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1. 发明公开

KR1020060050528A 레이저광의 단면상의 촬상방법 无效
标题翻译：拍摄激光的局部图像的方法
公开(公告)号：KR1020060050528A
公开(公告)日：2006-05-19
申请号：KR1020050075330
申请日：2005-08-17
申请人： 가부시키가이샤 에키쇼센탄 기쥬쓰 가이하쓰센타
发明人： 쥬몬지마사유키 , 마츠무라마사키요 , 타니구치유키오 , 히라마츠마사토 , 오가와히로유키 , 아키타노리타카
IPC分类号： H01L21/26 , H01L29/786
CPC分类号： G02B27/40 , B23K26/705 , G01J1/04 , G01J1/0411 , G01J1/0448 , G01J1/4257 , G02B7/36
摘要： 단면상(광강도 분포)의 촬상이 행해지는 단면에 상당하는 높이에, 레이저광(20)을 그 단면의 일부에서 차단하도록 나이프 엣지(30)를 배치한다. 나이프 엣지(30)를 향해서 레이저광(20)을 조사하고, 레이저광의 단면상을, 촬상광학계(40)에서 확대해서 CCD(50)에서 촬상한다. 이와 같이 해서 단면상을 촬상하면서 나이프 엣지(30)에 의한 음영상의 경계부에서의 광강도의 구배가 미리 설정된 목표치 이상의 경사도가 되도록 촬상광학계(40)의 초점조정을 행한다. 계속해서, 나이프 엣지(30)를 레이저광의 광로로부터 퇴피시킨 상태에서, 레이저광을 촬상광학계(40)를 통해서 CCD(50)에 입사시켜서 그 단면상을 촬상한다.

2. 发明公开

KR1020050009188A 박막 반도체기판, 박막 반도체기판의 제조방법,결정화방법, 결정화장치, 박막 반도체장치 및 박막반도체장치의 제조방법 无效
标题翻译：薄膜半导体基板，其制造方法，结晶方法，结晶装置，薄膜半导体器件及其在大尺寸单晶半导体晶粒形成半导体器件活性器件中获得高可靠性的制备方法
公开(公告)号：KR1020050009188A
公开(公告)日：2005-01-24
申请号：KR1020040054773
申请日：2004-07-14
申请人： 가부시키가이샤 에키쇼센탄 기쥬쓰 가이하쓰센타
发明人： 히라마츠마사토 , 기무라요시노부 , 오가와히로유키 , 쥬몬지마사유키 , 마츠무라마사키요
IPC分类号： H01L29/786
CPC分类号： H01L21/0268 , H01L21/02422 , H01L21/02488 , H01L21/02532 , H01L21/02686 , H01L23/544 , H01L2223/5442 , H01L2223/54453 , H01L2924/0002 , Y10S438/975 , H01L2924/00
摘要： PURPOSE: A thin-film semiconductor substrate, a method of fabricating the same, a crystallization method, a crystallization apparatus, a thin-film semiconductor device, and a fabricating method thereof are provided to obtain high reliability in a case of forming a semiconductor active device in a range of a large-size single-crystal semiconductor grain by using a phase-modulation excimer laser crystallization method. CONSTITUTION: A thin-film semiconductor substrate includes an insulating substrate(10), an amorphous semiconductor layer(14) formed on the insulating substrate, and a plurality of alignment marks, which are located on the semiconductor layer and are indicative of reference positions for crystallization. Each of the alignment marks is a recess located in the semiconductor layer. The recess is defined by a groove that is located in an insulating layer(12,13) formed as an underlayer of the semiconductor layer.
摘要翻译：目的：提供薄膜半导体衬底，其制造方法，结晶方法，结晶装置，薄膜半导体器件及其制造方法，以在形成半导体活性物质的情况下获得高可靠性通过使用相位调制准分子激光结晶方法在大尺寸单晶半导体晶粒的范围内的器件。构成：薄膜半导体衬底包括绝缘衬底（10），形成在绝缘衬底上的非晶半导体层（14）和位于半导体层上的多个对准标记，并指示用于结晶。每个对准标记是位于半导体层中的凹部。凹部由位于形成为半导体层的下层的绝缘层（12,13）中的凹槽限定。

