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2. 发明专利

JPWO2014208447A1 サーメットおよびその製造方法並びに切削工具有权
标题翻译：金属陶瓷以及用于制造它的方法，以及切削工具
公开(公告)号：JPWO2014208447A1
公开(公告)日：2017-02-23
申请号：JP2015524011
申请日：2014-06-19
申请人：京セラ株式会社
发明人：秀吉木下
IPC分类号： C22C29/04 , B23B27/14
CPC分类号： C22C29/04 , B22F2005/001 , B23B27/148 , B23B2222/16 , C04B35/58021 , C04B35/64 , C04B2235/3839 , C04B2235/3847 , C04B2235/3856 , C04B2235/3886 , C04B2235/405 , C04B2235/6562 , C04B2235/6567 , C22C29/005
摘要：【課題】耐欠損性および耐熱衝撃性の高いサーメットおよびその製造方法を提供する。【解決手段】結合相2と硬質相4を含み、硬質相4は、平均粒径が0.05〜1μmのTiCNからなる第1硬質相4と、平均粒径が0.2〜2μmで第1硬質相5の平均粒径よりも大きくTiとTi以外の周期表第4、5および6族金属のうちの1種以上との複合炭窒化物からなる第2硬質相6とを含んでおり、第2硬質相6同士が連結し、第2硬質相6の平均粒径に対して3倍以上の粒径からなる凝集部10を有し、凝集部10を形成する第2硬質相6には、内部におけるWの最大含有比率が外周部におけるWの平均含有比率に対する質量比で1.1倍より高い第2a硬質相7が存在し、凝集部10が組織中に20〜60面積%の比率で存在し、炭素含有比率が6.00〜6.50質量%のサーメット1である。
摘要翻译：为了提供高的金属陶瓷的抗断裂性和抗热冲击性和其制造方法。它包括一个粘结相2和硬质相4中，硬质相4中，具有0.2〜2μm的第一硬质相5 0.05的TiCN的平均粒径为1微米，平均颗粒尺寸的第一硬质相4 平均颗粒包括比大的Ti和Ti比直径以外的一个或多个周期表第4,5和6族金属的复合碳氮化物的第二硬质相图6中，第二刚性相位6彼此并连接，具有由三次以上的粒径的所述第二硬质相6的平均粒径，在第二硬质相6的聚合单元10以形成粘结部10，内 W的最大含量比本2a中硬质相7高于1.1倍W的平均含量比的质量比在集合部10的外周部存在的20至60面积％的组织的比例，碳含量比为6.00的金属陶瓷1至6.50重量％。

3. 发明专利

JP2017502911A 炭素複合材、製造方法、及びその使用审中-公开
标题翻译：碳复合材料，其制造方法，以及它们的使用
公开(公告)号：JP2017502911A
公开(公告)日：2017-01-26
申请号：JP2016552420
申请日：2014-10-06
申请人：ベイカーヒューズインコーポレイテッド , ベイカーヒューズインコーポレイテッド
发明人：シュウ，ジーユエ , ジャオ，レイ
IPC分类号： C01B32/205 , C01B32/00 , C09K3/10 , F16J15/10
CPC分类号： B29C43/003 , B22F2999/00 , B29C43/006 , B29C43/10 , B29D99/0053 , B29K2091/00 , B29K2303/06 , B29K2305/00 , B29K2305/02 , B29K2305/10 , B29K2305/12 , B29K2307/04 , B29K2309/04 , B29K2505/00 , B29K2505/02 , B29K2505/10 , B29K2505/12 , B29K2507/04 , B29K2509/04 , B29L2031/26 , B29L2031/265 , B32B3/28 , B32B9/007 , B32B9/041 , B32B15/18 , B32B15/20 , B32B2250/02 , B32B2262/106 , B32B2264/105 , B32B2264/107 , B32B2264/108 , B32B2581/00 , C04B35/536 , C04B35/806 , C04B35/83 , C04B2235/3418 , C04B2235/3826 , C04B2235/386 , C04B2235/3873 , C04B2235/402 , C04B2235/404 , C04B2235/405 , C04B2235/407 , C04B2235/425 , C04B2235/428 , C04B2235/604 , C04B2235/616 , C22C1/05 , C22C1/1036 , C22C1/1084 , C22C32/0084 , C22C47/06 , C22C47/08 , C22C47/14 , C22C47/20 , C22C49/14 , Y10T428/24331 , Y10T428/30
摘要：炭素複合材が、膨張黒鉛と、充填材又は強化材の少なくとも1つとを含み、該膨張黒鉛がランダムに配向した複数の基礎面を有している。前記炭素複合材を作製する方法と、該炭素複合材を含む物品も開示されている。【選択図】図1
摘要翻译：碳复合材料，以及膨胀石墨，其包含填料或增强材料中的至少一个，所述膨胀石墨具有随机取向的多个基本面孔的。并且使碳复合材料的方法还公开了一种制品，其包含所述碳复合材料。点域1

