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1. 发明专利

JP2014222690A 半導体装置审中-公开
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：JP2014222690A
公开(公告)日：2014-11-27
申请号：JP2013101112
申请日：2013-05-13
申请人：出光興産株式会社 , Idemitsu Kosan Co Ltd
发明人： TAJIMA NOZOMI , EBATA KAZUAKI
IPC分类号： H01L29/786
摘要：【課題】安定性を付与することで信頼性を高めた酸化物半導体膜を備える半導体装置を提供する。【解決手段】導電膜が、酸化物半導体膜に接しており、酸化物半導体膜中に含まれる全ての元素を、それぞれ下記式(1)で表わされる反応式に代入し、得られる標準反応ギブスエネルギーのうち最も負となる値を&Dgr;rGo1とし、導電膜に含まれる全ての元素を、それぞれ下記式(1)で表わされる反応式に代入し、得られる標準反応ギブスエネルギーのうち最も負となる値を&Dgr;rGo2としたとき、&Dgr;rGo1及び&Dgr;rGo2が下記式(2)を満たす半導体装置。xM+O2→yMx/yO2/y(1)&Dgr;rGo1≦̸&Dgr;rGo2(2)【選択図】なし
摘要翻译：要解决的问题：提供一种半导体器件，其包括通过提供稳定性而具有改进的可靠性的氧化物半导体膜。解决方案：半导体器件包括与氧化物半导体膜接触的导电膜。当假设通过将包含在氧化物半导体膜中的所有元素分配给如下式（1）表示的反应式得到的反应的标准吉布斯能量中的最负值为＆Dgr; rG，并且标准吉布斯能量中的最负值通过将包括在导电膜中的所有元素分配给如下式（1）表示的反应式得到的反应是：（D）; rG，＆Dgr; rGand＆Dgr; rG不满足下式（2）：xM + O→yMO（1） ; ＆DGR;rG≤＆DGR; RG（2）。

2. 发明专利

JP2014047407A Sputtering target 有权
标题翻译：飞溅目标
公开(公告)号：JP2014047407A
公开(公告)日：2014-03-17
申请号：JP2012192632
申请日：2012-08-31
申请人： Idemitsu Kosan Co Ltd , 出光興産株式会社
发明人： EBATA KAZUAKI , TAJIMA NOZOMI , NISHIMURA ASAMI
IPC分类号： C23C14/34 , C04B35/00 , C04B35/453 , C23C14/08 , H01L21/336 , H01L21/363 , H01L29/786
CPC分类号： C23C14/3414 , C04B35/44 , C04B35/453 , C04B2235/3217 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/5445 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/77 , C23C14/08 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L29/7869
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a sputtering target having high density and low resistance, and to provide a thin film transistor having high field-effect mobility and high reliability.SOLUTION: A sputtering target includes a sintered body including a homologous structure compound which includes oxides including indium element (In), zinc element (Zn), and aluminum element (Al) and which is represented by InAlO(ZnO)(m is 0.1-10). The atomic ratio of the indium element, the zinc element, and the aluminum element is expressed by the following formulae (1)-(3): 0.10≤In/(In+Zn+Al)≤0.70 (1), 0.15≤Zn/(In+Zn+Al)≤0.65 (2), and 0.01≤Al/(In+Zn+Al)≤0.45 (3).
摘要翻译：要解决的问题：提供一种具有高密度和低电阻的溅射靶，并提供具有高的场效应迁移率和高可靠性的薄膜晶体管。解决方案：溅射靶包括包含同源结构化合物的烧结体，其包括由InAlO（ZnO）（m为0.1-10）表示的包含铟元素（In），锌元素（Zn）和铝元素（Al）的氧化物。铟元素，锌元素和铝元素的原子比由下述式（1）〜（3）表示：0.10≤In/（In + Zn + Al）≤0.70（1），0.15≤Zn /(In+Zn+Al)≤0.65（2），0.01≤Al/（In + Zn + Al）≤0.45（3）。

