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1. 发明专利

JP2018170435A 電子ビーム照射装置及び電子ビームのダイナミックフォーカス調整方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018170435A
公开(公告)日：2018-11-01
申请号：JP2017067617
申请日：2017-03-30
申请人：株式会社ニューフレアテクノロジー
发明人：小笠原宗博
IPC分类号： H01J37/305 , H01J37/28 , H01J37/16 , H01J37/21 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/70383 , G03F1/78 , G03F7/2063 , H01J37/12 , H01J2237/20228 , H01L21/0277
摘要：【課題】電子ビームの軌道に影響を与える負の空間電位が形成されないようにし、ダイナミックフォーカス調整が可能な装置を提供する。【解決手段】電子ビームを試料面上の所望の位置に偏向する偏向器208と、試料面上に結像する対物レンズ207と、光軸に沿って偏向器よりも下流側であって対物レンズの磁場中に配置され、中心部に電子ビームが通過する第1の開口部が形成された、正の第1の電位が可変に印加される環状の第1の電極224と、対物レンズの磁場中であって、偏向器と第1の電極との間に配置され、中心部にビームが通過する第2の開口部が形成された、第1の電位よりも高い正の第2の電位が印加される環状の第2の電極222と、対物レンズの磁場中で、第1の電極に対して第2の電極とは反対側に配置され、中心部にビームが通過する第3の開口部が形成された、第1の電位よりも低い第3の電位が印加される環状の第3の電極226と、を備える。【選択図】図3

2. 发明专利

JP2018056365A 化合物半導体装置、化合物半導体装置の製造方法、電源装置、及び増幅器审中-公开
公开(公告)号：JP2018056365A
公开(公告)日：2018-04-05
申请号：JP2016191599
申请日：2016-09-29
申请人：富士通株式会社
发明人：牧山剛三
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/812 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L21/338
CPC分类号： H01L29/408 , H01L21/0217 , H01L21/02211 , H01L21/02241 , H01L21/02274 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/0277 , H01L21/30621 , H01L21/31116 , H01L21/31144 , H01L23/3107 , H01L23/3114 , H01L23/49513 , H01L23/4952 , H01L23/49562 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/41766 , H01L29/42376 , H01L29/66462 , H01L29/7786 , H01L29/7787 , H01L2224/0603 , H01L2224/48257 , H01L2224/48472 , H01L2924/181 , H02M1/4208 , H02M5/4585 , H03F1/3205 , H03F1/3241 , H03F1/3247 , H03F3/1935 , H03F3/195 , H03F3/21 , H03F3/245 , H03F2200/451 , H01L2924/00012
摘要：【課題】窒化物半導体を材料に用いた化合物半導体装置に電流コラプス現象が発生するのを抑制する。【解決手段】基板21と、基板21の上に形成された電子走行層23と、電子走行層23の上に形成され、ガリウムを含む化合物半導体層26と、化合物半導体層26の上に形成され、酸化ガリウムを含む拡散防止層41と、拡散防止層41の上に形成された絶縁層42と、電子走行層23の上方において互いに間隔をおいて形成されたソース電極40a、ドレイン電極40b、及びゲート電極49aとを有する。【選択図】図10