3. 发明公开

KR1020050007141A 결정화 장치, 결정화 방법 无效
标题翻译：用于形成大直径结晶半导体层的结晶装置和方法
公开(公告)号：KR1020050007141A
公开(公告)日：2005-01-17
申请号：KR1020040052525
申请日：2004-07-07
申请人： 가부시키가이샤 에키쇼센탄 기쥬쓰 가이하쓰센타
发明人： 마츠무라마사키요 , 타니구치유키오
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/20
CPC分类号： H01L21/02675 , G02B27/0068 , G03F7/2053 , H01L29/786
摘要： PURPOSE: A crystallizing apparatus is provided to form a crystallized semiconductor layer of a large diameter by adjusting the light intensity distribution acquired by a phase shifter to have a relatively arranged and continued V shape and by embodying a crystal growth of a sufficient lateral length from a crystal nucleus. CONSTITUTION: An illumination optical system(2) is prepared. A phase shifter(1) optically modulates the optical beam from the illumination optical system into a predetermined light intensity distribution. The optically modulated light beam is irradiated to a polycrystalline semiconductor layer or an amorphous semiconductor layer(4) to form a crystallized semiconductor layer. The illumination optical system irradiates a light beam whose cross section is not circular. The light beam from the illumination optical system and the phase shifter are optically and relatively rotated with respect to the optical axis of the light beam by a rotation unit(3).
摘要翻译：目的：提供一种结晶装置，通过调整由移相器获得的光强度分布以形成具有较大直径的结晶化半导体层，以具有相对排列且持续的V形状，并且通过实现具有足够的横向长度的晶体生长从晶核。构成：准备照明光学系统（2）。移相器（1）将来自照明光学系统的光束光学调制成预定的光强度分布。将光调制光束照射到多晶半导体层或非晶半导体层（4）上以形成结晶半导体层。照明光学系统照射横截面不是圆形的光束。来自照明光学系统和移相器的光束通过旋转单元（3）相对于光束的光轴在光学上相对旋转。

4. 发明公开

KR1020040038859A 결정화 장치 및 결정화 방법 无效
标题翻译：通过从晶体核实现充分的水平生长来结晶半导体层的装置和方法
公开(公告)号：KR1020040038859A
公开(公告)日：2004-05-08
申请号：KR1020030076530
申请日：2003-10-30
申请人： 가부시키가이샤 에키쇼센탄 기쥬쓰 가이하쓰센타
发明人： 다니구치유키오 , 마츠무라마사키요
IPC分类号： H01L21/268
CPC分类号： H01L29/66757 , G03F7/00 , Y10T403/13
摘要： PURPOSE: An apparatus and a method for crystallizing semiconductor layer are provided to generate a crystal core at an intended position and to generate a crystallized semiconductor layer by realizing enough horizontal growth from the crystal core. CONSTITUTION: A crystallizing apparatus includes a mask(1), an illumination system(2) illuminating the mask. An incident light has a light intensity distribution of an inverse peak pattern while penetrating the mask. A crystallized semiconductor layer is generated by irradiating a polycrystal semiconductor layer or an amorphous semiconductor layer. The mask includes a light absorption layer, a light scattering layer, a light reflection layer, a light refraction layer, and a light diffraction layer according to the light intensity distribution of the inverse peak pattern.
摘要翻译：目的：提供一种用于结晶半导体层的装置和方法，以在期望的位置产生晶体核，并通过从晶体核实现足够的水平生长而产生结晶的半导体层。结构：结晶装置包括掩模（1），照明面罩的照明系统（2）。入射光在穿透掩模时具有反峰值图案的光强度分布。通过照射多晶半导体层或非晶半导体层来生成结晶半导体层。根据逆峰图案的光强度分布，掩模包括光吸收层，光散射层，光反射层，光折射层和光衍射层。

5. 发明公开

KR1020040023541A 결정화 장치, 결정화 방법, 및 위상 시프터 无效
标题翻译：结晶器件和结晶方法
公开(公告)号：KR1020040023541A
公开(公告)日：2004-03-18
申请号：KR1020030062397
申请日：2003-09-06
申请人： 가부시키가이샤 에키쇼센탄 기쥬쓰 가이하쓰센타
发明人： 다니구치유키오 , 마츠무라마사키요 , 야마구치히로타카 , 니시타니미키히코 , 츠지카와스스무 , 기무라요시노부 , 쥬몬지마사유키
IPC分类号： H01L21/268
CPC分类号： H01L29/78675 , B23K26/066 , B23K26/073 , B23K26/0734 , G02B5/02 , G02B5/3083 , G03F1/28 , G03F1/34 , H01L21/02532 , H01L21/02678 , H01L21/02686 , H01L27/1285 , H01L29/66757 , Y10T117/10
摘要： PURPOSE: To provide a crystallizing device capable of controlling positions of crystal nuclei thereby approximately two-dimensionally controlling forming regions of crystals. CONSTITUTION: The crystallizing device is provided with an illumination system(2) for illuminating a phase shift mask(1) and forms a crystallized semiconductor film by irradiating a polycrystalline semiconductor film(3) or an amorphous semiconductor film(3) with light having a light intensity distribution of reverse peak patterns of the smallest light intensity regions corresponding to the phase shift sections of the phase shift mask. The phase shift mask has the first region and second region which are formed on both sides of an approximately straight boundary line and have a first phase difference and the microregions of prescribed shapes which are formed in at least the one region of the first region and the second region along the boundary line. A second phase difference is imparted between the first region formed with the microregions or the second region and the microregions.
摘要翻译：目的：提供能够控制晶核位置的结晶装置，从而大致二维地控制晶体的形成区域。结构：结晶装置设置有用于照射相移掩模（1）的照明系统（2），并且通过用多晶半导体膜（3）或非晶半导体膜（3）照射具有对应于相移掩模的相移部分的最小光强度区域的反向峰值图案的光强度分布。相移掩模具有第一区域和第二区域，该第一区域和第二区域形成在大致直的边界线的两侧上，并且具有第一相位差和形成在至少第一区域的一个区域中的规定形状的微区域，沿边界的第二区域。在由微区域或第二区域形成的第一区域和微区域之间赋予第二相位差。

