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1. 发明专利

JP2014216425A 半導体膜を製造する方法审中-公开
标题翻译：半导体薄膜制造方法
公开(公告)号：JP2014216425A
公开(公告)日：2014-11-17
申请号：JP2013091517
申请日：2013-04-24
申请人：トヨタ自動車株式会社 , Toyota Motor Corp
发明人： MAEKAWA RYOSUKE , AWANO HIROMOTO , MATSUNAGA TOMOYA , TAKEDA YUICHIRO , SAKAI TAKENOBU , KUSANO YUYA
IPC分类号： H01L21/368 , H01L21/20
CPC分类号： H01L21/20 , H01L21/36
摘要：【課題】品質の低下を抑制可能な半導体膜を製造する方法を提供する。【解決手段】半導体膜の原料とアンモニア水溶液とを混合して得られる反応液2中に基板1を配置し、その状態において、反応液2の周囲を減圧しつつ反応液2を加熱することにより、基板1上に半導体膜の原料を堆積する。このため、この半導体膜を製造する方法によれば、反応液2中に生じた気泡が半導体膜に混入することにより半導体膜の品質が低下すること(半導体膜に欠陥(白濁)等が生じること)を抑制可能である。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：提供可以抑制质量劣化的半导体膜制造方法。解决方案：半导体膜制造方法包括将基板1布置在通过半导体膜的材料和氨水的混合物获得的反应液体2中溶液，并且通过在该状态下加热反应液体2将半导体膜的材料沉积在基板1上，同时减压反应液体2的周围。因此，根据半导体膜制造方法，在反应液体中产生的气泡 2被捕获在半导体膜中，从而能够防止劣化（半导体膜中产生缺陷（白浊））。

2. 发明专利

JP2015040154A ＣＺＴＳ系化合物半導体材料及びその利用审中-公开
标题翻译：基于CZTS的化合物半导体材料及其使用
公开(公告)号：JP2015040154A
公开(公告)日：2015-03-02
申请号：JP2013172733
申请日：2013-08-22
申请人：一般財団法人ファインセラミックスセンター , Japan Fine Ceramics Center , トヨタ自動車株式会社 , Toyota Motor Corp
发明人： UEDA TARO , TAKAHASHI SEIJI , OKAWA HAJIME , SAKAI TAKENOBU , AWANO HIROMOTO , MAEKAWA RYOSUKE , TAKEDA YUICHIRO , KUSANO YUYA
IPC分类号： C04B35/547 , C01G19/00 , H01L21/363 , H01L31/06
CPC分类号： Y02E10/50
摘要：【課題】太陽電池用に、より低い焼成温度で焼結可能なCZTS系化合物半導体材料を提供する。【解決手段】Cu、Zn、Sn及びSを主成分とするCZTS系化合物半導体材料を、CZTS系化合物と、焼結助剤としてSn及びZnのいずれか又は双方と、を含むようにし、500〜670℃の低温での焼成により緻密な焼結体を得る。前記Sn又は、前記Znを、前記CZTS系化合物に対して、1〜9質量%、好ましくは4〜7質量%以下含有させる。また焼成温度好ましくは550〜570℃の温度、より好ましくは550〜570℃の温度で焼成する。【選択図】なし
摘要翻译：要解决的问题：提供一种可在较低烧成温度下烧结的CZTS系化合物半导体材料，用于太阳能电池。解决方案：以Cu，Zn，Sn和S为主要成分的CZTS系化合物半导体材料为制成包括CZTS基化合物和Sn和Zn中的一种或两种作为烧结助剂，并且通过在500至670℃的低温下烧制获得致密的烧结体。基于CZTS系化合物的烧结体含有1〜9质量％，优选为4〜7质量％以下的Sn或Zn。此外，将CZTS系化合物半导体材料在优选为500〜670℃，更优选在550〜570℃的烧成温度下进行烧成。

3. 发明专利

JP2014144885A Method of producing czts compound semiconductor sintered compact 审中-公开
标题翻译：生产CZTS化合物半导体烧结的方法
公开(公告)号：JP2014144885A
公开(公告)日：2014-08-14
申请号：JP2013013991
申请日：2013-01-29
申请人： Toyota Motor Corp , トヨタ自動車株式会社
发明人： TAKEDA YUICHIRO , MURAKAMI DAICHI , SAKAI TAKENOBU , SUDO HIROYUKI , AWANO HIROMOTO , MATSUNAGA TOMOYA , MAEKAWA RYOSUKE , KUSANO YUYA
IPC分类号： C01G3/00 , C04B35/547 , H01L31/06
CPC分类号： Y02E10/50
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of producing a CZTS compound semiconductor sintered compact, capable of producing a dense CZTS compound semiconductor sintered compact at a firing temperature lower than that in a conventional method.SOLUTION: The method of producing a CZTS compound semiconductor sintered compact includes a step of firing a compact to be sintered containing Cu, Zn, Sn, and S under an environment where a sintering additive is present. The sintering additive contains a germanium compound.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种生产CZTS化合物半导体烧结体的方法，其能够在低于常规方法的烧制温度下生产致密的CZTS化合物半导体烧结体。方法：制备CZTS化合物半导体的方法烧结体包括在存在烧结添加剂的环境下烧制含有Cu，Zn，Sn和S的烧结体的工序。烧结添加剂含有锗化合物。

