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1. 发明专利

JP2009521816A The apparatus and method of fast recovery rectifier structure 有权
公开(公告)号：JP2009521816A
公开(公告)日：2009-06-04
申请号：JP2008548647
申请日：2006-12-20
申请人：キュースピードセミコンダクターインコーポレーテッド
发明人：ジョンソン，エリック , ファン，ヤン，ユー , フランシス，リチャード , ホアン，ハイ
IPC分类号： H01L29/47 , H01L29/872
CPC分类号： H01L29/872 , H01L27/0641 , H01L27/0814 , H01L27/0817 , H01L29/0623 , H01L29/7722 , H01L29/8083 , H01L29/861 , H01L29/8725
摘要：高速回復整流器構造体の装置および方法。具体的には構造体は第１のドーパントの基板（１２０）を含む。第１のドーパントが低濃度ドープされた第１のエピタキシャル層（１４０）が基板に結合されている。第１の金属層（１９０）が第１のエピタキシャル層に結合されている。複数のトレンチ（１７５）が第１のエピタキシャル層内に窪んでおり、その各々が金属層と結合している。装置は各々第２のドーパント型がドープされた複数のウェルも含み、各ウェルは対応するトレンチの下に且つ隣接して形成されている。複数の酸化物層（１７０）が対応するトレンチの壁および底部上に形成されている。第１のドーパントがドープされた複数のチャネル領域が、２つの対応するウェル間の第１のエピタキシャル層内に形成されている。複数のチャネル領域（１５０）の各々は第１のエピタキシャル層より高濃度に第１のドーパントがドープされている。

2. 发明专利

JPS61125080A Semiconductor integrated circuit device 失效
标题翻译：半导体集成电路设备
公开(公告)号：JPS61125080A
公开(公告)日：1986-06-12
申请号：JP24660284
申请日：1984-11-21
申请人： Nec Corp
发明人： TAKEUCHI TOKUO
IPC分类号： H01L21/762 , H01L27/06 , H01L29/74
CPC分类号： H01L29/7436 , H01L27/0641
摘要： PURPOSE:To prevent erroneous operation due to a late effect, by forming a silicon single crystal island, in which a PNPN thyristor is formed and which has high impurity concentration with respect to another silicon single crystal island, and forming a junction constituting the PNPN thyristor deeper than the junction of the other element. CONSTITUTION:A first silicon single crystal island 11 is formed so that impurity concentration becomes 3X10 atom/cm . A second silicon single crystal island 12 is formed so that impurity concentration becomes 4.5X10 atom/cm . Thus a dielectric isolating silicon substrate is formed. A transistor having a junction 13 with a depth of 5mum is formed in the silicon single crystal island 11. An PNPN thyristor is formed by using a deep junction 14 having a depth of 30mum in the silicon single crystal island 12. With respect to the PNPN thyristor formed by the deep junction 14, the transistor constituting a late-effect-error preventing circuit is formed by the shallow junction 13. Therefore, a transition time to a conducting state is short, and the erroneous operation due to the late effect can be prevented.
摘要翻译：目的：为了防止由于后期影响引起的错误操作，通过形成其中形成PNPN晶闸管并且相对于另一个硅单晶岛具有高杂质浓度的硅单晶岛，并形成构成PNPN晶闸管的结比另一个元件的结点更深。构成：形成第一硅单晶岛11，使杂质浓度成为3×10 14原子/ cm 3。形成第二硅单晶岛12，使得杂质浓度为4.5×10 14原子/ cm 3。因此形成绝缘隔离硅衬底。在硅单晶岛11中形成具有深度5μm的结13的晶体管。在硅单晶岛12中使用深度为30μm的深结14形成PNPN晶闸管。相对于PNPN 由深结14形成的晶闸管，构成后期效应误差防止电路的晶体管由浅结13形成。因此，导通状态的过渡时间短，由于延迟效应引起的误操作可以是防止了

3. 发明专利

JPWO2016084202A1 半導体装置およびその製造方法有权
公开(公告)号：JPWO2016084202A1
公开(公告)日：2017-08-31
申请号：JP2015544668
申请日：2014-11-27
申请人：ルネサスエレクトロニクス株式会社
发明人：栄介児玉 , 栄介児玉
IPC分类号： H01L21/82
CPC分类号： H01L23/5258 , H01L21/02167 , H01L21/0217 , H01L21/022 , H01L21/02488 , H01L21/02502 , H01L21/02532 , H01L21/02595 , H01L21/32132 , H01L21/82 , H01L23/53295 , H01L27/0641
摘要：レーザートリミングにより切断したヒューズ素子が、導電性のある残留物などによりリークすることを防ぐ。そのための手段として、エピタキシャル基板の主面上の溝内の素子分離領域上にヒューズ素子を形成する場合において、素子分離領域とヒューズ素子との間に、熱伝導率が高く、比較的密着性が低い絶縁膜を形成する。レーザートリミングを行ってヒューズ素子を切断する際には、ヒューズ素子の一部と、ヒューズ素子の当該一部の下の絶縁膜とを除去する。

