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1. 发明专利

JP2018521457A ホウ素層付のシリコン基板上にフィールドエミッタアレイが備わるフォトカソード审中-公开
公开(公告)号：JP2018521457A
公开(公告)日：2018-08-02
申请号：JP2017560551
申请日：2016-05-21
申请人：ケーエルエー−テンカーコーポレイション
发明人：チュアンユン−ホ , フィールデンジョン , シャオリーインイン , リウシュエフェン
IPC分类号： H01J40/06 , H01J31/50 , G01N21/956 , G01J1/02 , H01J1/34
CPC分类号： H01J1/308 , H01J1/3044 , H01J1/34 , H01J2201/3423 , H01L27/14831 , H01L31/105 , H01L31/107
摘要：光電子放出を強化すべくシリコン基板上に一体形成されたフィールドエミッタアレイ(FEA)と、酸化を防止すべくそのFEAの放出面上に直接配置された薄いホウ素層とを利用するフォトカソードである。フィールドエミッタは、二次元的周期性パターンにて配置された様々な形状の突起(例.ピラミッド又は丸み付ひげ)により形成され、また逆バイアスモードにて動作するよう構成可能である。付加的なゲート層を設け放出電流を制御する。付加的な第2ホウ素層をその被照明面(頂面)上に形成し、付加的な抗反射素材層をその第2ホウ素層上に形成する。付加的な外部電位を、被照明面とその裏側の放出面との間に発生させる。n型シリコンフィールドエミッタ及びpinフォトダイオード膜の付加的な組合せを、特殊なドーピング方式によって、且つ外部電位の印加によって形成する。本フォトカソードはセンサ及び検査システムの一部を形成する。

2. 发明专利

JP5808021B2 電子親和力の低下処理装置に用いられる活性化容器及びキット、該キットを含む電子親和力の低下処理装置、フォトカソード電子ビーム源、並びに、フォトカソード電子ビーム源を含む電子銃、自由電子レーザー加速器、透過型電子顕微鏡、走査型電子顕微鏡、電子線ホログラフィー顕微鏡、電子線描画装置、電子線回折装置及び電子線検査装置有权
标题翻译：减少处理器活化容器，并在电子亲和力使用的试剂盒，降低处理装置的电子亲和力，包括试剂盒，光电阴极电子束源和电子枪，包括一个光电阴极电子束源，加速器FEL，传输型电子显微镜，扫描电子显微镜，电子全息显微术，电子束光刻系统，电子束衍射装置和电子束检查系统
公开(公告)号：JP5808021B2
公开(公告)日：2015-11-10
申请号：JP2013147682
申请日：2013-07-16
申请人：国立大学法人名古屋大学
发明人：西谷智博
IPC分类号： H01J1/34 , H01J37/073
CPC分类号： H01J1/34 , H01J37/06 , H01J37/073 , H01J9/12 , H01J2237/06333 , H01J2237/2602

3. 发明专利

JP2010257962A Photocathode, electron tube, and photomultiplier tube 有权
标题翻译：光电管，电子管和光电管
公开(公告)号：JP2010257962A
公开(公告)日：2010-11-11
申请号：JP2010085209
申请日：2010-04-01
申请人： Hamamatsu Photonics Kk , 浜松ホトニクス株式会社
发明人： YAMASHITA SHINICHI , WATANABE HIROYUKI , KOMIYAMA HIROSHI
IPC分类号： H01J40/06 , H01J1/34 , H01J43/04
CPC分类号： H01J1/34 , H01J31/50 , H01J31/506 , H01J40/06
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide: a photocathode capable of improving effectual quantum efficiency; an electron tube having the photocathode; and a photomultiplier tube. SOLUTION: In the photocathodes 1A, 1B, a base layer 200 consisting of a crystalline material containing La 2 O 3 is installed between support substrates 100A, 100B and a photoelectron emitting layer 300, and is in contact with the photoelectron emitting layer 300. Thus, for example, at the time of heat treatment in a manufacturing step of the photocathodes 1A, 1B, diffusion of alkali metal contained in the photoelectron emitting layer 300 to the support substrates 100A, 100B side is suppressed. Furthermore, this base layer 200 is presumed to be functioning to reverse the advancing direction of photoelectrons going to the support substrates 100A, 100B side out of the photoelectrons e - generated in the photoelectron emitting layer 300 to the opposite side. COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供：能够提高有效量子效率的光电阴极; 具有光电阴极的电子管; 和光电倍增管。解决方案：在光电阴极1A，1B中，由支撑基板100A，100B和支撑基板100A，100B之间安装由含有La SBB的结晶材料构成的基底层200 光电子发射层300，并且与光电子发射层300接触。因此，例如，在光电阴极1A，1B的制造步骤中的热处理时，包含在光电子发射层300中的碱金属的扩散为支撑基板100A，100B侧被抑制。此外，该基底层200被推定为使从光电子发射层300中产生的光电子e - 中的支持基板100A，100B侧的光电子的前进方向反转到相反的方向侧。版权所有（C）2011，JPO＆INPIT

