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1. 发明专利

JPWO2014010591A1 薄膜サーミスタ素子およびその製造方法有权
标题翻译：薄膜热敏电阻元件及其制造方法
公开(公告)号：JPWO2014010591A1
公开(公告)日：2016-06-23
申请号：JP2013547042
申请日：2013-07-09
申请人： Semitec株式会社
发明人：謙治伊藤 , 謙治伊藤 , 直豊田 , 直豊田
IPC分类号： H01C7/04 , H01C17/06
CPC分类号： H01C7/041 , C22F1/14 , H01C7/04 , H01C17/075
摘要： Si基板2と、Si基板2上に形成されたサーミスタ薄膜5と、サーミスタ薄膜5の膜上、膜下又は膜中に形成された白金又はその合金等からなる電極3と、を備えた薄膜サーミスタ素子であって、電極3が、酸素及び窒素を含んで成膜された後に熱処理して結晶化されてなることを特徴とする薄膜サーミスタ素子。
摘要翻译： Si衬底2，硅形成在基板2，薄膜热敏电阻与所述热敏电阻器的薄膜的薄膜5，制成的膜或成膜铂或其合金或期间等之下的电极3上的薄膜5的热敏电阻的元件中，电极3是薄膜热敏电阻元件，其特征在于，形成通过沉积包含氧和氮后，通过热处理结晶。

2. 发明专利

JP5822980B2 面実装が可能な導電性ポリマーPTCデバイスとその製造方法有权
标题翻译：导电能够表面贴装聚合物PTC元件及其制造方法
公开(公告)号：JP5822980B2
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：JP2014096199
申请日：2014-05-07
申请人：ブアンズ・インコーポレイテッド , BOURNS,INCORPORATED
发明人：ゴードン・エル・ブアンズ , ステラー・チュー , ダニエル・イー・グリンデル , デーヴィッド・ファン , ジョン・ケリー , エリック・マイヤー
IPC分类号： H01C7/02
CPC分类号： H01C7/18 , H01C1/1406 , H01C1/1413 , H01C17/02 , H01C7/021 , H01C7/041 , H01C1/016 , H01C7/005 , H01C7/028 , H01C7/049 , Y10T29/49165

3. 发明专利

JP2015065408A サーミスタ用金属窒化物材料及びその製造方法並びにフィルム型サーミスタセンサ有权
标题翻译：用于热敏电阻的金属氮化物材料，其制造方法和薄膜型热敏电阻传感器
公开(公告)号：JP2015065408A
公开(公告)日：2015-04-09
申请号：JP2014134484
申请日：2014-06-30
申请人：三菱マテリアル株式会社
发明人：藤田利晃 , 田中寛 , 長友憲昭
IPC分类号： H01C17/12 , H01C7/04
CPC分类号： H01C7/008 , C04B35/58007 , C04B35/58042 , C04B35/581 , C23C14/0036 , C23C14/0641 , C23C14/34 , C23C14/5826 , G01K7/22 , G01K7/223 , H01C17/12 , H01C7/04 , H01C7/041 , C04B2235/40 , C04B2235/402 , C04B2235/404 , C04B2235/405 , C04B2235/407 , C04B2235/767 , C04B2235/81
摘要：【課題】フィルム等に非焼成で直接成膜することができ、高い耐熱性を有して信頼性が高いサーミスタ用金属窒化物材料及びその製造方法並びにフィルム型サーミスタセンサを提供すること。【解決手段】サーミスタに用いられる金属窒化物材料であって、一般式:M x Al y N z (但し、MはFe,Co,Mn,Cu及びNiの少なくとも1種を示す。0.70≦y/(x+y)≦0.98、0.4≦z≦0.5、x+y+z=1)で示される金属窒化物からなり、その結晶構造が、六方晶系のウルツ鉱型の単相である。このサーミスタ用金属窒化物材料の製造方法は、M−Al合金スパッタリングターゲット(但し、MはFe,Co,Mn,Cu及びNiの少なくとも1種を示す。)を用いて窒素含有雰囲気中で反応性スパッタを行って成膜する成膜工程を有している。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供：用于热敏电阻的金属氮化物材料，其可以在没有烘烤工艺的情况下直接生长在膜等上，具有高耐热性，并且实现高可靠性; 制造这种金属氮化物材料的方法; 薄膜型热敏电阻传感器。解决方案：用于热敏电阻的金属氮化物材料包括由通式MA1N（其中M表示Fe，Co，Mn，Cu和Ni中的至少一种）表示的金属氮化物;0.70≤y /(x+y)≤0.98;0.4≤z≤0.5; x + y + z = 1），其中晶体结构包括六方纤锌矿型单相。制造用于热敏电阻的金属氮化物材料的方法包括：通过在M-Al合金溅射靶上进行反应溅射来生长膜的膜形成步骤（其中M表示Fe，Co，Mn，Cu和Ni中的至少一种）在含氮气氛中。