4. 发明专利

JP4939125B2 Semiconductor integrated circuit device and the high-frequency module 有权
公开(公告)号：JP4939125B2
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：JP2006178928
申请日：2006-06-29
申请人：ルネサスエレクトロニクス株式会社
发明人：秋重中島 , 貴史小川 , 知之石川 , 靖重野 , 伸也長壁 , 信一郎高谷
IPC分类号： H04B1/44 , H01P1/15 , H04B1/3822 , H04B1/40
CPC分类号： H04B1/006 , H01L27/0641 , H03K17/005 , H03K17/007 , H03K17/063 , H03K17/161 , H03K17/302 , H03K17/6871 , H03K17/693 , H03K17/72 , H03K2017/066 , H03K2217/0018

5. 发明专利

JP2008072121A Integrated passive device including high-q inductor 审中-公开
标题翻译：集成无源器件，包括高Q电感
公开(公告)号：JP2008072121A
公开(公告)日：2008-03-27
申请号：JP2007237420
申请日：2007-09-13
申请人： Sychip Inc , サイチップインコーポレーテッド
发明人： DEGANI YINON , CHEN YINCHAO , FAN YU , GAO CHARLEY CHUNLEI , SUN KUNQUAN , SUN LIQUO
IPC分类号： H01F41/04 , H01F17/00 , H01F27/00 , H01L21/822 , H01L27/04
CPC分类号： H01F17/0006 , H01F2017/002 , H01F2017/0086 , H01L27/0641 , H01L28/10 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a flip bonding double substrate inductor a part of which is built on an IPD (Integrated Passive Device) base substrate and a fitting part of which is built on a cover (a second) substrate.
SOLUTION: Next the cover substrate is reversed and is bonded on the base substrate, thereby the two parts of the inductor are fitted. By this method, the inductor of two layers can be built without using a substrate of plural layers. Furthermore, a flip bonding double substrate inductor of four layers is formed by using two substrates each of which is a substrate of two layers.
COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供一种翻转接合双基板电感器，其一部分构建在IPD（集成无源器件）基底基板上，其配合部分构建在盖（第二）基板上。解决方案：接下来，盖基板反转并结合在基底基板上，由此安装电感器的两部分。通过这种方法，可以在不使用多层的基板的情况下构建两层的电感器。此外，通过使用两个基板来形成四层的翻转接合双基板电感器，每个基板是两层的基板。版权所有（C）2008，JPO＆INPIT

6. 发明专利

JPS5943831B2 JPS5943831B2 - 失效
公开(公告)号：JPS5943831B2
公开(公告)日：1984-10-24
申请号：JP14510875
申请日：1975-12-08
申请人： Hitachi Ltd
发明人： SUZUKI MASAYOSHI
IPC分类号： H01L21/331 , H01L21/822 , H01L27/06 , H01L27/07 , H01L29/73 , H01L29/735 , H01L29/74 , H01L29/93 , H01L29/94
CPC分类号： H01L29/7408 , H01L27/0641 , H01L27/0744 , H01L29/735 , H01L29/7436 , H01L29/93 , H01L29/94

8. 发明专利

JP2008011131A Semiconductor integrated circuit device and high frequency module 有权
标题翻译：半导体集成电路器件和高频模块
公开(公告)号：JP2008011131A
公开(公告)日：2008-01-17
申请号：JP2006178928
申请日：2006-06-29
申请人： Renesas Technology Corp , 株式会社ルネサステクノロジ
发明人： NAKAJIMA AKISHIGE , SHIGENO YASUSHI , OGAWA TAKASHI , TAKATANI SHINICHIRO , OSAKABE SHINYA , ISHIKAWA TOMOYUKI
IPC分类号： H01P1/15 , H04B1/3822 , H04B1/40 , H04B1/44
CPC分类号： H04B1/006 , H01L27/0641 , H03K17/005 , H03K17/007 , H03K17/063 , H03K17/161 , H03K17/302 , H03K17/6871 , H03K17/693 , H03K17/72 , H03K2017/066 , H03K2217/0018
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor integrated circuit device and a high-order frequency module that can reduce higher harmonic distortion or IMD (intermodulation distortion). SOLUTION: For example, a voltage supply circuit VD_BK is provided for what is called an antenna switch having a plurality transistors Qa, Qb, and Qc between an antenna terminal ANT and a plurality of signal terminals Txa, Rxb, and Rxc. The voltage supply circuit VD_BK is a circuit which supplies a voltage from a voltage supply terminal Vdd to at least two signal terminals (for example, Rxb and Rxc) among the plurality of signal terminals Txa, Rxb, and Rxc through resistance elements Radd1 and Radd2 respectively. Consequently, an antenna voltage Vant which has fallen owing to a leak etc., can be raised, so that the transistors Qb and Qc in off states can be placed in deep off states. COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供可以降低高次谐波失真或IMD（互调失真）的半导体集成电路器件和高频模块。解决方案：例如，为天线端子ANT和多个信号端子Txa，Rxb和Rxc之间具有多个晶体管Qa，Qb和Qc的天线开关提供电压供应电路VD_BK。电压供给电路VD_BK是通过电阻元件Radd1和Radd2将来自电压供给端子Vdd的电压提供给多个信号端子Txa，Rxb，Rxc中的至少两个信号端子（例如Rxb，Rxc）的电路分别。因此，可以提高由于泄漏等而下降的天线电压Vant，使得处于断开状态的晶体管Qb和Qc可以处于深断态。版权所有（C）2008，JPO＆INPIT

