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1. 发明专利

JPWO2016021594A1 芳香族メチロール化合物が反応したノボラック樹脂を含むレジスト下層膜形成組成物审中-公开
公开(公告)号：JPWO2016021594A1
公开(公告)日：2017-05-25
申请号：JP2016540245
申请日：2015-08-04
申请人：日産化学工業株式会社
发明人：裕和西巻 , 裕和西巻 , 坂本　力丸 , 力丸坂本 , 橋本　圭祐 , 圭祐橋本 , 貴文遠藤 , 貴文遠藤
IPC分类号： G03F7/11 , C08G6/00 , G03F7/20 , G03F7/26 , H01L21/027
CPC分类号： C08G8/24 , C08G14/06 , G03F7/094
摘要：【課題】良好な塗布成膜性を発現するためのレジスト溶剤(リソグラフィーに用いられる溶剤)への高い溶解性とレジストに比べて小さいドライエッチング速度の選択比を持つリソグラフィー用レジスト下層膜を提供する。【解決手段】芳香族化合物(A)の芳香族環とヒドロキシ基含有芳香族メチロール化合物(B)との反応により得られる構造体(C)を含むノボラック樹脂を含むレジスト下層膜形成組成物。芳香族化合物(A)がノボラック樹脂に含まれる構造体(C)を構成するための成分である。ヒドロキシ基含有芳香族メチロール化合物(B)が式(1):【化1】で示される。ヒドロキシ基含有芳香族メチロール化合物(B)が2−ヒドロキシベンジルアルコール、4−ヒドロキシベンジルアルコール、又は2,6−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキシメチルフェノールである。【選択図】なし

2. 发明专利

JPWO2014185335A1 ビスフェノールアルデヒドを用いたノボラック樹脂含有レジスト下層膜形成組成物有权
标题翻译：含抗蚀剂下层膜形成用组合物中使用的双酚醛酚醛清漆树脂
公开(公告)号：JPWO2014185335A1
公开(公告)日：2017-02-23
申请号：JP2015517050
申请日：2014-05-08
申请人：日産化学工業株式会社
发明人：貴文遠藤 , 圭祐橋本 , 裕和西巻 , 力丸坂本
IPC分类号： G03F7/11 , C08G14/073 , G03F7/26 , H01L21/027
CPC分类号： C09D179/02 , C08G73/06 , C09D161/12 , C09D179/04 , G03F7/091 , G03F7/094 , H01L21/31138 , H01L21/31144
摘要：【課題】高いドライエッチング耐性とウイグリング耐性を有し、段差や凹凸部に対して良好な平坦化性や埋込性を発現するレジスト下層膜を形成するためのレジスト下層膜形成組成物を提供する。【解決手段】芳香族環を含む有機化合物Aと、フェノール性ヒドロキシ基を有する芳香族炭素環基を少なくとも2つ有し、そして該芳香族炭素環基が3級炭素原子を介して結合した構造を有するアルデヒドBとの反応により得られる樹脂を含むレジスト下層膜形成組成物。アルデヒドBが下記式(1)である。【化1】Ar1及びAr2はそれぞれ炭素原子数6乃至40のアリール基を示す。得られる樹脂が式(2)である。【化2】芳香族環を含む有機化合物Aが芳香族アミン、又はフェノール性ヒドロキシ基含有化合物である。更に溶剤を含む。更に酸及び/又は酸発生剤、架橋剤を含む。レジスト下層膜形成組成物を半導体基板上に塗布し焼成して下層膜を形成する工程を含む半導体の製造に用いられるレジストパターンの形成方法。【選択図】なし
摘要翻译： A具有高的干蚀刻耐性和Uiguringu电阻，提供了一种抗蚀剂下层膜形成用于形成抗蚀剂下层膜中表达良好的平坦性的组合物和嵌入相对于台阶或不规则部分。含有A的芳族环，其具有具有酚羟基基团，该芳香族碳环基团的至少两个芳族碳环基团的有机化合物A已经通过叔碳原子键合的结构抗蚀剂含有通过用醛乙反应得到的树脂下层膜形成用组合物。醛B为式（1）。 ## STR1 ## Ar1和Ar2各自表示具有的碳原子数6〜40的芳基。所得树脂是表达式（2）。 ##含有芳香环A STR2 ##有机化合物是芳族胺，或一个酚式羟基基团的化合物。还包含溶剂。还包括酸和/或酸产生剂，交联剂。形成包括形成抗蚀剂下层膜形成用组合物的步骤在半导体制造中使用的抗蚀剂图案的方法适用于烘焙到下膜的半导体衬底。系统技术领域

