专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

JP4541717B2 Integrated circuit device and a method of manufacturing the same 有权
公开(公告)号：JP4541717B2
公开(公告)日：2010-09-08
申请号：JP2004032660
申请日：2004-02-09
申请人：ルネサスエレクトロニクス株式会社 , 日本電気株式会社
发明人：康隆中柴 , 信和伊藤 , 得人佐々木 , 宏明大窪 , 直樹小田 , 尚由川原 , 寛村瀬 , 邦子菊田
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/822 , H01C7/10 , H01L23/58 , H01L27/04 , H01L27/06 , H01L27/16 , H01L31/058
CPC分类号： H01C7/1013 , H01L27/16 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

2. 发明专利

JP2015082545A 抵抗変化素子审中-公开
标题翻译：电阻变化元件
公开(公告)号：JP2015082545A
公开(公告)日：2015-04-27
申请号：JP2013218949
申请日：2013-10-22
申请人：マイクロンメモリジャパン株式会社 , シャープ株式会社
发明人：日向野直也 , 玉井幸夫 , 川端優
IPC分类号： H01L45/00 , H01L49/00 , H01L27/105
CPC分类号： H01C7/10 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L45/08 , H01L45/122 , H01L45/146 , H01L45/1675 , H01C7/1013
摘要：【課題】抵抗変化素子の微細化に伴い、CMPやエッチングによる抵抗変化膜への影響を抑えるのが難しくなってきた。【解決手段】絶縁膜と、前記絶縁膜に囲まれた第1部分、及び、前記第1部分から前記絶縁膜の上面よりも上方に突出した柱状の第2部分を含む下部電極と、前記下部電極を含む前記絶縁膜の所定の領域を覆うとともに前記下部電極の前記第2部分における少なくとも上面と電気的に接続される抵抗変化膜と、前記抵抗変化膜を覆うとともに前記抵抗変化膜と電気的に接続される上部電極と、を備える。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：为了解决与电阻变化元件的小型化有关的CMP和蚀刻难以防止对电阻变化膜的影响的问题。解决方案：电阻变化元件包括：绝缘膜; 包括由所述绝缘膜包围的第一部分和从所述第一部分突出于所述绝缘膜的顶表面上方的柱状第二部分的下部电极; 电阻变化膜，覆盖包括下电极的绝缘膜的预定区域，并电连接到下电极的第二部分的至少顶表面; 以及覆盖电阻变化膜并电连接到电阻变化膜的上电极。

3. 发明专利

JP2014241395A 電子部品审中-公开
标题翻译：电子元件
公开(公告)号：JP2014241395A
公开(公告)日：2014-12-25
申请号：JP2014080964
申请日：2014-04-10
申请人：株式会社村田製作所 , Murata Mfg Co Ltd
发明人： IKEDA HIROSHI , MIURA TADAMASA , FURUTO MASAHIRO
IPC分类号： H01C7/04 , H01C7/00
CPC分类号： H01C7/006 , H01C7/021 , H01C7/041 , H01C7/1013
摘要：【課題】基板から金属層が剥がれにくい電子部品を提供すること。【解決手段】電子部品1aであって、絶縁性セラミック材料から作製された基板7と、セラミック材料から作製され、基板7と拡散接合するセラミック層8と、第一主面91と、該第一主面91と対向する第二主面92と、を有する金属層9であって、該第一主面91側でセラミック層8と拡散接合する金属層9と、金属層9の第二主面92側と拡散接合する特性層10であって、セラミック材料から作製されており、周囲温度または印加電圧に対し抵抗値が変化する特性層10と、を備える。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：提供金属层不太可能从基板剥离的电子部件。解决方案：电子部件1a包括：由绝缘陶瓷材料制成的基板7; 由陶瓷材料制成的陶瓷层8并且扩散粘合到基板7上; 金属层9具有第一主表面91和与第一主表面91相对的第二主表面92并且在第一主表面91侧上扩散粘结到陶瓷层8; 以及特征层10，其与金属层9的第二主面92侧扩散接合，并由陶瓷材料制成，其电阻值随环境温度或施加电压而变化。

