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1. 发明专利

JP2015088403A 透過型光電陰極有权
标题翻译：传输型光电阴极
公开(公告)号：JP2015088403A
公开(公告)日：2015-05-07
申请号：JP2013228044
申请日：2013-11-01
申请人：浜松ホトニクス株式会社
发明人：永田貴章 , 浜名康全 , 中村公嗣
IPC分类号： H01J1/32 , H01J40/06 , H01J43/08 , H01J43/10 , H01J1/34
CPC分类号： H01J1/34 , H01J1/32 , H01J40/06 , H01J43/08 , H01J43/10
摘要：【課題】十分な感度を保持しつつ、カソードリニアリティ特性を向上させる。【解決手段】透過型光電陰極2は、光が入射する外側面4a、及び外側面4a側から入射した光を出射する内側面4bを有する光透過性基板4と、光透過性基板4の内側面4b側に設けられ、内側面4bから出射される光を光電子に変換する光電変換層5と、光透過性基板4と光電変換層5との間に設けられるグラフェンからなる光透過性導電層6と、を備える。【選択図】図4
摘要翻译：要解决的问题：在保持足够的灵敏度的同时提高阴极线性度。解决方案：透射型光电阴极2包括：透光基板4，其包括光入射的外侧表面4a和内侧表面4b 从外侧面4a的侧面入射的光; 设置在靠近内侧表面4b的透光基板4中的光电转换层5，用于将从内侧表面4b发射的光转换成光子; 以及设置在透光性基板4和光电转换层5之间的由石墨烯形成的透光性导电层6。

2. 发明专利

JP4647955B2 Photocathode plate and electron tube 有权
公开(公告)号：JP4647955B2
公开(公告)日：2011-03-09
申请号：JP2004237661
申请日：2004-08-17
申请人：浜松ホトニクス株式会社
发明人：徹廣畑 , 実新垣 , 智子望月 , 邦芳森
IPC分类号： H01J1/34 , H01J40/06 , H01J43/08
CPC分类号： H01J1/34 , H01J1/78 , H01J43/08 , H01J2231/50

3. 发明专利

JP2006059575A Photocathode plate and electron tube 有权
标题翻译：光电板和电子管
公开(公告)号：JP2006059575A
公开(公告)日：2006-03-02
申请号：JP2004237661
申请日：2004-08-17
申请人： Hamamatsu Photonics Kk , 浜松ホトニクス株式会社
发明人： MOCHIZUKI TOMOKO , ARAGAKI MINORU , HIROHATA TORU , MORI KUNIYOSHI
IPC分类号： H01J1/34 , H01J40/06 , H01J43/08
CPC分类号： H01J1/34 , H01J1/78 , H01J43/08 , H01J2231/50
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a photocathode plate capable of obtaining highly sensitive characteristics stably, and to provide an electron tube using such a photocathode plate. SOLUTION: In a photomultiplier tube 1, an insulating layer 63 is formed between a semiconductor electron-discharging layer 51 in the photocathode plate 23A and a first electrode 65 electrically connected to an electron emission section 59. The insulating layer 63 can perform heat cleaning to the photocathode plate 23A at a high temperature in a stage before an active layer 61 is formed at an exposed portion in the semiconductor electron-discharging layer 51 at the electron emission section 59, thus effectively cleaning the exposed portion in the semiconductor electron-discharging layer 51 at the electron emission section 59, stabilizing physical properties at the exposed portion, and hence stably obtaining the highly sensitive characteristics in the photocathode plate 23A and the photomultiplier tube 1 using the photocathode plate 23A. COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI
摘要翻译：解决的问题：提供能够稳定地获得高灵敏度特性的光电阴极板，并提供使用这种光电阴极板的电子管。解决方案：在光电倍增管1中，在光电阴极板23A中的半导体电子放电层51和与电子发射部分59电连接的第一电极65之间形成绝缘层63.绝缘层63可以执行在电子发射部分59的半导体电子放电层51的暴露部分形成有源层61之前的阶段，在高温下对光电阴极板23A进行热清洗，从而有效地清洗半导体电子中的暴露部分在电子发射部分59处的放电层51，暴露部分的物理性能稳定，因此使用光电阴极板23A稳定地获得光电阴极板23A和光电倍增管1中的高灵敏度特性。版权所有（C）2006，JPO＆NCIPI

4. 发明专利

KR102239767B1 KR102239767B1 - Photomultiplier tube, image sensor, and an inspection system using a pmt or image sensor 有权
公开(公告)号：KR102239767B1
公开(公告)日：2021-04-12
申请号：KR1020157031186A
申请日：2014-04-01
申请人： 케이엘에이 코포레이션
发明人： 융-호 알렉스 추앙 , 데이빗 엘. 브라운 , 존 필든
IPC分类号： H01J40/06 , H01J43/08 , H01L31/103
CPC分类号： H01J40/06 , H01J43/08 , H01L31/103
摘要： 광전 증배관은 반도체 광전 음극 및 포토다이오드를 포함한다. 특히, 포토다이오드는 p-도핑 반도체 층, 다이오드를 형성하기 위해 상기 p-도핑 반도체 층의 제1 표면 상에 형성되는 n-도핑 반도체 층, 및 상기 p-도핑 반도체 층의 제2 표면 상에 형성되는 순수한 붕소 층을 포함한다. 상기 반도체 광전 음극과 상기 포토다이오드 사이의 갭은 약 1 mm 미만이거나 약 500 ㎛ 미만일 수 있다. 반도체 광전 음극은 갈륨 질화물 예를 들면, 하나 이상의 p-도핑 갈륨 질화물 층을 포함할 수 있다. 다른 실시예에서는, 반도체 광전 음극은 실리콘을 포함할 수도 있다. 이 반도체 광전 음극은 적어도 하나의 표면 상에 순수한 붕소 코팅을 더 포함할 수 있다.