6. 发明公开

KR1020040002803A 결정화 장치, 결정화 장치에 사용되는 광학부재, 결정화방법, 박막 트랜지스터의 제조 방법 및 표시 장치의매트릭스 회로 기판의 제조 방법 无效
标题翻译：结晶装置和结晶方法
公开(公告)号：KR1020040002803A
公开(公告)日：2004-01-07
申请号：KR1020030042975
申请日：2003-06-28
申请人： 가부시키가이샤 에키쇼센탄 기쥬쓰 가이하쓰센타
发明人： 다니구치유키오 , 마츠무라마사키요 , 야마구치히로타카 , 니시타니미키히코 , 츠지카와스스무 , 기무라요시노부 , 쥬몬지마사유키
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： G03B21/56 , Y10T117/10 , Y10T117/1004 , Y10T117/1008 , Y10T117/1012
摘要： PURPOSE: To provide a crystallization apparatus which is capable of making most of light fed from a lighting optical system conducive to the crystallization of a desired region and superior in light efficiency. CONSTITUTION: The crystallization apparatus producing a crystalline semiconductor film is equipped with a lighting optical system(2) which illuminates a phase-shifting mask(1), and irradiates an amorphous semiconductor film(4) with light having a light intensity distribution of an inverted peak pattern showing that it is reduced to a minimum intensity at a point corresponding to the phase-shifting part of the phase-shifting mask(1). A wavefront splitting element(3) is arranged in an optical path between the lighting optical system(2) and the phase-shifting mask(1). The wavefront splitting element(3) wavefront-splits a light flux fed from the lighting optical system(2) into a plurality of light fluxes, and enables the light fluxes that are subjected to wavefront splitting to collect on the corresponding phase-shifting parts or their vicinities.
摘要翻译：目的：提供一种结晶装置，其能够使得从照明光学系统馈送的大部分光能有助于期望区域的结晶并且具有优异的光效率。构成：制造结晶半导体膜的结晶装置配备有照射移相掩模（1）的照明光学系统（2），并且对非晶半导体膜（4）照射具有反转的光强度分布的光峰值图案表示在对应于移相掩模（1）的相移部分的点处降低到最小强度。波前分离元件（3）布置在照明光学系统（2）和移相掩模（1）之间的光路中。波前分割元件（3）将从照明光学系统（2）馈送的光束波前分割成多个光束，并且使得经受波前分割的光束能够收集在相应的相移部件上他们附近。

7. 发明授权

KR101216719B1 박막트랜지스터, 반도체장치, 표시장치, 결정화방법, 및박막트랜지스터의 제조방법 失效
标题翻译：薄膜晶体管，半导体器件，显示器，结晶方法和制造薄膜晶体管的方法
公开(公告)号：KR101216719B1
公开(公告)日：2012-12-28
申请号：KR1020060048616
申请日：2006-05-30
申请人： 가부시키가이샤 에키쇼센탄 기쥬쓰 가이하쓰센타
发明人： 가토토모야 , 마츠무라마사키요 , 나카자키요시아키
IPC分类号： H01L29/786
CPC分类号： H01L29/78621 , H01L29/04 , H01L29/66757 , H01L29/66765 , H01L29/78675 , H01L29/78678
摘要： 본발명의목적은고이동도및 이동도나문턱전압특성에불균일이적은박막트랜지스터를제공하는것이다. 50nm 이하의두께를가지며절연기판(1)상에위치하는비단결반도체박막(3)을역피크패턴광강도분포의레이저광으로조사하여횡방향의단일방향으로결정을성장시킨다. 따라서, 결정성장방향에서폭방향보다길이가긴 밴드형상결정립(4)이폭방향으로서로인접하여배치되어결정립어레이(5)를이룬다. 이러한결정립어레이(5)의다수의결정립(4)을포함하는영역에결정성장방향으로전류가흐를수 있도록 TFT의소스영역(S)과드레인영역(D)을형성한다.