3. 发明专利

JP2014218706A スパッタリングターゲット、酸化物半導体薄膜及びそれらの製造方法审中-公开
标题翻译：溅射靶，氧化物半导体薄膜及其制造方法
公开(公告)号：JP2014218706A
公开(公告)日：2014-11-20
申请号：JP2013099099
申请日：2013-05-09
申请人：出光興産株式会社 , Idemitsu Kosan Co Ltd
发明人： EBATA KAZUAKI , TAJIMA NOZOMI
IPC分类号： C23C14/34 , H01L29/786
CPC分类号： C23C14/34 , H01L29/78
摘要：【課題】インジウム(In)元素、スズ(Sn)元素、亜鉛(Zn)元素及びアルミニウム(Al)元素を含有し、高密度かつ低抵抗のスパッタリングターゲットを提供する。【解決手段】インジウム(In)元素、スズ(Sn)元素、亜鉛(Zn)元素及びアルミニウム(Al)元素を含有する酸化物からなり、ZnSnO3で表わされるイルメナイト構造化合物を含み、さらにInAlO3(ZnO)m(mは0.1〜10)で表わされるホモロガス構造化合物及び/又はIn2O3で表されるビックスバイト構造化合物を含むスパッタリングターゲット。【選択図】なし
摘要翻译：要解决的问题：提供具有高密度和低电阻并且含有铟（In）元素，锡（Sn）元素，锌（Zn）元素和铝（Al））元素的溅射靶。解决方案：溅射靶包括含有铟（In）元素，锡（Sn）元素，锌（Zn）元素和铝（Al））元素的氧化物，包括由ZnSnO表示的钛铁矿结构化合物，并且还包括同源结构由InAlO（ZnO）（m = 0.1-10）表示的化合物和/或由InO表示的双峰结构化合物。

4. 发明专利

JP2014099493A Sputtering target, oxide semiconductor thin film, and methods for producing the same 有权
标题翻译：溅射靶，氧化物半导体薄膜及其制造方法
公开(公告)号：JP2014099493A
公开(公告)日：2014-05-29
申请号：JP2012250303
申请日：2012-11-14
申请人： Idemitsu Kosan Co Ltd , 出光興産株式会社
发明人： EBATA KAZUAKI , TAJIMA NOZOMI
IPC分类号： H01L21/363 , C04B35/00 , C04B35/453 , C23C14/34 , H01L29/786
CPC分类号： H01L21/02554 , C04B35/01 , C04B35/453 , C04B2235/3217 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/5445 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C23C14/08 , C23C14/3414 , C23C14/352 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L29/22 , H01L29/66969 , H01L29/7869
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a high-density and low-resistance sputtering target, and a thin-film transistor having high field effect mobility and high reliability.SOLUTION: Sputtering targets 31a-31f comprise an oxide containing an indium element (In), a tin element (Sn), a zinc element (Zn), and an aluminum element (Al). The oxide contains a homologous structure compound represented by InAlO(ZnO)(m is 0.1-10) and a bixbyite structure compound represented by InO.
摘要翻译：要解决的问题：提供高密度和低电阻溅射靶以及具有高场移动性和高可靠性的薄膜晶体管。解决方案：溅射靶31a-31f包括含有铟元素（In）的氧化物，，锡元素（Sn），锌元素（Zn）和铝元素（Al）。氧化物含有由InAlO（ZnO）（m为0.1-10）表示的同系结构化合物和由InO表示的双峰结构化合物。

5. 发明专利

JP2014111818A Sputtering target, oxide semiconductor thin film, and production method of them 审中-公开
标题翻译：溅射靶，氧化物半导体薄膜及其生产方法
公开(公告)号：JP2014111818A
公开(公告)日：2014-06-19
申请号：JP2013089592
申请日：2013-04-22
申请人： Idemitsu Kosan Co Ltd , 出光興産株式会社
发明人： TAJIMA NOZOMI , EBATA KAZUAKI , NISHIMURA ASAMI , SUNAGAWA MISA , ITOSE MASAYUKI
IPC分类号： C23C14/34 , C23C14/08 , C23C14/40 , H01L21/336 , H01L21/363 , H01L29/786
CPC分类号： C23C14/3414 , C04B35/453 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3232 , C04B2235/3244 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/3418 , C04B2235/77 , C23C14/08 , C23C14/086 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L29/7869
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a sputtering target containing indium oxide, tin oxide and zinc oxide, capable of achieving excellent TFT characteristic in a wide-range In amount.SOLUTION: A sputtering target comprises oxides containing an indium element (In), a tin element (Sn), a zinc element (Zn) and one or more elements X selected from a following X group, and includes a bixbyite structure compound represented by InOand a spinel structure compound. X group: Mg, Al, Ga, Si, Sc, Ti, Y, Zr, Hf, Ta, La, Nd and Sm.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种包含氧化铟，氧化锡和氧化锌的溅射靶，其能够在宽范围的量下实现优异的TFT特性。解决方案：溅射靶包括含有铟元素（In），锡元素（Sn），锌元素（Zn）和选自以下X基团的一种或多种元素X，并且包括由InO表示的双峰结构化合物和尖晶石结构化合物。 X族：Mg，Al，Ga，Si，Sc，Ti，Y，Zr，Hf，Ta，La，Nd和Sm。

