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1. 发明专利

JP6319276B2 スイッチング回路有权
公开(公告)号：JP6319276B2
公开(公告)日：2018-05-09
申请号：JP2015227860
申请日：2015-11-20
申请人：トヨタ自動車株式会社
发明人：羅炯竣 , 利行健 , 安保正治
IPC分类号： H02M1/08
CPC分类号： H03K17/06 , H01L23/528 , H01L27/0635 , H01L27/0825 , H01L28/20 , H01L29/73 , H01L29/7393 , H01L29/861 , H03K17/127 , H03K17/567 , H03K2217/94042

2. 发明专利

JP6171451B2 回路装置及び電子機器有权
公开(公告)号：JP6171451B2
公开(公告)日：2017-08-02
申请号：JP2013061552
申请日：2013-03-25
申请人：セイコーエプソン株式会社
发明人：井上勝己
IPC分类号： H02P7/29 , H02M1/08
CPC分类号： H02P6/085 , H02M7/5387 , H02P7/285 , H03K17/06 , H03K17/165 , H02M2003/1555 , H03K2217/0045

3. 发明专利

JPWO2015045531A1 絶縁ゲート型半導体装置有权
公开(公告)号：JPWO2015045531A1
公开(公告)日：2017-03-09
申请号：JP2015538961
申请日：2014-06-25
申请人：富士電機株式会社
发明人：聖自百田 , 聖自百田
IPC分类号： H02M1/08 , H02M7/48 , H02M7/5387
CPC分类号： H02M1/088 , H02M1/08 , H02M7/5387 , H02M7/53871 , H03K17/06 , H03K17/0828 , H03K2017/0806
摘要：仕様に応じて定められた第1のゲート電圧を制御端子に受けてオン動作し、入力電圧をスイッチングして負荷に出力する絶縁ゲート型半導体素子と、この絶縁ゲート型半導体素子のスイッチング動作に伴って前記負荷に出力される出力電流を検出する出力電流検出手段と、前記絶縁ゲート型半導体素子のオン電圧を検出する電圧検出手段と、前記出力電流が定格出力電流を超え、且つ前記オン電圧が予め定められた第1の閾値電圧よりも低いとき、前記絶縁ゲート型半導体素子の制御端子に加えるゲート電圧を前記第1のゲート電圧よりも高く設定して該絶縁ゲート型半導体素子の発熱量を抑制する発熱量抑制手段とを備える。

4. 发明专利

JP5585732B2 Gate drive unit 有权
公开(公告)号：JP5585732B2
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：JP2013522478
申请日：2012-07-05
申请人：富士電機株式会社
发明人：考徳小濱 , 和孝増澤
IPC分类号： H03K17/16 , H02M1/00 , H02M1/08 , H03K17/56
CPC分类号： H03K17/0812 , H02M3/155 , H03K17/06 , H03K17/567 , H03K2217/0081

5. 发明专利

JP5421518B2 Electronic commutator circuit 有权
公开(公告)号：JP5421518B2
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：JP2006338873
申请日：2006-12-15
申请人：ジーイーエナジーパワーコンバージョンユーケイリミテッドGe Energy Power Conversion Uk Limited
发明人：デイヴィッドクレイン，アラン
IPC分类号： H02K13/00
CPC分类号： H02P8/00 , H02P25/024 , H03K17/06 , H03K2217/0036