9. 发明专利

JP2007535162A Method of manufacturing a semiconductor device and such devices 审中-公开
公开(公告)号：JP2007535162A
公开(公告)日：2007-11-29
申请号：JP2007510185
申请日：2005-04-20
申请人：コーニンクレッカフィリップスエレクトロニクスエヌヴィ
发明人：ウィーボ、デー．ファン、ノールト , セリーヌ、ジ．デッシュブリー , ペトルス、ハー．セー．マグネー , ラモン、イェー、ハフェンス , リス、カー．ナンベル
IPC分类号： H01L21/822 , H01L21/8222 , H01L21/8234 , H01L27/04 , H01L27/06 , H01L27/08
CPC分类号： H01L27/08 , H01L27/0641
摘要：本発明は、導体線路を含む１つまたは複数の受動電子構成要素（２０）がその上に設けられた、電荷を含む誘電体層（３、４）で覆われた、高抵抗半導体基板（２）を有する半導体本体（１）を備える半導体デバイス（１０）であって、この受動素子（２０）の位置で、ある領域（５）が半導体基板（２）と誘電体層（３、４）の間の境界面に存在し、その結果、この領域（５）の位置で、電荷によってデバイス（１０）中に誘起された電気伝導チャネルの伝導度が制限される、半導体デバイス（１０）に関する。本発明によれば、領域（５）は、堆積によって形成され、半絶縁材料を含む。その結果、反転チャネルが半絶縁領域（５）内に形成されるので、デバイス（１０）は高周波電力損失が非常に低い。デバイス（１０）はさらに、より高い温度バジェットを可能にし、したがって半導体本体（１）内への能動半導体素子（８）の集積化を可能にする。領域（５）に非常に適した半絶縁材料は、ＳｉＣ、ＳＩＰＯＳ、またはＰＯＬＹＤＯＸである。

10. 发明专利

JP2003347499A Electronic circuit unit and manufacturing method therefor 有权
标题翻译：电子电路单元及其制造方法
公开(公告)号：JP2003347499A
公开(公告)日：2003-12-05
申请号：JP2002149337
申请日：2002-05-23
申请人： Alps Electric Co Ltd , アルプス電気株式会社
发明人： YOKOYAMA SEIICHI , UEDA KAZUHIKO
IPC分类号： H01L23/12 , H01L23/13 , H01L23/498 , H01L25/04 , H01L25/16 , H01L25/18 , H01L27/06 , H05K1/03 , H05K1/16 , H05K3/24 , H05K3/40
CPC分类号： H01L23/49805 , H01L24/48 , H01L25/165 , H01L27/0641 , H01L2224/45099 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2924/00014 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/12042 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H01L2924/3025 , H05K1/0306 , H05K1/16 , H05K3/244 , H05K3/403 , H05K2201/0317 , H01L2924/00 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a surface mounting type electronic circuit unit suitable for miniaturization in which a formation process for an end surface electrode is simplified.
SOLUTION: A capacitor and a circuit element, which comprises a resistor and an inductance element, are thin-film-formed on a large board 1A. Further, a semiconductor bare chip is wire-bonded thereto. After these are sealed by potting with a sealing resin 2, the large board 1A is diced to divide into a plurality of strip boards 1B. By sputtering a thin film conductive layer 12 to a cut surface of the strip board 1B, an end surface of a lower conductive pattern P1 is electrically joined to an end surface of an upper conductive pattern P exposed from a side surface of the sealing resin 2, through the thin film conductive layer 12. Then, an Ni base layer and an Au layer are plated on a surface of the thin film conductive layer 12 in this order, to form an end surface electrode 3 on a side surface of the strip board 1B. Then the strip board 1B is subdivided into separated alumina boards 1, to acquire the electronic circuit unit.
COPYRIGHT: (C)2004,JPO
摘要翻译：要解决的问题：提供适于小型化的表面安装型电子电路单元，其中端面电极的形成过程被简化。解决方案：包括电阻器和电感元件的电容器和电路元件在大板1A上薄膜形成。此外，将半导体裸芯片引线接合。在通过用密封树脂2封装密封之后，将大板1A切割成多个条板1B。通过将薄膜导电层12溅射到条板1B的切割面，下导电图案P1的端面电连接到从密封树脂2的侧表面露出的上导电图案P的端面通过薄膜导电层12.然后，依次将Ni基层和Au层电镀在薄膜导电层12的表面上，以在带状板的侧表面上形成端面电极3 1B。然后将带状板1B细分为分离的氧化铝板1，以获得电子电路单元。版权所有（C）2004，JPO

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