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1. 发明专利

JP2014216568A 大面積ドメイン有機半導体結晶膜の作成方法及び大面積ドメイン有機半導体結晶膜有权
标题翻译：大面积有机半导体晶体膜和大面积有机半导体晶体膜的创建方法
公开(公告)号：JP2014216568A
公开(公告)日：2014-11-17
申请号：JP2013094386
申请日：2013-04-26
申请人：独立行政法人物質・材料研究機構 , National Institute For Materials Science
发明人： SAKAMOTO KENJI , KIRILL BULGAREVICH
IPC分类号： H01L51/40 , C30B7/02 , C30B29/54 , H01L21/20 , H01L21/368 , H01L51/05
CPC分类号： C30B29/54 , C30B7/02 , H01L21/20 , H01L21/36
摘要：【課題】所望の場所にパターン形成可能な大面積ドメイン有機半導体結晶膜を作成する方法及び大面積ドメイン有機半導体結晶膜を提供する。【解決手段】種結晶部21と、前記種結晶部21に接続された結晶成長部22と、を有する結晶成長用基板11を用い、前記種結晶部21に有機半導体溶液を塗布しながら乾燥させて、種結晶を作成してから、前記結晶成長部22で前記種結晶を成長させて、大面積ドメイン有機半導体結晶膜41を作成する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供能够在期望位置形成图案并提供大面积域有机半导体晶体膜的大面积域有机半导体晶体膜的制造方法。解决方案：大面积域的创建方法有机半导体晶体膜包括：使用具有晶种部分21的晶体生长用基板11和与晶种部分21连接的晶体生长部分22; 将有机半导体溶液涂布并干燥到晶种部分21上以产生晶种; 并且在晶体生长部分22处生长晶种以产生大面积域有机半导体晶体膜41。

2. 发明专利

JP2013197574A Method for making photonic crystal and method for making surface emitting laser 有权
标题翻译：制造光子晶体的方法和制备表面发射激光的方法
公开(公告)号：JP2013197574A
公开(公告)日：2013-09-30
申请号：JP2012066716
申请日：2012-03-23
申请人： Canon Inc , キヤノン株式会社
发明人： HOSHINO KATSUYUKI
IPC分类号： H01S5/183 , H01L21/205
CPC分类号： H01L21/36 , B82Y20/00 , G02B6/1225 , H01L21/02389 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02603 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/02647 , H01S5/105 , H01S5/183 , H01S5/30 , H01S5/34333 , H01S2304/00
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for making photonic crystals, capable of forming air gaps at the bottoms thereof, when such photonic crystals are made of semiconductors to which wet etching cannot be applied.SOLUTION: A method for making photonic crystals comprises: a first step for forming a protective mask 101 including an opening pattern having openings for selective growth on a surface of a substrate; a second step for allowing columnar semiconductors 120 to selectively grow from exposed portions, where the protective mask is not formed, of the surface of the substrate, and allowing a semiconductor layer to grow on the protective mask in a lateral direction so as to cover the protective mask; a third step for forming photonic crystals 130 on the semiconductor layer so that at least part of the openings of the opening pattern and at least part of vacancies or grooves which form the photonic crystals 130 are layered on the semiconductor layer when seen from the surface of the substrate in a vertical direction; a fourth step for removing at least part of the columnar semiconductors; and a fifth step for removing at least part of the protective mask.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种制造光子晶体的方法，其能够在其底部形成气隙，当这种光子晶体由不能应用湿蚀刻的半导体制成时。解决方案：制造光子晶体的方法包括：用于形成包括在基板的表面上具有用于选择性生长的开口的开口图案的保护掩模101的第一步骤; 允许柱状半导体120从衬底的表面的未形成保护掩模的露出部分选择性地生长，并允许半导体层在保护掩模上沿横向生长以覆盖防护面具; 用于在半导体层上形成光子晶体130的第三步骤，使得当从半导体层的表面观察时，形成光子晶体130的至少部分开口图案的开口和形成光子晶体130的空位或凹槽的层叠在半导体层上基板在垂直方向; 用于去除至少部分柱状半导体的第四步骤; 以及用于去除至少一部分防护罩的第五步骤。

