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1. 发明专利

JP5709865B2 EUVまたはUVリソグラフィ装置の部材及びその製造方法有权
标题翻译：构件和它们的EUV或UV光刻设备的制造方法
公开(公告)号：JP5709865B2
公开(公告)日：2015-04-30
申请号：JP2012521968
申请日：2009-07-30
申请人：カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー
发明人：ヒンイゥアントニイチュン
IPC分类号： G03F7/20 , G02B7/182 , G02B7/02 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/70916 , B29D11/0073 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G02B7/00 , G03F1/14 , G03F1/24 , G03F1/38 , G03F7/70783 , G03F7/70808 , G03F7/70825 , G03F7/70841 , G21K2201/067 , Y10T156/10

2. 发明专利

JP2013057739A Photomask blank, photomask and method for manufacturing the same 有权
标题翻译： PHOTOMASK BLANK，PHOTOMASK及其制造方法
公开(公告)号：JP2013057739A
公开(公告)日：2013-03-28
申请号：JP2011195049
申请日：2011-09-07
申请人： Shin Etsu Chem Co Ltd , 信越化学工業株式会社
发明人： INAZUKI SADAOMI , IGARASHI SHINICHI , NISHIKAWA KAZUHIRO , YOSHIKAWA HIROKI
IPC分类号： G03F1/54
CPC分类号： G03F1/26 , G03F1/14 , G03F1/38 , G03F1/50
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a photomask blank having a novel hard mask film that enables processing with increased accuracy during processing of a fine pattern on an optical film formed of a transition metal silicon compound material using a thinner hard mask film made of a chromium-based material, a photomask manufacturing with the photomask blank, and a manufacturing method for the photomask.SOLUTION: The photomask blank comprises: a transparent substrate; an optical film formed on the transparent substrate and formed of a transition metal silicon compound material; and a hard mask film for precision processing of the optical film. The hard mask film is a multilayer film formed of a chromium-based material. The multilayer film includes: a first layer that is disposed adjoining to the optical film, is formed of a chromium-based material containing oxygen by 20 to 60 atom% and has a thickness of 0.5 nm or more and less than 5.0 nm; and a second layer that is disposed adjoining to the first layer, is formed of a chromium-based material containing chromium by 50 atom% or more and has a lower oxygen content percentage than that of the first layer. The thickness of the entire hard mask film is 2.0 nm or more and less than 10 nm. Etching durability of a hard mask film against fluorine-based dry etching can be improved and, an optical film comprising a transition metal silicon compound material can be precisely processed by use of a hard mask pattern even when a thinner hard mask film is used.
摘要翻译：解决的问题：提供一种具有新颖的硬掩模膜的光掩模坯料，其能够使用更薄的硬掩模膜在由过渡金属硅化合物材料形成的光学膜上处理精细图案期间以更高的精度进行处理铬基材料，用光掩模坯料制造的光掩模，以及光掩模的制造方法。光掩模坯料包括：透明基板; 在透明基板上形成的由过渡金属硅化合物材料形成的光学膜; 以及用于光学膜的精密加工的硬掩模膜。硬掩模膜是由铬基材料形成的多层膜。多层膜包括：与光学膜相邻配置的第一层，由含有20〜60原子％的氧的铬系材料形成，厚度为0.5nm以上且小于5.0nm的厚度; 并且与第一层相邻设置的第二层由含有50原子％以上的铬并且具有比第一层低的氧含量百分比的铬基材料形成。整个硬掩模膜的厚度为2.0nm以上且小于10nm。可以提高硬掩模膜对氟基干蚀刻的蚀刻耐久性，并且即使使用更薄的硬掩模膜，也可以通过使用硬掩模图案精确地加工包含过渡金属硅化合物材料的光学膜。版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

