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1. 发明专利

JP6218192B2 高感度積層レジスト膜及びレジスト膜の感光度向上方法有权
公开(公告)号：JP6218192B2
公开(公告)日：2017-10-25
申请号：JP2015539331
申请日：2014-09-25
申请人：国立研究開発法人物質・材料研究機構
发明人：川喜多仁 , 知京豊裕 , 中根茂行
IPC分类号： G03F7/20 , H01L21/027 , G03F7/30 , G03F7/11
CPC分类号： G03F7/11 , G03F7/091 , G03F7/20 , G03F7/32 , H01L21/0274 , H01L21/0277 , H01L21/0278

2. 发明专利

JPWO2003007080A1 微細パターン形成方法审中-公开
公开(公告)号：JPWO2003007080A1
公开(公告)日：2004-11-04
申请号：JP2003512786
申请日：2002-07-12
申请人：株式会社半導体先端テクノロジーズ , ダイキン工業株式会社
发明人：実鳥海 , 実鳥海 , 民雄山崎 , 民雄山崎 , 渡辺　裕之 , 裕之渡辺 , 俊郎井谷 , 俊郎井谷 , 荒木　孝之 , 孝之荒木 , 卓司石川 , 卓司石川
IPC分类号： G03F7/039 , C08F214/18 , G03F7/004 , G03F7/023 , H01L21/027
CPC分类号： H01L21/0275 , G03F7/0046 , G03F7/0233 , G03F7/0395 , H01L21/0277 , H01L21/0278 , H01L21/0279
摘要： F2エキシマーレーザー光のような短波長の露光光に対して透明性の高い材料を用いて実用性の高い感光性組成物をレジストとして用いた微細パターン形成方法を提供する。該微細レジストパターン形成方法は、基板あるいは基板上の所定の層の上に、少なくとも、光の照射により酸を発生する化合物と、OH基または酸によりOH基に変化し得る官能基を有するノルボルネン誘導体単位含有含フッ素重合体とを含む感光性組成物を用いて感光性層を形成する工程と、前記感光性層の所定の領域に選択的にエネルギー線を照射して露光する工程と、前記露光後の感光性層を熱処理する工程と、前記熱処理後の感光性層を現像処理して、前記感光性層の露光部分または未露光部分を選択的に除去して微細レジストパターンを形成する工程とを含むことを特徴とする。

3. 发明专利

JP2003316019A Pattern forming method and method for manufacturing semiconductor device 有权
标题翻译：用于制造半导体器件的图案形成方法和方法
公开(公告)号：JP2003316019A
公开(公告)日：2003-11-06
申请号：JP2002122862
申请日：2002-04-24
申请人： Toshiba Corp , 株式会社東芝
发明人： KATO HIROKAZU , ONISHI KIYONOBU , SHIOBARA HIDESHI , KAWAMURA DAISUKE , NAKAMURA HIROKO
IPC分类号： G03F7/075 , G03F7/00 , G03F7/26 , G03F7/40 , H01L21/027
CPC分类号： H01L21/0279 , G03F7/0035 , H01L21/0275 , H01L21/0277 , H01L21/0278
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a pattern forming method capable of efficiently forming a required pattern with a high degree of accuracy independently of the shape of a formed pattern.
SOLUTION: A coating type carbon film 2 is spin-coated and baked on a semiconductor substrate 1 and a positive ArF resist film 4 is spin-coated and prebaked on the carbon film 2. The resist film 4 is exposed with ArF excimer laser light 5 and patterned by development. After EB (electron beam) curing of the resist film 4, a photosensitive polysilazane film 7 is disposed on the carbon film 2 so as to cover the resist film 4 in such a way that the pattern recesses in the resist film 4 are nearly thoroughly filled. The polysilazane film 7 is exposed overall with ArF excimer laser light 8, humidified and developed to disclose the top face of the resist film 4, thereby patterning the polysilazane film 7. The resist film 4 and the carbon film 2 are etched using the polysilazane film 7 as a mask.
COPYRIGHT: (C)2004,JPO
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够独立于形成的图案的形状而以高精度有效地形成所需图案的图案形成方法。解决方案：涂覆型碳膜2在半导体衬底1上被旋涂和烘烤，并且将正的ArF抗蚀剂膜4旋涂并预烘烤在碳膜2上。抗蚀剂膜4用ArF准分子激光5并通过开发图案化。在抗蚀膜4的EB（电子束）固化之后，在碳膜2上设置感光性聚硅氮烷膜7，以覆盖抗蚀剂膜4，使得抗蚀剂膜4中的图形凹部几乎完全填充。聚硅氮烷膜7用ArF准分子激光8整体曝光，加湿显影以公开抗蚀剂膜4的顶面，从而对聚硅氮烷膜7进行图案化。使用聚硅氮烷膜蚀刻抗蚀剂膜4和碳膜2 7作为面具。版权所有（C）2004，JPO

