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1. 发明专利

JP2016012739A 半導体装置の作製方法有权
标题翻译：半导体器件的制造方法
公开(公告)号：JP2016012739A
公开(公告)日：2016-01-21
申请号：JP2015200373
申请日：2015-10-08
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所
发明人：鎌田康一郎
IPC分类号： H01L29/786 , H02M7/06 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L27/1225 , H01L27/0629 , H01L27/0817
摘要：【課題】整流回路において、整流回路を構成する、いわゆるダイオード接続のMOSトランジスタに、オフ電流の小さいトランジスタを適用することで、逆方向バイアスを印加する場合の破壊を防ぐ。以上より、整流回路の信頼性を高め、且つ、整流効率の向上した整流回路の提供を課題とする。【解決手段】酸化物半導体をチャネル形成領域に用い、室温において、ソース−ドレイン電圧が3.1[V]のときにオフ電流が10 −20 [A/μm]=10[zA/μm]( z:ゼプト)以下であるトランジスタのゲートとドレインを共通に結線し、整流回路の交流信号が入力される端子に接続する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：为了提供一种整流电路，通过对构成整流电路的所谓二极管连接的MOS晶体管采用具有小的截止电流的晶体管来防止在施加反向偏压的情况下的损坏，从而提高了可靠性整流电路，提高整流效率。解决方案：在沟道形成区域使用氧化物半导体。当源极 - 漏极电压在室温下为3.1V时，晶体管的栅极通常连接到具有10A /μm= 10zA /μm（z：zepto）或更低的截止电流的晶体管的漏极。连接的栅极和漏极还连接到输入整流电路的AC信号的端子。

2. 发明专利

JP2014534622A 集積回路のためのモノリシックセルおよび特にモノリシック転流セル审中-公开
标题翻译：单片细胞和特别是单片换向细胞用于集成电路
公开(公告)号：JP2014534622A
公开(公告)日：2014-12-18
申请号：JP2014533973
申请日：2012-10-09
申请人：サントルナシオナルドゥラルシェルシェサイアンティフィク(セエヌエールエス) , サントルナシオナルドゥラルシェルシェサイアンティフィク(セエヌエールエス) , アンスティテュナシオナルポリテクニクドゥトゥールーズ , アンスティテュナシオナルポリテクニクドゥトゥールーズ
发明人：ブールナーヌアブデルハキ , ブールナーヌアブデルハキ , ブレイユ−デュプイマリー , ブレイユ−デュプイマリー , リシャルドーフレデリク , リシャルドーフレデリク , サンシェジャン−ルイ , サンシェジャン−ルイ
IPC分类号： H01L27/04 , H01L21/76 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L27/08 , H01L29/06 , H01L29/12 , H01L29/41 , H01L29/739 , H01L29/78 , H01L29/861 , H01L29/868
CPC分类号： H01L27/0814 , H01L21/823487 , H01L27/0817 , H01L27/0823 , H01L27/088
摘要：【課題】さらに小型化することによってよりコンパクトな変換器を実現する。【解決手段】本発明に係るセルは、少なくとも2つの同じ性質の半導体構造を有し、これらの2つの構造はともに単方向の電圧および電流を利用し、各構造は、アノード(10)、カソード(14)およびオプションとしてゲート(16)を有する。これらの構造は、一塊の同一の半導体基板(4)に集積される。半導体基板(4)の第1の面上に、カソード(14)と、オプションとしてゲート(16)と、が配置される。アノード(10)は、それぞれ、半導体基板(4)の第1の面と反対の第2の面上に配置され、カソードとオプションとして対応するゲートと対面する。2つの分離した構造の2つの電極、アノードまたはカソードは、電気的に互いに接続される。【選択図】図3
摘要翻译：进一步减员实现更紧凑的传感器。根据本发明的电池具有，同时使用单向的电压和电流，每个结构，阳极（10），这两个结构，阴极中的至少两个相同的性质的半导体结构（14）和具有栅极（16），作为一个选项。这些结构被集成在同一半导体衬底上的质量（4）。在半导体基板（4）的第一面，一个阴极（14），栅极（16）任选被布置。阳极（10）分别设置在第一表面相对的所述半导体衬底（4）的第二表面，面对相对应的栅极作为阴极和选项。两个单独的结构的两个电极，阳极或阴极电连接到彼此。点域

3. 发明专利

JP4234216B2 Silicon controlled rectifiers and high voltage switch scr 失效
公开(公告)号：JP4234216B2
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：JP31316196
申请日：1996-11-25
申请人：ゼロックスコーポレイションXerox Corporation
发明人：アーメドイフティクハー , エー．ブーラースティーブン
IPC分类号： H01L29/74 , H01L27/08 , H01L27/12
CPC分类号： H01L27/1203 , H01L27/0817 , H01L29/7436