4. 发明专利

JP2006196894A Heat sink, resistor, and cooling method for resistor (heat sink for integrated circuit devices) 审中-公开
标题翻译：电阻器的散热，电阻和冷却方法（集成电路器件的散热器）
公开(公告)号：JP2006196894A
公开(公告)日：2006-07-27
申请号：JP2006001619
申请日：2006-01-06
申请人： Internatl Business Mach Corp , インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーションInternational Business Maschines Corporation
发明人： COOLBAUGH DOUGLAS D , ESHUN EBENEZER E , HOOK TERENCE B , RASSEL ROBERT M , SPROGIS EDMUND J , STAMPER ANTHONY K , MURPHY WILLIAM J
IPC分类号： H01L23/36 , H01L23/373
CPC分类号： H01C7/1013 , H01C1/084 , H01L2924/0002 , Y10T29/49083 , Y10T29/49085 , Y10T29/49099 , Y10T29/49144 , Y10T29/49147 , H01L2924/00
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a resistor that has a heat sink with excellent heat conduction. SOLUTION: This heat sink includes a conduction path that has a high-thermal conductivity metal and other thermal conductors. In order that an electrical resistor may not be short-circuited to earth by this thermal resistor, a thin layer with a high-thermal conductivity electric insulator is interposed between the thermal conductor and the resistor's body. Accordingly, since heat is conducted to the heat sink in a direction in which the thermal conductor with high thermal conductivity moves away from the resistor, the resistor can pass a large amount of current. In addition to the fact that a parasitic capacitance and other electric parasitic actions that help reduce high-frequency responses from the electric resistor are lowered, various structures of a thermal conductor and heat sink are achieved through which favorable thermal conduction characteristics are obtained. COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI
摘要翻译：要解决的问题：提供具有散热器的具有优异热传导性的电阻器。解决方案：该散热器包括具有高导热性金属和其他热导体的导电路径。为了使该电阻器不会被该热电阻器短路到地，具有高导热电绝缘体的薄层插入在热导体和电阻体之间。因此，由于在热导率高的导体从电阻器移开的方向向散热器传导热量，所以电阻器能够通过大量的电流。除了有助于降低来自电阻器的高频响应的寄生电容和其他电寄生作用降低之外，还实现了热导体和散热器的各种结构，从而获得了良好的热传导特性。版权所有（C）2006，JPO＆NCIPI

5. 发明专利

JP4844673B2 Method of manufacturing Esd protection element 有权
公开(公告)号：JP4844673B2
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：JP2009520410
申请日：2008-05-30
申请人：株式会社村田製作所
发明人：敦櫻井 , 裕竹島
IPC分类号： H01T4/10 , H01C7/12 , H01T4/16
CPC分类号： H01T4/10 , H01C7/1013 , H01C7/105 , H01T4/08

6. 发明专利

JPWO2009001649A1 ＥＳＤ保護素子の製造方法有权
公开(公告)号：JPWO2009001649A1
公开(公告)日：2010-08-26
申请号：JP2009520410
申请日：2008-05-30
申请人：株式会社村田製作所
发明人：櫻井　敦 , 敦櫻井 , 竹島　裕 , 裕竹島
IPC分类号： H01T4/10 , H01C7/12
CPC分类号： H01T4/10 , H01C7/1013 , H01C7/105 , H01T4/08
摘要：微細な導電性粒子が樹脂中に均一に分散されたESD吸収部を備え、低い電圧で動作し、かつ、動作の安定性に優れたESD保護素子を効率よく製造することを可能にする。基板1上の一対の電極3a,3b間に形成された、樹脂中に導電性粒子を存在させてなるESD吸収部6を備えたESD保護素子10の製造工程で、ESD吸収部6を形成するにあたって、基板1上に金属膜を成膜し、金属膜を熱処理して凝集させることにより、基板1上に導電性粒子5を形成した後、基板上に一対の電極を形成する前に、または、基板上に一対の電極を形成した後に、導電性粒子上に樹脂4を供給して、導電性粒子5を樹脂4により覆う。基板上に前記導電性粒子を形成するにあたって、導電性粒子を基板上に島状に形成することにより、基板上に導電性粒子を2次元的に分布させる。