4. 发明专利

JP2014091647A MANUFACTURING METHOD OF Cu2SnS3 PARTICLE 审中-公开
标题翻译： Cu2SnS3颗粒的制备方法
公开(公告)号：JP2014091647A
公开(公告)日：2014-05-19
申请号：JP2012242320
申请日：2012-11-02
申请人： Toyota Motor Corp , トヨタ自動車株式会社 , Osaka City Univ , 公立大学法人大阪市立大学 , Japan Fine Ceramics Center , 一般財団法人ファインセラミックスセンター
发明人： AWANO HIROMOTO , SAKAI TAKENOBU , MATSUNAGA TOMOYA , MAEKAWA RYOSUKE , TAKEDA YUICHIRO , KUSANO YUYA , IZUNO MASATSUGU , KIM DAE-KWI , TAKAHASHI SEIJI
IPC分类号： C01G19/00 , H01L31/06
CPC分类号： Y02E10/50
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manufacturing method of CuSnSparticles that can manufacture CuSnSparticles of uniform composition.SOLUTION: A manufacturing method of CuSnSparticles includes a mixed solution preparing step of preparing a mixed solution by mixing at least a copper ion source, a stannum ion source, a ligand that suppresses an ion-binding reaction, and water, a precursor solution preparing step of preparing a precursor solution of a pH of 2 or higher and 8 or lower by mixing at least the prepared mixed solution and a sulfur ion source, and a sealing step of putting the prepared precursor solution in a container and sealing the container with the precursor solution put therein, and a hydrothermal synthesis reaction step of carrying out a hydrothermal synthesis reaction in the sealed container.
摘要翻译：要解决的问题：提供可制造均匀组成的CuSn颗粒的CuSn颗粒的制造方法。溶液：CuSn颗粒的制造方法包括混合溶液制备步骤，通过至少混合铜离子源，锡离子源，抑制离子结合反应的配体和水，通过混合至少所制备的混合溶液和硫离子源，制备pH为2以上且8以下的前体溶液的前体溶液的制备步骤，以及密封步骤，将制备的前体溶液放入容器中并将其中放置有前体溶液的容器密封，以及在密封容器中进行水热合成反应的水热合成反应步骤。

5. 发明专利

JP2014011310A Method for manufacturing semiconductor film 审中-公开
标题翻译：制造半导体膜的方法
公开(公告)号：JP2014011310A
公开(公告)日：2014-01-20
申请号：JP2012147030
申请日：2012-06-29
申请人： Toyota Motor Corp , トヨタ自動車株式会社
发明人： MAEKAWA RYOSUKE , AWANO HIROMOTO , MATSUNAGA TOMOYA , TAKEDA YUICHIRO , SAKAI TAKENOBU , KUSANO YUYA
IPC分类号： H01L21/368 , H01L31/06
CPC分类号： H01L31/18 , C30B19/00 , C30B29/16 , H01L21/02422 , H01L21/02425 , H01L21/02472 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02628 , H01L27/1225 , H01L31/022483 , H01L31/032 , H01L31/0322 , H01L31/0749 , Y02E10/541 , Y02P70/521
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing a semiconductor film capable of manufacturing a ZnMgO film in which an additive amount of Mg to Zn is more than 20 mol% using a liquid phase film formation method.SOLUTION: A method for manufacturing a semiconductor film comprises: a first step of preparing a mixture containing zinc hydroxide and magnesium hydroxide; a second step of attaching the mixture to a film-formed member; and a third step of heating the film-formed member attached with the mixture from 300°C to 400°C in 100/30 minutes.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种制造半导体膜的方法，所述半导体膜能够使用液相成膜方法制造其中Mg与Zn的添加量大于20mol％的ZnMgO膜。制造方法半导体膜包括：制备含有氢氧化锌和氢氧化镁的混合物的第一步骤; 将混合物附着到膜形成部件的第二步骤; 以及在100/30分钟内将从300℃至400℃附着的混合物的成膜部件加热的第三步骤。

6. 发明专利

JP2019021545A 燃料電池システム审中-公开
公开(公告)号：JP2019021545A
公开(公告)日：2019-02-07
申请号：JP2017140345
申请日：2017-07-19
申请人： TOYOTA MOTOR CORP
发明人： KUSANO YUYA
IPC分类号： H01M8/04 , H01M8/04119 , H01M8/04701
摘要：【課題】燃料電池システムの大型化を抑制しつつ、カソードガスの冷却及び加湿を行う。【解決手段】燃料電池10に供給される前の圧縮カソードガスを冷却すると共に加湿する冷却加湿装置50を備える燃料電池システム100であって、冷却加湿装置50は、圧縮カソードガスが供給される第1内部流路63と、燃料電池10から排出された水が供給されると共に第1内部流路63とは独立した第2内部流路66と、を有し、第2内部流路66に供給された水の蒸発潜熱によって第1内部流路63を流れる圧縮カソードガスを冷却する熱交換器60と、第2内部流路66内で生じた水蒸気を圧縮カソードガスに供給して加湿するための水蒸気供給流路52と、を備える。熱交換器60は、第2内部流路66内で生じた水蒸気が、第1内部流路63を流れる圧縮カソードガスの向きと対向する方向に第2内部流路66を流れるように構成される。【選択図】図1

7. 发明专利

JP2015090955A 化合物半導体の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2015090955A
公开(公告)日：2015-05-11
申请号：JP2013231144
申请日：2013-11-07
申请人： TOYOTA MOTOR CORP
发明人： KUSANO YUYA
IPC分类号： H01L31/06
摘要：【課題】緻密な化合物半導体を従来よりも低い焼結温度で製造することが可能な、化合物半導体の製造方法を提供する。【解決手段】Cu、Zn、Sn、及び、Sを含有する被焼結体と、ビスマス元素を含む焼結助剤とを含む混合物を焼結する工程を有し、前記焼結工程において前記被焼結体を500℃以上、675℃未満で焼結することを特徴とする、化合物半導体の製造方法を提供する。【選択図】図1

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