4. 发明专利

JP2014057064A Semiconductor device and method for making the same 有权
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：JP2014057064A
公开(公告)日：2014-03-27
申请号：JP2013186876
申请日：2013-09-10
申请人： General Electric Co , ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ
发明人： SOLOVIEV STANISLAV IVANOVICH , ELASSER AHMED , BOLOTNIKOV ALEXANDER VIKTOROVICH , VERT ALEXEY , LOSEE PETER ALMERN
IPC分类号： H01L29/74 , H01L31/107 , H01L31/111
CPC分类号： H01L27/0676 , H01L27/0817 , H01L27/1443 , H01L27/14609 , H01L29/66363 , H01L29/7412
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor device.SOLUTION: The semiconductor device includes an avalanche photodiode unit and a thyristor unit. The avalanche photodiode unit is configured to receive incident light to generate a trigger current and comprises a wide band-gap semiconductor. The thyristor unit is configured to be activated by the trigger current to an electrically conductive state. The semiconductor device and a method for making the semiconductor device are also presented.
摘要翻译：要解决的问题：提供半导体器件。解决方案：半导体器件包括雪崩光电二极管单元和晶闸管单元。雪崩光电二极管单元被配置为接收入射光以产生触发电流并且包括宽带隙半导体。晶闸管单元被配置为被触发电流激活到导电状态。还提出了半导体器件和制造半导体器件的方法。

5. 发明专利

JP5349410B2 Inspection method and the semiconductor integrated circuit device of the semiconductor integrated circuit device 有权
公开(公告)号：JP5349410B2
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：JP2010138618
申请日：2010-06-17
申请人：浜松ホトニクス株式会社
发明人：共則中村
IPC分类号： H01L21/822 , G01R31/28 , H01L21/66 , H01L27/00 , H01L27/04
CPC分类号： H01L22/14 , H01L22/20 , H01L22/30 , H01L23/481 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L27/0817 , H01L2224/16145 , H01L2224/32145 , H01L2224/73204 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2225/06596 , H01L2924/12032 , H01L2924/1301 , H01L2924/13091 , H01L2924/00
摘要： Integrated circuit layers 10, 20 to be stacked on top of each other are formed with a plurality of inspection rectifier device units 15, 25, respectively. The plurality of inspection rectifier device units 15 (25) including rectifier devices 15a, 15b (25a, 25b) are connected between a plurality of connection terminals 14 (24) and a positive power supply lead 13a (23a) and a grounding lead 13b (23b) and emit light in response to a current. After electrically connecting the plurality of connection terminals 14, 24 to each other, a bias voltage is applied between the positive power supply lead 13a (or grounding lead 13b) and the grounding lead 23b (or positive power supply lead 23a), and the connection state between the connection terminals 14, 24 is inspected according to a light emission of the inspection rectifier device unit 25. This makes it possible to inspect, in a short time every time a layer is stacked, whether or not an interlayer connection failure exists in a semiconductor integrated circuit device constructed by stacking a plurality of integrated circuit layers in their thickness direction.

6. 发明专利

JP5041984B2 Rectifier circuit, the power supply circuit and semiconductor device 有权
公开(公告)号：JP5041984B2
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：JP2007302727
申请日：2007-11-22
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所
发明人：豊塩野入
IPC分类号： H02M7/21 , H01L21/822 , H01L27/04 , H02J17/00
CPC分类号： H01L27/0629 , H01L27/0817 , H01L27/12 , H01L27/13

7. 发明专利

JP2012004456A Semiconductor device 审中-公开
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：JP2012004456A
公开(公告)日：2012-01-05
申请号：JP2010139851
申请日：2010-06-18
申请人： Sony Corp , ソニー株式会社
发明人： YAMAZAKI TAKASHI
IPC分类号： H01L27/06 , H01L21/822 , H01L21/8222 , H01L21/8238 , H01L21/8248 , H01L27/04 , H01L27/092 , H01L29/74 , H01L29/861
CPC分类号： H01L27/0727 , H01L27/0262 , H01L27/0817
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an ESD protection element which can reduce a leakage current generated therein during chip operation after power is turned on without increasing the occupied area.SOLUTION: The semiconductor device comprises a semiconductor substrate 10 on which an electronic circuit including a power supply line and a ground line is formed, and an electrostatic discharge protection element provided between a power supply line (Vdd) and a ground line (Vss) on the semiconductor substrate 10 and includes a thyristor SCR and a trigger diode TD which drives the thyristor. The trigger diode has an anode diffusion layer 22 formed on the semiconductor substrate 10, a cathode diffusion layer 21 formed on the semiconductor substrate 10 after spaced apart from the anode diffusion layer 22, and a gate electrode 17 formed between the anode diffusion layer 22 and a cathode diffusion layer 21 on the semiconductor substrate 10 with a gate insulating film 16 interposed therebetween. An external terminal (pad electrode 27) connected with an external power supply is connected electrically with the gate electrode 17.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种ESD保护元件，其可以在电源接通之后在芯片操作期间减少其中产生的漏电流而不增加占用面积。解决方案：半导体器件包括其上形成有电源线和接地线的电子电路的半导体衬底10，以及设置在电源线（Vdd）和接地线（Vdd）之间的静电放电保护元件 Vss），并且包括晶闸管SCR和驱动晶闸管的触发二极管TD。触发二极管具有形成在半导体衬底10上的阳极扩散层22，与阳极扩散层22隔开形成在半导体衬底10上的阴极扩散层21，以及形成在阳极扩散层22和半导体衬底10上的阴极扩散层21，其间插入有栅极绝缘膜16。与外部电源连接的外部端子（焊盘电极27）与栅电极17电连接。版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