4. 发明专利

JP4562844B2 Photocathode and electron tube 有权
公开(公告)号：JP4562844B2
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：JP2000046248
申请日：2000-02-23
申请人：浜松ホトニクス株式会社
发明人：昌一内山 , 実新垣 , 博文菅
IPC分类号： C30B29/04 , H01J1/34 , C23C16/27 , H01J40/06 , H01J43/08
CPC分类号： H01J43/08 , H01J1/34 , H01J40/06 , H01J2201/3421 , H01J2231/50021 , Y10T428/30

5. 发明专利

JP4002167B2 Photocathode 有权
公开(公告)号：JP4002167B2
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：JP2002331142
申请日：2002-11-14
申请人：浜松ホトニクス株式会社
发明人：正美山田 , 徹廣畑 , 実新垣 , 智子望月
IPC分类号： H01J1/34 , H01J40/06 , H01J43/08 , H01L29/06
CPC分类号： H01J1/34 , H01J2201/342

6. 发明专利

JP3973687B2 Integrated photo cathode 失效
公开(公告)号：JP3973687B2
公开(公告)日：2007-09-12
申请号：JP51973697
申请日：1996-11-05
申请人：インテバック・インコーポレイテッド
发明人：アエビ、バール・ダブリュ , コステロ、ケネス・エー , ワイス、ロバート・イー
IPC分类号： H01J9/12 , H01J40/06 , H01J1/34 , H01J31/50 , H01J43/08 , H01L21/306
CPC分类号： H01J31/501 , H01J1/34

7. 发明专利

JP2005203280A Electronic tube and its manufacturing method 有权
标题翻译：电子管及其制造方法
公开(公告)号：JP2005203280A
公开(公告)日：2005-07-28
申请号：JP2004009753
申请日：2004-01-16
申请人： Hamamatsu Photonics Kk , 浜松ホトニクス株式会社
发明人： MATSUI TOSHIKAZU , OTA KENICHI , SUZUKI MASATOSHI
IPC分类号： H01J9/12 , H01J1/34 , H01J40/06 , H01J43/08
CPC分类号： H01J9/12 , H01J1/34 , H01J43/08
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an electronic tube capable of sufficiently maintaining photo-sensitivity even under a low temperature environment, and its manufacturing method. SOLUTION: This photomultiplier tube 1 is equipped with a glass bulb 5 having a translucent light entrance plane 3, a conductive layer 21 provided in the inside of the light entrance plane 3, and a photoelectric surface 23 provided on the conductive layer 21 to discharge photo-electrons by light entering from the outside after permeating the glass bulb 5 and the conductive layer 21. The conductive layer 21 is formed on the light entrance plane 3, and has a metal film 21a comprising a platinum group metal and a metallic conductor 21b formed in a linear pattern along the light entrance plane. COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI
摘要翻译：要解决的问题：即使在低温环境下也能够提供能够充分保持感光度的电子管及其制造方法。解决方案：该光电倍增管1配备有具有半透明光入射面3的玻璃灯泡5，设置在光入射面3内部的导电层21和设置在导电层21上的光电面23 通过在透过玻璃泡5和导电层21之后从外部进入的光来放电光电子。导电层21形成在光入射面3上，并且具有包含铂族金属和金属的金属膜21a 导体21b沿着光入射面以线状图案形成。版权所有（C）2005，JPO＆NCIPI

