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1. 发明专利

JP2018096970A パワーモジュールのジャンクション温度測定方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018096970A
公开(公告)日：2018-06-21
申请号：JP2017140006
申请日：2017-07-19
申请人：現代自動車株式会社 , HYUNDAI MOTOR COMPANY , 起亞自動車株式会社 , KIA MOTORS CORPORATION
发明人：李制桓 , 張漢根 , 李成民 , 申相哲 , 郭憲領
IPC分类号： G01K1/16 , G01K1/14
CPC分类号： G01K7/01 , G01K2217/00 , G01R31/2619 , G01R31/2642 , H03K17/0828 , H03K2017/0806 , H03K2217/0027
摘要：【課題】ジャンクション温度上昇区間の温度変化を正確に適用して温度測定の精度を向上させ、パワーモジュールの耐久寿命を精度よく予測することができ、パワーモジュールの出力パワー量を増大させることができる、パワーモジュールのジャンクション温度測定方法を提供する。【解決手段】第1電力半導体素子のパワー損失及び熱抵抗に基づいて第1電力半導体素子の温度変化予測値を算出する段階と、第2電力半導体素子の温度変化予測値を算出する段階と、第1電力半導体素子の温度変化予測値に第1時定数を適用し、第2電力半導体素子の温度変化予測値には第1時定数よりも大きい値を有する第2時定数を適用する段階と、第1時定数が適用された第1電力半導体素子の温度変化予測値と第2時定数が適用された第2電力半導体素子の温度変化予測値とを組み合わせて第1電力半導体素子の最終ジャンクション温度を導出する段階とを含んでなる。【選択図】図1

2. 发明专利

JPWO2015080250A1 有機ＥＬ素子の寿命推定方法、寿命推定装置及び製造方法、並びに発光装置有权
公开(公告)号：JPWO2015080250A1
公开(公告)日：2017-03-16
申请号：JP2015542497
申请日：2014-11-28
申请人：次世代化学材料評価技術研究組合
发明人：筒井　哲夫 , 哲夫筒井 , 杉本　和則 , 和則杉本 , 吉岡　俊博 , 俊博吉岡 , 宮口　敏 , 敏宮口
IPC分类号： H05B33/10 , H01L51/50
CPC分类号： G01R31/2642 , G01K7/00 , G01R31/2635 , G09G3/006 , G09G3/3208 , G09G2320/041 , G09G2320/048 , H01L51/0031 , H01L51/52 , H01L51/56
摘要：本発明は、一対の電極と、該一対の電極間に配置された有機層と、を備える有機EL素子の寿命推定方法であって、有機EL素子への印加電流密度及び/又は有機EL素子の雰囲気温度を変化させた際の、有機EL素子の素子特性の経時変化データを取得するデータ取得ステップと、経時変化データのフィッティング関数を求め、該フィッティング関数から印加電流密度及び/又は雰囲気温度における素子特性の経時変化を特徴づける経時変化パラメータを抽出するパラメータ抽出ステップと、印加電流密度及び/又は雰囲気温度における有機層の発光時の温度上昇値を用いて経時変化パラメータの温度依存性を算出し、有機EL素子の寿命推定式を設定する推定式設定ステップと、寿命推定式を用いて有機EL素子の寿命を推定する寿命推定ステップと、を備える、有機EL素子の寿命推定方法を提供する。

3. 发明专利

JP6082950B2 薄膜トランジスタの評価方法、製造方法、及び、薄膜トランジスタ有权
标题翻译：的薄膜晶体管的制造方法的方法评价，和薄膜晶体管
公开(公告)号：JP6082950B2
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：JP2015535295
申请日：2014-06-25
申请人：株式会社JOLED
发明人：武田英治 , 齋藤徹
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/786 , H01L21/66
CPC分类号： H01L29/78693 , G01R31/2621 , G01R31/2642 , G01R31/2656 , H01L21/477 , H01L22/14 , H01L29/247 , H01L29/66969 , H01L29/78606 , H01L29/78696 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631

4. 发明专利

JP6052536B2 光誘起キャリヤライフタイム測定装置及び光誘起キャリヤライフタイム測定方法有权
标题翻译：光诱导的载流子寿命测量设备和光诱导的载流子寿命的测定方法
公开(公告)号：JP6052536B2
公开(公告)日：2016-12-27
申请号：JP2012253129
申请日：2012-11-19
申请人：国立大学法人東京農工大学
发明人：鮫島俊之
IPC分类号： H01L21/66
CPC分类号： G01N22/00 , G01N21/63 , G01N27/00 , G01N33/00 , G01R31/2642 , H01L22/12 , G01N2033/0095 , G01R31/2656

5. 发明专利

JP5809439B2 トランジスタの測定方法有权
标题翻译：测量晶体管的方法
公开(公告)号：JP5809439B2
公开(公告)日：2015-11-10
申请号：JP2011099547
申请日：2011-04-27
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所
发明人：辻隆博
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336
CPC分类号： G01R31/2642 , G01R31/2874 , G01R31/2886 , G01R31/2891

6. 发明专利

JP5731448B2 パワーサイクル試験装置有权
公开(公告)号：JP5731448B2
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：JP2012159274
申请日：2012-07-18
申请人：エスペック株式会社
发明人：須山勝政
IPC分类号： G01R31/26
CPC分类号： G01R31/2619 , G01R31/2642