4. 发明专利

JP5988430B2 立方晶窒化ホウ素焼結体およびその製造方法有权
标题翻译：立方晶氮化硼烧结体及其制造方法
公开(公告)号：JP5988430B2
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：JP2012237019
申请日：2012-10-26
申请人：住友電工ハードメタル株式会社
发明人：徂徠義章 , 岡村克己 , 深谷朋弘
IPC分类号： C04B35/626 , B23B27/14 , C22C29/16 , C04B35/583
CPC分类号： C04B35/5831 , B22F1/025 , B28B1/004 , C04B35/645 , C22C26/00 , C23C14/165 , C23C14/223 , C23C14/34 , C23C16/00 , B22F2999/00 , C04B2235/3256 , C04B2235/3839 , C04B2235/40 , C04B2235/405 , C04B2235/72 , C04B2235/785 , C04B2235/96 , C22C2026/003

5. 发明专利

JPWO2013069657A1 立方晶窒化硼素焼結体有权
标题翻译：立方晶氮化硼烧结体
公开(公告)号：JPWO2013069657A1
公开(公告)日：2015-04-02
申请号：JP2013542993
申请日：2012-11-07
申请人：株式会社タンガロイ
发明人：雄一郎福島 , 雄一郎福島
IPC分类号： C04B35/583 , B23B27/14 , B23B27/20 , C04B41/87
CPC分类号： B23B27/148 , B22F2005/001 , C04B35/5831 , C04B35/6303 , C04B35/638 , C04B35/645 , C04B41/009 , C04B41/5068 , C04B41/87 , C04B2235/3217 , C04B2235/3817 , C04B2235/3839 , C04B2235/3847 , C04B2235/3852 , C04B2235/3856 , C04B2235/386 , C04B2235/3865 , C04B2235/3886 , C04B2235/402 , C04B2235/404 , C04B2235/405 , C04B2235/5292 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/72 , C04B2235/725 , C04B2235/785 , C04B2235/786 , C04B2235/80 , C22C26/00 , C22C2026/006 , Y10T407/27 , Y10T428/265 , Y10T428/31678 , C04B41/4529 , C04B41/5063
摘要：本発明は、耐摩耗性および耐欠損性に優れた立方晶窒化硼素焼結体を提供することを目的とし、立方晶窒化硼素:85〜95体積%と、結合相および不可避的不純物:5〜15体積%とから構成され、結合相は、Al、V、Cr、Mn、Co、Ni、NbおよびMoから成る群より選択された元素の炭化物、窒化物、炭窒化物、酸化物およびこれらの相互固溶体から成る群より選択された3種以上の化合物とからなり、立方晶窒化硼素焼結体に含まれるアルミニウム元素量は立方晶窒化硼素焼結体の全質量に対して0.5〜5質量%であり、但し、結合相中に金属単体および合金は含まれないことを特徴とする立方晶窒化硼素焼結体を提供する。
摘要翻译：本发明的目的是提供一种耐磨损性和耐崩裂性优异的中立方晶氮化硼烧结体中，立方氮化硼：按体积计85-95％，并且，结合相和不可避免的杂质：5 由15％（体积），粘结相，铝，钒，铬，锰，钴，镍，碳化物元素选自Nb和Mo，氮化物，碳氮化物，氧化物和它们的组它由选自相互固溶体所组成的组，0.5〜5％，相对于铝元素量的总重量的重量选择的三种或更多种化合物的是包含在所述立方晶氮化硼烧结体的立方氮化硼烧结体与提供立方氮化硼烧结体中的条件，其特征在于它不包括简单的金属和合金中的粘合剂相。

