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1. 发明专利

JP6508372B2 半導体装置および半導体装置の製造方法有权
公开(公告)号：JP6508372B2
公开(公告)日：2019-05-08
申请号：JP2018026650
申请日：2018-02-19
申请人：富士電機株式会社
发明人：脇本博樹 , 瀧下博 , 吉村尚 , 田村隆博 , 小野澤勇一
IPC分类号： H01L29/868 , H01L21/329 , H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L29/739 , H01L21/322 , H01L21/265 , H01L29/861

2. 发明专利

JP6844163B2 炭化珪素半導体装置有权
公开(公告)号：JP6844163B2
公开(公告)日：2021-03-17
申请号：JP2016180033
申请日：2016-09-14
申请人：富士電機株式会社
发明人： ▲高▼柳良平 , 脇本博樹
IPC分类号： H01L29/12 , H01L29/06 , H01L29/78

3. 发明专利

JP5817823B2 半導体装置およびその製造方法有权
公开(公告)号：JP5817823B2
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：JP2013270822
申请日：2013-12-27
申请人：富士電機株式会社
发明人：百瀬雅之 , 脇本博樹
IPC分类号： H01L29/868 , H01L29/861 , H01L29/78 , H01L27/04 , H01L21/336 , H01L21/329

4. 发明专利

JP2018125537A 半導体装置および半導体装置の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018125537A
公开(公告)日：2018-08-09
申请号：JP2018026650
申请日：2018-02-19
申请人：富士電機株式会社
发明人：脇本博樹 , 瀧下博 , 吉村尚 , 田村隆博 , 小野澤勇一
IPC分类号： H01L29/868 , H01L21/329 , H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L29/739 , H01L21/322 , H01L21/265 , H01L29/861
CPC分类号： H01L29/36 , H01L21/221 , H01L21/265 , H01L21/26506 , H01L21/324 , H01L27/0664 , H01L29/0619 , H01L29/0638 , H01L29/32 , H01L29/6609 , H01L29/66128 , H01L29/66348 , H01L29/7397 , H01L29/861 , H01L29/8611
摘要：【課題】半導体基板に垂直な方向のキャリヤライフタイム分布を制御する半導体装置を提供する。【解決手段】n型の半導体基板10と、半導体基板の表面側に形成されたp型のアノード領域20と、半導体基板の裏面側においてプロトンをドナーとして形成されたn型のフィールドストップ領域40と、フィールドストップ領域よりも半導体基板の裏面側に形成されたn型のカソード領域30とを備える。フィールドストップ領域における深さ方向のドナーの濃度分布は、第1のピークと、第1のピークよりも半導体基板の裏面側において第1のピークよりも濃度の低い第2のピークとを有し、アノード領域およびカソード領域の間における少なくとも一部の領域におけるキャリアライフタイムが、アノード領域およびカソード領域におけるキャリアライフタイムのいずれよりも長い。【選択図】図2

5. 发明专利

JP6111527B2 逆阻止型半導体装置有权
公开(公告)号：JP6111527B2
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：JP2012083937
申请日：2012-04-02
申请人：富士電機株式会社
发明人：脇本博樹 , 中澤治雄
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/76 , H01L21/336 , H01L29/417 , H01L21/28 , H01L29/739

6. 发明专利

JP2017059662A 半導体装置审中-公开
公开(公告)号：JP2017059662A
公开(公告)日：2017-03-23
申请号：JP2015182760
申请日：2015-09-16
申请人：富士電機株式会社
发明人：小川恵理 , 脇本博樹 , 高橋美咲 , 小野沢勇一
IPC分类号： H01L29/868 , H01L29/06 , H01L29/739 , H01L29/78 , H01L27/04 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L29/861
CPC分类号： H01L29/0615 , H01L29/0619 , H01L29/08 , H01L29/0834 , H01L29/402 , H01L29/7397 , H01L29/1095 , H01L29/7805 , H01L29/7811
摘要：【課題】半導体装置における逆回復時の耐量を向上させる。【解決手段】n型の半導体基板10と、半導体基板の表面に形成された、p−型の第1領域22と、半導体基板の表面において第1領域と隣接して形成され、第1領域よりも高濃度のp型の第2領域24と、半導体基板の表面において第2領域と隣接して形成され、第2領域よりも高濃度のp+型の第3領域26と、第2領域の一部および第3領域を覆う絶縁膜28と、絶縁膜により覆われていない第1領域および第2領域と接続された電極30とを備える半導体装置100を提供する。【選択図】図2