8. 发明专利

JP2011205882A Rectifying circuit, manufacturing method therefor, radio communication device, and manufacturing method therefor 审中-公开
标题翻译：整流电路，其制造方法，无线电通信装置及其制造方法
公开(公告)号：JP2011205882A
公开(公告)日：2011-10-13
申请号：JP2011041183
申请日：2011-02-28
申请人： Semiconductor Energy Lab Co Ltd , 株式会社半導体エネルギー研究所
发明人： KAMATA KOICHIRO
IPC分类号： H02M7/06 , G06K19/077 , H01L21/336 , H01L29/786
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L27/0629 , H01L27/0817 , H01L27/1225
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a rectifying circuit which prevents damages in case of applying a reverse bias, by employing a transistor with small off-current to a so-called diode-connected MOS transistor of the rectifying circuit, thereby enhancing reliability in the rectifying circuit, and improves efficiency in rectification.SOLUTION: An oxide semiconductor is used in a channel-forming region. The gate of the transistor is commonly connected to its drain with the off-current of 10A/μm=10 zA/μm (z: zepto) or lower, when a source-drain voltage is 3.1 V at a room temperature. The connected gate and drain are further connected to a terminal to which the AC signal of the rectifying circuit is inputted.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种整流电路，通过对整流电路的所谓二极管连接的MOS晶体管采用具有小的截止电流的晶体管来防止在施加反向偏压的情况下的损坏，从而提高了整流电路的可靠性整流电路，提高整流效率。解决方案：在沟道形成区域使用氧化物半导体。当源极 - 漏极电压在室温下为3.1V时，晶体管的栅极通常以10A /μm= 10zA /μm（z：zepto）或更低的截止电流连接到其漏极。连接的栅极和漏极进一步连接到输入整流电路的AC信号的端子。

9. 发明专利

JP4354069B2 A semiconductor device having a reverse conduction function 有权
公开(公告)号：JP4354069B2
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：JP2000030502
申请日：2000-02-08
申请人：日本碍子株式会社
发明人：雄一郎今西 , 健佐久間 , 尚博清水 , 克二飯田
IPC分类号： H01L29/74 , H01L21/822 , H01L27/06 , H01L27/08 , H01L29/861
CPC分类号： H01L27/0817

10. 发明专利

JP2009512217A Low volume scr having a trigger element 审中-公开
公开(公告)号：JP2009512217A
公开(公告)日：2009-03-19
申请号：JP2008535661
申请日：2006-10-11
申请人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテッド
发明人：ボセッリ、ジャンルカ
IPC分类号： H01L29/74 , H01L21/822 , H01L27/04
CPC分类号： H01L29/87 , H01L27/0262 , H01L27/0817 , H01L29/66121 , H03K17/0403 , H03K17/08108
摘要：選択可能なトリガおよび保持電圧を備えたシリコン整流器半導体デバイスは、トリガ素子（５２２）を含む。半導体母材（５０２）中に形成された第１の電導形の第１のウエル領域（５０４）。第１のウエル領域中に第１の電導形の第１の領域（５１０）が形成される。第１のウエル領域中に第２の電導形の第２の領域（５１２）が形成される。半導体母材中に第１のウエル領域に隣接して第２の電導形を有する第２のウエル領域（５０６）が形成される。第２のウエル領域中に第１の電導形の第３の領域（５１４）が形成される。第２のウエル領域中に第２の電導形の第４の領域（５１６）が形成される。トリガ素子は、第１の領域に接続されて、ベース・トリガ電圧およびベース保持電圧を変更されたトリガ電圧および変更された保持電圧に変更する。第１の端子又はパッド（５１８）は、第２の領域に接続される。第２の端子（５２０）は、第３の領域、第４の領域およびトリガ素子に接続される。動作時に、第１の端子は、変更されたトリガ電圧が第１の端子に供給されるのに応答して、低インピーダンス状態において第２の端子に電流を流す。

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