7. 发明专利

JP3879016B2 Method of manufacturing an integrated circuit 失效
公开(公告)号：JP3879016B2
公开(公告)日：2007-02-07
申请号：JP50442896
申请日：1995-07-10
申请人：シメトリックス・コーポレーション , 松下電器産業株式会社
发明人：マサミチアズマ， , ジョセフディー．クチアロ， , マイケルシー．スコット， , デアラウジョ，カルロスエイ．パズ
IPC分类号： H01L21/8246 , C23C16/44 , C23C16/448 , C23C16/455 , C23C16/46 , C23C16/48 , C23C16/52 , C23C18/12 , C23C18/14 , C30B7/00 , H01C7/10 , H01L21/02 , H01L21/314 , H01L21/316 , H01L21/8242 , H01L27/105 , H01L27/108 , H01L27/115
CPC分类号： H01L27/11502 , C04B35/4682 , C04B35/6264 , C04B2235/3213 , C04B2235/3224 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3243 , C04B2235/3268 , C04B2235/441 , C04B2235/449 , C04B2235/72 , C23C16/4412 , C23C16/448 , C23C16/4486 , C23C16/45561 , C23C16/4558 , C23C16/46 , C23C16/482 , C23C16/52 , C23C18/1216 , C23C18/1275 , C23C18/1295 , C23C18/14 , C30B7/00 , C30B29/68 , H01C7/1013 , H01L21/314 , H01L21/31691 , H01L27/10805 , H01L28/55 , H01L28/56 , H01L28/60
摘要： A magnesium doped metal oxide layer in an integrated circuit is made by providing a liquid precursor comprising a first metal, a second metal and magnesium, applying the precursor to a substrate, and treating the precursor to form said magnesium doped metal oxide layer on the substrate. In one embodiment the liquid precursor comprises a mixture of a BST solution and a dopant solution of magnesium carboxylate. The precursor is spun (P45) on the substrate, for example a first electrode, dried (P46) at 400 DEG C for 2 minutes then annealed (P47) at 750 DEG C to 800 DEG C for about an hour to form a BST layer accurately doped with magnesium.

8. 发明专利

JP2004023108A Ic substrate equipped with overvoltage protection function and its manufacturing method 审中-公开
公开(公告)号：JP2004023108A
公开(公告)日：2004-01-22
申请号：JP2003174086
申请日：2003-06-18
申请人： Inpaq Technology Co Ltd , インパックテクノロジーカンパニー,リミティド
发明人： LEE CHUN-YUAN
IPC分类号： H01L23/12 , H01C7/10 , H01C7/12 , H01L21/48 , H01L23/52 , H01L23/62
CPC分类号： H01L23/62 , H01C7/1013 , H01C7/12 , H01L21/4857 , H01L21/486 , H01L23/057 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L23/50 , H01L24/10 , H01L24/48 , H01L2224/0401 , H01L2224/05599 , H01L2224/16 , H01L2224/16235 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/4826 , H01L2224/48472 , H01L2224/85399 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/15787 , H01L2924/19105 , H01L2924/19106 , H01L2224/45099 , H01L2924/00
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To offer an IC substrate equipped with an overvoltage protection function. SOLUTION: This IC substrate has a substrate 22, a ground conductor layer 23 to form a ground terminal, more than one variable resistance material layer 24, and multiple conductor layers 21. The ground terminal is positioned on the under surface of the substrate 22, and penetrates the substrate 22 to reach the top face of the substrate 22, thereby forming at least one terminal which appears on the top face of the substrate 22. Each variable resistance material layer 24 is exposed on the ground conductor layer 23, and is positioned on a terminal which is to be electrically connected to the variable resistance layer 24. The conductor layers 21 are positioned on the substrate 22, and are overlaid on and connected to the respective variable resistance material layers 24. COPYRIGHT: (C)2004,JPO

