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1. 发明专利

KR20210031379A KR20210031379A - Heat medium circulation system and substrate processing apparatus 审中-公开
公开(公告)号：KR20210031379A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：KR1020200110941A
申请日：2020-09-01
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 마사루 이사고 , 다카시 기타자와
IPC分类号： H01L21/67 , F16L9/18 , H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32522 , F16L9/18 , H01J37/3053 , H01J37/3244 , H01L21/67069 , H01L21/67109 , H01L21/67248
摘要： 본 발명은, 수지제 배관을 투과하는 투과 가스의 배기 효율을 향상시킨다. 열매체 순환 시스템은, 온도 제어 대상물에 열매체를 순환시키는 순환 유로의 적어도 일부를 구성하는, 수지제 배관과, 배관의 외주면을 둘러싸는 커버와, 배관과 커버의 사이의 공간에 접속되어, 배관을 투과해서 해당 공간으로 방출되는 열매체를 배기하는 배기관을 갖고, 커버는, 배기관으로부터의 열매체의 배기와 병행하여, 배관과 커버의 사이의 공간에 공기를 도입하는 급기구를 갖는다.

2. 发明专利

JP2018529224A 方向性プラズマとユースポイントケミストリを用いる基板処理装置及び技術审中-公开
公开(公告)号：JP2018529224A
公开(公告)日：2018-10-04
申请号：JP2018502371
申请日：2016-07-14
申请人：ヴァリアンセミコンダクターイクイップメントアソシエイツインコーポレイテッド
发明人：シュロンリアン , コステルビロイウ , グレンギルクライスト , ヴィクラムシング , クリストファーキャンベル , リチャードヘルテル , アレキサンダーシーコントス
IPC分类号： H01L21/28 , H05H1/46 , H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/3053 , C23F4/00 , H01J37/08 , H01J37/1471
摘要：一実施形態において、基板を処理する装置は、プラズマチャンバからプラズマビームを抽出し、そのプラズマビームを基板に向けるための抽出板を備える。プラズマビームは基板の平面の垂線に対して非ゼロの入射角を成すイオンを含む。プラズマチャンバの外部に配置されたガス出口システムも備え、そのガス出口システムはガス源に結合され且つガス源から受け取られる反応性ガスを基板に供給し、前記反応性ガスは前記プラズマチャンバを通過しない。

4. 发明专利

JP6232448B2 電子銃装置及び真空蒸着装置有权
公开(公告)号：JP6232448B2
公开(公告)日：2017-11-15
申请号：JP2015553358
申请日：2014-12-05
申请人：株式会社アルバック
发明人：後田以誠 , 矢島太郎 , 増井透
IPC分类号： H01J37/06 , C23C14/30
CPC分类号： C23C14/30 , H01J37/06 , H01J37/3053 , H01J2237/3132

5. 发明专利

JPWO2016093087A1 パターン形成方法、ガスクラスターイオンビーム照射装置及びパターン形成装置审中-公开
公开(公告)号：JPWO2016093087A1
公开(公告)日：2017-09-07
申请号：JP2016563617
申请日：2015-11-27
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：チェ・ジヒョン , チャン・ヨンドン
IPC分类号： H01L21/3065 , G03F7/20 , H01L21/308 , H01L21/31
CPC分类号： H01L21/0337 , H01J37/3053 , H01J2237/0812 , H01J2237/202 , H01L21/0228 , H01L21/0335 , H01L21/3086 , H01L21/31111 , H01L21/31116 , H01L22/12
摘要：基板上にマスクパターンを形成する。マスクパターン上に第1スペーサ膜を形成する。ガスクラスターイオンビーム(GCIB)を基板に照射して第1スペーサ膜をエッチングする。マスクパターンを除去して基板上に第1スペーサパターンを形成する。第1スペーサパターン上に第2スペーサ膜を形成する。第2スペーサ膜をエッチングする。第1スペーサパターンを除去して基板上に第2スペーサパターンを形成する。第2スペーサパターンをマスクとして基板をエッチングする。

6. 发明专利

JP2016522964A 寿命延長型イオン源审中-公开
标题翻译：寿命延长型离子源
公开(公告)号：JP2016522964A
公开(公告)日：2016-08-04
申请号：JP2016512065
申请日：2014-05-02
申请人：ヴァリアンセミコンダクターイクイップメントアソシエイツインコーポレイテッド , ヴァリアンセミコンダクターイクイップメントアソシエイツインコーポレイテッド
发明人：ビロイウコステル , ビロイウコステル , ピースポーリーダーデイヴィッド , ピースポーリーダーデイヴィッド , シェアージェイ , シェアージェイ , バッソンニール , バッソンニール
IPC分类号： H01J37/08
CPC分类号： C23F4/00 , H01J27/08 , H01J37/08 , H01J37/3053 , H01J2237/022 , H01J2237/3341
摘要：イオン源が、イオン源チャンバ、イオン源チャンバ内に配置され、電子を放出してアークプラズマを発生するように構成されたカソード、及び電子をアークプラズマ中に跳ね返すように構成されたリペラーを含む。イオン源チャンバ及びカソードは難溶性金属を含むことができる。イオン源チャンバは、ハロゲン種をイオン源チャンバに供給するように構成されたガス源をさらに含む。反応性挿入体はハロゲン種と相互作用して、第1組の動作条件下でイオン源チャンバ内の難溶性金属材料の第1エッチング速度を生じさせ、第1エッチング速度は、反応性挿入体をイオン源チャンバ内に配置しない際の第1組の条件下での、イオン源チャンバ内の難溶性金属材料の第2エッチング速度よりも低い。
摘要翻译：离子源，离子源室，被设置在所述离子源室包括被配置以排斥配置阴极通过释放电子以生成电弧等离子推斥，电弧等离子体中的电子。离子源室和阴极可包括难溶金属。离子源腔室还包括一个被配置气体源以供应卤素物质离子源室中。反应性插入物与卤素物质相互作用时，在第一组操作条件下，第一蚀刻速率，反应性插入件使所述离子源腔室的微溶金属材料制成的第一蚀刻速率当没有设置在离子源室中的第一组条件，比离子源腔室的微溶的金属材料的蚀刻速率的第二下部。

