专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明公开

KR1020130075765A 반도체 장치의 제조 방법 및 반도체 장치 无效
标题翻译：用于制造半导体器件的工艺和半导体器件
公开(公告)号：KR1020130075765A
公开(公告)日：2013-07-05
申请号：KR1020137000602
申请日：2011-06-07
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 이와쯔하루오 , 시라이시마사또시 , 가따오까겐이찌
IPC分类号： H01L23/00 , C25D7/12 , C25D5/08 , C25D17/00 , C25D21/14 , H01L21/288 , H01L25/065 , H01L23/48 , H01L21/768
CPC分类号： H01L21/2885 , C25D5/08 , C25D7/123 , C25D17/001 , C25D17/007 , C25D17/12 , C25D21/14 , H01L21/76898 , H01L22/14 , H01L23/481 , H01L24/11 , H01L24/742 , H01L24/81 , H01L24/94 , H01L25/0652 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/11462 , H01L2224/11464 , H01L2224/742 , H01L2224/94 , H01L2225/06541 , H01L2225/06596 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/15788 , H01L2224/81 , H01L2924/00
摘要： 표면에 복수의 전자 회로가 형성된 기판의 관통 구멍의 위치와 템플릿 표면의 개구부 위치가 대응하고, 기판의 이면과 템플릿의 표면이 대향하도록 기판과 템플릿을 배치한다. 그 후, 템플릿의 유통로로부터 관통 구멍 내에 도금액을 공급하는 동시에, 전자 회로의 회로 전극과 템플릿의 전극과의 사이에 전압을 인가하고, 관통 구멍 내에 회로 전극과 전극에 접속되는 관통 전극을 형성한다. 그 후, 회로 전극과 전극 사이에 전압을 인가하고, 전자 회로의 전기적 시험을 행한다.

2. 发明授权

KR101904267B1 접합 방법, 컴퓨터 기억 매체, 접합 장치 및 접합 시스템 有权
公开(公告)号：KR101904267B1
公开(公告)日：2018-10-05
申请号：KR1020120102006
申请日：2012-09-14
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 데구찌마사또시 , 시라이시마사또시 , 오까다신지
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/683
CPC分类号： H01L21/6715 , B32B38/0036 , B32B2038/1891 , B32B2309/02 , B32B2309/62 , B32B2457/14 , B32B2457/20 , H01L21/187 , H01L21/67109 , H01L21/67126 , H01L21/6719 , H01L21/6838 , H01L21/68707 , H01L21/68742
摘要： 피처리기판과지지기판을접합할때의파티클의발생을억제하여, 당해피처리기판과지지기판의접합을적절하게행한다. 피처리웨이퍼위에접착제를도포한후(공정 A1), 피처리웨이퍼를소정의온도로가열한다(공정 A2). 그후, 접합장치의접합부에서제1 유지부의상방에피처리웨이퍼를위치시킨상태에서, 당해제1 유지부의가열기구로피처리웨이퍼를예비가열한다(공정 A4). 한편, 접합장치의예비가열부에서열처리판으로지지웨이퍼를예비가열한다(공정 A8). 그후, 제1 유지부와제2 유지부에각각피처리기판과지지기판을흡착유지시켜, 각유지부의가열기구로각 기판을가열한상태에서제2 유지부를제1 유지부측에압박하여, 피처리기판과지지기판을접합한다(공정 A13).