3. 发明专利

JP2013500593A Member and method of manufacturing the same Euv or uv lithographic apparatus 有权
公开(公告)号：JP2013500593A
公开(公告)日：2013-01-07
申请号：JP2012521968
申请日：2009-07-30
申请人：カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー
发明人：イゥアントニイチュンヒン
IPC分类号： H01L21/027 , G02B7/02 , G02B7/182 , G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70916 , B29D11/0073 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G02B7/00 , G03F1/14 , G03F1/24 , G03F1/38 , G03F7/70783 , G03F7/70808 , G03F7/70825 , G03F7/70841 , G21K2201/067 , Y10T156/10
摘要：ＥＵＶまたはＵＶリソグラフィ装置の部材（４００）の２つの部位（４０１、４０３）の接合を改善し、時間経過にともなって接合部位（４０１、４０３）における追加的な応力が生じる蓋然性を低減させる。ＥＵＶまたはＵＶリソグラフィ装置の部材（４００）が、接着材料（４０５）で互いに接合される２つの部位（４０１、４０３）を有し、前記接着材料（４０５）が、当該接着材料（４０５）を周囲のガス環境から絶縁する保護層（４０７）で覆われる。
【選択図】図４

4. 发明专利

JP2012053458A Binary photomask blank and method for manufacturing binary photomask 有权
标题翻译：二进制光子空白和制造二进制光子的方法
公开(公告)号：JP2012053458A
公开(公告)日：2012-03-15
申请号：JP2011162793
申请日：2011-07-26
申请人： Shin Etsu Chem Co Ltd , 信越化学工業株式会社
发明人： YOSHIKAWA HIROKI , INAZUKI SADAOMI , NISHIKAWA KAZUHIRO , KANEKO HIDEO
IPC分类号： G03F1/54
CPC分类号： G03F1/14 , G03F1/32 , G03F1/50 , G03F1/58
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a binary photomask blank having a thin light-shielding film capable of substantially shielding exposure light and suppressing a ghost pattern by substantially reducing reflectivity of both faces of a substrate to a practically uncontroversial level.SOLUTION: The binary photomask blank has on a transparent substrate a light-shielding film including a substrate-side compositionally graded layer and a surface-side compositionally graded layer, having a thickness of 35-60 nm, and composed of a silicon base material containing a transition metal and nitrogen and/or oxygen. The substrate-side compositionally graded layer has a thickness of 10-58.5 nm, transition metal:silicon is 1:2-1:9 (atomic ratio), and a total content of nitrogen and oxygen is 25-40 atom% at the transparent substrate side and is 10-23 atom% at the side separating from the transparent substrate. The surface-side compositionally graded layer has a thickness of 1.5-8 nm, the transition metal:silicon is 1:2-1:9, and a total content of nitrogen and oxygen is 10-45 atom% at the transparent substrate side and is 45-55 atom% at the side separating from the transparent substrate.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种具有薄的遮光膜的二进制光掩模坯料，其能够基本上屏蔽曝光光并且通过将基板的两个面的反射率基本上降低到几乎无争议的水平来抑制重影图案。解决方案：二元光掩模坯料在透明基板上具有包括基板侧组成梯度层和表面侧组成梯度层的遮光膜，其厚度为35-60nm，由硅含有过渡金属和氮和/或氧的基材。基板侧组成梯度层的厚度为10-58.5nm，过渡金属：硅为1：2-1：9（原子比），透明的氮和氧的总含量为25〜40原子％并且在与透明基板分离的一侧为10-23原子％。表面侧成分梯度层的厚度为1.5-8nm，过渡金属：硅为1：2-1：9，透明基板侧的氮和氧的总含量为10-45原子％，在与透明基板分离的一侧为45-55原子％。版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