7. 发明专利

JP5882381B2 デコレーションを用いたスライス・アンド・ビュー有权
公开(公告)号：JP5882381B2
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：JP2014062055
申请日：2014-03-25
申请人：エフ・イ−・アイ・カンパニー
发明人：マシュー・ブレイ , マーク・カスターニャ
IPC分类号： G01N1/32 , H01J37/317 , G01N1/28
CPC分类号： G01R31/307 , H01J37/26 , H01J37/3045 , H01J37/3053 , H01J2237/31745 , H01L22/12

8. 发明专利

JP5873227B2 デコレーションを用いたスライス・アンド・ビュー有权
标题翻译：切片和查看带装修
公开(公告)号：JP5873227B2
公开(公告)日：2016-03-01
申请号：JP2008308265
申请日：2008-12-03
申请人：エフ・イ−・アイ・カンパニー
发明人：マシュー・ブレイ , マーク・カスターニャ
IPC分类号： G01N1/28
CPC分类号： G01R31/307 , H01J37/26 , H01J37/3045 , H01J37/3053 , H01J2237/31745 , H01L22/12

9. 发明专利

JP5857158B2 イオンミリング装置有权
公开(公告)号：JP5857158B2
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：JP2015522636
申请日：2014-04-28
申请人：株式会社日立ハイテクノロジーズ
发明人：金子朝子 , 高須久幸 , 武藤宏史 , 岩谷徹 , 許斐麻美
IPC分类号： H01J37/30 , G01N1/28 , H01J37/20
CPC分类号： H01J37/20 , G01K1/14 , H01J37/3002 , H01J37/3023 , H01J37/3053 , G01N1/32 , H01J2237/002 , H01J2237/026 , H01J2237/08 , H01J2237/2001 , H01J2237/2007 , H01J2237/20271 , H01J2237/20285 , H01J2237/317 , H01J37/30

10. 发明专利

JP2015038469A 平面視試料の調製审中-公开
标题翻译：计划样本准备
公开(公告)号：JP2015038469A
公开(公告)日：2015-02-26
申请号：JP2014122959
申请日：2014-06-16
申请人：エフ・イ−・アイ・カンパニー , Fei Co
发明人： RICHARD J YOUNG
IPC分类号： G01N1/28 , H01J37/317
CPC分类号： H01J37/317 , G01N1/32 , H01J37/20 , H01J37/28 , H01J37/3023 , H01J37/3053 , H01J37/3178 , H01J2237/2802 , H01J2237/31745 , H01J2237/31749
摘要：【課題】荷電粒子ビームを用いたTEM試料の作成において、試料の向きを変える方法および装置を提供する。【解決手段】試料ステージ上に第1の加工物を配置するステップを含み、第1の加工物は、第1の向きに配向した薄片面を含む。第1の加工物から試料800が切り離されるように、試料は、イオン・ビームを使用して第1の加工物からミリングされる。試料を取り付けるプローブ802のシャフト軸は、試料ステージ平面に対して垂直ではない、あるシャフト角で配向する。シャフト軸を軸にプローブを回転させて、薄片面が第2の向きを向くようにする。試料を、試料がそこからミリングされた加工物である第1の加工物に取り付け、もしくは第1の加工物上に置く。または試料がそこからミリングされなかった加工物である第2の加工物に取り付け、もしくは第2の加工物上に置く。イオン・ビームを使用して、薄片面に沿った配向を有する試料薄片を形成する。【選択図】図12
摘要翻译：要解决的问题：提供一种用于改变为使用带电粒子束的样品制备的TEM样品的取向的方法和装置。解决方案：一种方法包括在样品台上提供第一工件的步骤，第一工件包括在第一方向上的薄片平面。使用离子束从第一工件碾磨样品800，使得样品不含第一工件。附接到样品的探针802包括轴，轴的轴线以与样品台平面成非正交角的轴角取向。探针围绕轴线旋转，使得薄片平面处于第二方向。样品在第一工件上附接或放置在样品上，第一工件是样品被研磨的工件，或在第二工件上，第二工件是工件，样品未研磨。使用离子束形成在薄片平面中取向的样品薄片。

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