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1. 发明专利

JP2017073461A マルチ荷電粒子ビーム描画方法及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置审中-公开
公开(公告)号：JP2017073461A
公开(公告)日：2017-04-13
申请号：JP2015199388
申请日：2015-10-07
申请人：株式会社ニューフレアテクノロジー
发明人：松本裕史
IPC分类号： G03F7/20 , H01J37/305 , H01L21/027
CPC分类号： H01J37/304 , H01J37/3177 , H01J2237/24514 , H01J2237/31766 , H01J2237/31769 , H01J2237/31774
摘要：【目的】マルチビームに常時ONビーム(故障ビーム)が生じた場合でも高精度な照射時間制御が可能なマルチビーム描画方法を提供する。【構成】本発明の一態様のマルチ荷電粒子ビーム描画方法は、多重描画の1回のパスあたりのマルチビームの最大照射時間に相当する1つのビームのドーズ量に、1つの画素を露光する常時ONになる故障ビームの最大数を乗じた画素全てに照射されるオフセットドーズ量を演算する工程と、画素毎に、オフセットドーズ量の他に照射するための入射照射量を演算する工程と、常時ONになる故障ビームを含むマルチビームを用いて、パス毎にビームを切り替えると共に、マルチビームを一括してブランキング制御する共通ブランキング機構によりオフセットドーズ量に相当する照射時間を制御しながら、複数の画素に、対応する入射照射量とオフセットドーズ量との合計照射量のビームが照射されるように多重描画する工程と、を備えたことを特徴とする。【選択図】図8

2. 发明专利

JP2016519437A 複雑な成形に適用可能な放射エネルギーおよび形状の複合的な最適化によるリソグラフィ方法有权
标题翻译：根据复杂的优化适用辐射能和形状复杂成型平版印刷工艺
公开(公告)号：JP2016519437A
公开(公告)日：2016-06-30
申请号：JP2016511109
申请日：2014-04-17
申请人：アセルタナノグラフィクス , アセルタナノグラフィクス
发明人：シャルル、ティフィヌ , セバスチャン、ベール
IPC分类号： H01L21/027 , H01J37/302
CPC分类号： H01J37/3026 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01J37/3053 , H01J37/3174 , H01J2237/31764 , H01J2237/31769
摘要：電子放射によるパターンの書き込みに関するデータを生成する方法は、形成すべきパターンを提供するステップ(S1)を最初に含み、形成すべきパターンは、1つの外側エンベロープを有するワークパターンを形成する。ワークパターンは、それぞれが1つの外側エンベロープを備える一組の基本アウトラインに分解される(S3)。一組のインソレーション条件が規定され(S4)、各基本アウトラインがモデル化される。照射されたシミュレーションパターン(S5)が、複数組の基本アウトラインと関連付けられた複数組のインソレーション条件から計算される。シミュレーションパターンは、形成すべきパターンと比較(S6)される。シミュレーションパターンが、形成すべきパターン(1)を表さない場合、シフトベクトルが計算される。シフトベクトルは、2つのパターン間に存在する異なる間隔を表す。形成すべきパターンの外側エンベロープは、シフトベクトルから決定された変位ベクトルから修正される。新たな反復が実行される。
摘要翻译：生成与由电子辐射图案的写入数据的方法，包括将要在首先形成用于提供图案的步骤（S1），要形成的图案形成具有外部封壳中的一个的工作模式。工作模式，其中的每一个被分解成与所述外部封壳（S3）中的一个的一组基本轮廓的。定义一组在源极组态的条件（S4），每个基本轮廓建模。照明模拟模式（S5）由多个具有的在源极组态条件的基本轮廓相关联的组的多组计算。模拟图案进行比较，来形成图案（S6）。模拟模式，如果不表示一个模式（1）中形成，移位矢量被计算。移矢量表示两个图案之间存在不同的距离。要形成图案的外部包络是从移位矢量所确定的位移向量进行修改。新的迭代执行。