5. 发明专利

JP2017517883A 電子ビームスタッガードビームアパーチャアレイ审中-公开
公开(公告)号：JP2017517883A
公开(公告)日：2017-06-29
申请号：JP2016566248
申请日：2014-12-19
申请人：インテル・コーポレーション
发明人：エイ．ボロドフスキー、ヤン , エイ．ボロドフスキー、ヤン , ダブリュー．ネルソン、ドナルド , ダブリュー．ネルソン、ドナルド , シー．フィリップス、マーク , シー．フィリップス、マーク
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/20
CPC分类号： H01J37/3177 , H01J37/045 , H01J37/3026 , H01J2237/0435 , H01J2237/0453 , H01J2237/303 , H01J2237/30422 , H01J2237/30438 , H01J2237/31762 , H01J2237/31764 , H01L21/0277 , H01L21/31144
摘要：相補型電子ビームリソグラフィ(CEBL)に適した複数のリソグラフィ装置及びこれを含む方法論が説明される。例において、電子ビームツール用のブランカアパーチャアレイ(BAA)は、第1の方向に沿い、ピッチを有する複数の開口の第1のカラムを含む。BAAは、第1の方向に沿い、複数の開口の第1のカラムとスタッガードする複数の開口の第2のカラムをさらに含む。複数の開口の第2のカラムは、ピッチを有する。BAAのスキャン方向は、第1の方向に直交する第2の方向に沿う。

6. 发明专利

JP2003316019A Pattern forming method and method for manufacturing semiconductor device 有权
标题翻译：用于制造半导体器件的图案形成方法和方法
公开(公告)号：JP2003316019A
公开(公告)日：2003-11-06
申请号：JP2002122862
申请日：2002-04-24
申请人： Toshiba Corp , 株式会社東芝
发明人： KATO HIROKAZU , ONISHI KIYONOBU , SHIOBARA HIDESHI , KAWAMURA DAISUKE , NAKAMURA HIROKO
IPC分类号： G03F7/075 , G03F7/00 , G03F7/26 , G03F7/40 , H01L21/027
CPC分类号： H01L21/0279 , G03F7/0035 , H01L21/0275 , H01L21/0277 , H01L21/0278
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a pattern forming method capable of efficiently forming a required pattern with a high degree of accuracy independently of the shape of a formed pattern.
SOLUTION: A coating type carbon film 2 is spin-coated and baked on a semiconductor substrate 1 and a positive ArF resist film 4 is spin-coated and prebaked on the carbon film 2. The resist film 4 is exposed with ArF excimer laser light 5 and patterned by development. After EB (electron beam) curing of the resist film 4, a photosensitive polysilazane film 7 is disposed on the carbon film 2 so as to cover the resist film 4 in such a way that the pattern recesses in the resist film 4 are nearly thoroughly filled. The polysilazane film 7 is exposed overall with ArF excimer laser light 8, humidified and developed to disclose the top face of the resist film 4, thereby patterning the polysilazane film 7. The resist film 4 and the carbon film 2 are etched using the polysilazane film 7 as a mask.
COPYRIGHT: (C)2004,JPO
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够独立于形成的图案的形状而以高精度有效地形成所需图案的图案形成方法。解决方案：涂覆型碳膜2在半导体衬底1上被旋涂和烘烤，并且将正的ArF抗蚀剂膜4旋涂并预烘烤在碳膜2上。抗蚀剂膜4用ArF准分子激光5并通过开发图案化。在抗蚀膜4的EB（电子束）固化之后，在碳膜2上设置感光性聚硅氮烷膜7，以覆盖抗蚀剂膜4，使得抗蚀剂膜4中的图形凹部几乎完全填充。聚硅氮烷膜7用ArF准分子激光8整体曝光，加湿显影以公开抗蚀剂膜4的顶面，从而对聚硅氮烷膜7进行图案化。使用聚硅氮烷膜蚀刻抗蚀剂膜4和碳膜2 7作为面具。版权所有（C）2004，JPO

8. 发明专利

JP6218192B2 高感度積層レジスト膜及びレジスト膜の感光度向上方法有权
公开(公告)号：JP6218192B2
公开(公告)日：2017-10-25
申请号：JP2015539331
申请日：2014-09-25
申请人：国立研究開発法人物質・材料研究機構
发明人：川喜多仁 , 知京豊裕 , 中根茂行
IPC分类号： G03F7/20 , H01L21/027 , G03F7/30 , G03F7/11
CPC分类号： G03F7/11 , G03F7/091 , G03F7/20 , G03F7/32 , H01L21/0274 , H01L21/0277 , H01L21/0278

