基本信息:
- 专利标题： イオン注入装置及びイオン注入装置の制御方法
- 专利标题（英）：Ion implantation device, and method of controlling the same
- 专利标题（中）：离子植入装置及其控制方法
- 申请号：JP2014014584 申请日：2014-01-29
- 公开(公告)号：JP2015141834A 公开(公告)日：2015-08-03
- 发明人： 大浦 正英 , 今井 大輔 , 二宮 史郎
- 申请人： 住友重機械イオンテクノロジー株式会社
- 申请人地址： 東京都品川区大崎二丁目1番1号
- 专利权人： 住友重機械イオンテクノロジー株式会社
- 当前专利权人： 住友重機械イオンテクノロジー株式会社
- 当前专利权人地址： 東京都品川区大崎二丁目1番1号
- 代理人： 森下 賢樹; 村田 雄祐; 三木 友由; 富所 輝観夫
- 主分类号： H01J37/317
- IPC分类号： H01J37/317
摘要：
【課題】負荷電流の発生による過電流から電源を保護する技術を提供する。 【解決手段】イオン注入装置10において、遮断手段は、ビームラインの途中でイオンビームBを遮る。プラズマシャワー装置40は、遮断手段よりもビームラインの下流側に設けられる。制御部60は、プラズマシャワー装置40の点火開始期間において、遮断手段にイオンビームBを遮らせる。遮断手段は、少なくとも一つ以上設けられる高電圧電界式の電極部よりもビームラインの上流側に設けてもよい。ガス供給手段は、プラズマシャワー装置40にソースガスを供給してもよい。制御部60は、遮断手段にイオンビームBを遮らせた後に、ガス供給手段にソースガスの供給を開始させてもよい。 【選択図】図1
摘要（中）：
要解决的问题：提供能够保护电源免受由负载电流的产生引起的过电流的技术。解决方案：在离子注入装置10中，屏蔽装置屏蔽束线中间的离子束B. 等离子体淋浴装置40设置在距离屏蔽装置的光束线的下游侧。 控制器60使屏蔽装置将等离子体淋浴装置40的点火开始时间段内的离子束B屏蔽。屏蔽装置可以设置在波束线的上游侧，至少一个或多个高压电场 型电极部件。 气体供给装置可以将源气体供应到等离子体淋浴装置40.在使屏蔽装置屏蔽离子束B之后，控制器60可以使气体供应装置开始供应源气体。
公开/授权文献:
- JP6207413B2 イオン注入装置及びイオン注入装置の制御方法 公开/授权日：2017-10-04
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01J | 放电管或放电灯 |
| ------H01J37/00 | 有把物质或材料引入使受到放电作用的结构的电子管,如为了对其检验或加工的 |
| --------H01J37/02 | .零部件 |
| ----------H01J37/317 | ..用于改变物体的特性或在其上加上薄层的，如离子注入 |