3. 发明专利

JP2016100445A 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法有权
标题翻译：充电颗粒光束绘图装置和充电颗粒光束绘图方法
公开(公告)号：JP2016100445A
公开(公告)日：2016-05-30
申请号：JP2014235901
申请日：2014-11-20
申请人：株式会社ニューフレアテクノロジー
发明人：菅沼瑞奈 , 中山田憲昭 , 加藤靖雄
IPC分类号： G03F7/20 , H01J37/305 , H01L21/027
CPC分类号： H01J37/3026 , H01J37/3174 , H01J2237/31769 , H01J2237/31774
摘要：【課題】AU誤差に起因する近接効果の補正残差を抑制することが可能な描画装置技術を提供する。【解決手段】描画装置100は、図形パターンを、1回の荷電粒子ビームのショットで照射可能なサイズの複数のショット図形に分割するショット分割部64と、複数のショット図形に分割される前の図形パターンを用いて、近接効果密度を演算するU(x)演算部71と、設計上の図形パターンに対する描画される図形パターンの近接効果密度の誤差を補正する補正項を演算するΔρ(x)演算部82と、補正項を用いて、近接効果を補正する近接効果補正照射係数を演算するDp(x)演算部72と、近接効果補正照射係数を用いて、荷電粒子ビームの照射量を演算するD(x)演算部74と、かかる照射量の電子ビームを用いて試料上に図形パターンを描画する描画部150と、を備える。【選択図】図6
摘要翻译：要解决的问题：提供一种可以抑制由AU错误引起的邻近效应的校正残差的绘图装置技术。解决方案：绘图装置100具有拍摄分割器64，用于将图形分割成具有这种尺寸的多个拍摄图形可以用一粒带电粒子束进行照射; U（x）计算器71，用于通过在图形图案被划分成多个镜头图形之前使用图形图案来计算邻近效应密度;Δρ（x）计算器82 用于计算用于从设计中的图形图案校正所绘制的图形图案的接近效应密度的误差的校正项; Dp（x）计算器72，用于计算通过使用校正来校正邻近效应的邻近效应校正照射系数用于通过使用邻近效应校正照射系数来计算带电粒子束的照射量的D（x）计算器74，以及图单元150，用于通过使用具有照射量的电子束在样品上绘制图形图案。图6

4. 发明专利

JP2015050439A 描画データの補正方法、描画方法、及びリソグラフィ用のマスク又はテンプレートの製造方法审中-公开
标题翻译：用于校正绘图数据的方法，绘图方法和用于制作用于绘图的掩模或模板的方法
公开(公告)号：JP2015050439A
公开(公告)日：2015-03-16
申请号：JP2013183499
申请日：2013-09-04
申请人：株式会社東芝 , Toshiba Corp
发明人： YAGAWA KEISUKE
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/20
CPC分类号： H01J37/3175 , H01J2237/31764 , H01J2237/31769 , H01J2237/31776
摘要：【課題】高精度の描画パターンを得ることの可能な方法を提供する。【解決手段】実施形態に係る描画データの補正方法は、パターンリサイズ量、ビーム照射量及び後方散乱係数の組み合わせをパターンサイズ毎に規定したデータテーブルを用意し、設計レイアウトをパターンサイズに応じて複数のレイヤーに分割することで得られたレイアウトを描画データに変換し、描画データに対して、各レイヤーに含まれる設計レイアウトのパターンを各レイヤーに含まれるパターンサイズに応じたパターンリサイズ量に基づいてリサイズするリサイズ処理を施し、各レイヤーに含まれるリサイズされたパターンに対して、各レイヤーに含まれる設計レイアウトのパターンサイズに応じたビーム照射量及び後方散乱係数と、各レイヤーに隣接するレイヤーに含まれる設計レイアウトのパターンサイズに応じたビーム照射量及び後方散乱係数とに基づいて、近接効果補正を施す。【選択図】図5
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够获得高精度绘图模式的方法。解决方案：在一种用于校正绘图数据的方法中：一个数据表，其中模式调整量，光束照射量和反向散射系数的组合是规定每种图案尺寸准备; 根据图案尺寸将设计布局划分为多个层而获得的布局被转换为绘图数据; 基于与每层中包含的图案尺寸相对应的图案调整量来调整包括在每层中的设计布局的图案大小的调整大小处理被应用于绘图数据; 基于与各层中包含的设计布局的图案尺寸对应的光束照射量和背散射系数，以及背光散射系数，对包含在各层中的尺寸调整图案进行邻近效应校正。散射系数对应于包含在与每个层相邻的层中的设计布局的图案尺寸。

