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1. 发明专利

JP6125772B2 反射型マスクブランク、反射型マスクおよび反射型マスクの製造方法有权
公开(公告)号：JP6125772B2
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：JP2012172751
申请日：2012-08-03
申请人： HOYA株式会社
发明人：酒井和也 , 大久保亮 , 野澤順 , 鈴木寿幸
IPC分类号： G03F1/24 , G03F1/80
CPC分类号： G03F1/24 , G03F1/58 , G03F1/80

2. 发明专利

JPWO2015141078A1 マスクブランク、位相シフトマスクおよび半導体デバイスの製造方法有权
公开(公告)号：JPWO2015141078A1
公开(公告)日：2017-04-06
申请号：JP2015518104
申请日：2014-12-09
申请人： Hoya株式会社 , Hoya株式会社
发明人：淳志小湊 , 淳志小湊 , 博明宍戸 , 博明宍戸 , 崇打田 , 崇打田
IPC分类号： G03F1/32 , G03F1/54
CPC分类号： G03F1/32 , G03F1/58 , G03F7/2053
摘要：遮光膜に遷移金属シリサイド系材料を用いる場合において、遮光膜の薄膜化が図られ、且つ、ArF耐光性の問題もクリアすることが可能な位相シフトマスク及びこれを作製するためのマスクブランクの提供。透光性基板1上に、位相シフト膜2、遮光膜4を有するマスクブランク10であって、位相シフト膜2をArF耐光性を有する材料で形成し、遮光膜4の少なくとも1つの層を、遷移金属、ケイ素および窒素を含有し、かつ以下の式(1)の条件を満たす材料によって形成する。CN≦9.0×10−6×RM4−1.65×10−4×RM3−7.718×10−2×RM2+3.611×RM−21.084・・・式(1)ただし、RMは、前記1つの層における遷移金属およびケイ素の合計含有量に対する遷移金属の含有量の比率であり、CNは、前記1つの層における窒素の含有量。

3. 发明专利

JP2017058633A マスクブランク、位相シフトマスクおよび半導体デバイスの製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017058633A
公开(公告)日：2017-03-23
申请号：JP2015185779
申请日：2015-09-18
申请人： HOYA株式会社
发明人：小湊淳志 , 宍戸博明 , 打田崇
IPC分类号： G03F1/58 , G03F1/32
CPC分类号： G03F1/32 , G03F1/58
摘要：【課題】遮光膜に遷移金属シリサイド系材料を用いる場合において、遮光膜の薄膜化を図り、ArF耐光性の問題もクリアできる位相シフトマスクとマスクブランクを提供する。【解決手段】遮光膜4の少なくとも1つの層は、遷移金属およびケイ素を含有し、かつ窒素および酸素を含有しない材料、または、遷移金属、ケイ素および窒素を含有し、かつ1つの層の遷移金属およびケイ素の合計含有量[原子%]に対する遷移金属の含有量[原子%]の比率[%]、および1つの層の窒素の含有量[原子%]についての条件を満たす材料のいずれかによって形成され、位相シフト膜4は、表層と表層以外の層とからなり、表層以外の層は、遷移金属、ケイ素、窒素および酸素を含有し、酸素の含有量が3原子%以上であり、かつ表層以外の層の遷移金属の含有量[原子%]、および表層以外の層のケイ素の含有量[原子%]についての条件を満たす材料で形成されている。【選択図】図1

4. 发明专利

JP5844025B2 自己マスク層を有するフォトマスクとそのエッチング方法有权
标题翻译：光掩模及其刻蚀方法具有自掩模层
公开(公告)号：JP5844025B2
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：JP2007239726
申请日：2007-09-14
申请人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド , APPLIED MATERIALS,INCORPORATED
发明人：バンクイウウー
IPC分类号： G03F1/68 , G03F1/54
CPC分类号： G03F1/80 , G03F1/58 , G03F1/30 , Y10T428/31616

5. 发明专利

JP2015194724A マスクブランク、位相シフトマスクの製造方法、位相シフトマスク、および半導体デバイスの製造方法有权
标题翻译：掩模布，生产相位移掩模的方法，相移屏蔽以及制造半导体器件的方法
公开(公告)号：JP2015194724A
公开(公告)日：2015-11-05
申请号：JP2015032707
申请日：2015-02-23
申请人： HOYA株式会社
发明人：宍戸博明 , 野澤順 , 打田崇
IPC分类号： G03F1/80 , G03F1/58 , H01L21/3065 , G03F1/32
CPC分类号： G03F1/32 , G03F1/58 , G03F1/80
摘要：【課題】形状精度の良好にパターンの倒れなくクロムを含有する材料からなる遮光膜をパターニングすることが可能なハーフトーン型の位相シフトマスク用のマスクブランクを提供する。【解決手段】透光性基板上に、当該透光性基板側から順に位相シフト膜、遮光膜およびハードマスク膜を積層した構造を有するマスクブランクであって、前記位相シフト膜は、ケイ素を含有する材料で形成され、前記ハードマスク膜は、ケイ素およびタンタルから選ばれる少なくとも1以上の元素を含有する材料で形成され、前記遮光膜は、クロムを含有する材料で形成され、下層、中間層および上層の3層を積層した構造を有し、前記上層は、クロムの含有量が前記遮光膜の中で最も多く、前記中間層は、クロムの含有量が前記遮光膜の中で最も少なく、かつインジウム、スズおよびモリブデンから選ばれる少なくとも1以上の金属元素を含有している。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种用于半色调相移掩模的掩模坯料，其能够对包含含铬材料的遮光膜进行图案化，具有改进的形状精度并且不引起图案折叠。解决方案：掩模坯料从透光性基板侧依次层叠在透光性基板上的相移膜，遮光膜和硬掩模膜所构成的结构。相移膜由含有硅的材料形成。硬掩模膜由包括从硅和钽中选择的至少一种或多种元素的材料形成。遮光膜由包含铬的材料形成，并且具有通过层叠三层即下层，中间层和上层而获得的结构。上层在遮光膜中的铬含量最高。中间层在遮光膜中具有最低的铬含量，并且包括至少一种或多种选自铟，锡和钼的金属元素。