3. 发明专利

JP2014216425A 半導体膜を製造する方法审中-公开
标题翻译：半导体薄膜制造方法
公开(公告)号：JP2014216425A
公开(公告)日：2014-11-17
申请号：JP2013091517
申请日：2013-04-24
申请人：トヨタ自動車株式会社 , Toyota Motor Corp
发明人： MAEKAWA RYOSUKE , AWANO HIROMOTO , MATSUNAGA TOMOYA , TAKEDA YUICHIRO , SAKAI TAKENOBU , KUSANO YUYA
IPC分类号： H01L21/368 , H01L21/20
CPC分类号： H01L21/20 , H01L21/36
摘要：【課題】品質の低下を抑制可能な半導体膜を製造する方法を提供する。【解決手段】半導体膜の原料とアンモニア水溶液とを混合して得られる反応液2中に基板1を配置し、その状態において、反応液2の周囲を減圧しつつ反応液2を加熱することにより、基板1上に半導体膜の原料を堆積する。このため、この半導体膜を製造する方法によれば、反応液2中に生じた気泡が半導体膜に混入することにより半導体膜の品質が低下すること(半導体膜に欠陥(白濁)等が生じること)を抑制可能である。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：提供可以抑制质量劣化的半导体膜制造方法。解决方案：半导体膜制造方法包括将基板1布置在通过半导体膜的材料和氨水的混合物获得的反应液体2中溶液，并且通过在该状态下加热反应液体2将半导体膜的材料沉积在基板1上，同时减压反应液体2的周围。因此，根据半导体膜制造方法，在反应液体中产生的气泡 2被捕获在半导体膜中，从而能够防止劣化（半导体膜中产生缺陷（白浊））。

4. 发明专利

JP5596204B2 Epitaxial structure and a method of manufacturing the same 有权
公开(公告)号：JP5596204B2
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：JP2013084647
申请日：2013-04-15
申请人：ツィンファユニバーシティ , 鴻海精密工業股▲ふん▼有限公司
发明人：洋魏 , 守善 ▲ハン▼
IPC分类号： H01L21/205 , C01B31/02 , C23C16/04 , C30B23/04 , H01L21/203
CPC分类号： H01L21/36 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/188 , C30B23/02 , C30B25/02 , C30B29/02 , H01L21/0237 , H01L21/02444 , H01L21/02499 , H01L21/0254 , H01L21/02642 , H01L21/02647 , H01L33/005
摘要： A method for making epitaxial structure is provided. The method includes providing a substrate having an epitaxial growth surface, placing a graphene layer on the epitaxial growth surface, and epitaxially growing an epitaxial layer on the epitaxial growth surface. The graphene layer includes a number of apertures to expose a part of the epitaxial growth surface. The epitaxial layer is grown from the exposed part of the epitaxial growth surface and through the aperture.

5. 发明专利

JP2014216343A Ｃｕドープｐ型ＺｎＯ系半導体結晶層とその製造方法有权
标题翻译： Cu-DOPED P型ZnO基半导体晶体层及其制造方法
公开(公告)号：JP2014216343A
公开(公告)日：2014-11-17
申请号：JP2013089560
申请日：2013-04-22
申请人：スタンレー電気株式会社 , Stanley Electric Co Ltd
发明人： SANO MICHIHIRO , KATO HIROYUKI , YAMAMOTO TETSUYA
IPC分类号： H01L21/363 , C23C14/08
CPC分类号： C23C14/08 , H01L21/36
摘要：【課題】 ZnO系半導体に単一Cu元素をドープしたp型ZnO系半導体結晶層を提供する。【解決手段】 Cuドープp型ZnO系半導体結晶層は、陽元素の原子比で5%以上のCuをドープしたZnO系半導体結晶層であって、結晶中の隣接する層に属する2つのII族サイトに2つのCu原子がO原子を介して隣接配位された構成を有する。【選択図】図7
摘要翻译：要解决的问题：提供通过将单个Cu元素掺杂到ZnO基半导体而获得的p型ZnO基半导体晶体层。解决方案：掺杂Cu的p型ZnO基半导体晶体层是ZnO- 通过以正元素的原子比将Cu掺杂为5％以上而得到的基于半导体的半导体晶体层，并且具有两个Cu原子相邻于属于晶体通孔中的相邻层的两个II族部位的构造一个O原子。