5. 发明专利

JP5530688B2 Charged particle beam lithography system and proximity effect correction method thereof 有权
公开(公告)号：JP5530688B2
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：JP2009216469
申请日：2009-09-18
申请人：株式会社ニューフレアテクノロジー
发明人：重博原 , 秀一玉虫 , 貴司上久保 , 等日暮 , 信二坂本 , 佑輔酒井 , 好広岡本 , 彰人安保
IPC分类号： H01L21/027 , G03F1/20 , G03F1/68 , G03F1/78 , G03F7/20
CPC分类号： H01J37/3174 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01J37/304 , H01J2237/31769 , H01J2237/31776

6. 发明专利

JP2013089839A Charged particle beam lithography apparatus and charged particle beam lithography method 有权
标题翻译：充电颗粒光束光刻装置和充电颗粒光束光刻方法
公开(公告)号：JP2013089839A
公开(公告)日：2013-05-13
申请号：JP2011230464
申请日：2011-10-20
申请人： Nuflare Technology Inc , 株式会社ニューフレアテクノロジー
发明人： KATO YASUO , YASHIMA JUN
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： H01J37/3174 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01J2237/304 , H01J2237/31769
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an apparatus capable of correcting dimensional variation of a pattern due to a phenomenon having an influence radius of several μm or less together with other dimensional variation factors.SOLUTION: A lithography apparatus 100 comprises: a gradient calculation unit 44 calculating the gradient of the amount of convolution by using an amount of convolution obtained by performing convolution operation of area density and distribution function; a small influence radius phenomenon correction irradiation coefficient calculation unit 46 operating a small influence radius phenomenon correction irradiation coefficient for correcting dimensional variation due to a phenomenon having an influence radius of micron order or less by using the amount of convolution and gradient; a proximity effect correction irradiation coefficient calculation unit 50 operating a proximity effect correction irradiation coefficient for correcting dimensional variation due to proximity effect; an irradiation level calculation unit 56 operating an irradiation level by using the proximity effect correction irradiation coefficient and the small influence radius phenomenon correction irradiation coefficient; and a drawing unit 150 drawing a figure pattern on a sample by using a charged particle beam based on the irradiation level.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够根据具有几μm以下的影响半径的现象以及其他尺寸变化因素来校正图案的尺寸变化的装置。解决方案：光刻设备100包括：梯度计算单元44，通过使用通过进行区域密度和分布函数的卷积运算获得的卷积量来计算卷积量的梯度; 小影响半径现象校正照射系数计算单元46通过使用卷积和梯度的量来操作由于具有微米级或更小的影响半径的现象引起的尺寸变化的小影响半径现象校正照射系数; 邻近效应校正照射系数计算单元50操作用于校正由于邻近效应引起的尺寸变化的邻近效应校正照射系数; 照射度计算单元56通过使用接近效应校正照射系数和小影响半径现象校正照射系数来操作照射水平; 以及绘制单元150，其通过使用基于照射水平的带电粒子束在样本上绘制图形图案。版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

