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1. 发明专利

KR102231519B1 KR102231519B1 - Semiconductor Integrated Circuit Device Including Function for Detecting Degradation of Semiconductor Device And Method of Driving The Same 有权
公开(公告)号：KR102231519B1
公开(公告)日：2021-03-24
申请号：KR1020150015408A
申请日：2015-01-30
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 황정태
IPC分类号： G01R31/26 , G01R31/28 , G01R31/30
CPC分类号： G01R31/2619 , H03K19/0005 , G01R31/2628 , G01R31/2644 , G01R31/275 , G01R31/2817 , G01R31/30 , H03K17/102 , H03K17/145 , H03K17/18 , H03K17/6872 , H03K19/018521 , H03K3/356104 , G01R31/2642
摘要： 반도체 소자의 열화도 검출 기능을 갖는 반도체 집적 회로 장치 및 그 구동방법에 관한 기술로서, 반도체 집적 회로 장치는, PMOS 트랜지스터, 상기 PMOS 트랜지스터와 인버터를 구성하도록 연결된 NMOS 트랜지스터, 상기 PMOS 트랜지스터와 연결되어 상기 PMOS 트랜지스터에 스트레스를 인가하도록 구성되는 제 1 스트레스 인가부, 및 상기 NMOS 트랜지스터와 연결되어 상기 NMOS 트랜지스터에 스트레스를 인가하도록 구성되는 제 2 스트레스 인가부를 포함한다.

3. 发明专利

JP2018014507A エレクトロマイグレーションに対処するためのレイアウト構造审中-公开
公开(公告)号：JP2018014507A
公开(公告)日：2018-01-25
申请号：JP2017160205
申请日：2017-08-23
申请人：クゥアルコム・インコーポレイテッド , QUALCOMM INCORPORATED
发明人：セッド・ハディ・ラソウリ , アニメシュ・ダッタ , オーサン・クウォン
IPC分类号： H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L21/8238 , H01L27/092 , H01L21/82
CPC分类号： H01L27/0921 , H01L21/823871 , H01L23/4824 , H01L23/522 , H01L23/535 , H01L27/0207 , H01L27/092 , H01L2924/0002 , H03K17/168 , H03K17/6872 , H01L2924/00
摘要：【課題】CMOSデバイスにおけるエレクトロマイグレーションに対処するためのレイアウト構造を提供する。【解決手段】相互接続レベル上の第1の相互接続部402は、CMOSデバイスのPMOSドレインの第1のサブセットを互いに接続する。相互接続レベル上の第2の相互接続部404は、PMOSドレインの第2のサブセットを互いに接続する。第1の相互接続部および第2の相互接続部は、相互接続レベル上で分離される。相互接続レベル上の第3の相互接続部406は、CMOSデバイスのNMOSドレインの第1のサブセットを互いに接続する。相互接続レベル上の第4の相互接続部408は、NMOSドレインの第2のサブセットを互いに接続する。第3の相互接続部および第4の相互接続部は、相互接続レベル上で分離される。第1、第2、第3および第4の相互接続部は、少なくとも1つの他の相互接続レベルを通じて互いに結合される。【選択図】図4

5. 发明专利

JP2017225241A 電気自動車审中-公开
公开(公告)号：JP2017225241A
公开(公告)日：2017-12-21
申请号：JP2016118910
申请日：2016-06-15
申请人：トヨタ自動車株式会社
发明人：寺尾康宏 , 坂田浩一
IPC分类号： B60R16/02 , H02J7/00 , H02H7/16 , B60L3/04
CPC分类号： B60L3/0007 , B60L3/0046 , H03K17/223 , H03K17/6872 , B60K6/445 , Y10S903/903
摘要：【課題】衝突したときに、平滑コンデンサの放電処理をより確実に実行する電気自動車を提供する。【解決手段】電気自動車は、車輪を駆動するモータと、モータに電力を供給する電力供給回路に設けられた平滑コンデンサと、自動車が衝突したときに電力供給回路を制御して平滑コンデンサを放電させる放電処理を実行するプロセッサ62と、プロセッサを含む複数の電気的負荷58のそれぞれにヒューズ104を介して電気的に接続された電源34と、電源とプロセッサとの間に電気的に接続されており、プロセッサから出力されるリレー駆動信号に応じて駆動されて、電源とプロセッサとの間を電気的に接続するリレー回路80と、プロセッサがリレー駆動信号の出力を停止したときにリレー回路を一時的に駆動し続ける保持回路92を備える。【選択図】図3