3. 发明专利

JPWO2014030579A1 多核フェノール類を有するノボラック樹脂を含むレジスト下層膜形成組成物有权
标题翻译：含有具有多核酚的酚醛清漆树脂的抗蚀剂下层膜形成用组合物
公开(公告)号：JPWO2014030579A1
公开(公告)日：2016-07-28
申请号：JP2014531597
申请日：2013-08-13
申请人：日産化学工業株式会社
发明人：貴文遠藤 , 貴文遠藤 , 徹也新城 , 徹也新城 , 橋本　圭祐 , 圭祐橋本 , 安信染谷 , 安信染谷 , 裕和西巻 , 裕和西巻 , 涼柄澤 , 涼柄澤 , 坂本　力丸 , 力丸坂本
IPC分类号： G03F7/11 , C08G8/00 , G03F7/26 , H01L21/027
CPC分类号： C09D161/12 , C07C39/15 , C08G8/02 , C08G8/04 , C09D161/04 , G03F7/038 , G03F7/11 , H01L21/0271 , H01L21/3088 , H01L21/31138 , H01L21/31144
摘要：【課題】高いドライエッチング耐性とウイグリング耐性を有し、段差や凹凸部に対して良好な平坦化性や埋込性を発現するレジスト下層膜を形成するためのレジスト下層膜形成組成物を提供する。【解決手段】少なくとも3つのフェノール基を有し且つ該フェノール基は第3級炭素原子に結合した構造を有するか、又は該フェノール基はメチル基が結合した第4級炭素原子に結合した構造を有する化合物と、芳香族アルデヒド又は芳香族ケトンとを酸性触媒の存在下に反応させて得られるフェノールノボラック樹脂を含むレジスト下層膜形成組成物。フェノールノボラック樹脂が、下記式(1)の単位構造、式(2)の単位構造、式(3)の単位構造、式(4)の単位構造、又はそれら単位構造の組み合わせ:【化1】を含むレジスト下層膜形成組成物。【選択図】図1
摘要翻译： A具有高的干蚀刻耐性和Uiguringu电阻，提供了一种抗蚀剂下层膜形成用于形成抗蚀剂下层膜中表达良好的平坦性的组合物和嵌入相对于台阶或不规则部分。 A为和酚基具有具有连接到叔碳原子的结构，或连接到季碳原子键合的甲基的酚基结构中的至少三个酚基化合物，含有由芳族醛或芳族酮而获得的酚醛清漆树脂抗蚀剂下层膜形成用组合物在与酸性催化剂的存在下反应。苯酚酚醛清漆树脂，以下式（1），式单元结构（2），式单元结构（3），该单元式（4），或者其结构单元的组合的结构的单元结构：嵌入图像抗蚀剂下层膜形成用组合物，包括点域1

4. 发明专利

JPWO2013146670A1 フェニルインドール含有ノボラック樹脂を含むレジスト下層膜形成組成物有权
标题翻译：含有含苯基 - 酚醛清漆树脂的抗蚀剂下层膜形成用组合物
公开(公告)号：JPWO2013146670A1
公开(公告)日：2015-12-14
申请号：JP2014507864
申请日：2013-03-25
申请人：日産化学工業株式会社
发明人：裕和西巻 , 裕和西巻 , 坂本　力丸 , 力丸坂本 , 橋本　圭祐 , 圭祐橋本 , 徹也新城 , 徹也新城 , 安信染谷 , 安信染谷 , 涼柄澤 , 涼柄澤
IPC分类号： G03F7/11 , H01L21/027
CPC分类号： H01L21/0271 , C08G12/26 , C08G12/40 , G03F7/091 , G03F7/094 , G03F7/168 , G03F7/2037 , G03F7/2059 , H01L21/31133
摘要：【課題】半導体装置製造のリソグラフィープロセスに用いるための耐熱性を備えたレジスト下層膜形成組成物を提供する。【解決手段】下記式(1):【化1】で表される単位構造を有するポリマーを含むレジスト下層膜形成組成物。環A及び環Bが共にベンゼン環であり、n1、n2、及びn3が0であり、R4及びR6が水素原子であり、R5がナフチル基である。半導体基板に上記レジスト下層膜形成組成物により下層膜を形成する工程、その上にハードマスクを形成する工程、更にその上にレジスト膜を形成する工程、光又は電子線の照射と現像によりレジストパターンを形成する工程、レジストパターンによりハードマスクをエッチングする工程、パターン化されたハードマスクにより該下層膜をエッチングする工程、及びパターン化された下層膜により半導体基板を加工する工程を含む半導体装置の製造方法。【選択図】図1
摘要翻译：以提供抗蚀剂具有用于在光刻工艺中使用的半导体装置制造耐热性下层膜形成用组合物。下式（1）：## STR1 ##抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含具有由下式表示的单元结构的聚合物。环A和环B均为苯环，N1，N2和N3是0，R4和R6是氢原子，R 5是萘基。在半导体基板上形成由抗蚀剂下层膜形成用组合物的下层膜，形成抗蚀剂图案的步骤，进一步在其上形成抗蚀剂膜，通过显影光或电子束的照射，以在其上形成硬掩模形成通过蚀刻硬掩模的工序中的抗蚀图案，制造包括处理由所述工序中的半导体基板的工序的半导体装置的，和图案化的下层膜用于通过图案化硬掩模蚀刻所述下层膜方法。点域1