6. 发明专利

JP2014051714A Sputtering target 有权
标题翻译：飞溅目标
公开(公告)号：JP2014051714A
公开(公告)日：2014-03-20
申请号：JP2012197817
申请日：2012-09-07
申请人： Idemitsu Kosan Co Ltd , 出光興産株式会社
发明人： EBATA KAZUAKI , TAJIMA NOZOMI
IPC分类号： C23C14/34 , C04B35/00 , C04B35/44 , H01L21/336 , H01L29/786
CPC分类号： C23C14/3414 , C04B35/44 , C04B35/453 , C04B2235/3217 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/5445 , C04B2235/6562 , C04B2235/6567 , C04B2235/6586 , C04B2235/6588 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C23C14/08 , C23C14/352 , H01J37/3405 , H01J37/3417 , H01J37/3423 , H01J37/3426 , H01L29/7869
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a sputtering target for oxide semiconductors, which has high density and low resistance, and to provide a thin film transistor having high field effect mobility and high reliability.SOLUTION: A sputtering target includes a sintered body including a homologous structure compound which includes oxides including indium element (In), zinc element (Zn), and aluminum element (Al) and which is represented by InAlO(ZnO)(m is 0.1-10), and a bixbyite structure compound represented by InO.
摘要翻译：要解决的问题：提供具有高密度和低电阻的氧化物半导体的溅射靶，并提供具有高的场效应迁移率和高可靠性的薄膜晶体管。解决方案：溅射靶包括包含同源的烧结体包括由InAlO（ZnO）（m为0.1-10）表示的铟元素（In），锌元素（Zn）和铝元素（Al）的氧化物的结构化合物，以及由InO表示的双峰结构化合物。

7. 发明专利

JP2014015673A Sputtering target, semiconductor thin film and thin film transistor using the same 有权
标题翻译：溅射目标，半导体薄膜和薄膜薄膜晶体管
公开(公告)号：JP2014015673A
公开(公告)日：2014-01-30
申请号：JP2012226648
申请日：2012-10-12
申请人： Idemitsu Kosan Co Ltd , 出光興産株式会社
发明人： TAJIMA NOZOMI , EBATA KAZUAKI , NISHIMURA ASAMI
IPC分类号： C23C14/34 , C04B35/00 , H01L21/336 , H01L21/363 , H01L29/786
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a sputtering target for an oxide semiconductor having high density and low resistance, and to provide a thin film transistor having a wide process window and high reliability.SOLUTION: A sputtering target contains an oxide containing indium, zinc, and metal M, and includes crystal having a composition of MInO. A maximum peak intensity Iof the crystal having a composition of MInOin an X-ray diffraction and a maximum peak intensity Iof an oxide other than the crystal having a composition of the MInOsatisfy 0.01≤I/I≤1.8.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种具有高密度和低电阻的氧化物半导体的溅射靶，并提供具有宽的工艺窗口和高可靠性的薄膜晶体管。解决方案：溅射靶包含含有铟，锌，和金属M，并且包括具有MInO组成的晶体。具有MInOin的组成的X射线衍射的结晶的最大峰值强度I和除了具有MInOsatisfy0.01≤I/I≤1.8的组成的晶体以外的氧化物的最大峰强度I.