6. 发明专利

JP2014214359A スパッタリングターゲット、酸化物半導体薄膜及び当該酸化物半導体薄膜を備える薄膜トランジスタ审中-公开
标题翻译：溅射靶，氧化物半导体薄膜和薄膜半导体薄膜包括氧化物半导体薄膜
公开(公告)号：JP2014214359A
公开(公告)日：2014-11-17
申请号：JP2013093897
申请日：2013-04-26
申请人：出光興産株式会社 , Idemitsu Kosan Co Ltd
发明人： TAJIMA NOZOMI , EBATA KAZUAKI
IPC分类号： C23C14/34 , C04B35/00 , C04B35/453 , C23C14/08 , H01L21/336 , H01L21/363 , H01L29/786
CPC分类号： C04B35/00 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01L21/36 , H01L29/78
摘要：【課題】高密度なスパッタリングターゲットを提供する。【解決手段】インジウム元素(In)、ガリウム元素(Ga)、亜鉛元素(Zn)及びアルミニウム元素(Al)を含有する酸化物からなり、InGaO3(ZnO)m又はInAlO3(ZnO)m(mは0.1〜10)で表されるホモロガス構造化合物を1以上、及びZnAl2O4又はZnGa2O4で表されるスピネル構造化合物を1以上含むスパッタリングターゲット。【選択図】なし
摘要翻译：要解决的问题：提供一种高密度溅射靶。溅射靶包括含有铟元素（In），镓元素（Ga），锌元素（Zn）和铝元素（Al）的氧化物，并且包括由InGaO（ZnO）或InAlO（ZnO）（m为0.1-10）表示的一种或多种同系结构化合物，以及一种或多种由ZnAlO或ZnGaO表示的尖晶石结构化合物。

7. 发明专利

JP2014209516A 機能性素子の製造方法および機能性素子有权
标题翻译：制造功能元件和功能元件的方法
公开(公告)号：JP2014209516A
公开(公告)日：2014-11-06
申请号：JP2013085963
申请日：2013-04-16
申请人：大日本印刷株式会社 , Dainippon Printing Co Ltd
发明人： KANAZAWA SHUSUKE
IPC分类号： H01L21/336 , B05D3/06 , G03F7/095 , G03F7/36 , G03F7/38 , H01L21/28 , H01L21/368 , H01L29/786 , H01L51/50 , H05B33/10 , H05B33/26
CPC分类号： B05D3/06 , G03F7/09 , G03F7/36 , G03F7/38 , H01L21/28 , H01L21/36 , H01L29/78 , H05B33/10 , H05B33/14 , H05B33/26
摘要：【課題】本発明は、高精細なパターンで機能層を形成可能な機能性素子の製造方法を提供することを主目的とする。【解決手段】本発明は、レーザー光を吸収するレーザー吸収層、および、レーザー光を透過し、上記レーザー吸収層よりも撥液性が高い撥液層を積層する積層工程と、上記撥液層側から上記レーザー吸収層にレーザー光をパターン状に照射して、レーザーアブレーションにより上記撥液層をパターン状に除去し、上記レーザー吸収層を露出させる撥液層パターニング工程と、上記撥液層の開口部の上記レーザー吸収層上に機能層形成用塗工液を塗布して機能層を形成する機能層形成工程とを有することを特徴とする機能性素子の製造方法を提供することにより、上記目的を達成する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种功能元件的制造方法，其中可以以高清晰度图案形成功能层。解决方案：制造功能元件的方法包括：层叠用于吸收的激光吸收层的层压步骤激光，以及透射激光并具有高于激光吸收层的疏液性的拒液层; 防液层图案化步骤，通过从驱液层侧以图案的激光照射激光吸收层，并且通过激光烧蚀去除图案中的疏液层来使激光吸收层曝光; 以及功能层形成步骤，通过用形成功能层的涂布液在所述拒液层的开口中涂覆所述激光吸收层来形成功能层。