9. 发明专利

JPWO2014129582A1 水酸基を有するアリールスルホン酸塩含有レジスト下層膜形成組成物有权
标题翻译：含磺酸酯的抗蚀剂含有羟基下层膜形成用组合物的芳基
公开(公告)号：JPWO2014129582A1
公开(公告)日：2017-02-02
申请号：JP2015501518
申请日：2014-02-21
申请人：日産化学工業株式会社
发明人：貴文遠藤 , 貴文遠藤 , 橋本　圭祐 , 圭祐橋本 , 裕和西巻 , 裕和西巻 , 坂本　力丸 , 力丸坂本
IPC分类号： G03F7/11 , C07C211/63 , C07C309/42 , C07C309/43 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/11 , G03F7/091 , G03F7/094 , H01L21/0274 , H01L21/0277 , H01L21/3081 , H01L21/3086 , H01L21/31133
摘要：【課題】焼成工程においてレジスト下層膜中から発生する昇華物量を低減し、且つエイジングを抑制することで高い保存安定性を有するためのレジスト下層膜形成組成物を提供する。【解決手段】【請求項1】下記式(1):【化1】(式中、Arはベンゼン環又はベンゼン環が縮合した芳香族炭化水素環を示し、m1は0乃至(2+2n)の整数であり、m2及びm3はそれぞれ1乃至(3+2n)の整数であり、(m1+m2+m3)は2乃至(4+2n)の整数を示す。ただし、nはベンゼン環の数又は芳香族炭化水素環において縮合したベンゼン環の数を表し、1乃至6の整数である。X+はNH4+、第1級アンモニウムイオン、第2級アンモニウムイオン、第3級アンモニウムイオン、第4級アンモニウムイオン、スルホニウムイオン、又はヨードニウムカチオンを示す。)で表される水酸基を有するアリールスルホン酸塩化合物を含むレジスト下層膜形成組成物。【選択図】なし
摘要翻译：从在焙烧工序中的抗蚀剂下层膜的升华产生的产物的量降低，并提供一种抗蚀剂下层膜形成用组合物具有通过抑制老化具有高的储存稳定性。根据权利要求1所述的方法]下述式（1）：（在式中，Ar表示芳香族烃环，其中一个苯环或一个苯环缩合时，m1是0至（2 + 2N）一个整数的数，m2和m3分别为1〜（3 + 2N），整数的整数。这里，n是（M1 + M2 + M3）的苯环为2〜（4 + 2N）或表示在芳香族烃环稠合的苯环的数目，NH 4 +，其中.X +为1〜6的整数，伯铵离子，二次铵离子，叔铵离子，季铵离子，锍离子，或碘鎓阳离子。）含有具有由下式表示的羟基芳基磺酸酯化合物的抗蚀剂下层膜形成用组合物。系统技术领域

10. 发明专利

JP2017500275A 化学種発生向上化合物审中-公开
标题翻译：化学物质产生增强化合物
公开(公告)号：JP2017500275A
公开(公告)日：2017-01-05
申请号：JP2016511464
申请日：2014-09-30
申请人：東洋合成工業株式会社
发明人：智至榎本 , 智至榎本 , 優介菅 , 優介菅
IPC分类号： C07C49/84 , C07C69/54 , C08F220/26 , C08F220/34 , C09K3/00 , G03F7/004
CPC分类号： H01L21/0274 , C07C59/64 , C07C217/18 , C08F220/30 , G02F1/133345 , G03F7/0045 , G03F7/038 , G03F7/0382 , G03F7/0392 , G03F7/0397 , H01L21/02118 , H01L21/0277 , H01L21/0279 , H01L21/311 , H01L21/31111
摘要：光酸発生剤の酸発生を向上させる試剤、及び、かかる試剤を含む組成物が開示される。
摘要翻译：为了提高光致酸发生剂的酸产生，并且，含有这样的药剂的组合物剂公开。

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