基本信息:
- 专利标题： 半導体装置の製造方法
- 专利标题（英）：Semiconductor device manufacturing method
- 专利标题（中）：半导体器件制造方法
- 申请号：JP2014044494 申请日：2014-03-07
- 公开(公告)号：JP2015170724A 公开(公告)日：2015-09-28
- 发明人： 鈴木 剛臣 , 坂本 正樹
- 申请人： 住友重機械工業株式会社
- 申请人地址： 東京都品川区大崎二丁目1番1号
- 专利权人： 住友重機械工業株式会社
- 当前专利权人： 住友重機械工業株式会社
- 当前专利权人地址： 東京都品川区大崎二丁目1番1号
- 代理人： 来山 幹雄
- 主分类号： H01L29/78
- IPC分类号： H01L29/78 ; H01L21/265 ; H01L27/04 ; H01L21/336 ; H01L29/739
摘要：
【課題】 表面荒れの発生を抑制し、かつ深い領域のドーパントを活性化させることができるレーザアニール工程を含む半導体装置の製造方法を提供する。 【解決手段】 半導体基板のIGBT区画の表層部に、第1のドーパントを注入して第1の注入領域を形成する。IGBT区画の、第1の注入領域より浅い領域に、第2のドーパントを注入して、第2の注入領域を形成する。ダイオード区画の表層部に、第3のドーパントを、第2のドーパントより高濃度に注入して、アモルファス状態の第3の注入領域を形成する。その後、IGBT区画及びダイオード区画を、第3の注入領域が部分的に溶融し、第1のドーパントが活性化する条件で、レーザアニールを行う。その後、IGBT区画及びダイオード区画を、パルス幅の短いパルスレーザビームでアニールすることにより、IGBT区画及びダイオード区画の全域において、第2の注入領域より浅い表層部を溶融させ、結晶化させる。 【選択図】 図4−3
摘要（中）：
要解决的问题：提供一种半导体器件制造方法，其包括能够抑制表面粗糙度的发生和激活掺杂剂在深区域中的激光退火处理。解决方案：半导体器件制造方法包括以下步骤：将第一掺杂剂注入 半导体衬底的IGBT区的表面层，以形成第一注入区; 将第二掺杂剂注入到比所述第一注入区域浅的区域中以形成第二注入区域; 以高于第二掺杂剂的浓度将第三掺杂剂注入到二极管区的表面层中以形成无定形的第三注入区; 随后在部分熔化第三注入区域并激活第一掺杂剂的条件下，对IGBT区和二极管区进行激光退火; 随后通过具有短脉冲宽度的脉冲激光束对IGBT区域和二极管区域进行退火，以在IGBT区域和二极管区域的整个区域上熔化和结晶比第二注入区域浅的表面层。
公开/授权文献:
- JP6320799B2 半導体装置の製造方法 公开/授权日：2018-05-09
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/68 | ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的 |
| ------------H01L29/70 | ...双极器件 |
| --------------H01L29/762 | ....电荷转移器件 |
| ----------------H01L29/78 | .....由绝缘栅产生场效应的 |