5. 发明专利

JP5067537B2 Resist underlayer film forming composition containing a polynuclear phenol 有权
公开(公告)号：JP5067537B2
公开(公告)日：2012-11-07
申请号：JP2007052447
申请日：2007-03-02
申请人：日産化学工業株式会社
发明人：誠中島 , 圭祐橋本 , 敏竹井
IPC分类号： G03F7/11

6. 发明专利

JPWO2016143436A1 レジスト下層膜の形成方法审中-公开
公开(公告)号：JPWO2016143436A1
公开(公告)日：2017-12-21
申请号：JP2017504921
申请日：2016-02-05
申请人：日産化学工業株式会社
发明人：涼柄澤 , 涼柄澤 , 徹也新城 , 徹也新城 , 橋本　圭祐 , 圭祐橋本
IPC分类号： G03F7/11 , G03F7/20 , G03F7/26 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/11 , G03F7/26 , H01L21/027
摘要：【課題】フルオロカーボンを含むガスに対し高いドライエッチング耐性を有するレジスト下層膜の形成方法を提供する。【解決手段】フラーレン1分子に対して下記式(1):【化1】(式中、2つのRはそれぞれ独立に炭素原子数1乃至10のアルキル基を表す。)で表されるマロン酸ジエステルが1乃至6分子付加したフラーレン誘導体、エポキシ基を少なくとも2つ有する化合物及び溶剤を含むレジスト下層膜形成組成物を基板上に塗布し、前記レジスト下層膜形成組成物が塗布された基板を、窒素、アルゴン又はそれらの混合物の雰囲気下で240℃以上の温度で少なくとも1回ベークする、レジスト下層膜の形成方法。【選択図】なし

7. 发明专利

JPWO2015194273A1 レジスト下層膜形成組成物审中-公开
公开(公告)号：JPWO2015194273A1
公开(公告)日：2017-04-20
申请号：JP2016529156
申请日：2015-05-01
申请人：日産化学工業株式会社
发明人：裕和西巻 , 裕和西巻 , 橋本　圭祐 , 圭祐橋本 , 貴文遠藤 , 貴文遠藤 , 坂本　力丸 , 力丸坂本
IPC分类号： G03F7/11 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/11 , C08G8/02 , C09D161/16 , G03F7/162 , G03F7/168 , H01L21/0271 , H01L21/3081 , H01L21/3086
摘要：【課題】耐エッチング性を有し且つ、凹部及び/又は凸部を有する表面の埋め込み性に優れるレジスト下層膜を形成できる新規なレジスト下層膜形成組成物を提供する。【解決手段】下記式(1)又は式(2):【化1】(式中、Xはアリーレン基を表し、nは1又は2を表し、R1、R2、R3及びR4はそれぞれ独立に水素原子、ヒドロキシ基、炭素原子数1乃至3のアルキル基又はフェニル基を表す。)で表される構造単位を有するポリマー、及び溶剤を含むレジスト下層膜形成組成物。【選択図】図1