8. 发明专利

JP2013162085A Optical semiconductor element and optical semiconductor element manufacturing method 有权
标题翻译：光学半导体元件和光学半导体元件制造方法
公开(公告)号：JP2013162085A
公开(公告)日：2013-08-19
申请号：JP2012025264
申请日：2012-02-08
申请人： Fujitsu Ltd , 富士通株式会社
发明人： UETAKE MASATO , TAKABAYASHI KAZUMASA
IPC分类号： H01L31/0232 , H01S5/026
CPC分类号： G02B6/12 , G02B6/12004 , G02B6/1228 , H01L21/36 , H01S5/0268 , H01S5/1014
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an optical semiconductor element for restraining a light coupling loss due to a difference of spot sizes.SOLUTION: An optical semiconductor integrated element 10 comprises: a waveguide part 34 formed on a semiconductor substrate having a (100) face, and having a core layer for propagating light; a spot size conversion part 11a formed on the semiconductor substrate, optically connected to the waveguide part 34, and converting a diameter of light to be propagated; and a pair of terrace parts 11b formed on the semiconductor substrate, and opposed to each other to hold the spot size conversion part 11a. Opposite parts 11c of the pair of terrace parts 11b to hold the spot size conversion part 11a have a varying interval therebetween, and have a portion inclined in a [0-11] direction to a [011] direction. A position of an upper end of the spot size conversion part 11a is higher than the position of the upper end of the waveguide part 34.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种用于抑制由于光斑尺寸差异引起的光耦合损耗的光半导体元件。解决方案：光半导体集成元件10包括：形成在具有（100）面的半导体衬底上的波导部分34 并具有用于传播光的芯层; 形成在半导体基板上的光斑尺寸转换部分11a，光学连接到波导部分34，并且转换要传播的光的直径; 以及形成在半导体基板上并且彼此相对以保持光斑尺寸转换部分11a的一对平台部分11b。用于保持光斑尺寸转换部分11a的一对露台部分11b的相对部分11c在它们之间具有变化的间隔，并且具有沿[0-11]方向倾斜到[011]方向的部分。光点尺寸转换部分11a的上端的位置高于波导部分34的上端的位置。

9. 发明专利

JP5906108B2 フォトニック結晶の製造方法及び面発光レーザの製造方法有权
标题翻译：的制造方法的制造方法和该光子晶体的面发光激光器
公开(公告)号：JP5906108B2
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：JP2012066716
申请日：2012-03-23
申请人：キヤノン株式会社
发明人：星野勝之
IPC分类号： H01L21/205 , H01S5/183
CPC分类号： H01L21/36 , B82Y20/00 , G02B6/1225 , H01S5/105 , H01S5/30 , H01L21/02389 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02603 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/02647 , H01S2304/00 , H01S5/183 , H01S5/34333

10. 发明专利

JP2013546181A How to strengthen the p-type doping in Iii-v semiconductors 审中-公开
标题翻译：空值
公开(公告)号：JP2013546181A
公开(公告)日：2013-12-26
申请号：JP2013536891
申请日：2011-10-28
申请人：ユニバーシティオブユタリサーチファウンデーション
发明人：リュー、フェング , ストリングフェロー、ジェラルド , チュー、ジュンイ
IPC分类号： H01L21/205 , C23C14/06 , C23C14/58 , C23C16/30 , C23C16/56 , H01L21/203
CPC分类号： H01L21/0262 , H01L21/02538 , H01L21/02543 , H01L21/02579 , H01L21/02581 , H01L21/36 , Y10S117/913
摘要： Methods of doping a semiconductor film are provided. The methods comprise epitaxially growing the III-V semiconductor film in the presence of a dopant, a surfactant capable of acting as an electron reservoir, and hydrogen, under conditions that promote the formation of a III-V semiconductor film doped with the p-type dopant. In some embodiments of the methods, the epitaxial growth of the doped III-V semiconductor film is initiated at a first hydrogen partial pressure which is increased to a second hydrogen partial pressure during the epitaxial growth process.
摘要翻译：提供掺杂半导体膜的方法。该方法包括在有助于形成掺杂有p型的III-V半导体膜的条件下，在掺杂剂，能够充当电子储存器的表面活性剂和氢的存在下外延生长III-V半导体膜掺杂剂。在该方法的一些实施例中，掺杂的III-V半导体膜的外延生长以在外延生长过程期间增加到第二氢分压的第一氢分压开始。

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