体的流速之比至少为2:1，并固化沉积的氧化硅层。

9. 发明公开

KR20180013034A 기판 가공 장치 및 그 동작 방법 审中-公开
标题翻译：基板处理设备及其操作方法
公开(公告)号：KR20180013034A
公开(公告)日：2018-02-07
申请号：KR20160096121
申请日：2016-07-28
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/677 , H01L21/683 , H01L21/687
CPC分类号： H01L21/68742 , C23C16/45565 , H01L21/67126 , H01L21/6719 , H01L21/68771
摘要： 유지보수시에유지보수의목적과대상에따라선택적승강을할 수있는기판가공장치가제공된다. 기판가공장치는, 챔버, 상기챔버상에배치된제1 덮개및 제2 덮개, 상기제1 덮개와연결되어상기제1 덮개를상하로이동시키도록구성된승강장치, 및연결영역을포함하고, 상기연결영역을통해상기승강장치와상기제2 덮개또는상기제1 덮개와상기제2 덮개가연결된경우, 상기승강장치에의해상기제1 덮개및 상기제2 덮개가상하로이동될수 있다.
摘要翻译：提供了一种基板处理设备，其中在维护/修理操作期间根据维护/修理的目的或维修对象选择性地抬起部件。该基板处理装置包括：腔室; 在腔室上的第一盖和第二盖; 提升装置，连接到所述第一盖并且构造成升高和降低所述第一盖; 和连接区域。当升降装置和第二盖经由连接区域彼此连接或者第一和第二盖经由连接区彼此连接时，第一和第二盖通过升降装置升高和降低。

10. 发明公开

KR20180011428A 전세정 장치 및 기판 처리 시스템 审中-公开
标题翻译：预清洗装置和基底处理系统
公开(公告)号：KR20180011428A
公开(公告)日：2018-02-01
申请号：KR20160093548
申请日：2016-07-22
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/324 , H01L21/67 , H01L21/677 , H01L21/683
CPC分类号： H01L21/02057 , B08B7/0035 , B08B7/04 , H01L21/67034 , H01L21/67109 , H01L21/67167 , H01L21/67184 , H01L21/67201 , H01L21/6831 , H01L21/68707 , H01L21/68742 , H01L29/66636
摘要： 본발명의일 실시예는, 기판의세정을수행하기위한공간을제공하는챔버와, 상기챔버내부에배치되며상기기판을지지하는기판지지부와, 상기챔버내부에배치되며플라즈마가스를생성하는플라즈마생성부와, 상기기판지지부상에배치될상기기판을가열하는히터부와, 산화물을에칭하기위한가스를상기챔버내부에공급하는세정가스공급부와, 수소가스를상기챔버내부에공급하는수소가스공급부를포함하는전세정장치를제공한다.
摘要翻译：一种预清洁装置包括：腔室，其具有其中清洁基板的内部空间;基板支撑件，其设置在腔室中并且被配置为支撑基板;等离子体产生单元，其被布置在腔室中并且被配置为产生等离子体气体;加热单元，以加热衬底支撑件上的衬底;配置为向腔室的内部空间供应用于氧化物蚀刻的气体的清洁气体供应单元;配置成向腔室的内部空间供应氢气的氢气供应单元。

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