8. 发明专利

JPWO2014024836A1 レジスト下層膜形成組成物有权
标题翻译：抗蚀剂下层膜形成用组合物
公开(公告)号：JPWO2014024836A1
公开(公告)日：2016-07-25
申请号：JP2014529489
申请日：2013-08-05
申请人：日産化学工業株式会社
发明人：裕和西巻 , 裕和西巻 , 橋本　圭祐 , 圭祐橋本 , 徹也新城 , 徹也新城 , 貴文遠藤 , 貴文遠藤 , 坂本　力丸 , 力丸坂本
IPC分类号： G03F7/11 , C08G8/00 , G03F7/26 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/11 , C08G8/04 , C09D161/12 , G03F7/094 , G03F7/16 , H01L21/02112 , H01L21/0274 , H01L21/30604 , H01L21/3081 , H01L21/3086 , H01L21/32139
摘要：【課題】新規なレジスト下層膜形成組成物を提供する。【解決手段】下記式(1a)、式(1b)及び式(1c):【化1】[式中、2つのR1はそれぞれ独立にアルキル基、アルケニル基、芳香族炭化水素基、ハロゲン原子、ニトロ基又はアミノ基を表し、2つのR2はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルケニル基、アセタール基、アシル基又はグリシジル基を表し、R3は置換基を有してもよい芳香族炭化水素基を表し、R4は水素原子、フェニル基又はナフチル基を表し、式(1b)において2つのR3が表す基及び2つのR4が表す原子又は基は互いに異なっていてもよく、2つのkはそれぞれ独立に0又は1を表し、mは3乃至500の整数を表し、n、n1及びn2は2乃至500の整数を表し、pは3乃至500の整数を表し、Xは単結合又はヘテロ原子を表し、2つのQはそれぞれ独立に構造単位を表す。]で表される繰り返し構造単位のうちいずれか1つ又は2つ以上を有するポリマー及び溶剤を含むレジスト下層膜形成組成物。【選択図】図1
摘要翻译：提供一种新颖的抗蚀剂下层膜形成用组合物。甲式（1a），式（1b）和式（1c）中：## STR1 ##，其中，两个R 1分别独立地表示烷基，烯基，芳族烃基，卤素原子，硝基或氨基，该两个R 2各自独立地表示氢原子，烷基，烯基，缩醛基，酰基或缩水甘油基，R 3是芳族取代的烃基看台，R4表示氢原子，苯基或萘基，其中，两个原子或基团R 4表示R 3表示基团和两个与（1b）可以彼此不同，两个k各自独立表示0或1，m表示3〜500的整数，n，n1和n2表示2〜500的整数，p表示3〜500的整数，X表示单键或杂原子中，两个Q独立地表示的结构单元。抗蚀剂下层膜形成用组合物包含聚合物和具有一种或多种由下式表示的重复结构单元之一的溶剂。点域1

9. 发明专利

JPWO2013005797A1 脂環式骨格含有カルバゾール樹脂を含むレジスト下層膜形成組成物有权
标题翻译：含有脂环式骨架咔唑树脂的抗蚀剂下层膜形成用组合物
公开(公告)号：JPWO2013005797A1
公开(公告)日：2015-02-23
申请号：JP2013523046
申请日：2012-07-05
申请人：日産化学工業株式会社
发明人：徹也新城 , 徹也新城 , 安信染谷 , 安信染谷 , 橋本　圭祐 , 圭祐橋本 , 涼柄澤 , 涼柄澤
IPC分类号： G03F7/11 , C08G61/12 , G03F7/26 , H01L21/027
CPC分类号： H01L21/3081 , C08F26/12 , C08F226/06 , C08G61/124 , C08G2261/3241 , C08G2261/3325 , G03F7/091 , G03F7/094 , G03F7/11 , G03F7/32 , G03F7/38 , G03F7/40 , H01L21/0271 , H01L21/30604
摘要：【課題】 n値が高くk値が低く、珪素含有中間層と組み合わせて用いる3層プロセスにおいて基板からの波長193nmの光の反射を効果的に低減できるリソグラフィープロセスに用いられるレジスト下層膜を提供する。【解決手段】縮合ヘテロ環化合物とビシクロ環化合物との反応物を含む単位構造を含むポリマーを含むリソグラフィー工程に用いるレジスト下層膜形成組成物。縮合ヘテロ環化合物がカルバゾール、又は置換カルバゾールである。ビシクロ環化合物がジシクロペンタジエン、置換ジシクロペンタジエン、テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカ−3,8−ジエン、又は置換テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカ−3,8−ジエンである。【選択図】なし
摘要翻译： A N值高的k值是低的，提供一种在光刻工序中使用的抗蚀剂下层膜可以组合使用与含硅中间层的3层过程被有效地减少波长的193nm的光的反射从基板。的稠合杂环化合物的东西门双环化合物东西门卢反应事情WO包括单元结构WO包括聚合物WO包括类似于使用抗蚀剂下层膜形成用组合物的事情光刻工艺。稠合杂环化合物咔唑，或取代的咔唑。双环化合物二环戊二烯，取代的二环戊二烯，四环[4.4.0.1 2,5 .1 7,10]十二碳-3,8-二烯，或取代的四环[4.4.0.1 2,5 .1 7,10]十二碳-3,8-二烯它是。系统技术领域

10. 发明专利

JP5641253B2 カルバゾールノボラック樹脂有权
标题翻译：咔唑酚醛清漆树脂
公开(公告)号：JP5641253B2
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：JP2011519817
申请日：2010-06-16
申请人：日産化学工業株式会社
发明人：大悟齊藤 , 大悟齊藤 , 博明奥山 , 博明奥山 , 秀樹武蔵 , 秀樹武蔵 , 徹也新城 , 徹也新城 , 橋本　圭祐 , 圭祐橋本
IPC分类号： C08G16/02 , G03F7/11 , G03F7/26
CPC分类号： H01L21/3081 , C08G12/26 , C08G16/02 , C08G61/12 , C08G73/0273 , C08G73/0672 , C08G2261/344 , C08L61/26 , C08L79/02 , C08L79/04 , G03F7/091 , G03F7/094 , H01L21/0271

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