6. 发明专利

JP2015509611A 検知電極が少なくとも１つのタングステートまたはモリブデート化合物を含むアンペロメトリック固体電解質ガスセンサおよび検出方法有权
标题翻译：安培固体电解质气体传感器和检测方法，包括至少一个钨或钼酸盐化合物的检测电极
公开(公告)号：JP2015509611A
公开(公告)日：2015-03-30
申请号：JP2014561176
申请日：2013-03-08
申请人：ネクステック、マテリアルズ、リミテッドNextech Materials, Ltd. , ネクステック、マテリアルズ、リミテッドNextech Materials, Ltd.
发明人：マイケルデイ , マイケルデイ , スコットシュワルツ , スコットシュワルツ , ローラスラン , ローラスラン , バディマコーミック , バディマコーミック
IPC分类号： G01N27/416
CPC分类号： G01N27/4075 , C04B35/01 , C04B35/486 , C04B35/495 , C04B35/50 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3262 , C04B2235/3272 , C04B2235/3275 , C04B2235/3279 , C04B2235/3281 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3296 , C04B2235/404 , C04B2235/405 , C04B2235/408 , C04B2235/5409 , F01N2560/026 , G01N33/0037 , Y02A50/245
摘要：酸化性雰囲気中、印加されたバイアス下で操作可能であり、1つ以上の標的ガス種の存在下、検知電極にて酸素分子の向上した還元を示し、結果としてセンサセルを通る酸素イオンフラックスを測定可能な程度に増大させるように構成されたアンペロメトリック電気化学センサ。センサセルが、酸素イオン伝導性電解質膜、この電解質膜上の検知電極、およびこの電解質膜上の対電極を有し、この検知電極が、少なくとも1つのモリブデートまたはタングステート化合物を含む。ガス試料またはガス流中の1つ以上のNOXおよびNH3の濃度を検出するための方法と共に、電気化学センサシステムも提供される。
摘要翻译：在氧化气氛中，是下施加的偏压可操作的一个或更多个目标气体物质表现出的存在提高在检测电极还原分子氧，通过传感器单元作为结果测定氧离子通量电流传感器配置成增加至可能的程度。传感器单元包括一个传导氧离子的电解质膜，在电解质膜的检测电极，和在电解质膜的相对电极，所述检测电极包含至少一个钨酸或钼酸化合物。随着在气体样品或燃气流量检测NOx和NH3的一种或多种浓度的方法，还提供电化学传感器系统。

10. 发明专利

JPWO2011145387A1 Ｓｉ−ＳｉＣ系複合材料及びその製造方法、ハニカム構造体、熱伝導体ならびに熱交換器审中-公开
公开(公告)号：JPWO2011145387A1
公开(公告)日：2013-07-22
申请号：JP2012515783
申请日：2011-03-14
申请人：日本碍子株式会社
发明人：紫甫小池 , 紫甫小池 , 岳秀下田 , 岳秀下田 , 義政小林 , 義政小林
IPC分类号： C04B35/565 , C04B41/88
CPC分类号： C04B35/573 , C04B35/565 , C04B35/62635 , C04B38/0006 , C04B2111/00793 , C04B2111/0081 , C04B2235/3217 , C04B2235/3418 , C04B2235/3463 , C04B2235/401 , C04B2235/402 , C04B2235/404 , C04B2235/405 , C04B2235/428 , C04B2235/5436 , C04B2235/604 , C04B2235/606 , C04B2235/616 , C04B2235/663 , C04B2235/723 , C04B2235/85 , C04B2235/96 , C04B2235/9607 , F28F21/04
摘要： Si−SiC系複合材料は、SiCを57質量%以上85質量%以下、Siを10.5質量%以上42.6質量%以下、Alを0.1質量%以上12.9質量%以下含み、重量比であるAl/Si比が1/99以上30/70以下の範囲である。また、Al2O3及びムライトのうち少なくともいずれか1つの相がSiC粒子間に存在する構造を有するものとしてもよい。このSi−SiC系複合材料は、SiCを含む被含浸体とSiを含む含浸金属供給体とを用い、該被含浸体及び該含浸金属供給体のうち少なくとも一方にAlを含み、常圧の不活性ガス雰囲気、1200℃以上1600℃以下の温度範囲で前記含浸金属供給体からのSiを含む溶融金属を前記被含浸体へ含浸処理する含浸工程を経て作製されている。

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