3. 发明公开

KR1020130030223A 접합 방법, 컴퓨터 기억 매체, 접합 장치 및 접합 시스템 审中-实审
标题翻译：结合方法和计算机存储介质和接合装置和接合系统
公开(公告)号：KR1020130030223A
公开(公告)日：2013-03-26
申请号：KR1020120102006
申请日：2012-09-14
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 데구찌마사또시 , 시라이시마사또시 , 오까다신지
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/683
CPC分类号： H01L21/6715 , B32B38/0036 , B32B2038/1891 , B32B2309/02 , B32B2309/62 , B32B2457/14 , B32B2457/20 , H01L21/187 , H01L21/67109 , H01L21/67126 , H01L21/6719 , H01L21/6838 , H01L21/68707 , H01L21/68742
摘要： PURPOSE: A bonding method, a computer storage medium, a bonding apparatus, and a bonding system are provided to improve a bonding throughput of a support wafer and a target wafer by constantly maintaining a temperature of a heating device. CONSTITUTION: After an adhesive is coated on a target wafer(A1), the target wafer is heated at a preset temperature(A2). The target wafer is located on the upper side of a first maintaining unit in a bonding part of a bonding apparatus. The target wafer is preheated by a heating device of the first maintaining unit(A4). A support wafer is preheated by a thermal process plate in a preheating unit of the bonding apparatus(A8). A target substrate and a support substrate are absorbed and maintained in the first maintaining unit and a second maintaining unit. The target substrate is bonded to the support substrate by compressing the second maintaining unit to the first maintaining unit when each substrate is heated by the heating device of each maintaining unit(A13). [Reference numerals] (A1) Applying adhesive on a processing target wafer; (A10) Adjusting positions in the horizontal direction of the processing target wafer and the supporting wafer; (A11) Adjusting positions in the vertical direction of processing target wafer and supporting wafer; (A12) Bonding the processing target wafer and the supporting wafer together; (A13) Joining the processing target wafer and the supporting wafer together; (A2) Heating the processing target wafer to a predetermined temperature; (A3) Adjusting orientation in the horizontal direction of the processing target wafer; (A4) Preheating the processing target wafer; (A5) Mounting the processing target wafer on a first holding unit; (A6) Adjusting orientation in the horizontal direction of a supporting wafer; (A7) Reversing front and rear surfaces of the supporting wafer; (A8) Preheating the supporting wafer; (A9) Holding the supporting wafer on a second holding unit
摘要翻译：目的：提供接合方法，计算机存储介质，接合装置和接合系统，以通过恒定地保持加热装置的温度来提高支撑晶片和目标晶片的结合生产率。构成：在目标晶片（A1）上涂布粘合剂后，将目标晶片加热到预设温度（A2）。目标晶片位于接合装置的接合部中的第一保持单元的上侧。目标晶片由第一维持单元（A4）的加热装置预热。支撑晶片由粘合装置（A8）的预热单元中的热处理板预热。目标基板和支撑基板被吸收并保持在第一维持单元和第二维持单元中。当每个基板被每个保持单元（A13）的加热装置加热时，通过将第二维持单元压缩到第一保持单元，将目标基板结合到支撑基板。（A1）将粘合剂涂布在加工对象晶片上; （A10）处理对象晶片和支撑晶片的水平方向的调整位置; （A11）调整加工对象晶片和支撑晶片的垂直方向的位置; （A12）将处理目标晶片和支撑晶片结合在一起; （A13）将处理目标晶片和支撑晶片连接在一起; （A2）将处理目标晶片加热至规定温度; （A3）调整处理对象晶片的水平方向的取向; （A4）预处理目标晶片; （A5）将处理目标晶片安装在第一保持单元上; （A6）调整支撑晶片的水平方向的方向; （A7）反转支撑晶片的前表面和后表面; （A8）预热支撑晶片; （A9）将支撑晶片保持在第二保持单元上

