专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

JP2018512697A 両極性のウェハ電荷監視システムおよびそれを備えたイオン注入システム审中-公开
公开(公告)号：JP2018512697A
公开(公告)日：2018-05-17
申请号：JP2017541921
申请日：2016-02-24
申请人：アクセリステクノロジーズ, インコーポレイテッド
发明人：ファーレイ,マービン , サカセ,タカオ , フォーリー,ジョセフ
IPC分类号： H01J37/317 , H01J37/20 , H01L21/265
CPC分类号： H01J37/304 , H01J37/3171 , H01J37/32412 , H01J2237/0041 , H01J2237/0203 , H01J2237/24507 , H01J2237/304 , H01J2237/31701 , H01L22/14
摘要：イオン注入時にワークピースに与えられる累積電荷を判定するための電荷モニタ装置および方法が提供される。一態様において、ラングミュアプローブ126を有する電荷モニタが提供される。正電荷整流器136および負電荷整流器138は、プローブに動作可能に接続され、かつ、負電荷および正電荷のみをそれぞれ通過させる。正電流積分器140は、正電荷整流器136に動作可能に接続されており、正閾値電圧142によってバイアスされている。正電流積分器は、正閾値電圧に少なくとも部分的に基づいて、正注入量144を出力する。負電流積分器150は、負電荷整流器138に動作可能に接続されており、負閾値電圧152によってバイアスされている。負電流積分器は、負閾値電圧に少なくとも部分的に基づいて、負注入量154を出力する。正電荷カウンタ146および負電荷カウンタ156はそれぞれ、正電荷および負電荷にそれぞれ関連する累積正電荷値および負電荷に関連する累積負電荷値を供給するために、正電流積分器および負電流積分器のそれぞれからの出力を取得する。

2. 发明专利

JP5989152B2 断面システムおよび方法有权
标题翻译：分段的系统和方法
公开(公告)号：JP5989152B2
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：JP2015016616
申请日：2015-01-30
申请人：カールツァイスマイクロスコーピーエルエルシー
发明人：ローレンスシピオニ , レイナーニッペルメイヤー , クリストフリーデゼル , ジョンモーガン , ウルリッヒマンツ , ウルリッヒヴァーゲマン
IPC分类号： H01L21/66
CPC分类号： G01N1/286 , H01J2237/0807 , H01J2237/304 , H01J2237/31745 , H01L22/12 , H01L2924/0002

3. 发明专利

JP5906196B2 イオン注入システム中のイオン源の寿命および性能を向上させる方法および装置有权
标题翻译：如何提高离子源的寿命和性能在离子注入系统和设备
公开(公告)号：JP5906196B2
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：JP2012555205
申请日：2011-02-26
申请人：インテグリス・インコーポレーテッド
发明人：カイム,ロバート , スウィーニー,ジョセフ,ディー. , アヴィラ,アンソニー,エム. , レイ,リチャード,エス.
IPC分类号： H01J37/317 , H01J37/08 , H01L21/265 , H01J27/02
CPC分类号： H01L21/2225 , F17C7/00 , H01J37/08 , H01J37/3002 , H01J37/3171 , H01L21/223 , H01L21/26506 , H01J2237/022 , H01J2237/304 , Y02E60/321 , Y10T428/13

4. 发明专利

JP2015141834A イオン注入装置及びイオン注入装置の制御方法有权
标题翻译：离子植入装置及其控制方法
公开(公告)号：JP2015141834A
公开(公告)日：2015-08-03
申请号：JP2014014584
申请日：2014-01-29
申请人：住友重機械イオンテクノロジー株式会社
发明人：大浦正英 , 今井大輔 , 二宮史郎
IPC分类号： H01J37/317
CPC分类号： H01J37/3171 , H01J37/3002 , H01J2237/0206 , H01J2237/18 , H01J2237/304 , H01J2237/30472
摘要：【課題】負荷電流の発生による過電流から電源を保護する技術を提供する。【解決手段】イオン注入装置10において、遮断手段は、ビームラインの途中でイオンビームBを遮る。プラズマシャワー装置40は、遮断手段よりもビームラインの下流側に設けられる。制御部60は、プラズマシャワー装置40の点火開始期間において、遮断手段にイオンビームBを遮らせる。遮断手段は、少なくとも一つ以上設けられる高電圧電界式の電極部よりもビームラインの上流側に設けてもよい。ガス供給手段は、プラズマシャワー装置40にソースガスを供給してもよい。制御部60は、遮断手段にイオンビームBを遮らせた後に、ガス供給手段にソースガスの供給を開始させてもよい。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供能够保护电源免受由负载电流的产生引起的过电流的技术。解决方案：在离子注入装置10中，屏蔽装置屏蔽束线中间的离子束B. 等离子体淋浴装置40设置在距离屏蔽装置的光束线的下游侧。控制器60使屏蔽装置将等离子体淋浴装置40的点火开始时间段内的离子束B屏蔽。屏蔽装置可以设置在波束线的上游侧，至少一个或多个高压电场型电极部件。气体供给装置可以将源气体供应到等离子体淋浴装置40.在使屏蔽装置屏蔽离子束B之后，控制器60可以使气体供应装置开始供应源气体。