8. 发明专利

JP2014214359A スパッタリングターゲット、酸化物半導体薄膜及び当該酸化物半導体薄膜を備える薄膜トランジスタ审中-公开
标题翻译：溅射靶，氧化物半导体薄膜和薄膜半导体薄膜包括氧化物半导体薄膜
公开(公告)号：JP2014214359A
公开(公告)日：2014-11-17
申请号：JP2013093897
申请日：2013-04-26
申请人：出光興産株式会社 , Idemitsu Kosan Co Ltd
发明人： TAJIMA NOZOMI , EBATA KAZUAKI
IPC分类号： C23C14/34 , C04B35/00 , C04B35/453 , C23C14/08 , H01L21/336 , H01L21/363 , H01L29/786
CPC分类号： C04B35/00 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01L21/36 , H01L29/78
摘要：【課題】高密度なスパッタリングターゲットを提供する。【解決手段】インジウム元素(In)、ガリウム元素(Ga)、亜鉛元素(Zn)及びアルミニウム元素(Al)を含有する酸化物からなり、InGaO3(ZnO)m又はInAlO3(ZnO)m(mは0.1〜10)で表されるホモロガス構造化合物を1以上、及びZnAl2O4又はZnGa2O4で表されるスピネル構造化合物を1以上含むスパッタリングターゲット。【選択図】なし
摘要翻译：要解决的问题：提供一种高密度溅射靶。溅射靶包括含有铟元素（In），镓元素（Ga），锌元素（Zn）和铝元素（Al）的氧化物，并且包括由InGaO（ZnO）或InAlO（ZnO）（m为0.1-10）表示的一种或多种同系结构化合物，以及一种或多种由ZnAlO或ZnGaO表示的尖晶石结构化合物。

9. 发明专利

JP2014098204A Sputtering target, oxide semiconductor thin film, and method for producing the same 有权
标题翻译：溅射靶，氧化物半导体薄膜及其制造方法
公开(公告)号：JP2014098204A
公开(公告)日：2014-05-29
申请号：JP2013084274
申请日：2013-04-12
申请人： Idemitsu Kosan Co Ltd , 出光興産株式会社
发明人： EBATA KAZUAKI , TAJIMA NOZOMI
IPC分类号： C23C14/34 , H01L21/336 , H01L29/786
CPC分类号： H01J37/3429 , C23C14/086 , C23C14/3414 , C23C14/3464 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L27/1225 , H01L29/7869
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a sputtering target having low resistance and high density.SOLUTION: Provided is a sputtering target which consists of an oxide containing an indium element (In), tin element (Sn), zinc element (Zn) and aluminum element (Al) and which contains a homologous structure compound represented by InO(ZnO)(n is 2-20) and a spinel structure compound represented by ZnSnO.
摘要翻译：要解决的问题：提供具有低电阻和高密度的溅射靶。解决方案：提供一种溅射靶，其由含有铟元素（In），锡元素（Sn），锌元素（Zn）和铝的氧化物元素（Al），其含有由InO（ZnO）（n为2-20）表示的同源结构化合物和由ZnSnO表示的尖晶石结构化合物。

10. 发明专利

JP2014084479A Sputtering target 有权
标题翻译：飞溅目标
公开(公告)号：JP2014084479A
公开(公告)日：2014-05-12
申请号：JP2012232406
申请日：2012-10-19
申请人： Idemitsu Kosan Co Ltd , 出光興産株式会社
发明人： TAJIMA NOZOMI , EBATA KAZUAKI , NISHIMURA ASAMI
IPC分类号： C23C14/34 , C04B35/00 , C04B35/453 , H01L21/28 , H01L21/285 , H01L21/336 , H01L21/363 , H01L29/786
CPC分类号： C23C14/3414 , C23C14/086 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L29/7869
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a sputtering target having a high density and a low resistance.SOLUTION: A sputtering target includes a sintered body containing oxide including indium, zinc and metal M, containing InO, MInO, InO(ZnO)(1≤m≤20) as crystalline phases, and having a relative density of 95% or more. The sintered body includes a structure with In content higher than surrounding areas, a structure with Zn content higher than surrounding areas, and a structure with metal M content higher than surrounding areas. The average diameter of a circle of minimum area surrounding the structure with higher In content and the average diameter of a circle of minimum area surrounding the structure with higher metal M content are 25 μm or less.
摘要翻译：要解决的问题：提供具有高密度和低电阻的溅射靶。解决方案：溅射靶包括含有包含InO，MInO，InO（ZnO）（1≤Z≤1）的含有铟，锌和金属M的氧化物的烧结体 m≤20）作为结晶相，相对密度为95％以上。该烧结体包括含有量高于周围区域的结构，Zn含量高于周围区域的结构以及金属M含量高于周围区域的结构。具有较高含量的围绕结构的最小面积的平均直径和具有较高金属M含量的结构周围的最小面积的平均直径为25μm或更小。

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