8. 发明授权

KR100967240B1 결정화 장치, 결정화 방법, 디바이스 및 위상변조소자 失效
标题翻译：结晶装置，结晶方法，装置和相位调制元件
公开(公告)号：KR100967240B1
公开(公告)日：2010-06-30
申请号：KR1020040077288
申请日：2004-09-24
申请人： 가부시키가이샤 에키쇼센탄 기쥬쓰 가이하쓰센타
发明人： 타니구치유키오 , 마츠무라마사키요 , 아기타노리타카
IPC分类号： H01L21/324
CPC分类号： H01L21/0268 , B23K26/073 , C30B13/24 , G02B27/0927 , G02B27/0961 , H01L21/02595 , H01L21/2026 , Y10S117/90 , Y10T117/10 , Y10T117/1004 , Y10T117/1008
摘要： 본 발명의 광변조 광학계는, 입사광에 의거하여 광 강도 기울기분포를 형성하는 패턴을 가지는 제1소자(1)와, 입사광에 의거하여 역피크형상의 광 강도 최소분포를 형성하는 패턴을 가지는 제2소자(2)와, 상기 광변조 광학계와 다결정 반도체막 또는 비정질 반도체막을 가지는 기판(5)과의 사이에 설치된 결상광학계(4)를 구비하고, 다결정 반도체막 또는 비정질 반도체막에 상기 결상광학계(4)를 통하여 광 강도 기울기분포와 광 강도 최소분포가 형성된 입사광을 조사하여 결정화 반도체막을 생성한다. 제1소자의 패턴면과 제2소자의 패턴면이 대향하고 있다.

9. 发明授权

KR100608102B1 결정화 장치 및 결정화 방법 失效
标题翻译：结晶装置和结晶方法
公开(公告)号：KR100608102B1
公开(公告)日：2006-08-02
申请号：KR1020047017072
申请日：2003-03-19
申请人： 가부시키가이샤 에키쇼센탄 기쥬쓰 가이하쓰센타
发明人： 타니구치유키오 , 마츠무라마사키요 , 야마구치히로타카 , 니시타니미키히코 , 츠지가와스스무 , 기무라요시노부 , 쥬몬지마사유키
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/324
CPC分类号： H01L21/02678 , B23K26/066 , H01L21/2026 , H01L21/268 , H01L29/66757 , H01L29/78675 , Y10S117/90 , Y10S117/904 , Y10S117/905 , Y10T117/10 , Y10T117/1004 , Y10T117/1008
摘要： 본 발명의 결정화 장치는 위상 시프트 마스크(1)를 조명하는 조명계(2)와, 위상 시프트 마스크와 반도체막(4)과의 사이의 광 경로 중에 배치된 결상광학계(3)를 구비한다. 위상 시프트부에 대응하는 부분에서 광 강도가 가장 작은 역피크 패턴의 광 강도분포를 가지는 광을 반도체막에 조사하여 결정화 반도체막을 생성한다. 조명계는, 소정의 파장범위에 걸치는 광을 공급하는 광원을 가진다. 결상광학계는, 위상 시프트 마스크와 반도체막을 광학적으로 공역으로 배치하며, 중간부에강도의 기복이 없는 역피크 패턴 광 강도분포를 반도체막 상에 형성하기 위해서 소정의 파장범위에 대응하는 수차를 가진다.

10. 发明公开

KR1020060050852A 광조사장치, 결정화장치, 결정화방법, 반도체 디바이스, 및광변조소자 无效
标题翻译：光照射装置，结晶装置，结晶方法，半导体器件和光调制元件
公开(公告)号：KR1020060050852A
公开(公告)日：2006-05-19
申请号：KR1020050080508
申请日：2005-08-31
申请人： 가부시키가이샤 에키쇼센탄 기쥬쓰 가이하쓰센타
发明人： 마츠무라마사키요 , 타니구치유키오
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： H01L21/02678 , B23K26/064 , B23K26/0648 , B23K26/0665 , B23K26/123 , G03F1/34 , H01L21/2026 , H01L27/1285 , H01L27/1296 , Y10T117/1004
摘要： A light irradiation apparatus includes a light modulation element which has a phase modulation area having at least one basic pattern for modulating a light beam, an illumination system which illuminates the phase modulation area of the light modulation element with a light beam, and an image formation optical system which causes a light beam on an irradiation target surface a light intensity distribution having an inverse-peak-shaped pattern formed based on the light beam phase-modulated by the phase modulation element to fall on an irradiation target object. Dimensions of the basic pattern are not greater than a point spread function range of the image formation optical system converted in terms of the light modulation element. The phase modulation area is configured in such a manner that a phase distribution in a light complex amplitude distribution on the irradiation target surface becomes a saw-tooth-like distribution along a line segment in a lateral direction.

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