5. 发明专利

JP2014165076A Ion implanter and state determination method of ion implanter 有权
标题翻译：离子植入物的离子植入物和状态测定方法
公开(公告)号：JP2014165076A
公开(公告)日：2014-09-08
申请号：JP2013036260
申请日：2013-02-26
申请人： Toshiba Corp , 株式会社東芝
发明人： JINGUJI MASAYUKI , HATTORI KEI , FUJITA KEIJI , NAGAMATSU TAKAHITO
IPC分类号： H01J37/317 , H01L21/265
CPC分类号： H01J37/3171 , H01J37/026 , H01J2237/24564 , H01J2237/304
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an ion implanter which allows for precise determination whether or not the electrons are supplied from a plasma generation unit to a substrate normally, and to provide a state determination method of the ion implanter.SOLUTION: An ion implanter includes an ion implantation unit, a position detection unit, a charge supply unit, a current value detection unit, and a determination unit. The ion implantation unit implants ions into a substrate by scanning the surface of the substrate with an ion beam containing ions having positive charges. The position detection unit detects the scanning position of the ion beam on the substrate. The charge supply unit generates plasma, discharges the electrons contained in the plasma and supplies the electrons to the substrate. The current value detection unit detects a current value which changes depending on the amount of electrons discharged by the charge supply unit. The determination unit determines the charged state of the substrate based on the change in the current value incident to change in the scanning position.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种离子注入机，其允许精确确定电子是否从等离子体发生单元正常供应到基板，并提供离子注入机的状态确定方法。解决方案：离子注入机包括离子注入单元，位置检测单元，电荷供应单元，电流值检测单元和确定单元。离子注入单元通过用包含具有正电荷的离子的离子束扫描衬底的表面而将离子注入到衬底中。位置检测单元检测离子束在基板上的扫描位置。电荷供给单元产生等离子体，对包含在等离子体中的电子进行放电，并将电子供给到基板。电流值检测单元检测根据由电荷供给单元放电的电子量而变化的电流值。确定单元基于入射到当前扫描位置的变化的当前值的变化来确定基板的充电状态。

6. 发明专利

JP5105357B2 Defect recognition method, defect observation method, and a charged particle beam device 有权
公开(公告)号：JP5105357B2
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：JP2007285003
申请日：2007-11-01
申请人：エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社
发明人：豊一宮 , 純一田代 , 佐藤　　誠
IPC分类号： H01L21/66 , G01N23/225 , H01J37/28 , H01J37/317
CPC分类号： H01J37/3056 , H01J37/244 , H01J37/304 , H01J2237/24578 , H01J2237/24592 , H01J2237/2817 , H01J2237/304 , H01J2237/31713 , H01J2237/3174 , H01J2237/31749
摘要： There are provided a detecting step of detecting secondary charged particles generated from an observation area of a sample when an electron beam or a focused ion beam is emitted onto the observation area under a certain irradiation condition; an image forming step of forming a plurality of observation images acquired by dividing the observation area and having an equal periodic pattern, from the secondary charged particles detected in the detecting step; and a defect recognizing step of recognizing a defect in the observation area from information on a difference acquired by comparing the plurality of observation images formed in the image forming step. Additionally, the detecting step, the image forming step, and the defect recognizing step are performed even when the electron beam or the focused ion beam is emitted onto the observation area under an irradiation condition different from the certain irradiation condition.

7. 发明专利

JP2012199529A Charged particle beam drawing device and method for manufacturing article using the same 审中-公开
标题翻译：充电颗粒光束绘图装置及其制造方法
公开(公告)号：JP2012199529A
公开(公告)日：2012-10-18
申请号：JP2012046126
申请日：2012-03-02
申请人： Canon Inc , キヤノン株式会社
发明人： OZAWA KIMITAKA
IPC分类号： H01L21/027 , H01J37/305
CPC分类号： H01J37/045 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01J37/3174 , H01J2237/304 , H01J2237/31766 , H01J2237/31774
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a charged particle beam drawing device advantageous to improve drawing throughput by adjusting action timing between a blanking deflector and a position control deflector at high speed and with high accuracy.SOLUTION: A charged particle beam drawing device 1 drawing a pattern on a substrate by using a charged particle beam comprises: a detection part 17 detecting a charge amount depending on irradiation of the charged particle beam; a first and second deflectors 13 and 15 which are arranged along the direction of the irradiation of the charged particle beam, and can deflect the charged particle beam; and a control part 6 controlling the first and second deflectors 13 and 15. The control part 6 transmits a signal for switching irradiation/non-irradiation of the charged particle beam to the detection part 17 to the first and second deflectors 13 and 15 at a predetermined timing; and adjusts action timing of the first and second deflectors 13 and 15 based on output of the detection part 17 depending on the signal.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种带电粒子束描绘装置，其有利于通过在高速和高精度下调整消隐偏转器和位置控制偏转器之间的动作定时来提高绘制吞吐量。解决方案：通过使用带电粒子束在基板上绘制图案的带电粒子束描绘装置1包括：检测部分17，其根据带电粒子束的照射检测电荷量; 沿着带电粒子束的照射方向布置的第一和第二偏转器13和15，并且可以使带电粒子束偏转; 以及控制第一和第二偏转器13和15的控制部分6.控制部分6将一个用于将照射/不照射带电粒子束的信号传送到检测部分17到第一和第二偏转器13和15，预定时间; 并且根据该信号，根据检测部17的输出来调整第一偏转器13和第二偏转器15的动作定时。版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

