基本信息:
- 专利标题： エレクトロマイグレーションに対処するためのレイアウト構造
- 专利标题（英）：JP6258499B2 - Layout structure for dealing with electromigration
- 申请号：JP2016536438 申请日：2014-08-21
- 公开(公告)号：JP6258499B2 公开(公告)日：2018-01-10
- 发明人： ラソウリ、セッド・ハディ , ブルーノッリ、マイケル・ジョセフ , フ−リージュ、クリスティン・サン−アン , マラブライ、ミカエル , ハリシュ、スチェタ・クマー , バラサブラマニアン、プラティバ , メディセッティ、カメシュ , ボムシュテイン、ニコライ , ダッタ、アニメシュ , クウォン、オーサン
- 申请人： クゥアルコム・インコーポレイテッド , QUALCOMM INCORPORATED
- 申请人地址： アメリカ合衆国、カリフォルニア州 92121−1714、サン・ディエゴ、モアハウス・ドライブ 5775
- 专利权人： クゥアルコム・インコーポレイテッド,QUALCOMM INCORPORATED
- 当前专利权人： クゥアルコム・インコーポレイテッド,QUALCOMM INCORPORATED
- 当前专利权人地址： アメリカ合衆国、カリフォルニア州 92121−1714、サン・ディエゴ、モアハウス・ドライブ 5775
- 代理人： 蔵田 昌俊; 福原 淑弘; 井関 守三; 奥村 元宏
- 优先权： US13/975,185 2013-08-23
- 国际申请： US2014052015 JP 2014-08-21
- 国际公布： WO2015027022 JP 2015-02-26
- 主分类号： H01L21/8238
- IPC分类号： H01L21/8238 ; H01L27/092 ; H01L21/82
公开/授权文献:
- JP2016531446A エレクトロマイグレーションに対処するためのレイアウト構造 公开/授权日：2016-10-06
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/67 | .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置 |
| ----------H01L21/71 | ..限定在组H01L21/70中的器件的特殊部件的制造 |
| ------------H01L21/78 | ...把衬底连续地分成多个独立的器件 |
| --------------H01L21/782 | ....制造多个器件，每一个由单个电路元件组成 |
| ----------------H01L21/822 | .....衬底是采用硅工艺的半导体的 |
| ------------------H01L21/8222 | ......双极工艺 |
| --------------------H01L21/8234 | .......MIS工艺 |
| ----------------------H01L21/8238 | ........互补场效应晶体管，例如CMOS |