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1. 发明专利

JP2018026472A 半導体装置审中-公开
公开(公告)号：JP2018026472A
公开(公告)日：2018-02-15
申请号：JP2016157940
申请日：2016-08-10
申请人：富士電機株式会社
发明人：西村武義
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L29/78
CPC分类号： H01L27/0629 , H01L29/0611 , H01L29/0619 , H01L29/0634 , H01L29/0696 , H01L29/407 , H01L29/4236 , H01L29/7397 , H01L29/7804 , H01L29/7813 , H01L29/7815 , H01L29/8613
摘要：【課題】本体領域と電流検出領域とを分離しつつ、耐圧低下を抑制する。【解決手段】半導体基板と、半導体基板の内部に形成された1以上の動作用セルを含む本体領域と、半導体基板の内部に形成された1以上の電流検出用セルを含む電流検出領域と、本体領域と電流検出領域との間において、半導体基板の内部に形成された中間領域と、本体領域の少なくとも一部の領域の上方に形成された上面側電極と、電流検出領域の少なくとも一部の領域の上方に形成され、上面側電極と分離している電流検出用電極と、中間領域の少なくとも一部の領域の上方に形成され、上面側電極および電流検出用電極の一方に接続された追加電極とを備える半導体装置を提供する。【選択図】図2

3. 发明专利

JPWO2016148156A1 半導体装置および半導体装置の製造方法有权
公开(公告)号：JPWO2016148156A1
公开(公告)日：2017-07-13
申请号：JP2017506574
申请日：2016-03-15
申请人：富士電機株式会社
发明人：善昭豊田 , 善昭豊田 , 英明片倉 , 英明片倉
IPC分类号： H01L21/822 , H01L27/04 , H01L27/06 , H01L29/78
CPC分类号： H01L27/0255 , H01L21/8238 , H01L27/0259 , H01L27/0277 , H01L27/088 , H01L27/092 , H01L27/0922 , H01L29/06 , H01L29/4236 , H01L29/78 , H01L29/7804 , H01L29/861 , H01L29/868
摘要：回路部には、基体おもて面側のp-型ベース領域(21)を深さ方向に貫通し、MOSFET(20)の周囲を囲むp+型拡散領域(24)が設けられる。回路部と同一基板上の保護素子部には、基体おもて面側のp-型拡散領域(31)の内部に、p++型コンタクト領域(32)、n+型拡散領域(33)およびp+型拡散領域(34)が選択的に設けられる。p+型拡散領域(34)は、p-型拡散領域(31)の外周でp-型拡散領域(31)を深さ方向に貫通する。n+型ソース領域(22)、p+型拡散領域(24)、p++型コンタクト領域(32)およびn+型拡散領域(33)はGND端子に接続される。基板裏面はVCC端子に接続される。保護素子部の寄生バイポーラ素子(T1)のスナップバック開始電圧は、回路部の寄生バイポーラ素子(T2)のスナップバック開始電圧よりも低い。これにより、微細化、サージ耐量の向上、コストの抑制が実現可能である。

4. 发明专利

JP6138284B2 半導体装置及び半導体装置の製造方法有权
公开(公告)号：JP6138284B2
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：JP2015559755
申请日：2015-07-10
申请人：新電元工業株式会社
发明人：井上徹人 , 菅井昭彦 , 中村俊一
IPC分类号： H01L29/12 , H01L29/06 , H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L27/06 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/407 , H01L29/06 , H01L29/12 , H01L29/1608 , H01L29/401 , H01L29/404 , H01L29/42372 , H01L29/66068 , H01L29/739 , H01L29/78 , H01L29/7804 , H01L29/7806 , H01L29/7811 , H01L29/7813 , H01L29/0634 , H01L29/0696 , H01L29/1095 , H01L29/20 , H01L29/2003 , H01L29/408 , H01L29/7397

5. 发明专利

JP6117602B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP6117602B2
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：JP2013092255
申请日：2013-04-25
申请人：トヨタ自動車株式会社 , 株式会社デンソー
发明人：杉本雅裕
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/76 , H01L29/12 , H01L21/336 , H01L21/322 , H01L27/04
CPC分类号： H01L29/0653 , H01L29/7804 , H01L29/0623 , H01L29/0696 , H01L29/1608 , H01L29/32 , H01L29/407 , H01L29/42368 , H01L29/66068 , H01L29/7397