8. 发明专利

JP2013145868A Photoinduction carrier lifetime measurement device, and photoinduction carrier lifetime measurement method 有权
标题翻译：光电载体寿命测量装置和光电载体寿命测量方法
公开(公告)号：JP2013145868A
公开(公告)日：2013-07-25
申请号：JP2012253129
申请日：2012-11-19
申请人： Tokyo Univ Of Agriculture & Technology , 国立大学法人東京農工大学
发明人： SAMEJIMA TOSHIYUKI
IPC分类号： H01L21/66
CPC分类号： G01N22/00 , G01N21/63 , G01N27/00 , G01N33/00 , G01N2033/0095 , G01R31/2642 , G01R31/2656 , H01L22/12
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a photoinduction carrier lifetime measurement device capable of measuring a bulk carrier lifetime and a surface recombination speed of a semiconductor base substance with accuracy, and to provide a photoinduction carrier lifetime measurement method.SOLUTION: A photoinduction carrier lifetime measurement device includes: light sources 20 and 22 emitting light with different wavelengths for generating photoinduction carriers to a semiconductor base substance S; a microwave generator 10 generating a microwave to be radiated on the semiconductor base substance S; a detector 30 detecting intensity of the microwave that transmitted thorough the semiconductor base substance; and a calculation part 50 calculating an effective carrier lifetime for each wavelength of light on the basis of the microwave intensity detected when at least two kinds of light are emitted, and calculating a bulk carrier lifetime and a surface recombination rate of the semiconductor base substance S on the basis of the calculated effective carrier lifetime for each wavelength.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够精确地测量半导体基体的体积载流子寿命和表面复合速度的光诱导载流子寿命测量装置，并提供光诱导载流子寿命测量方法。解决方案：光感应载流子寿命测量装置包括：光源20和22，发射具有不同波长的光，以产生对半导体基体S的光感应载流子; 微波发生器10，产生要辐射在半导体基体S上的微波; 检测器30，检测透过半导体基体的微波的强度; 以及计算部50，基于当发出至少两种光时检测到的微波强度来计算每个波长的光的有效载流子寿命，并计算半导体基体S的体积载流子寿命和表面复合速率在每个波长的计算有效载流子寿命的基础上。

9. 发明专利

JP2013504037A In advance of production monitoring and diagnostic tool 审中-公开
公开(公告)号：JP2013504037A
公开(公告)日：2013-02-04
申请号：JP2012527082
申请日：2010-08-31
申请人：ノコミス,インコーポレイテッド , ウィリアムパウリ,ジェラルド , ジェイ. ケラー,サード,ウォルター
发明人：ウィリアムパウリ，ジェラルド , ジェイ．ケラー，サード，ウォルター
IPC分类号： G01R29/08
CPC分类号： G01S7/41 , G01R29/0871 , G01R31/01 , G01R31/26 , G01R31/2642 , G01R31/265 , G01R31/2851 , G01R31/2894 , G01R31/302 , G01R31/31703
摘要：本発明は、電動システムの意図されていない電磁気の放出を利用するモニタリング及び分析装置と、モニタリング及び分析のための方法とに関するものである。本発明は、電気を利用するいかなる構成要素又はシステムによって発される電磁場を詳細に測定することによって電気装置をモニタする。測定は、将来の測定のために基線スコアを記録し、分析されたシステム又は構成要素の状態を決定するように詳細な分析において使われるために分析される。

10. 发明专利

JP2011145202A Method of storing test result, method of displaying test result, and test result display device 有权
标题翻译：存储测试结果的方法，显示测试结果的方法和测试结果显示设备
公开(公告)号：JP2011145202A
公开(公告)日：2011-07-28
申请号：JP2010006957
申请日：2010-01-15
申请人： Oki Semiconductor Co Ltd , Okiセミコンダクタ株式会社
发明人： KATO KAZUSUKE
IPC分类号： G01R31/26 , H01L21/66
CPC分类号： G01R31/2642
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a method of storing a test result, a method of displaying a test result, and a test result display device, capable of facilitating verifying whether reliability of a designed semiconductor integrated circuit with time can be guaranteed.
SOLUTION: Test result information is read from an HDD 50 for storing, in advance, the test result information indicating the amount of decreases in reliability of a transistor according to the value of physical quantity with time obtained by performing a reliability test on a decrease in reliability of the transistor with time when changing the level of a predetermined physical quantity relating to the transistor for constituting a semiconductor integrated circuit. The amount of decreases shown by the read test result information is divided into a plurality of continuous regions with an amount within a preset range between the minimum amount of decreases to the maximum amount of decreases, and the divided amount of decreases that has been divided is associated with a region where the value of the first physical quantity is divided and a region where the level of the second physical quantity is divided and is displayed on a monitor 52 as a table indicating a different state for each divided amount of decrease.
COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：为了获得能够保证设计的半导体集成电路随时间的可靠性得到保证的方法，可以获得存储测试结果的方法，显示测试结果的方法和测试结果显示装置。解决方案：从HDD50读取测试结果信息，用于预先存储指示晶体管的可靠性降低量的测试结果信息，该测试结果信息根据通过对当改变与用于构成半导体集成电路的晶体管相关的预定物理量的电平时，晶体管的可靠性降低。读取的测试结果信息所示的减少量被划分为多个连续区域，其数量在最小减少量与最大减少量之间的预设范围内，并且被划分的下降量的分割量为与划分第一物理量的值的区域和将第二物理量的水平分割并显示在监视器52上的区域相关联，作为表示每个分割的减少量的不同状态的表。版权所有（C）2011，JPO＆INPIT

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