4. 发明专利

JPWO2015046327A1 高感度積層レジスト膜及びレジスト膜の感光度向上方法有权
公开(公告)号：JPWO2015046327A1
公开(公告)日：2017-03-09
申请号：JP2015539331
申请日：2014-09-25
申请人：国立研究開発法人物質・材料研究機構
发明人：仁川喜多 , 仁川喜多 , 知京　豊裕 , 豊裕知京 , 茂行中根 , 茂行中根
IPC分类号： G03F7/11 , G03F7/20 , G03F7/30 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/11 , G03F7/091 , G03F7/20 , G03F7/32 , H01L21/0274 , H01L21/0277 , H01L21/0278
摘要：レジスト材料自体のEUVや電子ビーム感光度は変更せずにレジスト層のEUVまたは電子ビーム感光度を向上させることが可能なレジスト膜構成を与える。基板3上にレジストポリマー層2を積層したものの上に更にナノメートルレベルの薄い厚さの金属層1を設ける。この構成のレジスト層を露光すると、金属層1の表面プラズモン効果によりレジスト膜への照射光が増強されることで、レジスト膜の感光度が向上する。

5. 发明专利

JP3697426B2 Method of manufacturing a pattern forming method and a semiconductor device 有权
公开(公告)号：JP3697426B2
公开(公告)日：2005-09-21
申请号：JP2002122862
申请日：2002-04-24
申请人：株式会社東芝
发明人：裕子中村 , 寛和加藤 , 英志塩原 , 廉伸大西 , 大輔河村
IPC分类号： G03F7/075 , G03F7/00 , G03F7/26 , G03F7/40 , H01L21/027
CPC分类号： H01L21/0279 , G03F7/0035 , H01L21/0275 , H01L21/0277 , H01L21/0278

6. 发明专利

JPS5769738A X-ray exposing method 失效
标题翻译： X射线曝光方法
公开(公告)号：JPS5769738A
公开(公告)日：1982-04-28
申请号：JP14546280
申请日：1980-10-17
申请人： Fujitsu Ltd
发明人： KOBAYASHI KOUICHI
IPC分类号： G03F7/20 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/70808 , H01L21/0278
摘要： PURPOSE:To photosensitize a resist with X-ray emission in a short time by filling oxygen in the space between the mask and a semiconductor substrate in a specimen chamber associated with an X-ray emission unit. CONSTITUTION:An X-ray generated in an X-ray generating chamber 3 is emitted through a Be window 5 and a chamber 6 filled with He gas or in vacuum to selectively transmit an X-ray mask 7 and is thus emitted to the resist 11 of a semiconductor substrate 10 in a specimen chamber 8. Thus, it can obtain the same effect as that the X-ray is emitted in vacuum by filling N2 gas in the space between the mask and the substrate, thereby reducing the cost.
摘要翻译：目的：通过在与X射线发射单元相关联的标本室中的掩模和半导体衬底之间的空间中填充氧气，在短时间内对具有X射线发射的光刻胶进行光敏化。构成：在X射线产生室3中产生的X射线通过Be窗口5和填充有He气体的腔室6或真空中发射以选择性地透射X射线掩模7，并且因此被发射到抗蚀剂11 因此，可以获得与通过在掩模和基板之间的空间中填充N 2气体在真空中发射X射线相同的效果，从而降低成本。

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