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1. 发明专利

JP6406452B2 半導体装置及びその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP6406452B2
公开(公告)日：2018-10-17
申请号：JP2017526277
申请日：2016-06-15
申请人：富士電機株式会社
发明人：阿形泰典 , 高橋英紀 , 御田村直樹 , 島村亜希 , 尾崎大輔
IPC分类号： H01L29/868 , H01L21/329 , H01L29/78 , H01L29/739 , H01L21/336 , H01L21/322 , H01L29/861
CPC分类号： H01L29/04 , H01L21/02351 , H01L21/263 , H01L29/32 , H01L29/36 , H01L29/6609 , H01L29/66128 , H01L29/66348 , H01L29/7397 , H01L29/868

4. 发明专利

JP6319453B2 半導体装置および半導体装置の製造方法有权
公开(公告)号：JP6319453B2
公开(公告)日：2018-05-09
申请号：JP2016551621
申请日：2015-08-13
申请人：富士電機株式会社
发明人：脇本博樹 , 瀧下博 , 吉村尚 , 田村隆博 , 小野澤勇一
IPC分类号： H01L29/868 , H01L21/329 , H01L29/78 , H01L29/739 , H01L21/336 , H01L29/06 , H01L21/322 , H01L21/265 , H01L29/861
CPC分类号： H01L29/36 , H01L21/221 , H01L21/265 , H01L21/26506 , H01L21/324 , H01L27/0664 , H01L29/0619 , H01L29/0638 , H01L29/32 , H01L29/6609 , H01L29/66128 , H01L29/66348 , H01L29/7397 , H01L29/861 , H01L29/8611

5. 发明专利

JP6152861B2 ダイオードの製造方法有权
公开(公告)号：JP6152861B2
公开(公告)日：2017-06-28
申请号：JP2015023321
申请日：2015-02-09
申请人：トヨタ自動車株式会社
发明人：大西　徹 , 徹大西 , 佑一郎松浦 , 佑一郎松浦
IPC分类号： H01L29/872 , H01L21/329 , H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L29/739 , H01L29/78 , H01L29/861 , H01L29/868
CPC分类号： H01L21/8222 , H01L21/26513 , H01L21/266 , H01L21/8248 , H01L27/0716 , H01L27/0727 , H01L29/0834 , H01L29/1095 , H01L29/36 , H01L29/6609 , H01L29/66348 , H01L29/7397 , H01L29/861

6. 发明专利

JPWO2016080269A1 半導体装置および半導体装置の製造方法有权
公开(公告)号：JPWO2016080269A1
公开(公告)日：2017-04-27
申请号：JP2016560170
申请日：2015-11-11
申请人：富士電機株式会社
发明人：崇一吉田 , 崇一吉田 , 大嗣宮田 , 大嗣宮田
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/28 , H01L21/329 , H01L21/336 , H01L29/739 , H01L29/861 , H01L29/868
CPC分类号： H01L27/0664 , H01L21/28 , H01L27/04 , H01L27/0727 , H01L29/0834 , H01L29/1095 , H01L29/417 , H01L29/6609 , H01L29/66333 , H01L29/739 , H01L29/7395 , H01L29/78 , H01L29/861 , H01L29/8613 , H01L29/868
摘要： IGBT部(21)おいて、エミッタ電極(8)は、第1コンタクトホール(9a)に埋め込まれたコンタクトプラグ(14)を介してn+型エミッタ領域(6)およびp+型コンタクト領域(7)に電気的に接続される。p型ベース領域(2)、トレンチ(3)、エミッタ電極(8)および層間絶縁膜(9)は、IGBT部(21)からFWD部(22)にわたって設けられている。FWD部(22)において、エミッタ電極(8)は、第2コンタクトホール(9b)に埋め込まれp型ベース領域(2)に直接接続される。FWD部(22)のトレンチ(3)のピッチW(12)は、IGBT部(21)のトレンチ(3)のピッチ(W11)よりも広い。第2コンタクトホール(9b)の幅(W22)は、第1コンタクトホール(9a)の幅(W21)よりも広い。このようにすることで、微細化を図ったトレンチゲート型のRC−IGBTにおいて、良好なダイオード特性を実現することができる。