6. 发明专利

JP5786084B2 マスクブランク、転写用マスク、転写用マスクの製造方法、及び半導体デバイスの製造方法有权
公开(公告)号：JP5786084B2
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：JP2014235076
申请日：2014-11-19
申请人： HOYA株式会社
发明人：小湊淳志 , 橋本雅広 , 岩下浩之
IPC分类号： G03F1/74 , G03F1/58
CPC分类号： G03F1/50 , G03F1/00 , G03F1/58 , G03F1/74 , G03F7/2006 , Y10T428/24942

7. 发明专利

JP2015072471A ブランクマスク及びフォトマスク审中-公开
标题翻译：空白面具和照片
公开(公告)号：JP2015072471A
公开(公告)日：2015-04-16
申请号：JP2014195059
申请日：2014-09-25
申请人：株式会社エスアンドエステック
发明人：南基守 , 姜亘遠 , 申 ▲ちょる▼ , 李鍾華 , 梁 ▲ちょる▼ 圭 , 金昌俊 , 鄭始俊 , 張圭珍
IPC分类号： G03F1/74 , G03F1/48 , G03F1/54
CPC分类号： G03F1/46 , G03F1/38 , G03F1/54 , G03F1/58
摘要：【課題】ブランクマスク及びフォトマスクを提供する。【解決手段】本発明は、透明基板上に遮光性膜及びその遮光性膜に対するエッチング選択比が高く、薄肉のハードフィルムを備えるブランクマスクを形成することで、ハーフピッチ32nm級以下、特に22nm級以下の高解像度パターンが備えられたフォトマスクを具現する。また、遮光性膜を構成する金属及びシリコン(Si)と軽元素との組成比を調節して、電子ビームリペア工程時にXeF 2 ガスによるパターン損傷を抑制して優れた品質を持つフォトマスクを提供する。【選択図】図3
摘要翻译：要解决的问题：提供一种空白掩模和光掩模。解决方案：通过形成遮光膜提供具有32nm等级或更高等级或更高等级或更高等级的半间距的高分辨率图案的光掩模以及在透明基板上具有对遮光膜的蚀刻选择率高的空白光掩模，并且设置有薄的硬膜。通过在电子修复步骤中调整金属和硅（Si）与光元件的组成比，通过调整构成遮光膜的金属和元素，以及抑制XeF气体的图案损伤来提供质量优异的光掩模。

8. 发明专利

JP5412507B2 Mask blank and a transfer mask 有权
公开(公告)号：JP5412507B2
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：JP2011507019
申请日：2010-03-30
申请人： Hoya株式会社
发明人：雅広橋本 , 浩之岩下 , 靖大久保 , 順野澤
IPC分类号： G03F1/50 , G03F1/46 , G03F1/54 , G03F1/58
CPC分类号： G03F1/46 , G03F1/50 , G03F1/58

9. 发明专利

JP5175932B2 Phase shift mask blank and a phase shift mask 有权
公开(公告)号：JP5175932B2
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：JP2010518050
申请日：2009-06-25
申请人： Hoya株式会社
发明人：浩之岩下 , 博明宍戸 , 淳志小湊 , 雅広橋本
IPC分类号： G03F1/32 , G03F1/50 , G03F1/54 , G03F1/58
CPC分类号： G03F1/58 , G03F1/32

10. 发明专利

JPWO2010113475A1 マスクブランクおよび転写用マスク有权
公开(公告)号：JPWO2010113475A1
公开(公告)日：2012-10-04
申请号：JP2011507019
申请日：2010-03-30
申请人： Hoya株式会社 , Hoya株式会社
发明人：雅広橋本 , 雅広橋本 , 浩之岩下 , 浩之岩下 , 大久保　靖 , 靖大久保 , 野澤　順 , 順野澤
IPC分类号： G03F1/54 , G03F1/46 , G03F1/58
CPC分类号： G03F1/46 , G03F1/50 , G03F1/58
摘要： [課題]半導体デザインルールにおけるDRAMハーフピッチ(hp)32nm以降の世代で問題となる電磁界(EMF)効果の課題に対し、十分な改善効果を有し、しかも実用性のあるマスクブランク及び転写用マスクを提供する。[解決手段]ArF露光光が適用される転写用マスクを作製するために用いられるマスクブランクであって、透光性基板1上に形成される遮光層11および表面反射防止層12の積層構造からなる遮光膜10と、前記遮光膜10の上方に形成される補助遮光膜20とを備え、前記遮光膜10は、膜厚が40nm以下、かつ光学濃度が2.0以上、2.7以下であり、前記遮光膜10と補助遮光膜20の積層構造における光学濃度が2.8以上であることを特徴とする。

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