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1. 发明专利

JPWO2019142581A1 MIS型半導体装置およびその製造方法、並びにその製造に用いるスパッタリングターゲット审中-公开
公开(公告)号：JPWO2019142581A1
公开(公告)日：2020-11-19
申请号：JP2018046719
申请日：2018-12-19
申请人：国立研究開発法人物質・材料研究機構
发明人：長田貴弘 , 知京豊裕
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78 , H01L21/314
摘要：絶縁膜の誘電率が高く、バンドギャップが広く、半導体と絶縁膜の間に中間層を形成しにくく、界面準位が小さく、かつリーク電流の少ないMIS型半導体装置を提供する。該課題は、半導体層と絶縁体層と導電体層を有し、絶縁体層が半導体層と導電体層で挟まれたMIS型半導体装置であって、絶縁体層は、ハフニウムフッ化物およびランタンフッ化物を含み、ランタンフッ化物に対するハフニウムフッ化物の体積比率が0.35以上0.6以下であるMIS型半導体装置によって解決される。

2. 发明专利

JP6786122B2 結露および結露に伴う光散乱の予防方法および予防システム有权
公开(公告)号：JP6786122B2
公开(公告)日：2020-11-18
申请号：JP2018568107
申请日：2018-02-02
申请人：国立研究開発法人物質・材料研究機構
发明人：川喜多仁 , 知京豊裕
IPC分类号： G01N27/30 , G01N27/416

3. 发明专利

JP2018190876A MIS型半導体装置およびその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018190876A
公开(公告)日：2018-11-29
申请号：JP2017093745
申请日：2017-05-10
申请人：国立研究開発法人物質・材料研究機構
发明人：長田貴弘 , 知京豊裕
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
摘要：【課題】絶縁膜の誘電率が高く、半導体と絶縁膜の間に中間層を形成しにくいMIS型半導体装置を提供する。【解決手段】半導体層と絶縁体層と導電体層を有し、絶縁体層が半導体層と導電体層で挟まれたMIS型半導体装置であって、半導体層はGaNを含み、絶縁体層はランタンフッ化物を含むMIS型半導体装置。【選択図】図1

4. 发明专利

JP2018182058A MIS型半導体装置およびその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018182058A
公开(公告)日：2018-11-15
申请号：JP2017079420
申请日：2017-04-13
申请人：国立研究開発法人物質・材料研究機構
发明人：長田貴弘 , 知京豊裕
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/314 , H01L21/336
摘要：【課題】絶縁膜の誘電率が高く、絶縁膜の水素透過率が低く、かつ半導体界面上の非所望の酸化層の生成が少ないMIS型半導体装置を提供する。【解決手段】半導体層1とバッファ層2と絶縁体層3と導電体層4を有し、絶縁体層が半導体層と導電体層で挟まれたMIS(Metal−Insulator−Semiconductor)型半導体構造101を有するMIS型半導体装置である。絶縁体層は、セリウムフッ化物CeF2を含む。【選択図】図1

5. 发明专利

JP6308554B2 誘電体薄膜有权
公开(公告)号：JP6308554B2
公开(公告)日：2018-04-11
申请号：JP2014171406
申请日：2014-08-26
申请人：国立研究開発法人物質・材料研究機構
发明人：長田貴弘 , ソムクマラグルバラン , 知京豊裕 , 高橋健一郎 , 李成奇 , 鈴木摂 , 恒川吉文
IPC分类号： H01B3/12 , H01G4/33 , H01G4/12 , C23C14/08

6. 发明专利

JP2018037466A 半導体装置审中-公开
公开(公告)号：JP2018037466A
公开(公告)日：2018-03-08
申请号：JP2016167281
申请日：2016-08-29
申请人：国立研究開発法人物質・材料研究機構
发明人：若山裕 , 小橋和義 , 早川竜馬 , 知京豊裕
IPC分类号： H01L21/336 , H01L51/05 , H01L29/786
摘要：【課題】2種類の半導体の接合によるヘテロ界面を有する半導体装置であって、ヘテロ界面における電荷の移動・分離・再結合の制御性を高め、PVRを向上させた半導体装置を提供する。【解決手段】本発明の半導体装置100は、基板101と、基板の一方の主面101aに形成された絶縁膜102と、絶縁膜102上に形成されたp型有機半導体膜103およびn型有機半導体膜104と、p型有機半導体膜103上に形成された第1電極105と、n型有機半導体膜104上に形成された第2電極106と、を備え、p型有機半導体膜103の一部とn型有機半導体膜104の一部とが重なって、平坦なヘテロ界面Sが形成されており、p型有機半導体膜103を構成する分子、n型有機半導体膜104を構成する分子は、基板の一方の主面101aに対して垂直に配向していることを特徴とする。【選択図】図1

