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1. 发明专利

JP2015056448A 基板処理方法および基板処理装置有权
标题翻译：基板加工方法和基板加工装置
公开(公告)号：JP2015056448A
公开(公告)日：2015-03-23
申请号：JP2013187627
申请日：2013-09-10
申请人：株式会社Screenホールディングス , Screen Holdings Co Ltd
发明人： NEGORO SEI , NAGAI YASUHIKO , IWATA KEIJI
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/304
CPC分类号： B08B3/10 , B08B7/00 , B08B7/0035 , B08B7/0064 , B08B7/0071 , H01L21/67028 , H01L21/67103 , H01L21/6715
摘要：【課題】基板の主面にダメージを与えることなく、当該主面に、ヒータを用いた良好な処理を施すことができる基板処理方法および基板処理装置を提供すること。【解決手段】ウエハWの表面にSPM液の液膜を保持する液膜保持工程と、液膜保持工程に並行して、ウエハWの表面に対向配置されたヒータ54の出力を第1出力に設定して、SPM液の液膜を加熱するステップS31の第1ヒータ加熱工程と、液膜保持工程に並行して、ステップS31の第1ヒータ加熱工程の後に、ヒータ54の出力を第1出力よりも低い第2出力に変更して、SPM液の液膜を加熱するステップS32の第2ヒータ加熱工程とを含む、基板処理方法を実施する。【選択図】図8
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够通过使用加热器对基板的主表面进行精细处理而不损害主表面的基板处理方法以及基板处理装置。解决方案：基板处理方法包括：用于将SPM液膜保持在晶片W的表面上的液膜保持步骤; 步骤S31中的第一加热器加热步骤，用于通过将与晶片W的表面相对布置的加热器54的输出设置为与液膜保持步骤平行的第一输出来加热SPM液膜; 以及步骤S32中的第二加热器加热步骤，用于通过在步骤S31中与液膜平行地将加热器54的输出改变为低于第一加热器加热步骤之后的第一输出的第二输出来加热SPM液膜保持步伐

2. 发明专利

JP2016181609A 基板処理方法および基板処理装置有权
标题翻译：基板加工方法和基板加工装置
公开(公告)号：JP2016181609A
公开(公告)日：2016-10-13
申请号：JP2015061188
申请日：2015-03-24
申请人：株式会社SCREENホールディングス
发明人：北川広明 , 宮勝彦
IPC分类号： H01L21/027 , G03F1/82 , H01L21/304
CPC分类号： B08B3/10 , B08B7/0014 , B08B7/0064 , B08B7/0092 , H01L21/02041 , H01L21/02052 , H01L21/67028 , H01L21/6704 , H01L21/67109
摘要：【課題】低コストで効率よく基板の表面に凝固体を形成する。【解決手段】水平姿勢の基板の上面に形成された凝固対象液の液膜を冷却部材を用いて凝固させて凝固体を形成する凝固体形成工程は、冷却部材のうち凝固対象液の凝固点よりも低温の処理面を液膜に着液させて上面と処理面とに挟まれる領域に位置する凝固対象液を凝固させる第1工程と、第1工程により凝固された凝固領域から処理面を剥離する第2工程とを有し、凝固領域と処理面との付着力は、凝固領域と上面との付着力よりも小さい。【選択図】図6
摘要翻译：要解决的问题：以低成本有效地在基板的表面上形成凝固体。解决方案：一种固化体的形成过程，其中形成在基板的顶表面上的固化对象液体的液体膜水平位置使用冷却构件固化，从而形成凝固体，包括：使处于低于冷却构件中的凝固物液体的凝固点的处理表面的处理表面与液膜接触的第一步骤，以及凝固位于夹在上表面和处理面之间的区域中的凝固物液体; 以及在第一步骤中固化的固化区域剥离处理表面的第二步骤。凝固区域和处理面之间的粘合力小于固化区域和顶面之间的粘合力。图示：图6

3. 发明专利

JP5395405B2 Substrate cleaning method and apparatus 有权
公开(公告)号：JP5395405B2
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：JP2008276027
申请日：2008-10-27
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：英章松井 , 剛守屋
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： B08B7/0071 , B08B7/0064 , B08B7/02 , H01L21/67028 , H01L21/67115