6. 发明专利

JP2009284420A Semiconductor integrated circuit device 有权
标题翻译：半导体集成电路设备
公开(公告)号：JP2009284420A
公开(公告)日：2009-12-03
申请号：JP2008136868
申请日：2008-05-26
申请人： Fuji Electric Device Technology Co Ltd , 富士電機デバイステクノロジー株式会社
发明人： TOYODA YOSHIAKI , ISHII KENICHI , IWAMIZU MORIO
IPC分类号： H03K17/56 , H01L21/822 , H01L21/8234 , H01L27/04 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L29/739 , H01L29/78 , H03K17/695
CPC分类号： H03K17/0828 , H03K17/06 , H03K2017/066
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To transfer the state of a power semiconductor element into an off-state by causing a semiconductor element used for pulldown to surely operate in the semiconductor integrated circuit device including the power semiconductor element. SOLUTION: A buffer circuit 29 is provided between a gate terminal of a transistor 26 used for pulldown and a threshold circuit 25 to which a gate signal is input. A voltage applied from an external battery power source 23 to an output terminal of the power semiconductor element 24 is fed to the buffer circuit 29 via a resistor element 28. A level of an on-signal output from the threshold circuit 25 is converted by the buffer circuit 29 into a higher voltage than a threshold of the transistor 26 used for pulldown and thereby even if a level of the gate signal is low, the transistor 26 used for pulldown certainly operates to turn off the power semiconductor element 24. COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：通过使用于下拉的半导体元件可靠地在包括功率半导体元件的半导体集成电路器件中工作来将功率半导体元件的状态转移到断开状态。解决方案：缓冲电路29设置在用于下拉的晶体管26的栅极端子和输入栅极信号的阈值电路25之间。从外部电池电源23施加到电力半导体元件24的输出端子的电压经由电阻元件28被馈送到缓冲电路29.来自阈值电路25的导通信号输出电平由缓冲电路29的电压高于用于下拉的晶体管26的阈值，因此即使栅极信号的电平低，用于下拉的晶体管26肯定操作以关闭功率半导体元件24。版权所有（C）2010，JPO＆INPIT

7. 发明专利

JPS59183527A Base driving circuit of transistor 失效
标题翻译：基极驱动电路
公开(公告)号：JPS59183527A
公开(公告)日：1984-10-18
申请号：JP5794283
申请日：1983-04-04
申请人： Fuji Electric Co Ltd
发明人： NOMURA TOSHIHIRO , KAGOYA TAKAMI
IPC分类号： H03K17/04 , H02M3/155 , H03K17/06 , H03K17/60
CPC分类号： H03K17/06
摘要： PURPOSE:To suppress power consumption low by minimizing an on-voltage drop of a collector catch diode of a main transistor (TR) of a base driving circuit of base current saving type to the extent that the power consumption is not increased. CONSTITUTION:The base driving circuit 9 of a Darlington TR8 functioning as the main TR is formed by an input signal amplifier 0, auxiliary TRs 3, 4, DC power supplies 10, 11 and the collector catch diode 5. The collector catch diode 5 is connected to a collector of the main TR8 and the type and the number are selected so as to minimize the on-voltage drop in the range where the power consumption of the TR8 is not increased. Thus, the loss of the main circuit is suppressed low.
摘要翻译：目的：通过将基极节电型的基极驱动电路的主晶体管（TR）的集电极捕获二极管的导通电压降低至功率消耗不增加的程度来抑制功率消耗。构成：作为主TR的达林顿TR8的基极驱动电路9由输入信号放大器0，辅助TR 3,4，直流电源10,11和集电极捕捉二极管5构成。集电极捕捉二极管5为连接到主TR8的集电极，并选择类型和数量，以便在TR8的功耗不增加的范围内最小化导通电压降。因此，主电路的损耗被抑制得较低。

8. 发明专利

JP6070853B2 絶縁ゲート型半導体装置有权
标题翻译：一种绝缘栅半导体器件
公开(公告)号：JP6070853B2
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：JP2015538961
申请日：2014-06-25
申请人：富士電機株式会社
发明人：百田聖自
IPC分类号： H02M7/48 , H02M1/08
CPC分类号： H02M1/088 , H02M1/08 , H02M7/53871 , H03K17/06 , H03K17/0828 , H02M7/5387 , H03K2017/0806

9. 发明专利

JP5885712B2 スイッチ回路有权
公开(公告)号：JP5885712B2
公开(公告)日：2016-03-15
申请号：JP2013172129
申请日：2013-08-22
申请人：株式会社東芝
发明人：荒井誠
IPC分类号： H03K17/687
CPC分类号： H03K17/164 , H03K17/06 , H03K2017/066

10. 发明专利

JP5754414B2 駆動対象スイッチング素子の駆動装置有权
公开(公告)号：JP5754414B2
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：JP2012112122
申请日：2012-05-16
申请人：株式会社デンソー
发明人：福田純一 , 前原恒男 , 三浦亮太郎 , 小松丈泰
IPC分类号： H02M7/5387 , H02M1/08
CPC分类号： H03K17/30 , H03K17/06 , H03K2017/066

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