7. 发明专利

JP5740820B2 半導体装置および半導体装置の製造方法有权
公开(公告)号：JP5740820B2
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：JP2010045740
申请日：2010-03-02
申请人：富士電機株式会社
发明人：脇本博樹 , 井口研一 , 吉川功 , 中嶋経宏 , 田中俊介 , 荻野正明
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/739
CPC分类号： H01L21/308 , H01L21/302 , H01L21/78 , H01L29/06

8. 发明专利

JP6365790B2 半導体装置および半導体装置の製造方法有权
公开(公告)号：JP6365790B2
公开(公告)日：2018-08-01
申请号：JP2017551752
申请日：2016-09-20
申请人：富士電機株式会社
发明人：脇本博樹 , 小野澤勇一 , 田村隆博 , 小川恵理
IPC分类号： H01L29/868 , H01L29/861 , H01L21/329
CPC分类号： H01L29/0615 , H01L21/265 , H01L21/324 , H01L29/167 , H01L29/32 , H01L29/36 , H01L29/66121 , H01L29/66136 , H01L29/861 , H01L29/87

9. 发明专利

JPWO2017086018A1 半導体装置および半導体装置の製造方法有权
公开(公告)号：JPWO2017086018A1
公开(公告)日：2018-02-22
申请号：JP2017551752
申请日：2016-09-20
申请人：富士電機株式会社
发明人：脇本博樹 , 小野澤勇一 , 田村隆博 , 小川恵理
IPC分类号： H01L29/739 , H01L21/336 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/0615 , H01L21/265 , H01L21/324 , H01L29/66136 , H01L29/861 , H01L29/868
摘要：カソード領域が欠損しても、中間領域をカソード電極に接触させない。半導体基板を備える半導体装置であって、半導体基板は、第1伝導型の第1不純物が注入されたフィールドストップ領域と、フィールドストップ領域の裏面側に形成され、第2伝導型の第2不純物が注入された中間領域と、中間領域の裏面側に形成された第1伝導型のカソード領域とを有し、半導体基板の裏面において、第1不純物の濃度が、第2不純物の濃度よりも高い半導体装置を提供する。

10. 发明专利

JP2016096212A 半導体装置、および、半導体装置の製造方法有权
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：JP2016096212A
公开(公告)日：2016-05-26
申请号：JP2014230589
申请日：2014-11-13
申请人：富士電機株式会社
发明人：村松徹 , 脇本博樹
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/76 , H01L21/336 , H01L29/739
CPC分类号： H01L29/1095 , H01L29/0834 , H01L29/66333 , H01L29/7393 , H01L29/7395 , H03K17/567
摘要：【課題】キズ、スパイクがあっても、逆耐圧の高い半導体装置を提供する。【解決手段】表面側にMOSゲート構造が形成された第1導電型のベース層と、ベース層の裏面側に形成された第2導電型の第1コレクタ層と、第1コレクタ層の裏面側にベース層と同一の材料で形成され、第1コレクタ層よりも薄く、第1コレクタ層よりも不純物濃度が高い第2導電型の第2コレクタ層と、第2コレクタ層の裏面側に形成されたコレクタ電極と、ベース層の表面側においてMOSゲート構造を囲み、かつ、ベース層の表面から第1コレクタ層の表面まで形成された第2導電型の分離層とを備える半導体装置を提供する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：即使当具有缺陷或尖峰时，也提供具有高反向耐压的半导体器件。解决方案：提供一种半导体器件，包括：第一导电类型的基极层，其正面侧为MOS栅极结构形成了; 形成在基层的背面侧的第二导电类型的第一集电体层; 所述第二导电类型的第二集电体层，与所述第一集电层的背面相同地形成为与所述基底层相同的材料，并且所述第二集电体层的厚度比所述第一集电体层薄，并且其杂质浓度高于第一收集层; 形成在所述第二集电体层的背面侧的集电极; 以及第二导电类型的分离层，其在基底层的正面侧包围MOS栅极结构，并且从基底层的前表面到第一集电层的正面形成。图示：图1

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