4. 发明专利

JP5692167B2 被処理物から汚れ物質を洗浄し、除去する方法及び装置有权
标题翻译：从处理对象物洗涤污染材料中，一种方法用于去除和设备
公开(公告)号：JP5692167B2
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：JP2012128277
申请日：2012-06-05
申请人：株式会社デンソー
发明人：柳川敬太
IPC分类号： C23G1/26 , B08B3/02 , C23G1/24
CPC分类号： B08B3/10 , B08B3/022 , B08B7/0064 , C23G1/00 , C23G3/00

5. 发明专利

JP2010103444A Substrate cleaning method and apparatus 有权
标题翻译：基板清洗方法和装置
公开(公告)号：JP2010103444A
公开(公告)日：2010-05-06
申请号：JP2008276027
申请日：2008-10-27
申请人： Tokyo Electron Ltd , 東京エレクトロン株式会社
发明人： MATSUI HIDEAKI , MORIYA TAKESHI
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： B08B7/0071 , B08B7/0064 , B08B7/02 , H01L21/67028 , H01L21/67115
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate cleaning method capable of preventing pattern collapse. SOLUTION: The substrate cleaning method for cleaning and removing particles P that adhere on the surface of a wafer W has a heating step of heating the wafer W to peel the particle P, adhering on the surface of the wafer W by a thermal stress from the surface of the wafer W; a desorption step of desorbing the particles P from the surface of the wafer W by the temperature gradient caused near to the surface of the wafer W; and a step of collecting the particles P for collecting the particles P desorbed from the surface of the wafer W by a collecting plate 13 arranged opposite to the wafer W. COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供能够防止图案塌陷的基板清洗方法。解决方案：用于清洁和去除附着在晶片W表面上的颗粒P的基板清洗方法具有加热步骤，加热晶片W以剥离颗粒P，通过热粘附在晶片W的表面上来自晶片W的表面的应力; 解离步骤，通过在晶片W的表面附近引起的温度梯度将颗粒P从晶片W的表面解吸; 以及通过与晶片W相对设置的收集板13收集用于收集从晶片W的表面脱离的颗粒P的颗粒P的步骤。（C）2010，JPO＆INPIT

6. 发明专利

JP3893178B2 Cleaning method of the apparatus group of power generation equipment 失效
公开(公告)号：JP3893178B2
公开(公告)日：2007-03-14
申请号：JP31794096
申请日：1996-11-28
申请人：アルストムAlstom
发明人：ヨルディブルーノ , クスケラルフ
IPC分类号： B08B3/10 , B08B7/00 , F28G5/00
CPC分类号： F28G5/00 , B08B7/0064

7. 发明专利

KR20210027761A KR20210027761A - Wafer cleaning apparatus and wafer cleaning method using the same 审中-公开
公开(公告)号：KR20210027761A
公开(公告)日：2021-03-11
申请号：KR1020190108585A
申请日：2019-09-03
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 신승민 , 장헌재 , 김석훈 , 김영후 , 김인기 , 김태홍 , 이근택 , 차지훈 , 최용준
IPC分类号： H01L21/67 , B23K26/362 , H01L21/02 , H01L21/306
CPC分类号： B08B7/0042 , B08B3/10 , B08B7/0064 , B23K26/362 , H01L21/02052 , H01L21/30604 , H01L21/31111 , H01L21/67 , H01L21/6704 , H01L21/67051 , H01L21/67075 , H01L21/67098 , H01L21/6715 , H01L21/67248 , H01L21/68764
摘要： 웨이퍼 클리닝 장치가 제공된다. 웨이퍼 클리닝 장치는 웨이퍼가 로딩되는 챔버, 웨이퍼의 상부에 배치되고, 웨이퍼의 상면에 약액을 제공하는 노즐, 웨이퍼의 하부에 배치되는 하우징, 웨이퍼에 레이저를 조사하는 레이저 모듈, 웨이퍼와 레이저 모듈 사이에 배치되는 투명 윈도우, 및 레이저 모듈의 온(on)/오프(off)를 제어하는 제어부를 포함하되, 제어부는 레이저 모듈의 온(on)/오프(off)가 반복적으로 수행되도록 제어하여, 웨이퍼의 온도를 미리 설정된 온도 범위 내로 유지시키고, 레이저 모듈의 온(on)/오프(off)를 포함하는 하나의 사이클에서, 레이저 모듈이 온(on)되는 시간의 비율은 30% 내지 50% 이다.