5. 发明专利

JP2010206199A Mask for flare measurement, method of measuring flare, and exposure method 有权
标题翻译：瓦斯测量掩蔽，测量方法和暴露方法
公开(公告)号：JP2010206199A
公开(公告)日：2010-09-16
申请号：JP2010043197
申请日：2010-02-26
申请人： Nikon Corp , 株式会社ニコン
发明人： SHIRAISHI MASAYUKI
IPC分类号： H01L21/027 , G03F1/08
CPC分类号： G03F1/44 , G01N21/4738 , G03F1/14 , G03F1/144 , G03F1/22 , G03F1/70 , G03F1/84 , G03F7/70941
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of measuring flare for accurately measuring flare information in a certain angle range. SOLUTION: The method of measuring flare information of an optical projection system includes: a process for disposing a fan-shaped pattern 3A, which is surrounded by a first side 3Aa, a second side 3Ab inclining to the first side 3Aa at a prescribed angle Δϕ, and internal and external diameter arc sections 3Ac, 3Ad for connecting both the ends of the first side 3Aa and both the ends of the second side 3Ab, on an object surface in the optical projection system; a process for projecting an image of the fan-shaped pattern 3A via the optical projection system; and a process for obtaining the flare information, based on the ratio of quantity of light of an image of the fan-shaped pattern 3A to that at a position separating from the image. COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供一种在一定角度范围内精确测量火炬信息的火炬测量方法。解决方案：测量光学投影系统的耀斑信息的方法包括：设置由第一侧面3Aa包围的扇形图案3A，向第一侧面3Aa倾斜的第二侧面3Aa，以及在光学投影系统的物体表面上连接第一侧3Aa的两端和第二侧3Ab的两端的内外弧部3Ac，3Ad; 用于经由光学投影系统投影扇形图案3A的图像的处理; 以及基于扇形图案3A的图像的光量与与图像分离的位置处的光量的比率来获得闪光信息的处理。版权所有（C）2010，JPO＆INPIT

6. 发明专利

JP5989897B2 パターニングデバイスの表面からの位置及び曲率情報の直接的な判定有权
标题翻译：的位置和曲率的信息直接判定从所述图案形成装置的表面
公开(公告)号：JP5989897B2
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：JP2015514519
申请日：2013-05-31
申请人：エーエスエムエルホールディングエヌ.ブイ. , エーエスエムエルネザーランズビー.ブイ.
发明人：デルプエルト,サンティアゴ , バーバンク,ダニエル, , シュスター,マーク, , ブロムリー,ダンカン , ビジネン,フランシスカス
IPC分类号： G03F9/00 , G03F1/68 , G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70775 , G03F1/14 , G03F7/707 , G03F7/70783 , G03F7/7085 , G03F1/142 , G03F1/38 , G03F7/70708

7. 发明专利

JP5797812B2 フォトマスクブランク、フォトマスク及びその製造方法、並びに半導体デバイスの製造方法有权
标题翻译：光掩模坯料，光掩模及其制造相同的方法，以及一种制造半导体器件的方法
公开(公告)号：JP5797812B2
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：JP2014115492
申请日：2014-06-04
申请人： HOYA株式会社
发明人：橋本雅広 , 小湊淳志
IPC分类号： G03F1/80 , G03F1/50 , G03F1/48 , G03F1/58
CPC分类号： G03F1/80 , G03F1/14 , G03F1/54 , G03F1/68

8. 发明专利

JP5558359B2 Photomask blank, photomask and a method of manufacturing the same, and a method of manufacturing a semiconductor device 有权
公开(公告)号：JP5558359B2
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：JP2010531744
申请日：2009-09-30
申请人： Hoya株式会社
发明人：雅広橋本 , 淳志小湊
IPC分类号： G03F1/46 , G03F1/00 , G03F1/50 , G03F1/52 , G03F1/54 , G03F1/80
CPC分类号： G03F1/80 , G03F1/14 , G03F1/54 , G03F1/68

9. 发明专利

JP5497340B2 Method for producing a pattern exposure method and the conductive film 有权
公开(公告)号：JP5497340B2
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：JP2009131487
申请日：2009-05-29
申请人：富士フイルム株式会社
发明人：豊美松田 , 淳須藤 , 友紀馬場 , 大助三橋
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： H01B5/00 , G03F1/14 , H05K1/0393 , H05K3/0082 , H05K3/106 , H05K2201/0108 , H05K2201/09681 , H05K2203/056 , H05K2203/1545 , Y10T428/24917 , Y10T428/24997

10. 发明专利

JP5472065B2 Glass substrate and a method of manufacturing the same for photomask 有权
公开(公告)号：JP5472065B2
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：JP2010271115
申请日：2010-12-06
申请人：信越化学工業株式会社
发明人：大実原田 , 護森川 , 正樹竹内 , 由紀夫柴野
IPC分类号： G03F1/60 , C03C15/00 , C03C19/00
CPC分类号： G03F1/60 , G03F1/14 , Y10T428/24488

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