7. 发明专利

JP6040470B2 最適イオン化ポテンシャル成膜装置有权
标题翻译：最佳电离电势沉积设备
公开(公告)号：JP6040470B2
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：JP2012153328
申请日：2012-07-09
申请人：国立研究開発法人物質・材料研究機構
发明人：柳生進二郎 , 後藤真宏 , 吉武道子 , 知京豊裕
IPC分类号： C23C14/54

8. 发明专利

JP2016171216A トンネル電界効果トランジスタ及びその使用方法审中-公开
标题翻译：隧道场效应晶体管及其应用方法
公开(公告)号：JP2016171216A
公开(公告)日：2016-09-23
申请号：JP2015050089
申请日：2015-03-12
申请人：国立研究開発法人物質・材料研究機構
发明人：屋山巴 , 知京豊裕
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
摘要：【課題】オン電流量を向上させることのできるトンネル電界効果トランジスタを提供する。【解決手段】本発明に係るトンネル電界効果トランジスタは、高濃度p型領域であるソース領域と、前記ソース領域に接合する低濃度p型領域である第1チャネル領域と、前記ソース領域との接合面とは別の面で接合する低濃度n型領域である第2チャネル領域と、前記第2チャネル領域の前記第1チャネル領域との接合面とは別の面で接合する高濃度n型領域であるドレイン領域と、前記ソース領域、前記第1チャネル領域、前記第2チャネル領域及び前記ドレイン領域で構成される通電領域と絶縁膜を介して接するゲート電極とを備え、前記第1チャネル領域には、シリコン(Si)単結晶にインジウム(In)と窒素(N)が添加物として加わっていることを特徴とする。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供能够提高导通电流量的隧道场效应晶体管。解决方案：隧道场效应晶体管包括作为高浓度p型区域的源极区域，第一沟道区域即与源极区域连接的低浓度p型区域，作为与其他面的源极区域结合的低浓度n型区域的第二沟道区域，作为高浓度n型区域的漏极区域在与第一沟道区域的接合面以外的第二沟道区域的表面连接的栅极电极，以及与由源极区域，第一沟道区域，第二沟道区域和漏极区域构成的导电区域接触的栅电极，绝缘膜。在第一通道区域中，将铟（In）和氮（N）作为添加剂添加到硅（Si）中。选择图：图1

9. 发明专利

JP2015220310A 銀拡散障壁材料、銀拡散障壁、銀拡散障壁被覆有权
标题翻译：银扩散障碍材料，银扩散障碍物和银扩散障碍物涂层（SILIF DIFFUSION BARRIER COATING）
公开(公告)号：JP2015220310A
公开(公告)日：2015-12-07
申请号：JP2014102210
申请日：2014-05-16
申请人：国立研究開発法人物質・材料研究機構
发明人：川喜多仁 , バーバラホルバス , 知京豊裕
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/522 , H01L23/532 , C08K3/08 , C08L65/00 , H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L21/3205
CPC分类号： C08K3/08 , C08L65/00 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L23/532 , H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L2924/0002
摘要：【課題】TSV(シリコン貫通電極)構造の導電性充填材料としてAg/ポリピロール複合体を使用する際にAgがSi中に拡散するのを防止するとともに、Siへの接着性が良好な障壁層材料を提供する。【解決手段】酸窒化Siで酸素の含有量が4.2〜37.5原子%である材料を障壁層として使用する。酸化Siと同様な接着性と窒化Siと同様なAg拡散阻止特性を得る。【選択図】図8a
摘要翻译：要解决的问题：在使用Ag /聚吡咯络合物作为TSV（硅通孔）结构的导电填充材料的情况下，提供防止Ag扩散到Si中的阻挡层材料，并且与 Si.SOLUTION：银扩散阻挡材料包含氧含量为4.2〜37.5原子％的氧氮化硅，用作阻挡层。因此，可以获得与Si氧化物相当的粘合性和与SiN氮化物相当的Ag扩散抑制特性。

10. 发明专利

JP6941346B2 MIS型半導体装置およびその製造方法有权
公开(公告)号：JP6941346B2
公开(公告)日：2021-09-29
申请号：JP2017079420
申请日：2017-04-13
申请人：国立研究開発法人物質・材料研究機構
发明人：長田貴弘 , 知京豊裕
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/314 , H01L21/336

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