7. 发明专利

JP2016146433A ダイオードの製造方法有权
标题翻译：二极管制造方法
公开(公告)号：JP2016146433A
公开(公告)日：2016-08-12
申请号：JP2015023321
申请日：2015-02-09
申请人：トヨタ自動車株式会社
发明人：大西徹 , 松浦佑一郎
IPC分类号： H01L29/868 , H01L29/872 , H01L29/861 , H01L29/78 , H01L29/739 , H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L21/329
CPC分类号： H01L21/8222 , H01L21/8248 , H01L27/0716 , H01L27/0727 , H01L29/6609 , H01L29/66348 , H01L21/26513 , H01L21/266
摘要：【課題】ピラー領域を有するダイオードにおいて、ホール注入抑制効果と素子サイズとを両立することが可能な技術を提供する。【解決手段】第1範囲の半導体基板の上面12aに対して、第1深さD1にn型不純物を注入する第1注入工程と、第1範囲を一部に含む第2範囲の上面に対して、第1深さよりも浅い第2深さD2にn型不純物を注入する第2注入工程と、第2範囲の両側に位置する第3範囲の上面に対して、第1深さよりも浅い第3深さD2に、第2注入工程で注入したn型不純物よりも高濃度にp型不純物を注入する第3注入工程と、半導体基板を熱処理することによって、第3注入工程でp型不純物を注入した領域に第1p型領域を形成し、第1注入工程と第2注入工程でn型不純物を注入した領域の一部に第1n型領域35aを形成する第1熱処理工程とを有する。【選択図】図5
摘要翻译：要解决的问题：提供能够平衡具有柱状区域的二极管中的空穴注入抑制效果和元件尺寸的技术。解决方案：二极管制造方法包括：将n型杂质注入顶部的第一注入工艺在第一深度D1的第一范围内的半导体衬底的表面12a; 在第二深度D2比第一深度浅的部分包括第一范围的第二范围内向顶面注入n型杂质的第二注入处理; 在第二范围的两侧的第三范围的顶面上注入p型杂质的第三注入处理，该第三范围在比第一深度浅的第三深度D2处，并且浓度高于注入到第一深度的n型杂质的浓度第二次注射过程; 以及对所述半导体基板进行热处理的第一热处理工序，以在所述第三注入工序中注入所述p型杂质的区域中形成第一p型区域，并形成第一n型区域在第一次注射过程和第二次注射过程中注入n型杂质的区域的一部分。选择图：图5

9. 发明专利

JP2015207642A 半導体装置および半導体装置の製造方法有权
标题翻译：半导体器件和半导体器件制造方法
公开(公告)号：JP2015207642A
公开(公告)日：2015-11-19
申请号：JP2014086893
申请日：2014-04-18
申请人：ルネサスエレクトロニクス株式会社
发明人：椿茂樹
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78 , H01L27/08 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L29/66 , H01L21/329 , H01L29/866 , H01L29/786 , H01L27/06
CPC分类号： H01L27/0255 , H01L21/84 , H01L27/0629 , H01L27/1203 , H01L29/0649 , H01L29/6609 , H01L29/861
摘要：【課題】半導体装置の特性の向上を図る。【解決手段】本半導体装置は、半導体層上にゲート絶縁膜GIを介して形成されたゲート電極GEと、ゲート電極GEの両側の半導体層中に形成されたソース、ドレイン領域(s、d)と、を有するMOSFETと、ダイオードと、を有する。ダイオードは、n + 型半導体領域NPと、p型半導体領域PRと、p + 型半導体領域PPと、を有する。そして、ゲート電極GEは、n + 型半導体領域NPと接続されるように形成されたn型半導体領域NRを介してn + 型半導体領域NPと接続されている。また、p + 型半導体領域PPは、ゲート電極GEの下方の半導体層と接続されている。このように、MOSFETのバックゲートBGとゲート電極GEとの間に、ダイオードを設けることで、ゲート絶縁膜GIの破壊を防止することができる。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：提高半导体器件的特性。解决方案：半导体器件包括：MOSFET，其具有通过栅极绝缘层GI形成在半导体层上的栅电极GE，以及形成在栅极绝缘层GI中的源极和漏极区域（s，d）栅电极GE两侧的半导体层; 和二极管。二极管具有n型半导体区域NP，p型半导体区域PR和p型半导体区域PP。栅电极GE经由形成为连接到n型半导体区域NP的n型半导体区域NR连接到n型半导体区域NP。此外，p型半导体区域PP连接到栅电极GE下方的半导体层。如上所述，通过在背栅极BG和MOSFET的栅电极GE之间设置二极管，可以防止栅极绝缘膜GI的击穿。