6. 发明专利

JP2015177074A 半導体装置有权
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：JP2015177074A
公开(公告)日：2015-10-05
申请号：JP2014052801
申请日：2014-03-14
申请人：株式会社東芝
发明人：河野洋志 , 野田隆夫
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/12 , H01L27/04
CPC分类号： H01L29/7804 , H01L29/0696 , H01L29/086 , H01L29/1095 , H01L29/7805 , H01L29/1608
摘要：【課題】小型化、および低コスト化が図れる半導体装置を提供する。【解決手段】実施形態の半導体装置は、第1電極と、第2電極と、前記第1電極と前記第2電極との間に設けられた第1導電形の第1半導体領域と、前記第1半導体領域と前記第2電極との間に設けられた第2導電形の第2半導体領域と、前記第2半導体領域と前記第2電極との間に設けられ、前記第1半導体領域よりも不純物濃度が高い第1導電形の第3半導体領域と、前記第3半導体領域、前記第2半導体領域、および前記第1半導体領域に、絶縁膜を介して接する第3電極と、前記第1半導体領域と前記第2電極との間に設けられた第2導電形の第4半導体領域と、前記第4半導体領域と前記第2電極との間に設けられ、前記第1半導体領域よりも不純物濃度が高い第1導電形の第5半導体領域と、を備える。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供可以实现小型化和低成本的半导体器件。解决方案：一个实施例的半导体器件包括：第一电极; 第二电极; 设置在第一电极和第二电极之间的第一导电类型的第一半导体区域; 设置在第一半导体区域和第二电极之间的第二导电类型的第二半导体区域; 第一导电类型的第三半导体区域，设置在第二半导体区域和第二电极之间，其杂质浓度高于第一半导体区域; 经由绝缘膜与第三半导体区域，第二半导体区域和第一半导体区域接触的第三电极; 设置在第一半导体区域和第二电极之间的第二导电型第四半导体区域; 以及设置在第四半导体区域和第二电极之间并且具有比第一半导体区域的杂质浓度高的杂质浓度的第一导电型第五半导体区域。

7. 发明专利

JPWO2013042406A1 電力用半導体装置有权
标题翻译：的功率半导体器件
公开(公告)号：JPWO2013042406A1
公开(公告)日：2015-03-26
申请号：JP2013534611
申请日：2012-06-07
申请人：三菱電機株式会社
发明人：古川　彰彦 , 彰彦古川 , 泰宏香川 , 泰宏香川 , 三浦　成久 , 成久三浦 , 昌之今泉 , 昌之今泉 , 西川　和康 , 和康西川
IPC分类号： H01L27/06 , H01L21/822 , H01L21/8234 , H01L27/04 , H01L29/12 , H01L29/78 , H01L29/861 , H01L29/868
CPC分类号： H01L23/60 , H01L27/0296 , H01L29/0696 , H01L29/1608 , H01L29/66068 , H01L29/7803 , H01L29/7804 , H01L29/7811 , H01L29/7815 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本発明は、安定したスイッチング動作が可能で、かつサージに対する高い耐性を有する電力用半導体装置の提供を目的とする。本発明に係る電力用半導体装置は、ドリフト層21表面に、複数のセンスウェル41を囲んで形成された第2導電型のセンス外周ウェル42と、メインセルウェル表面に選択的に形成される第1導電型のメインセルソース領域と、センスウェル41表面に選択的に形成される第1導電型のセンスソース領域81と、センス外周ウェル42表面に選択的に形成された第1導電型のキャパシタ下部電極領域82と、チャネル領域上及びセンス外周ウェル42上に形成されたゲート絶縁膜30と、ゲート絶縁膜30上に形成されたゲート電極50と、センスウェル及びセンスソース領域81、並びにセンス外周ウェル42及びキャパシタ下部電極領域82に電気的に接続するセンスパッド13とを備える。
摘要翻译：本发明使得能够稳定的开关操作，并且一个目的是提供一种具有高耐浪涌的功率半导体器件。根据本发明，在漂移层21表面时，感测外围阱42形成为围绕所述多个读出井的主单元阱表面上有选择地形成41第二导电类型的功率半导体器件在主单元源区的第一导电类型，在意义上选择性地形成阱41的表面，这是在读出周孔42的表面选择性地形成第一导电型电容器的第一导电型读出源区81 下部电极区域82，形成在所述沟道区和所述感测外围阱42，形成在栅极绝缘膜30栅极电极50栅极绝缘膜30，感测阱和感测所述源极区域81和读出周边和感测垫13电连接到阱42和电容器下电极区域82。