9. 发明专利

JP2016500914A 電流切換トランジスタ审中-公开
标题翻译：电流开关晶体管
公开(公告)号：JP2016500914A
公开(公告)日：2016-01-14
申请号：JP2015532558
申请日：2013-09-20
申请人：ピーエスティ・センサーズ・(プロプライエタリー)・リミテッドPst Sensors (Proprietary) Limited , ピーエスティ・センサーズ・(プロプライエタリー)・リミテッドPst Sensors (Proprietary) Limited
发明人：デイビッド・トーマス・ブリットン , マルギット・ヘルティング , スタンリー・ダグラス・ウォルトン
IPC分类号： H01L29/68
CPC分类号： H01L29/705 , H01C7/1013 , H01L29/04 , H01L29/0692 , H01L29/72 , H01L49/02 , H01L51/0036 , H01L51/0037 , H01L51/0504
摘要：電子デバイス及び電子デバイスの製造方法を開示する。電子デバイスは、半導体材料の本体と、各端子を形成するために少なくとも3つの導電コンタクトを規定する導電材料と、を備える。半導体材料と導電コンタクトは、少なくとも部分的に重なって電子デバイスを規定しており、いずれかの対の端子間のデバイスの電気特性は、バリスタの電気特性に対応する。半導体材料の本体は、印刷またはコーティングによって堆積された層であってもよい。各対の端子間のバリスタ特性は、1つの端子と他のいずれか2つの端子との間の電流を切り換えることが可能であり、第1端子に向かって正電流が流れるとき、正電流が付加された第2端子に無視できる電流が流れ、第2端子に対して負電位に保たれた第3端子から外に向かって正電流が流れる。第1端子の外側に向かって負電流が流れるとき、第2端子に正電流が流れ、第3端子に無視できる電流が流れる。
摘要翻译：它公开了一种用于制造电子器件和电子器件的方法。电子器件包括半导体材料的主体，并限定至少三个导电接触的导电材料，以形成每个终端。半导体材料和导电接触所限定的电子设备至少部分地重叠，则对端子中的一个之间的器件的电特性，对应于压敏电阻的电特性。半导体材料的本体可以是通过印刷或涂沉积的层。每对的端子之间的变阻特性，能够切换所述一个端子和另一个的两个端子之间的电流时的正电流流向第一端子，加入正电流是可忽略的电流到所述第二端子流为正电流从维持在负电势相对于该第二端子的第三端子流出。当负电流向第一终端的外部流动，正电流流向第二端子，可忽略的电流到所述第三端子流动。

10. 发明专利

JP2010537429A Switchable dielectric material a voltage comprising particles of modified high aspect ratio 审中-公开
公开(公告)号：JP2010537429A
公开(公告)日：2010-12-02
申请号：JP2010521977
申请日：2008-08-19
申请人：ショッキングテクノロジーズインコーポレイテッドShocking Technologies, Inc.
发明人：ウー，ジュンジュン , コソウスキー，レックス , フレミング，ロバート
IPC分类号： H01C7/12 , H01L23/00
CPC分类号： H01C7/1013 , B82Y10/00 , H01C7/105 , H05K1/0257 , H05K1/0259 , H05K1/0373 , H05K1/167 , H05K2201/0218 , H05K2201/0248 , H05K2201/026 , H05K2201/0738 , H05K2203/105
摘要：ここに記載された実施の形態は、ある濃度の修飾された高アスペクト比（ＨＡＲ）の粒子を含む電圧で切替可能な誘電体（ＶＳＤ）材料の組成物を提供する。ある実施の形態において、その濃度の少なくとも一部は、コア・シェルＨＡＲ粒子を提供するように表面修飾されたＨＡＲ粒子を含む。代わりにまたは追加として、その濃度の一部は、活性化表面を有するように表面修飾されたＨＡＲ粒子を含む。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式