10. 发明专利

JP2015170724A 半導体装置の製造方法有权
标题翻译：半导体器件制造方法
公开(公告)号：JP2015170724A
公开(公告)日：2015-09-28
申请号：JP2014044494
申请日：2014-03-07
申请人：住友重機械工業株式会社
发明人：鈴木剛臣 , 坂本正樹
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/265 , H01L27/04 , H01L21/336 , H01L29/739
CPC分类号： H01L29/7393 , B23K26/0006 , B23K26/0081 , B23K26/0608 , B23K26/0613 , B23K26/0622 , B23K26/0853 , B23K26/354 , B23K26/402 , H01L21/26513 , H01L21/268 , H01L21/324 , H01L21/3247 , H01L21/8249 , H01L27/0727 , H01L29/0684 , H01L29/0834 , H01L29/6609 , H01L29/66136 , H01L29/66333 , H01L29/66348 , H01L29/7397 , B23K2201/40 , B23K2203/172 , B23K2203/52 , B23K2203/56 , H01L29/1095 , H01L29/861
摘要：【課題】表面荒れの発生を抑制し、かつ深い領域のドーパントを活性化させることができるレーザアニール工程を含む半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板のIGBT区画の表層部に、第1のドーパントを注入して第1の注入領域を形成する。IGBT区画の、第1の注入領域より浅い領域に、第2のドーパントを注入して、第2の注入領域を形成する。ダイオード区画の表層部に、第3のドーパントを、第2のドーパントより高濃度に注入して、アモルファス状態の第3の注入領域を形成する。その後、IGBT区画及びダイオード区画を、第3の注入領域が部分的に溶融し、第1のドーパントが活性化する条件で、レーザアニールを行う。その後、IGBT区画及びダイオード区画を、パルス幅の短いパルスレーザビームでアニールすることにより、IGBT区画及びダイオード区画の全域において、第2の注入領域より浅い表層部を溶融させ、結晶化させる。【選択図】図4−3
摘要翻译：要解决的问题：提供一种半导体器件制造方法，其包括能够抑制表面粗糙度的发生和激活掺杂剂在深区域中的激光退火处理。解决方案：半导体器件制造方法包括以下步骤：将第一掺杂剂注入半导体衬底的IGBT区的表面层，以形成第一注入区; 将第二掺杂剂注入到比所述第一注入区域浅的区域中以形成第二注入区域; 以高于第二掺杂剂的浓度将第三掺杂剂注入到二极管区的表面层中以形成无定形的第三注入区; 随后在部分熔化第三注入区域并激活第一掺杂剂的条件下，对IGBT区和二极管区进行激光退火; 随后通过具有短脉冲宽度的脉冲激光束对IGBT区域和二极管区域进行退火，以在IGBT区域和二极管区域的整个区域上熔化和结晶比第二注入区域浅的表面层。

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