6. 发明专利

JP2017529752A 無線周波数スイッチを制御するための装置及び方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017529752A
公开(公告)日：2017-10-05
申请号：JP2017506368
申请日：2015-08-07
申请人：スカイワークスソリューションズ,インコーポレイテッドSkyworks Solutions,Inc. , スカイワークスソリューションズ,インコーポレイテッドSkyworks Solutions,Inc.
发明人：ジョナサンクリスチャンクランダル、 , ジョナサンクリスチャンクランダル、 , ケネスノーマンウォーレン、 , ケネスノーマンウォーレン、 , フィリップエイチ．トンプソン、 , フィリップエイチ．トンプソン、
IPC分类号： H03K17/687 , H03K17/16 , H04B1/38
CPC分类号： H03K3/356104 , H01L23/66 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/49171 , H01L2924/15184 , H02M3/07 , H03F3/189 , H03F3/24 , H03F2200/451 , H03K17/04 , H03K17/04123 , H03K17/6872 , H03K17/693 , H04B7/24 , H01L2924/00014
摘要：無線周波数(RF)スイッチを制御するための装置及び方法が開示される。本明細書では、RFスイッチを制御するための装置及び方法が提供される。特定の構成において、RFシステムは、チャージポンプ電圧を生成するためのチャージポンプ、RFスイッチ、RFスイッチをオン又はオフするためのレベルシフタ、レベルシフタを制御するためのレベルシフタ制御回路を含む。チャージポンプは、チャージポンプを有効又は無効にするために使用されるモード信号を受信する。また、レベルシフタは、部分的にチャージポンプ電圧から電力を受け取り、スイッチイネーブル信号に基づいてRFスイッチを制御する。レベルシフタ制御回路はモード信号を受信し、モード信号の状態に基づいて変化するバイアス電圧でレベルシフタをバイアスする。

7. 发明专利

JP2017168525A 半導体集積回路有权
公开(公告)号：JP2017168525A
公开(公告)日：2017-09-21
申请号：JP2016050093
申请日：2016-03-14
申请人：株式会社東芝
发明人：福田翔平
IPC分类号： H01L27/04 , H03K19/0175 , H03K19/0948 , H01L21/822
CPC分类号： H03K17/6872 , H03K17/0822 , H03K19/0185 , H03K2217/0018
摘要：【課題】ホットスワップに対応しつつ、トランジスタの各端子に印加される電圧が耐圧を超えないようにする。【解決手段】出力回路は、第1電源ノードと第2電源ノードとの間に出力回路内の複数の素子の耐圧よりも高い所定の電源電圧が印加されている状態では、第1電源ノードの電圧をハイレベル、第2電源ノードの電圧をロウレベルとするデジタル信号を出力する外部接続端子を有する。制御回路は、第1電源ノード、第2電源ノードおよび外部接続端子PADの電圧レベルによらず、出力回路および制御回路内の全素子の各端子間に耐圧以上の電圧が印加されないように、全素子の各端子間の電圧を制御するとともに、第1電源ノードがハイインピーダンスの状態では、外部接続端子の電圧レベルによらず、外部接続端子から出力回路への電流を遮断する。【選択図】図1