8. 发明专利

JP4615156B2 Exposure method utilizing optical proximity corrected exposure pattern, optical proximity corrected apparatus for generating exposure data, and optical proximity corrected exposure data of the exposure apparatus 有权
公开(公告)号：JP4615156B2
公开(公告)日：2011-01-19
申请号：JP2001234704
申请日：2001-08-02
申请人：富士通セミコンダクター株式会社
发明人：貴久伊藤 , 竜治小林 , 義正飯塚
IPC分类号： G03F1/36 , G03F1/68 , G03F7/20 , H01J37/302 , H01L21/027
CPC分类号： G03F1/36 , G03F1/68 , G03F7/70441 , H01J37/3026 , H01J2237/31769
摘要： In the exposure method which carries out optical proximity correction processing for exposure data having a plurality of exposure patterns and exposes a sample in accordance with such corrected exposure data, the exposure patterns to be corrected are converted, in the optical proximity correction processing, into a minus objective pattern and a minus pattern to be deleted from the minus objective pattern, to form corrected exposure data. And, the minus pattern is deleted from the minus objective pattern of the corrected exposure data to bitmap a corrected exposure pattern, to expose a sample in accordance with such bitmapped corrected exposure pattern.

9. 发明专利

JP4077933B2 Multi-electron beam exposure method and apparatus, and device manufacturing method 失效
公开(公告)号：JP4077933B2
公开(公告)日：2008-04-23
申请号：JP17714298
申请日：1998-06-24
申请人：キヤノン株式会社
发明人：真人村木
IPC分类号： G03F7/20 , H01L21/027 , H01J37/00 , H01J37/302 , H01J37/317
CPC分类号： H01J37/3177 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01J2237/0435 , H01J2237/31764 , H01J2237/31769

10. 发明专利

JP2007150243A Method for calculating amount of irradiation of charged particle beam, method of drawing charged particle beam, program, and apparatus of drawing charged particle beam 有权
标题翻译：用于计算充电颗粒光束辐射量的方法，绘制充电颗粒束的方法，程序和装置的带束粒子束的装置
公开(公告)号：JP2007150243A
公开(公告)日：2007-06-14
申请号：JP2006197455
申请日：2006-07-19
申请人： Nuflare Technology Inc , 株式会社ニューフレアテクノロジー
发明人： EMI KEIKO , SUZUKI JUNICHI , ABE TAKAYUKI , IIJIMA TOMOHIRO , YASHIMA JUN
IPC分类号： H01L21/027 , H01J37/305
CPC分类号： H01J37/3174 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01J2237/31764 , H01J2237/31769
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for obtaining an amount of irradiation which corrects a variation of size due to a foggy effect, a proximity effect, and a loading effect simultaneously. SOLUTION: The method for calculating the amount of irradiation of one embodiment includes a process (S106) for calculating an amount of foggy effect correcting irradiation in each first mesh areas divided like a mesh, a process (S110) for calculating a value of loading effect correcting size in each second mesh areas, a process (S116) for calculating an amount of proximity effect correcting irradiation which calculates an amount of proximity effect correcting irradiation in each third mesh areas using a reference irradiation amount map and a proximity effect correcting coefficient prepared based on the correction size value in such second meshes, and a process (S118) for calculating an amount of irradiation based on the amount of foggy effect correcting irradiation and the amount of proximity effect correcting irradiation. More precise uniformity of the line width in a sample surface can be attained by the method. COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供一种获得照射量的方法，其同时校正由于雾效应，邻近效应和负载效应引起的尺寸变化。解决方案：一个实施例的照射量的计算方法包括：计算在网格划分的每个第一网格区域中的雾效应校正照射量的处理（S106），用于计算值的处理（S110）在每个第二网格区域中的负载效应校正大小的处理（S116），用于计算使用参考照射量图和邻近效应校正来计算每个第三网格区域中的邻近效应校正照射量的邻近效应校正照射量基于这样的第二网格中的校正大小值准备的系数，以及用于基于雾效应校正照射量和邻近效应校正照射量来计算照射量的处理（S118）。通过该方法可以获得样品表面中线宽的更精确的均匀性。版权所有（C）2007，JPO＆INPIT

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