4. 发明授权

KR101915441B1 접합 방법, 컴퓨터 기억 매체, 접합 장치 및 접합 시스템 有权
公开(公告)号：KR101915441B1
公开(公告)日：2018-11-05
申请号：KR1020180114854
申请日：2018-09-27
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 데구찌마사또시 , 시라이시마사또시 , 오까다신지
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/687 , H01L21/683 , H01L21/18
CPC分类号： H01L21/6715 , B32B38/0036 , B32B2038/1891 , B32B2309/02 , B32B2309/62 , B32B2457/14 , B32B2457/20 , H01L21/187 , H01L21/67109 , H01L21/67126 , H01L21/6719 , H01L21/6838 , H01L21/68707 , H01L21/68742
摘要： 피처리기판과지지기판을접합할때의파티클의발생을억제하여, 당해피처리기판과지지기판의접합을적절하게행한다. 피처리웨이퍼위에접착제를도포한후(공정 A1), 피처리웨이퍼를소정의온도로가열한다(공정 A2). 그후, 접합장치의접합부에서제1 유지부의상방에피처리웨이퍼를위치시킨상태에서, 당해제1 유지부의가열기구로피처리웨이퍼를예비가열한다(공정 A4). 한편, 접합장치의예비가열부에서열처리판으로지지웨이퍼를예비가열한다(공정 A8). 그후, 제1 유지부와제2 유지부에각각피처리기판과지지기판을흡착유지시켜, 각유지부의가열기구로각 기판을가열한상태에서제2 유지부를제1 유지부측에압박하여, 피처리기판과지지기판을접합한다(공정 A13).

5. 发明授权

KR101259334B1 도포 방법 및 도포 장치 有权
标题翻译：应用方法和应用设备
公开(公告)号：KR101259334B1
公开(公告)日：2013-05-06
申请号：KR1020127021436
申请日：2011-01-27
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 시라이시마사또시 , 이시이다까유끼
IPC分类号： B05D1/26 , B05C11/08 , B05D1/40 , G03F7/16
CPC分类号： H01L21/6715 , B05D1/005
摘要： 본발명은, 기판에도포액을공급하여도포막을형성하는방법이며, 기판을수평으로보유지지하는기판보유지지부에기판을보유지지시키고, 토출구를구비하고, 이토출구를포함하는도포액의유로가모세관형상으로구성된도포노즐의토출구를, 기판에대해근접시킨상태에서상대적으로이동시키면서, 토출구로부터모세관현상에의해도포액을끌어내어기판에도포한다. 그후, 기판상의도포액이기판으로부터비산되지않는회전수로기판을회전시킨다. 기판의회전은, 기판보유지지부를연직축둘레로회전시킴으로써행한다.

6. 发明公开

KR1020120101180A 도포 방법 및 도포 장치 有权
标题翻译：应用方法和应用设备
公开(公告)号：KR1020120101180A
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：KR1020127021436
申请日：2011-01-27
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 시라이시마사또시 , 이시이다까유끼
IPC分类号： B05D1/26 , B05C11/08 , B05D1/40 , G03F7/16
CPC分类号： H01L21/6715 , B05D1/005
摘要： 본 발명은, 기판에 도포액을 공급하여 도포막을 형성하는 방법이며, 기판을 수평으로 보유 지지하는 기판 보유 지지부에 기판을 보유 지지시키고, 토출구를 구비하고, 이 토출구를 포함하는 도포액의 유로가 모세관 형상으로 구성된 도포 노즐의 토출구를, 기판에 대해 근접시킨 상태에서 상대적으로 이동시키면서, 토출구로부터 모세관 현상에 의해 도포액을 끌어내어 기판에 도포한다. 그 후, 기판 상의 도포액이 기판으로부터 비산되지 않는 회전수로 기판을 회전시킨다. 기판의 회전은, 기판 보유 지지부를 연직축 둘레로 회전시킴으로써 행한다.