5. 发明专利

JP2016518683A 光電子増倍管（ＰＭＴ）、イメージセンサ、及びＰＭＴ又はイメージセンサを用いた検査システム有权
标题翻译：光电倍增管（PMT），使用图像传感器的检测系统，和PMT或图像传感器
公开(公告)号：JP2016518683A
公开(公告)日：2016-06-23
申请号：JP2016506573
申请日：2014-04-01
申请人：ケーエルエー−テンカーコーポレイション , ケーエルエー−テンカーコーポレイション
发明人：ユン−ホアレックスチュワン , ユン−ホアレックスチュワン , デイビッドエルブラウン , デイビッドエルブラウン , ジョンフィールデン , ジョンフィールデン
IPC分类号： H01J43/12 , H01J1/34 , H01J40/04 , H01J40/06 , H01J43/04
CPC分类号： H01J40/06 , H01J43/08 , H01L31/02161 , H01L31/103
摘要：半導体光電陰極とフォトダイオードを含む光電子増倍管。特に、該フォトダイオードはp−型にドープされた半導体層と、該p−型にドープされた半導体層の第一の表面に形成されてダイオードを形成するn-型にドープされた半導体層と、該p−型にドープされた半導体層の第二の表面に形成された純ホウ素層とを含んでいる。半導体光電陰極とフォトダイオードの間のギャップはおよそ1mm未満であるか、あるいはおよそ500μm未満である。半導体光電陰極は窒化ガリウム、例えば一つ以上のp−型にドープされた窒化ガリウム層、を含んでいる。他の実施形態において、半導体光電陰極はケイ素を含んでいてもよい。この半導体光電陰極は更に少なくとも一つの表面に純ホウ素被覆を含んでいてもよい。
摘要翻译：光电倍增管，其包括半导体光电阴极和光电二极管。具体地，光电二极管是掺杂有p型半导体层，形成在所述掺杂的半导体层的第一表面上的p型掺杂的n型，以形成在半导体层上的二极管和形成掺杂成p型的半导体层的第二表面上，和一个纯硼层。半导体光电阴极和光电二极管之间的间隙或者是大于约1mm以下时，或小于约500微米。半导体光电阴极包括氮化镓，例如，一个或掺杂的氮化镓层更p-型的。在其它实施例中，半导体光电阴极可以包括硅。半导体光电阴极还可以包括至少一个表面上的纯硼涂层。

6. 发明专利

JP5254400B2 Photomultiplier tube and a method of manufacturing the same 有权
公开(公告)号：JP5254400B2
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：JP2011115234
申请日：2011-05-23
申请人：浜松ホトニクス株式会社
发明人：浩之久嶋 , 英樹下井 , 明広影山 , 圭祐井上 , 益保伊藤
IPC分类号： H01J43/24 , H01J43/12 , H01J43/28
CPC分类号： H01J43/08 , H01J9/26 , H01J43/04 , H01J43/24

7. 发明专利

JP4473585B2 Photomultiplier tube 有权
公开(公告)号：JP4473585B2
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：JP2004003037
申请日：2004-01-08
申请人：浜松ホトニクス株式会社
发明人：益保伊藤 , 孝幸大村 , 末則木村
IPC分类号： H01J43/26 , H01J43/06 , H01J43/08 , H01J43/20
CPC分类号： H01J43/08

8. 发明专利

JP5000137B2 Photomultiplier tube and a method of manufacturing the same 有权
公开(公告)号：JP5000137B2
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：JP2005518022
申请日：2005-02-16
申请人：浜松ホトニクス株式会社
发明人：英樹下井 , 浩之久嶋 , 圭祐井上 , 益保伊藤 , 明広影山
IPC分类号： H01J43/26 , H01J40/06 , H01J43/12 , H01J43/24 , H01J43/28
CPC分类号： H01J43/08 , H01J9/26 , H01J43/04 , H01J43/24

9. 发明专利

JP4550976B2 Photocathode and electron tube 有权
标题翻译：空值
公开(公告)号：JP4550976B2
公开(公告)日：2010-09-22
申请号：JP2000231993
申请日：2000-07-31
申请人：浜松ホトニクス株式会社
发明人：佳幸夏目 , 昭彦大友 , 邦芳森 , 常夫渭原
IPC分类号： H01J1/34 , H01J29/38 , H01J31/50 , H01J40/06 , H01J43/08 , H01J43/28
CPC分类号： H01J43/28 , H01J43/08 , H01J2231/5016

10. 发明专利

JP4459635B2 Electron tube and method of manufacturing the same 有权
公开(公告)号：JP4459635B2
公开(公告)日：2010-04-28
申请号：JP2004009753
申请日：2004-01-16
申请人：浜松ホトニクス株式会社
发明人：健一太田 , 利和松井 , 正俊鈴木
IPC分类号： H01J9/12 , H01J40/06 , H01J1/34 , H01J43/08
CPC分类号： H01J9/12 , H01J1/34 , H01J43/08

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