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1. 发明专利

JP6343206B2 光検出ユニット有权
公开(公告)号：JP6343206B2
公开(公告)日：2018-06-13
申请号：JP2014170536
申请日：2014-08-25
申请人：浜松ホトニクス株式会社
发明人：森博茂 , 古橋大和
IPC分类号： H01J43/04

2. 发明专利

JP5917504B2 光電子増倍管のような様々な種類の光検知器において複数の単一光子によって発生する電流パルスの形状を修正し、持続時間を低減させるための装置有权
标题翻译：设备，用于修改由多个在各种类型的光检测器，例如光电倍增管单光子产生的电流脉冲的形状，减少了的持续时间
公开(公告)号：JP5917504B2
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：JP2013517356
申请日：2011-07-05
申请人：ダル’オーリオ・ステファノ , ダル’オーリオ・ジョルジョ
发明人：ダル’オーリオ・ステファノ , ダル’オーリオ・ジョルジョ
IPC分类号： H01J43/04 , H01J43/30
CPC分类号： H01J43/30

3. 发明专利

JP2016046146A 光検出ユニット有权
标题翻译：光学检测单元
公开(公告)号：JP2016046146A
公开(公告)日：2016-04-04
申请号：JP2014170536
申请日：2014-08-25
申请人：浜松ホトニクス株式会社
发明人：森博茂 , 古橋大和
IPC分类号： H01J43/04
摘要：【課題】配置される外部環境に影響を受けることなく、安定して動作可能な、光電子増倍管を用いた光検出ユニットを提供する。【解決手段】光電子増倍管3と光電子増倍管3を動作させるための動作回路50と光電子増倍管3および動作回路50を収容する筐体2と筐体2の内側と外側との間を電気的に連通させる導電性の複数の端子を含む端子群4とを備え、筐体2の内側は50[Torr]以上の気圧に維持されるように気密封止され、動作回路50は昇圧回路51と高電圧回路52とを備え、端子群4は筐体2の外側から筐体2の内側に低電圧を供給するための低電圧供給端子4aを含み、昇圧回路51は低電圧供給端子4aを介して供給される低電圧を高電圧に昇圧し、高電圧回路52は、昇圧回路51で生成される高電圧を光電子増倍管3に供給する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种使用光电子倍增器的光学检测单元，该光电倍增器可以稳定地工作，而不受外部环境的影响，在该外部环境下设置光学检测单元。光学检测单元具有：光电子倍增器3; 用于操作光电子倍增器3的操作电路50; 安装光电倍增器3和操作电路50的壳体2; 以及包含用于使壳体2的内部和外部彼此电相互连通的多个导电端子的端子组4。壳体2的内部气密密封并保持在50 [Torr]以上的压力下，并且操作电路50具有升压电路51和高压电路52.端子组4包含低电压电源端子4a用于从壳体2的外部向壳体2的内部提供低电压。升压电路51将通过低电压端子4a提供的低电压增加到高电压。高压电路52将升压电路51中产生的高电压提供给光电子倍增器3.选择的图示：图1

4. 发明专利

JP5784873B2 電子増倍を用いる真空管用イオン障壁メンブレン、電子増倍を用いる真空管用電子増倍構造、並びにそのような電子増倍構造を備える電子増倍を用いる真空管有权
标题翻译：使用电子倍增管，用于离子阻挡膜，电子用电子倍增用于真空管倍增结构，并利用电子倍增与这样的电子倍增结构的真空管
公开(公告)号：JP5784873B2
公开(公告)日：2015-09-24
申请号：JP2009213264
申请日：2009-09-15
申请人：フォトニスネザーランズベーフェー , Photonis Netherlands B.V.
发明人：ファン・スパイケル、ヤン
IPC分类号： H01J40/16 , H01J43/18 , H01J31/50 , H01J43/04
CPC分类号： H01J43/246 , H01J31/50 , H01J31/507

5. 发明专利

JP2013020972A Device and method for detecting light 审中-公开
标题翻译：用于检测光的装置和方法
公开(公告)号：JP2013020972A
公开(公告)日：2013-01-31
申请号：JP2012155433
申请日：2012-07-11
申请人： Leica Microsystems Cms Gmbh , ライカマイクロシステムスツェーエムエスゲーエムベーハー
发明人： BIRK HOLGER , VOLKER SEYFRIED
IPC分类号： H01J43/02 , G01J1/42 , H01J43/04 , H01L31/02 , H01L31/107
CPC分类号： G01J3/027 , G01J1/0228 , G01J1/18 , G01J1/44 , G01J3/2803 , G01J3/36
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a device and method for detecting light.SOLUTION: A device for detecting light used especially for a microscope, spectrometer or camera includes at least one silicon photomultiplier (SiPM) having an array of a plurality of single-photon avalanche diodes (SPADs), the array being larger in area than incident light. The device is configured to activate and/or analyze only the SPADs upon which a specific minimum intensity of light impinges. A method of using this device is also provided.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种用于检测光的装置和方法。用于检测特别用于显微镜，光谱仪或相机的光的装置包括至少一个具有多个单光子雪崩二极管（SPAD）的阵列的硅光电倍增管（SiPM），该阵列的面积更大比入射光。该装置被配置为仅激活和/或分析特定的最小光强度所在的SPAD。还提供了使用该装置的方法。版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