8. 发明专利

JP2003338260A Semiconductor photoelectric surface and its manufacturing method, and photodetection tube using this semiconductor photoelectric face 审中-公开
标题翻译：半导体光电表面及其制造方法和使用该半导体光电面的光电管
公开(公告)号：JP2003338260A
公开(公告)日：2003-11-28
申请号：JP2002146567
申请日：2002-05-21
申请人： Hamamatsu Photonics Kk , 浜松ホトニクス株式会社
发明人： KONO YASUYUKI , NAGAI TOSHIMITSU , HASEGAWA HIROSHI
IPC分类号： H01J1/34 , H01J9/12 , H01J40/06 , H01J43/08
CPC分类号： H01J43/08 , H01J1/34 , H01J9/12 , H01J40/06
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor photoelectric face and a photodetection tube wherein gettering of the residual gas near the photoelectric face can be carried out also in a small-sized photodetection tube. SOLUTION: The semiconductor photoelectric face is provided with a supporting substrate 10, a photoelectric face 30 is formed wherein plural semiconductor layers are laminated on this supporting substrate 10, and a photoelectron is emitted from a photoelectron emission face 341 by a response of an incidence of a detected light, a filmy metal-electrode 35 which is formed in a film state so as to cover at least a part of the supporting substrate 10, and a part of the photoelectric face 30, and which is made to be ohmic-contacted with a photoelectric face. A filmy metal-electrode 35 contains titanium, the photoelectron emission face 341 which is an exposed part of the photoelectric face 30 that is not coated on the filmy metal-electrode 35 is made to be in a negative state in an electron affinity. COPYRIGHT: (C)2004,JPO
摘要翻译：要解决的问题：为了提供半导体光电面和光电检测管，其中也可以在小尺寸的光电管中进行吸收光电面附近的残留气体。解决方案：半导体光电面设置有支撑基板10，形成光电面30，其中多个半导体层层压在该支撑基板10上，并且光电子从光电子发射面341的响应被发射检测到的光的入射，以薄膜状态形成以覆盖支撑基板10的至少一部分的薄膜金属电极35和光电面30的一部分，并且被制成欧姆与光电面接触。薄膜状金属电极35含有钛，作为光电面30的未被覆膜的金属电极35的露出部的光电子发射面341以电子亲和力为负。版权所有（C）2004，JPO

9. 发明专利

JPS61133540A Image detector and round-the-clock camera therewith 失效
标题翻译：图像检测器和时钟摄像机
公开(公告)号：JPS61133540A
公开(公告)日：1986-06-20
申请号：JP26626685
申请日：1985-11-28
申请人： Philips Nv
发明人： MISHIEERU JIRU RUMONIE , MOORISU RUI JIYOSEFU PUTEI
IPC分类号： H04N5/225 , H01J1/34 , H01J9/12 , H01J29/44 , H01J29/45 , H01J31/26 , H01L27/148 , H04N5/232 , H04N5/235
CPC分类号： H01J9/12 , H01J1/34 , H01J31/26 , H01J2201/3423 , H01L27/148 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014

10. 发明专利

JP6419572B2 光電面、光電変換管、イメージインテンシファイア、及び光電子増倍管审中-公开
公开(公告)号：JP6419572B2
公开(公告)日：2018-11-07
申请号：JP2014264384
申请日：2014-12-26
申请人：浜松ホトニクス株式会社
发明人：佐々木達夫
IPC分类号： H01J1/78 , H01J29/38 , H01J31/50 , H01J40/06 , H01J40/16 , H01J1/34
CPC分类号： H01J1/34 , H01J1/78 , H01J29/38 , H01J31/49 , H01J31/50 , H01J31/506 , H01J40/06 , H01J40/16 , H01J2201/3423 , H01J2201/3426 , H01J2231/50021

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