基本信息:
- 专利标题： フォトニック結晶の製造方法及び面発光レーザの製造方法
- 专利标题（英）：Manufacturing method of manufacturing methods and surface-emitting laser of photonic crystal
- 专利标题（中）：的制造方法的制造方法和该光子晶体的面发光激光器
- 申请号：JP2012066716 申请日：2012-03-23
- 公开(公告)号：JP5906108B2 公开(公告)日：2016-04-20
- 发明人： 星野 勝之
- 申请人： キヤノン株式会社
- 申请人地址： 東京都大田区下丸子3丁目30番2号
- 专利权人： キヤノン株式会社
- 当前专利权人： キヤノン株式会社
- 当前专利权人地址： 東京都大田区下丸子3丁目30番2号
- 代理人： 阿部 琢磨; 黒岩 創吾
- 主分类号： H01L21/205
- IPC分类号： H01L21/205 ; H01S5/183
公开/授权文献:
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/20 | ....半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长 |
| ----------------H01L21/205 | .....应用气态化合物的还原或分解产生固态凝结物的，即化学沉积 |