8. 发明专利

JP2016046693A 半導体装置、電力制御装置および電子システム有权
标题翻译：半导体器件，功率控制器件和电子系统
公开(公告)号：JP2016046693A
公开(公告)日：2016-04-04
申请号：JP2014170091
申请日：2014-08-25
申请人：ルネサスエレクトロニクス株式会社
发明人：神田良 , 戸田鉄 , 中村純一 , 梅津和之 , 栗原智敦 , 永津貴大 , 中原寧 , 嘉屋旨哲
IPC分类号： H03K17/56 , H03K19/094 , H01L21/8234 , H01L27/088 , H03K19/0175
CPC分类号： H03K17/6872 , H02P27/06 , H03K17/567 , H03K19/018521 , H03K5/24
摘要：【課題】ドライバIC等の半導体装置を含んだ電力制御装置および電子システムの低コスト化等を実現する。【解決手段】ドライバIC(DVIC1)は、ハイサイドドライバDVhと、レベルシフト回路LSCと、第1および第2トランジスタと、コンパレータ回路CMPと、を有する。第1トランジスタMNbは、ターミネーション領域(TRMBK)に形成される。第2トランジスタMNsは、ターミネーション領域に形成され、第1電源電圧VCCで駆動される。コンパレータ回路CMPは、第1領域に形成され、センス電圧Vsenの電圧が第1電源電圧よりも低い場合に、第1トランジスタをオンに駆動し、センスノードの電圧が第1電源電圧よりも高い場合に、第1トランジスタをオフに駆動する。第2トランジスタは、ディプレッション型のトランジスタである。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：为了实现包括诸如驱动器IC的半导体器件的电力控制装置和电子系统的成本的降低。驱动器IC（DVIC1）具有高侧驱动器DVh，电平偏移电路LSC，第一和第二晶体管，以及比较器电路CMP。第一晶体管MNb形成在终端区域（TRMBK）中。第二晶体管MNs形成在终端区域中并由第一电源电压VCC驱动。比较器电路CMP形成在第一区域中，并且在感测电压Vsen低于第一电源电压的情况下，将第一晶体管驱动为导通状态，并且在感测节点处的电压为高于第一电源电压，将第一晶体管驱动至截止状态。第二晶体管是耗尽型晶体管。图1：

9. 发明专利

JP2014241671A 電子回路有权
标题翻译：电子电路
公开(公告)号：JP2014241671A
公开(公告)日：2014-12-25
申请号：JP2013122794
申请日：2013-06-11
申请人：ローム株式会社 , Rohm Co Ltd
发明人： HAYASHIGUCHI TADASHI , INO KAZUHIDE
IPC分类号： H02M1/08 , H02M1/00 , H03K17/08 , H03K17/687
CPC分类号： H03K17/6872 , H02M1/08 , H02M2001/0029 , H03K17/08 , H03K17/08122 , H03K17/122
摘要：【課題】短絡発生時にスイッチングデバイスが破損するのを防止できる電子回路を提供する。【解決手段】ゲート制御信号CG1がLレベルからHレベルに反転すると、第1の切替回路32は、第1入力端子aを選択して、出力端子dを第1入力端子aに接続する。これにより、MOSFET21がターンオンする。第1の切替回路32の出力端子dが第1入力端子aに接続されてから、所定時間Tsが経過すると、第2の切替回路34は、第1入力端子eを選択して、出力端子gを第1入力端子eに接続する。また、この直後に、第1の切替回路32は、第2入力端子bを選択して、出力端子dを第2入力端子bに接続する。これにより、MOSFET21がターンオンした直後に、抵抗値の小さな第1のゲート抵抗33から、抵抗値の大きな第2のゲート抵抗35に、ゲート抵抗が切替られる。【選択図】図3
摘要翻译：要解决的问题：提供一种防止开关装置在短路的情况下被损坏的电子电路。解决方案：当门控制信号CG1从L电平反相到H电平时，第一转换电路32选择第一输入端子a，并将输出端子d连接到第一输入端子a。这将导通MOSFET21。当在第一转换电路32的输出端子d连接到第一输入端子a之后经过预定时间Ts时，第二转换电路34选择第一输入端子e并将输出端子g连接到第一输入端子e。紧接着，第一切换电路32选择第二输入端子b，并将输出端子d连接到第二输入端子b。这样，在MOSFET21导通之后，将具有较小电阻值的第一栅极电阻器33的栅极电阻切换到具有较大电阻值的第二栅极电阻器35。

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