8. 发明专利

JP5636254B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP5636254B2
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：JP2010235063
申请日：2010-10-20
申请人：株式会社東芝
发明人：北川　光彦 , 光彦北川
IPC分类号： H01L29/861 , H01L21/329 , H01L29/06 , H01L29/868
CPC分类号： H01L29/0634 , H01L27/0629 , H01L27/0814 , H01L29/063 , H01L29/0638 , H01L29/1608 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/41 , H01L29/7803 , H01L29/7804 , H01L29/7805 , H01L29/7813 , H01L29/861 , H01L29/8611

9. 发明专利

JP5512208B2 Semiconductor device structure having a vertical dielectric layer 有权
公开(公告)号：JP5512208B2
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：JP2009220809
申请日：2009-09-25
申请人：インフィネオンテクノロジーズオーストリアアクチエンゲゼルシャフト
发明人：マウダーアントン , ゼードルマイヤーシュテファン , エリッヒセンラルフ , ヴェーバーハンス , ヘーベルレンオリバー , ハーラーフランツ
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L27/04 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L29/06
CPC分类号： H01L21/76224 , H01L27/0629 , H01L29/0646 , H01L29/0653 , H01L29/407 , H01L29/66734 , H01L29/7804 , H01L29/7813
摘要： A method for producing a semiconductor structure and a semiconductor component are described.

10. 发明专利

JP2013214773A Semiconductor device structure having vertical dielectric layer 有权
标题翻译：具有垂直电介质层的半导体器件结构
公开(公告)号：JP2013214773A
公开(公告)日：2013-10-17
申请号：JP2013146627
申请日：2013-07-12
申请人： Infineon Technologies Austria Ag , インフィネオンテクノロジーズオーストリアアクチエンゲゼルシャフト
发明人： MAUDER ANTON , SEDLMAIER STEFAN , ERICHSEN RALF , WEBER HANS , HAEBERLEN OLIVER , HIRLER FRANZ
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/06
CPC分类号： H01L21/76224 , H01L27/0629 , H01L29/0646 , H01L29/0653 , H01L29/407 , H01L29/66734 , H01L29/7804 , H01L29/7813
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor device which can avoid charging of a drift control zone 21.SOLUTION: A semiconductor device of a present embodiment comprises: a semiconductor body 100 including a first surface 101, a second surface 102' an edge 103 and an edge region 104 adjacent to the edge 103; a drift zone 11 and a drift control zone 21 which are dielectrically isolated from each other by a first dielectric layer 31 extending in a perpendicular direction to the semiconductor body 100; a first connection zone 200 arranged in a region of the second surface 102' of the semiconductor body 100, which contacts the drift zone 11 and the edge region 104; a third dielectric layer 43 arranged between the drift zone 11 and the first connection zone 200; and a rectifier cell 72 connected between a connection zone 24 and a connection zone 71 of the edge region 104. The drift control zone 21 is dielectrically isolated from the edge region 104 at least by a second dielectric layer 32.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种可以避免漂移控制区21的充电的半导体器件。解决方案：本实施例的半导体器件包括：半导体本体100，其包括第一表面101，第二表面102'，边缘103 以及与边缘103相邻的边缘区域104; 漂移区11和漂移控制区21，它们通过沿垂直于半导体本体100的方向延伸的第一介电层31彼此隔离; 布置在接触漂移区11和边缘区104的半导体本体100的第二表面102'的区域中的第一连接区200; 布置在漂移区11和第一连接区200之间的第三电介质层43; 以及连接在边缘区域104的连接区域24和连接区域71之间的整流器单元72.漂移控制区域21至少通过第二电介质层32与边缘区域104介电隔离。

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