8. 发明专利

JP2012114123A Charged particle beam lithography apparatus, and article manufacturing method 有权
标题翻译：充电颗粒光束光刻设备及其制造方法
公开(公告)号：JP2012114123A
公开(公告)日：2012-06-14
申请号：JP2010259523
申请日：2010-11-19
申请人： Canon Inc , キヤノン株式会社
发明人： ITO HIROHITO
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： H01J37/3174 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01J3/26 , H01J37/3177 , H01J2237/304 , H01J2237/31766
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a technique advantageous to achieve high throughput with a reduced buffer memory capacity in a charged particle beam lithography apparatus.SOLUTION: A charged particle beam lithography apparatus includes a deflector for deflecting a charged particle beam and a stage mechanism for driving a substrate. The deflector scans the charged particle beam in a main scanning direction, and the stage mechanism scans the substrate in a sub-scanning direction, so that a pattern is drawn on the substrate. The charged particle beam lithography apparatus further includes: a blanker unit for controlling irradiating or not irradiating the substrate with the charged particle beam; and a control unit for controlling, when the drawing on the substrate is resumed after suspended in a state the stage mechanism drives the substrate in the sub-scanning direction, the deflector to deflect the charged particle beam in the sub-scanning direction, by the drive amount of the substrate by the stage mechanism in the sub-scanning direction during a period from the suspension to the resumption of the drawing.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种有利于在带电粒子束光刻设备中以减小的缓冲存储器容量实现高吞吐量的技术。解决方案：带电粒子束光刻设备包括用于偏转带电粒子束的偏转器和用于驱动衬底的平台机构。偏转器沿主扫描方向扫描带电粒子束，并且载物台机构沿副扫描方向扫描基板，从而在基板上绘制图案。带电粒子光刻设备还包括：用于控制用带电粒子束照射或不照射衬底的消隐单元; 以及控制单元，用于当在所述平台机构在副扫描方向上驱动所述基板的状态下暂停所述基板上的所述拉伸时，控制所述偏转器，以使所述带电粒子束沿副扫描方向偏转，在从暂停到恢复的时间段期间，通过平台机构在副扫描方向上的基板的驱动量。版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

9. 发明专利

JP2012500492A Charged particle beam lithography system and the target positioning device 有权
公开(公告)号：JP2012500492A
公开(公告)日：2012-01-05
申请号：JP2011523757
申请日：2009-08-18
申请人：マッパー・リソグラフィー・アイピー・ビー.ブイ.
发明人：デ・ボエル、グイド , ペイーステル、イェリー
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/20 , H01J37/305 , H01L21/68
CPC分类号： H01J37/3174 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01J37/20 , H01J37/26 , H01J2237/026 , H01J2237/202 , H01J2237/304
摘要：本発明は、ターゲット上に荷電粒子ビームを投影するための真空チャンバに配置され、荷電粒子ビームを偏向方向に偏向させるための偏向手段を有する荷電粒子光学カラムと、ターゲットを保持するためのキャリア及び偏向方向とは異なる第１の方向に沿ってキャリアを保持し移動させるためのステージを有するターゲット位置決め装置と、を具備し、このターゲット位置決め装置は、荷電粒子光学カラムに対する第１の方向にステージを移動させるための第１のアクチュエータを有し、キャリアは、ステージに移動可能に配置されており、ターゲット位置決め装置は、第１の相対位置にステージに対してキャリアを保持するための保持手段を有する荷電粒子ビームリソグラフィシステムに関する。

10. 发明专利

JP4473964B2 Fib column 有权
公开(公告)号：JP4473964B2
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：JP2002537029
申请日：2001-10-17
申请人：エフ・イ−・アイ・カンパニー
发明人：ガーラック・ロバート・エル , スコチラス・ウォルター , テッシュ・ポール , プロシク・ドリュー , マーティン・ノエル・ポール
IPC分类号： H01J27/26 , G01Q30/16 , G01Q60/00 , H01J37/08 , H01J37/09 , H01J37/16 , H01J37/18 , H01J37/30 , H01J37/317
CPC分类号： H01J37/3002 , H01J37/08 , H01J2237/1501 , H01J2237/304

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式