8. 发明专利

JP2018535089A アンチ・ファウリング・システム、並びに、アンチ・ファウリング・システムを制御するコントローラー及び方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018535089A
公开(公告)日：2018-11-29
申请号：JP2018521388
申请日：2016-10-11
申请人：コーニンクレッカフィリップスエヌヴェ , KONINKLIJKE PHILIPS N.V.
发明人：フィッセルコルネリスゲラルドゥス , ヒートブリンクローラントボウデワイン , サルテルスバートアンドレ
IPC分类号： B63B59/04 , B63B13/00 , C02F1/50 , C02F1/76 , B08B17/02 , C02F1/32
CPC分类号： B08B17/02 , B08B7/0057 , B08B7/0064 , B08B9/023 , B08B9/08 , B63J4/002 , F28D1/022 , F28D7/06 , F28F19/00
摘要：ウェット・コンパートメント10とともに使用するためのアンチ・ファウリング・システム1であって、ウェット・コンパートメント10は、水がコンパートメント10に進入することを可能にするための少なくとも1つの入口開口部11を有しており、アンチ・ファウリング・システム1は、ウェット・コンパートメント10の中に存在する少なくとも1つの表面26をバイオファウリングのない状態に維持するために、アンチ・ファウリング光を放射するための少なくとも1つのアンチ・ファウリング供給源30を受け入れて動作させるように構成されている。システム1は、少なくとも1つのアンチ・ファウリング供給源30の動作を制御するためのコントローラー50を含み、コントローラー50は、少なくとも1つの水関連のパラメーター、少なくとも1つの表面関連のパラメーター、及び、少なくとも1つの開口部関連のパラメーターのうちの少なくとも1つに関連して、少なくとも1つのアンチ・ファウリング供給源30の少なくとも1つの動作パラメーターを決定するように構成されている。

9. 发明专利

JP6222818B2 基板処理方法および基板処理装置有权
公开(公告)号：JP6222818B2
公开(公告)日：2017-11-01
申请号：JP2013187627
申请日：2013-09-10
申请人：株式会社SCREENホールディングス
发明人：根来世 , 永井泰彦 , 岩田敬次
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/027
CPC分类号： B08B3/10 , H01L21/67028 , H01L21/67103 , H01L21/6715 , B08B7/00 , B08B7/0035 , B08B7/0064 , B08B7/0071

10. 发明专利

JP2015525127A 酸化的および熱的に強化された処理液を生成する装置および方法审中-公开
标题翻译：设备和方法，以产生氧化和热增强处理液
公开(公告)号：JP2015525127A
公开(公告)日：2015-09-03
申请号：JP2015516231
申请日：2013-06-07
申请人：テナントカンパニー , テナントカンパニー
发明人：ブルースエフ．フィールド , ブルースエフ．フィールド , ラッセルジェイ．ピルッキ , ラッセルジェイ．ピルッキ , マークスティーブンシトセイ , マークスティーブンシトセイ , チャールズダブリュー．オニール , チャールズダブリュー．オニール
IPC分类号： B08B3/08 , C02F1/32 , C02F1/46
CPC分类号： B08B7/00 , A47L11/30 , A47L11/4083 , B08B1/04 , B08B3/00 , B08B3/02 , B08B3/024 , B08B3/10 , B08B7/0035 , B08B7/0057 , B08B7/0064 , C02F1/32 , C02F1/46104 , C02F1/4618 , C02F1/4674 , C02F9/00 , C02F2001/46133 , C02F2201/46115 , C02F2201/4613 , C02F2201/46155 , C25B15/02 , Y02W10/37 , C02F1/46 , C02F1/02
摘要：洗浄システム(10a〜10g)は、供給液を第1の温度で供給するよう構成された液体源(12)と、供給液を受け取り、該供給液を電気化学的に活性化し、電気化学的に活性化された液体を供給するよう構成された電解セル(18)であって、電気化学的な活性化によっても供給液は加熱され、電気化学的に活性化された液体は、第1の温度よりも高い上昇した温度となる電解セルとを備える。該洗浄システムは、電気化学的に活性化された液体を分配するよう構成されたディスペンサ(20)も備える。
摘要翻译：清洁系统（10A-10G）被配置液体源在第一温度下提供的进料液（12）接收的进料，和电化学活化的进料溶液，电化学构造的电解池，以提供活化的液体（18），还通过电化学活化进料加热，电化学活化液体是第一温度和电解池，包括增加的温度比越高。该清洁系统包括配置为分配所述电化学活化液体还包括分配器（20）。

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