4. 发明专利

JP2014241395A 電子部品审中-公开
标题翻译：电子元件
公开(公告)号：JP2014241395A
公开(公告)日：2014-12-25
申请号：JP2014080964
申请日：2014-04-10
申请人：株式会社村田製作所 , Murata Mfg Co Ltd
发明人： IKEDA HIROSHI , MIURA TADAMASA , FURUTO MASAHIRO
IPC分类号： H01C7/04 , H01C7/00
CPC分类号： H01C7/006 , H01C7/021 , H01C7/041 , H01C7/1013
摘要：【課題】基板から金属層が剥がれにくい電子部品を提供すること。【解決手段】電子部品1aであって、絶縁性セラミック材料から作製された基板7と、セラミック材料から作製され、基板7と拡散接合するセラミック層8と、第一主面91と、該第一主面91と対向する第二主面92と、を有する金属層9であって、該第一主面91側でセラミック層8と拡散接合する金属層9と、金属層9の第二主面92側と拡散接合する特性層10であって、セラミック材料から作製されており、周囲温度または印加電圧に対し抵抗値が変化する特性層10と、を備える。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：提供金属层不太可能从基板剥离的电子部件。解决方案：电子部件1a包括：由绝缘陶瓷材料制成的基板7; 由陶瓷材料制成的陶瓷层8并且扩散粘合到基板7上; 金属层9具有第一主表面91和与第一主表面91相对的第二主表面92并且在第一主表面91侧上扩散粘结到陶瓷层8; 以及特征层10，其与金属层9的第二主面92侧扩散接合，并由陶瓷材料制成，其电阻值随环境温度或施加电压而变化。

5. 发明专利

JP5510479B2 Semiconductor ceramic composition for Ntc thermistor 有权
公开(公告)号：JP5510479B2
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：JP2012047445
申请日：2012-03-03
申请人：株式会社村田製作所
发明人：忠将三浦 , 英輔田代
IPC分类号： H01C7/04
CPC分类号： H01C7/008 , C04B35/01 , C04B35/265 , C04B2235/3217 , C04B2235/3232 , C04B2235/3263 , C04B2235/3272 , C04B2235/3277 , H01C7/041 , H01C7/043 , H01C7/18 , H01C17/06533

6. 发明专利

JPWO2012070336A1 チップサーミスタ及びサーミスタ集合基板有权
公开(公告)号：JPWO2012070336A1
公开(公告)日：2014-05-19
申请号：JP2012545656
申请日：2011-10-18
申请人： Tdk株式会社 , Tdk株式会社
发明人：斎藤　洋 , 洋斎藤 , 孝樹山田 , 孝樹山田 , 幸弘村上 , 幸弘村上
IPC分类号： H01C7/04
CPC分类号： H01C7/008 , H01C7/021 , H01C7/041
摘要：チップサーミスタ1は、サーミスタ素体3と、第一電極5と、第二電極7と、第三電極9と、を備えている。サーミスタ素体3は、第一方向で互いに対向する第一主面3aと第二主面3bを有している。第一電極5と第二電極7とは、サーミスタ素体3の第一主面3aに、第一方向に直交する第二方向に互いに離間して配置されている。第三電極9は、サーミスタ素体3の第二主面3bに、第一方向から見て第一電極5と第二電極7とに重なるように配置されている。