7. 发明公开

KR1020180110654A 접합 방법, 컴퓨터 기억 매체, 접합 장치 및 접합 시스템 有权
公开(公告)号：KR1020180110654A
公开(公告)日：2018-10-10
申请号：KR1020180114854
申请日：2018-09-27
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 데구찌마사또시 , 시라이시마사또시 , 오까다신지
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/687 , H01L21/683 , H01L21/18
CPC分类号： H01L21/6715 , B32B38/0036 , B32B2038/1891 , B32B2309/02 , B32B2309/62 , B32B2457/14 , B32B2457/20 , H01L21/187 , H01L21/67109 , H01L21/67126 , H01L21/6719 , H01L21/6838 , H01L21/68707 , H01L21/68742 , H01L21/67092 , H01L21/67103 , H01L21/67248
摘要： 피처리기판과지지기판을접합할때의파티클의발생을억제하여, 당해피처리기판과지지기판의접합을적절하게행한다. 피처리웨이퍼위에접착제를도포한후(공정 A1), 피처리웨이퍼를소정의온도로가열한다(공정 A2). 그후, 접합장치의접합부에서제1 유지부의상방에피처리웨이퍼를위치시킨상태에서, 당해제1 유지부의가열기구로피처리웨이퍼를예비가열한다(공정 A4). 한편, 접합장치의예비가열부에서열처리판으로지지웨이퍼를예비가열한다(공정 A8). 그후, 제1 유지부와제2 유지부에각각피처리기판과지지기판을흡착유지시켜, 각유지부의가열기구로각 기판을가열한상태에서제2 유지부를제1 유지부측에압박하여, 피처리기판과지지기판을접합한다(공정 A13).

8. 发明公开

KR1020080059519A 기판 처리 방법 및 레지스트 표면 처리 장치 无效
标题翻译：基板加工方法和电阻表面处理装置
公开(公告)号：KR1020080059519A
公开(公告)日：2008-06-30
申请号：KR1020070136184
申请日：2007-12-24
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 시라이시마사또시
IPC分类号： G02F1/13 , G02F1/136
CPC分类号： G02F1/1303 , G03F7/168 , G03F7/40 , H01L21/67034
摘要： A method for processing a substrate and an apparatus for processing the surface of resist are provided to form a deformed layer on the surface of resist right after the resist is coated on a substrate without using a vacuum dry method to prevent thickness ununiformity of a resist film efficiently. A method for processing a substrate includes a step of coating resist on a to-be-processed substrate(S6), a step of spraying gas containing a chemical solution which reacts on the resist to form a deformed layer to the surface of the resist coated on the substrate, and a pre-baking step for evaporating a solvent left in the resist and improving the adhesiveness of the resist and the substrate(S7).
摘要翻译：提供一种处理基板的方法和用于处理抗蚀剂表面的装置，以在抗蚀剂涂覆在基板上之后立即在抗蚀剂表面上形成变形层，而不使用真空干燥法来防止抗蚀剂膜的厚度不均匀性有效率的。一种基板的处理方法，其特征在于，在被处理基板上涂布抗蚀剂的工序（S6），喷涂含有与抗蚀剂反应形成变形层的化学溶液的气体的涂布工序，和用于蒸发留在抗蚀剂中的溶剂并提高抗蚀剂和基材的粘合性的预烘烤步骤（S7）。

9. 发明公开

KR1020070105887A 마스크 패턴의 형성 방법 및 ＴＦＴ의 제조 방법 无效
标题翻译： TFT的掩模形成方法和生产方法
公开(公告)号：KR1020070105887A
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：KR1020070040591
申请日：2007-04-26
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 시라이시마사또시
IPC分类号： H01L21/027 , H01L29/786
CPC分类号： H01L21/0274 , G03F7/2041 , G03F7/2043 , H01L29/786
摘要： A method for forming a mask pattern is provided to form a new mask pattern without performing a photolithography process on a processed article having a first mask pattern by locally supplying resist liquid to the processed article. To an exposure region of a processed article in which a first mask pattern is prepared to form the exposure region and a coating region in an etched layer, resist liquid is locally supplied to partially coat the exposure region and a second mask pattern is formed. In forming the second mask pattern, a resist discharge nozzle is used to discharge the resist liquid as fine droplet.
摘要翻译：提供了一种用于形成掩模图案的方法，以通过向加工制品局部供应抗蚀剂液体而对具有第一掩模图案的加工制品进行光刻处理，以形成新的掩模图案。在其中制备第一掩模图案以形成曝光区域的处理物品的曝光区域和蚀刻层中的涂覆区域，局部地供给抗蚀剂液体以部分地涂覆曝光区域并形成第二掩模图案。在形成第二掩模图案时，使用抗蚀剂排出喷嘴作为细小液滴排出抗蚀剂液体。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式