6. 发明专利

JP2010257962A Photocathode, electron tube, and photomultiplier tube 有权
标题翻译：光电管，电子管和光电管
公开(公告)号：JP2010257962A
公开(公告)日：2010-11-11
申请号：JP2010085209
申请日：2010-04-01
申请人： Hamamatsu Photonics Kk , 浜松ホトニクス株式会社
发明人： YAMASHITA SHINICHI , WATANABE HIROYUKI , KOMIYAMA HIROSHI
IPC分类号： H01J40/06 , H01J1/34 , H01J43/04
CPC分类号： H01J1/34 , H01J31/50 , H01J31/506 , H01J40/06
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide: a photocathode capable of improving effectual quantum efficiency; an electron tube having the photocathode; and a photomultiplier tube. SOLUTION: In the photocathodes 1A, 1B, a base layer 200 consisting of a crystalline material containing La 2 O 3 is installed between support substrates 100A, 100B and a photoelectron emitting layer 300, and is in contact with the photoelectron emitting layer 300. Thus, for example, at the time of heat treatment in a manufacturing step of the photocathodes 1A, 1B, diffusion of alkali metal contained in the photoelectron emitting layer 300 to the support substrates 100A, 100B side is suppressed. Furthermore, this base layer 200 is presumed to be functioning to reverse the advancing direction of photoelectrons going to the support substrates 100A, 100B side out of the photoelectrons e - generated in the photoelectron emitting layer 300 to the opposite side. COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供：能够提高有效量子效率的光电阴极; 具有光电阴极的电子管; 和光电倍增管。解决方案：在光电阴极1A，1B中，由支撑基板100A，100B和支撑基板100A，100B之间安装由含有La SBB的结晶材料构成的基底层200 光电子发射层300，并且与光电子发射层300接触。因此，例如，在光电阴极1A，1B的制造步骤中的热处理时，包含在光电子发射层300中的碱金属的扩散为支撑基板100A，100B侧被抑制。此外，该基底层200被推定为使从光电子发射层300中产生的光电子e - 中的支持基板100A，100B侧的光电子的前进方向反转到相反的方向侧。版权所有（C）2011，JPO＆INPIT

7. 发明专利

JP4246879B2 Photomultiplier tube and photomultiplier tube 有权
公开(公告)号：JP4246879B2
公开(公告)日：2009-04-02
申请号：JP2000101099
申请日：2000-04-03
申请人：浜松ホトニクス株式会社
发明人：英樹下井 , 浩之久嶋 , 明渥美
IPC分类号： H01J43/20 , H01J43/00 , H01J43/04 , H01J43/22
CPC分类号： H01J31/507 , H01J43/045 , H01J43/22

8. 发明专利

JP4137121B2 Radiation detector assembly 有权
公开(公告)号：JP4137121B2
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：JP2005505214
申请日：2004-03-31
申请人：独立行政法人科学技術振興機構
发明人：晴雄斎藤 , 英利村上 , 圭介浅井 , 憲悟澁谷
IPC分类号： G01T1/20 , C09K11/00 , C09K11/61 , G01T1/164 , H01J43/04 , H01J43/24
CPC分类号： G01T1/1645 , G01T1/20

9. 发明专利

JPWO2005091332A1 マルチアノード型光電子増倍管有权
公开(公告)号：JPWO2005091332A1
公开(公告)日：2008-02-07
申请号：JP2006511106
申请日：2004-03-22
申请人：浜松ホトニクス株式会社
发明人：末則木村 , 末則木村 , 孝幸大村 , 孝幸大村 , 晃彦山口 , 晃彦山口 , 益保伊藤 , 益保伊藤
IPC分类号： H01J43/06 , H01J43/04 , H01J43/20 , H01J43/24
CPC分类号： H01J43/04
摘要：本発明のマルチアノード型光電子像倍管は、ガラス容器(5)内部に、隔壁(9)、シールド電極(11)、第1段ダイノード(Dy1)、第2段ダイノード(Dy2)、ダイノード列(25)及びアノード(31)を有し、入射面板(4)の内側には光電面(3)が形成されている。隔壁(9)は十文字状に形成され、電子収束空間を4つのセグメント空間に分割している。シールド電極(11)は第2段ダイノード(Dy2)を光電面(3)から遮蔽するように設けられる。光電面、隔壁及びシールド電極は、同電位が印加される。光電面に入射した光に応じて放出される電子は、放出される箇所にかかわらず効率よくダイノードに入射して増倍され、アノードにより検出される。

10. 发明专利

JP3919363B2 Photomultiplier tube, photomultiplier tube unit and radiation detection equipment 有权
公开(公告)号：JP3919363B2
公开(公告)日：2007-05-23
申请号：JP31920898
申请日：1998-11-10
申请人：浜松ホトニクス株式会社
发明人：英樹下井 , 浩之久嶋 , 明渥美
IPC分类号： H01J43/28 , G01T1/164 , H01J43/04
CPC分类号： H01J43/045 , H01J43/28

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