7. 发明专利

JP2013539605A Resistance element and a method of manufacturing the same 审中-公开
公开(公告)号：JP2013539605A
公开(公告)日：2013-10-24
申请号：JP2013527548
申请日：2011-08-31
申请人：エプコスアーゲーEpcos Ag
发明人：リナーフランツ
IPC分类号： H01C7/04
CPC分类号： H01C7/18 , H01C1/1413 , H01C1/146 , H01C7/008 , H01C7/041 , H01C17/00 , Y10T29/49082
摘要： A resistance component includes a stack of ceramic layers and inner electrodes. Inner electrodes of a first type are electrically conductively connected to a first external contact and inner electrodes of a second type are electrically conductively connected to a second external contact. The inner electrodes of the first type are arranged such that there is no overlap with the inner electrodes of the second type. An inner electrode of a third type, which is electrically conductively connected neither to the first external contact nor to the second external contact, at least partially overlaps the inner electrodes of the first type and the inner electrodes of the second type.

8. 发明专利

JP2013179162A Metal nitride material for thermistor and method of manufacturing the same, and film type thermistor sensor 有权
标题翻译：用于热敏电阻的金属氮化物材料及其制造方法和薄膜式热敏电阻传感器
公开(公告)号：JP2013179162A
公开(公告)日：2013-09-09
申请号：JP2012041967
申请日：2012-02-28
申请人： Mitsubishi Materials Corp , 三菱マテリアル株式会社
发明人： FUJITA TOSHIAKI , TANAKA HIROSHI , INABA HITOSHI , FUJIWARA KAZUTAKA , NAGATOMO KENSHO
IPC分类号： H01C7/02 , H01C7/00
CPC分类号： H01C7/008 , C23C14/0036 , C23C14/0641 , C30B29/38 , G01K7/22 , H01C7/04 , H01C7/041
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a metal nitride material for a thermistor, capable of directly depositing on a film or the like without calcination, having high heat resistance, and reliable, and a method of manufacturing the same, and a film type thermistor sensor.SOLUTION: The metal nitride material used for a thermistor composed of metal nitride represented by a general formula: TiAl(NO)(where, 0.70≤y/(x+y)≤0.95, 0.45≤z≤0.55, 0
摘要翻译：要解决的问题：为了提供一种用于热敏电阻的金属氮化物材料，其能够直接沉积在不经煅烧的膜等上，具有高耐热性和可靠性，及其制造方法和薄膜型热敏电阻传感器解决方案：用于由通式TiAl（NO）（其中，0.70≤y/（x + y）≤0.95,0.45≤z≤0.55,0≤w≤0.05）表示的由金属氮化物组成的热敏电阻的金属氮化物材料 0.35，x + y + z = 1）具有六方晶系纤锌矿型单相的晶体结构。

9. 发明专利

JP2009076788A Laminated ceramic element and mounting structure thereof 有权
标题翻译：层压陶瓷元件及其安装结构
公开(公告)号：JP2009076788A
公开(公告)日：2009-04-09
申请号：JP2007246198
申请日：2007-09-21
申请人： Tdk Corp , Tdk株式会社
发明人： TOGASHI MASAAKI
IPC分类号： H01C7/04 , H01F27/00 , H01G4/12 , H01G4/40 , H01G7/04 , H01G17/00
CPC分类号： H01C7/18 , H01C1/148 , H01C7/021 , H01C7/041 , H01G4/232 , H01G4/30
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a laminated ceramic element capable of precisely detecting temperature, and to provide a mounting structure thereof.
SOLUTION: The mounting structure has an NTC capacitor 1, an NTC thermistor, a choke coil, a switching circuit, a feedback circuit, an amplifier, and a capacitor, all arranged on a substrate S. The NTC capacitor 1 includes: a capacitor element body 15 having a plurality of insulator layers 16 to 18 stacked; first to third internal electrodes 19, 20, and 21 to 24 disposed in the capacitor element body 15; and first to third terminal electrodes 11 to 14 disposed on an external surface of the capacitor element body 15. The first internal electrode 19 is connected to only the first terminal electrode 11; the second internal electrode 20 is connected to only the second terminal electrode 12; the third internal electrodes 21 and 22 are connected to only the third terminal electrode 13; and the third internal electrodes 23 and 24 are connected to only the third terminal electrode 14. The third internal electrodes 21 to 24 are opposed to neither of the first and second internal electrodes 19 and 20 in the stacking direction of the insulator layers 16 to 18.
COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供能够精确地检测温度的层压陶瓷元件，并提供其安装结构。解决方案：安装结构具有NTC电容器1，NTC热敏电阻，扼流线圈，开关电路，反馈电路，放大器和电容器，全部布置在基板S上.NTC电容器1包括：电容器元件主体15，其具有堆叠的多个绝缘体层16〜18; 设置在电容器元件主体15中的第一至第三内部电极19,20和21至24; 以及设置在电容器元件主体15的外表面上的第一至第三端子电极11至14.第一内部电极19仅与第一端子电极11连接; 第二内部电极20仅连接到第二端子电极12; 第三内部电极21和22仅连接到第三端子电极13; 并且第三内部电极23和24仅连接到第三端子电极14.第三内部电极21至24在绝缘体层16至18的堆叠方向上与第一和第二内部电极19和20都不相对版权所有（C）2009，JPO＆INPIT

10. 发明专利

JPS59192928A Maximum temperature thermometer of thin film 失效
标题翻译：薄膜最大温度温度计
公开(公告)号：JPS59192928A
公开(公告)日：1984-11-01
申请号：JP6558583
申请日：1983-04-15
申请人： Hitachi Ltd
发明人： MIYAGAWA SUSUMU
IPC分类号： H01C7/00 , G01K3/00 , G01K7/18 , H01C7/02 , H01C7/04 , H01C17/12
CPC分类号： H01C17/12 , H01C7/02 , H01C7/041
摘要： PURPOSE:To measure a max. temp. without contaminating a vacuum atmosphere by forming an Si-Cr-O ternary alloy film having a prescribed constituent on a substrate and providing electrodes on the alloy film. CONSTITUTION:On the substrate obtained by forming thinly a glass on a ceramic and making the surface flat, the Si-Cr-O alloy film 2 having the composition of 42.8-48.8at% Si, 26.0-32.0at% Cr and the balance O is formed to the thickness of about 1,500Angstrom by sputtering method. As an electrode 3, Ni.Cr/Au is formed by about 1,000Angstrom thickness of Ni.Cr by sputtering or vacuum deposition method, and scribed to about 5omegaX15mm. by laser. Thereafter, the heat treatment is performed by the heating upto 200 deg.C and the cooling.
摘要翻译：目的：测量最大温度。通过在基板上形成具有规定成分的Si-Cr-O三元合金膜并在合金膜上设置电极而不污染真空气氛。构成：在通过在陶瓷上形成薄片玻璃并使表面平坦而获得的基板上，Si-Cr-O合金膜2的组成为42.8-48.8at％的Si，26.0-32.0at％的Cr，余量为O 通过溅射法形成约1500Ang的厚度。作为电极3，Ni.Cr/Au由溅射或真空沉积法形成约1000埃厚度的Ni.Cr，并刻成约5m×150mm。通过激光。此后，通过加热至200℃和冷却进行热处理。

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